CN113994470A - 共同封装的光学器件和收发器 - Google Patents
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Abstract
一种组件。在一些实施例中，该组件包括：光子集成电路（PIC，105）；以及电子集成电路（IC，110）。光子集成电路的前表面在重叠区域（135）中紧靠电子集成电路的前表面。光子集成电路的第一部分（125）突出在电子集成电路的第一边缘（130）之外，并且电子集成电路的第一部分（115）突出在光子集成电路的第一边缘（120）之外。电子集成电路的前表面上的导体在重叠区域中连接到光子集成电路的前表面上的导体。
Description
技术领域
根据本公开的实施例的一个或多个方面涉及光电系统，并且更特别地涉及用于共同封装光学器件和收发器部件的系统和方法。
背景技术
用于封装光子集成电路和电子集成电路的一些系统（诸如，扇出晶片级封装（FOWLP）），可以包含在电子集成电路的一个或两者表面上的再分布层（RDL）和用以将信号从电子集成电路的前表面路由到后表面的贯穿通孔（通过电子集成电路）。这样的系统可能具有某些缺点。例如，RDL的厚度可以增大光子集成电路与电子集成电路之间的互连路径长度。该增加的长度增大连接的电感并且减小电路（例如，光子集成电路上的光检测器的电路和电子集成电路上的跨阻抗放大器的电路）的带宽。这限制在使用RDL时可实现的数据率。而且，如果电子集成电路的后表面用作电互连，则该互连的存在可能是对于将散热器直接地放置于电子集成电路上的阻碍，并且热量可以替代地通过光子集成电路流动到散热器，从而导致在热阻的方面的增加，并且可能导致对于光子集成电路中的温度敏感的装置的更高的操作温度。
因而，存在对于共同封装光学器件和收发器部件的改进的系统和方法的需要。
发明内容
根据本发明的实施例，提供了一种组件，该组件包括：光子集成电路；以及电子集成电路，光子集成电路的前表面在重叠区域中紧靠电子集成电路的前表面，光子集成电路的第一部分突出在电子集成电路的第一边缘之外，并且电子集成电路的第一部分突出在光子集成电路的第一边缘之外，电子集成电路的前表面上的导体在重叠区域中连接到光子集成电路的前表面上的导体。
在一些实施例中，电子集成电路的第一边缘与电子集成电路的第一部分相对，并且光子集成电路的第一边缘与光子集成电路的第一部分相对。
在一些实施例中，电子集成电路的前表面上的导体在重叠区域中通过金属凸块连接到光子集成电路的前表面上的导体，金属凸块是多个金属凸块之一，金属凸块布置于矩形阵列上的网格上，金属凸块不存在于矩形阵列的拐角处的网格点。
在一些实施例中，在重叠区域中：在电子集成电路上不存在再分布层，并且在光子集成电路上不存在再分布层。
在一些实施例中，组件还包括紧靠电子集成电路的第一部分的印刷电路板。
在一些实施例中，组件还包括电子集成电路的第一部分与印刷电路板之间的可压缩膜连接器，电子集成电路的第一部分上的导体通过可压缩膜连接器中的导体连接到印刷电路板上的导体。
在一些实施例中，组件还包括印刷电路板上的数字集成电路，数字集成电路通过印刷电路板上的导体和可压缩膜连接器中的导体连接到电子集成电路。
在一些实施例中，组件还包括：数字集成电路上的散热器；以及电子集成电路上的散热器。
在一些实施例中，组件配置成容许在不将散热器从数字集成电路移除的情况下替换：光子集成电路和电子集成电路。
在一些实施例中：光子集成电路包括光检测器，并且电子集成电路包括通过具有小于500微米的长度的传导路径连接到光检测器的放大器。
在一些实施例中，传导路径的长度小于200微米。
在一些实施例中，传导路径的长度小于100微米。
在一些实施例中：光子集成电路包括光检测器，并且电子集成电路包括连接到光检测器的放大器；并且其中从对光检测器的承载振幅调制的光的光输入到与振幅调制对应的电信号的来自放大器的输出的信号路径具有至少10 GHz的3 dB带宽。
在一些实施例中，信号路径具有至少60 GHz的3 dB带宽。
在一些实施例中：光子集成电路包括调制器，并且电子集成电路包括通过具有小于500微米的长度的传导路径连接到调制器的放大器。
在一些实施例中，传导路径的长度小于200微米。
在一些实施例中，传导路径的长度小于100微米。
在一些实施例中：光子集成电路包括调制器，并且电子集成电路包括连接到调制器的放大器；以及，其中从对放大器的电信号的输入到承载与电信号对应的振幅调制的光的来自调制器的输出的信号路径具有至少10 GHz的3 dB带宽。
在一些实施例中，信号路径具有至少40 GHz的3 dB带宽。
附图说明
将参考说明书、权利要求、以及附图来认识并且理解本公开的这些以及其它特征和优点，其中：
图1A是根据本公开的实施例的倒装芯片组件的侧视图；
图1B是根据本公开的实施例的倒装芯片组件的底视图；
图2A是根据本公开的实施例的倒装芯片组件的顶视图；
图2B是根据本公开的实施例的引脚分配（pinout）图；
图3是根据本公开的实施例的组件的侧视图；
图4是根据本公开的实施例的组装流程图；
图5是根据本公开的实施例的组件的侧视图；以及
图6是根据本公开的实施例的组件的透视图。
具体实施方式
在下文中结合附图阐明的详细描述旨在作为根据本公开而提供的用于共同封装光学器件和收发器部件的系统和方法的示例性实施例的描述，并且不旨在表示其中可以构造或利用本公开的仅有形式。本描述结合所说明的实施例阐明本公开的特征。然而，将理解，相同或等同的功能和结构可以通过也旨在被包含在本公开的范围内的不同的实施例来实现。如在本文中在别处指代的，相同的元件编号旨在指示相同的元件或特征。
参考图1A和图1B，在一些实施例中，在（i）光子集成电路105（PIC）上的部件（例如，光检测器和/或调制器）与（ii）电子集成电路110上的部件或电路（例如，跨阻抗放大器和/或调制器驱动器）之间的短电连接可以通过将光子集成电路105倒装芯片绑定（flip-chipbonding）到电子集成电路110以形成倒装芯片组件来形成。光子集成电路可以包括衬底（例如，硅衬底），该衬底具有前表面（在图1A的取向下，光子集成电路105的上表面），在该前表面上或在该前表面中可以是V形槽（用于与光纤无源对准，为了便于说明而未示出）、光波导、光电装置（例如，光检测器和调制器）、以及形成用于将电信号路由到光电装置并从光电装置路由电信号的传导迹线的一个或多个金属层。光波导可以包括模式转换器（例如，渐缩区段），该模式转换器例如用于在可以在3微米宽波导中传播的模式与（i）可以在单模光纤中传播的模式或（ii）可以在光电装置中产生有用的强度分布的模式之间转换。电子集成电路110可以具有5 mm与15 mm之间的长度（例如，10.2 mm的长度）和2 mm与9 mm之间的宽度（例如，4.4 mm的宽度），并且光子集成电路105可以具有7 mm与30 mm之间的长度（例如，15mm的长度）和3 mm与11 mm之间的宽度（例如，5.5 mm的宽度）。
电子集成电路110可以是硅集成电路，并且电子集成电路110的前表面（在图1A的取向下，下表面）可以包括用于与光电装置（例如，用于对由光子集成电路105上的光检测器生成的光电流进行放大的跨阻抗放大器和用于对光子集成电路105上的调制器（例如，电吸收（EA）调制器）进行驱动的调制器驱动器）对接的接口电路。这些接口电路中的每个可以是电子集成电路110的前表面上的相应的高速通道的一部分。每个高速通道可以包括（除了接口电路之外）串行接收器电路（用于连接到调制器的高速通道）或串行发射器电路（用于连接到光检测器的高速通道）。这些串行接收器电路和串行发射器电路可以是例如XSR或USR接收器或发射器电路，并且它们可以用于如在下文中更详细地讨论的那样与数字电子电路（例如，开关专用集成电路（ASIC））交换数据。每个高速通道还可以包括用于使接口电路连接到串行接收器电路或串行发射器电路的电路系统（例如，在连接到光检测器的高速通道的情况下，连接到跨阻抗放大器的时钟和数据恢复电路）。电子集成电路110上的电路可以占据电子集成电路110的区域的相对小的小部分（例如，小于一半或小于四分之一），并且在一些实施例中，例如，可以采用额外的区域来在电子集成电路110的第一部分115上制造微控制器。
在一些实施例中，光子集成电路105上的光电装置与电子集成电路110上的对应的接口电路（例如，放大器）之间的电连接可以具有小于500微米、或小于200微米、或小于100微米的长度。在一些实施例中，该长度可以几乎与形成光子集成电路105与电子集成电路110之间的连接的金属凸块140（例如，铜柱凸块，其在下文中更详细地讨论）的高度一样小。在一些实施例中，接收通道的模拟部分（例如，光检测器和连接到光检测器的跨阻抗放大器）可以具有至少10 GHz、或至少20 GHz、或至少60 GHz的带宽（例如，3 dB带宽），其中该带宽依据从对由光检测器接收的光的振幅调制到跨阻抗放大器的输出处的对应的信号的传递函数而定义。该带宽可以是前面提到的在PIC 140与IC 110之间的互连长度的相对敏感的函数，例如，相对小的在互连长度方面的增大可能导致显著的在带宽方面的减小。类似地，发射通道的模拟部分（例如，调制器和连接到调制器的调制器驱动器中的驱动放大器）可以具有至少10 GHz、或至少20 GHz、或至少60 GHz的带宽（例如，3 dB带宽），其中该带宽依据从驱动放大器的输入处的电信号到由调制器产生的对应的振幅调制的传递函数而定义。该带宽可以是前面提到的在PIC 140与IC 110之间的互连长度的相对敏感的函数，例如，相对小的在互连长度方面的增大可能导致显著的在带宽方面的减小。在一些实施例中，图1A和图1B的配置使得对于电子集成电路110（或光子集成电路105）而言不必要在任一表面上具有再分布层；相反，在电子集成电路110和光子集成电路105的中的一个或两者上具有相对小的数量的图案化的金属层（例如，10个或更少的金属层）可能是足够的。
光子集成电路105和电子集成电路110可以彼此偏移，使得如图1A中所示的光子集成电路105和电子集成电路110中的每个突出在另一个之外。特别地，电子集成电路110的第一部分115可以突出在光子集成电路105的第一边缘120之外，并且光子集成电路105的第一部分125可以突出在电子集成电路110的第一边缘130之外。参考图1B，光子集成电路105和电子集成电路110可以在重叠区域135中重叠。在一些实施例中，光子集成电路105的第一部分125和电子集成电路110的第一部分115位于重叠区域135的相对侧上（如例如在图1B中示出的那样），并且重叠区域135一般位于电子集成电路110的第一部分115与光子集成电路105的第一部分125之间。在其它实施例中，相对位置可以是不同的；例如，电子集成电路110的第一部分115可以沿第一方向远离重叠区域135延伸，并且光子集成电路105的第一部分125可以沿与第一方向垂直的第二方向远离重叠区域135延伸。
在重叠区域135中，光子集成电路105和电子集成电路110可以紧固在一起，并且通过多个金属凸块电连接。例如，多个顶部焊接的（solder-topped）铜柱凸块140（例如，Cu/Ni/SnAg凸块）可以形成于光子集成电路105的前表面上，并且对应的多个焊盘145（例如，Ni/Au焊盘）可以形成于电子集成电路110的前表面上；然后，光子集成电路105可以焊接到电子集成电路110，其中重叠区域中的光子集成电路105的每个顶部焊接的铜柱凸块140焊接到电子集成电路110上的相应的焊盘。可以例如使用热压缩接合来执行焊接。
铜柱凸块140中的每个可以具有25 um（微米）与100 um之间的直径和25 um与100um之间的高度。铜柱凸块140中的每个可以形成于具有10 um与70 um之间的直径的焊盘开口（例如，光子集成电路105的前表面上的绝缘（例如，二氧化硅）层中的开口）上。
参考图2A，重叠区域135中的铜柱凸块140可以位于基本上填充重叠区域135的网格（例如，具有50 um与150 um之间的间距的网格）上，如所示出的那样，重叠区域135可以是矩形的。在一些实施例中，如所示出的那样，可以省略拐角凸块，以便应力消除。电子集成电路110上的焊盘145（例如，Ni/Au焊盘）可以具有超过100 um的直径（在其中网格的间距超过100 um的实施例中）。铜柱凸块140的间距可以基于设计通道计数和密度而选取。例如，减小凸块间距（以及相应地减小通道间距）减小了PIC 105和电子集成电路110的宽度。在芯片宽度方面的减小增大了带宽密度，并且在大批量制造限制内减小了总体产品形状因子。例如，在一些实施例中，本文中所讨论的光学引擎填充在印刷电路板310的边缘上，印刷电路板310可以形成开关ASIC封装的衬底（图5）。该衬底形状因子最终由PIC 105和电子集成电路110的宽度确定，其取决于凸块间距。此外，减小衬底形状因子改进了前面提到的串行器-解串器性能并且降低了大批量的成本。在下文中对此进行更详细的讨论。高速通道150中的每个可以通过电子集成电路110的前表面上的一对传导迹线连接到电子集成电路110的前表面的第一部分115中的相应的一对焊盘、或“连接器凸块”（例如，Ni/Au焊盘），作为到例如开关ASIC的连接（例如，XSR或USR连接、或其它合适的串行电连接）的一部分，如在下文中更详细讨论的那样。电子集成电路110的前表面的第一部分115中的焊盘可以类似于与重叠区域135中的电子集成电路110的前表面上的焊盘，尽管电子集成电路110的前表面的第一部分115中的焊盘可能具有与重叠区域135中的电子集成电路110的前表面上的焊盘不同的尺寸。图2B示出了对于连接器凸块的候选引脚分配的示例。拐角连接器凸块可能不存在（如图2A中所示出的那样）或存在（如图2B中所示出的那样）。
光电装置可以位于距光子集成电路105的第一边缘120（在图2A的取向下，下边缘）大约700 um的行中，并且高速通道150中的每个可以从重叠区域135中的相应的光电装置延伸到电子集成电路110的第一部分115中，如图2A中所示出的那样。为了便于说明，未在图2A中示出V形槽。
在一些实施例中，图1A、图1B和图2A的组件被制成如图3中所示的较大组件的一部分。可压缩膜连接器305（例如，可压缩膜连接器在电子集成电路110的第一部分115的前表面上的焊盘145与印刷电路板310上的对应的焊盘（其可以形成到开关ASIC的连接，如在下文中更详细讨论的那样）之间形成多个传导路径。承载器315可以紧固到电子集成电路110的后表面（该后表面是与电子集成电路110的前表面相对的表面）。承载器315可以具有一个或多个对准脊320，对准脊320可以用于在组装期间使电子集成电路110与承载器315对准。承载器315可以向电子集成电路110并向光子集成电路105提供机械加强，以降低在组装期间损坏的风险，并且在操作中，承载器315可以提供用于使在电子集成电路110中耗散的热量被传导出的热流路径。承载器315可以由铜或由另一种导热材料组成。
在一些实施例中，光子集成电路105上的所有光电装置都是相同的。例如，在可以被称为接收PIC（Rx PIC）的光子集成电路105上，所有光电装置都是光检测器，并且在连接到PIC（其可以被称为Rx IC）的电子集成电路110上，接口电路全都是跨阻抗放大器。类似地，在可以被称为发射PIC（Tx PIC）的光子集成电路105上，所有光电装置都可以是调制器，并且在连接到PIC（其可以被称为Tx IC）的电子集成电路110上，接口电路全都是调制器驱动器。
图4示出了在一些实施例中的制造流程。Tx IC使用包括凸块加工（bumping）（利用Ni/Au焊盘145）、晶片背面研磨、以及切块的步骤来制备，并且Rx IC类似地使用包括凸块加工（利用Ni/Au焊盘145）、晶片背面研磨、以及切块的步骤来制备。可以采用晶片背面研磨来减小Tx IC或Rx IC的总厚度，同时还减小在下文中更详细讨论的在IC与ASIC散热器之间的壳结热阻。Tx PIC使用包括III-V微转移印刷（以将调制器（其可以是III-V装置）放置于PIC上）、凸块加工（利用铜柱凸块140）、以及切块的步骤来制备，并且Rx PIC使用包括凸块加工（利用铜柱凸块140）、和切块的步骤来制备。Tx IC然后焊接到Tx PIC以形成可以被称为“Tx子组件”的组件，并且Rx IC然后焊接到Rx PIC以形成可以被称为“Rx子组件”的组件。Tx子组件和Rx子组件然后紧固到承载器315，并且光纤尾线附接到PIC，以形成可以被称为光学引擎的组件。在这些子组件中，尤其在当IC在晶片制备期间经受晶片背面研磨时的情况下，PIC可以实质上比IC厚。较厚的PIC减少翘曲，以支持135中的微细间距凸块组装，并且在光纤尾线组装之后改进部件刚性。在一些实施例中，光子集成电路105具有500微米与1000微米之间的厚度，例如，大约680微米，并且电子集成电路110具有100微米与700微米之间的厚度，例如，580微米。
一个或多个光学引擎可以用于向如图5中所示出的数字集成电路505（例如，开关ASIC）提供光学接口。ASIC散热器510将热量从数字集成电路505传导出（例如，传导到基于热管的冷却系统）。顶部夹具515（连同底部部分517）使光学引擎和可压缩膜连接器305紧固到印刷电路板310，并且将流过承载器315的热量从光学引擎传导出；顶部夹具通过一层顺应性热接口材料525热连接到可移除散热器区段520。在图5的实施例中，承载器315缺乏图3中所示出的对准脊320；在其它实施例中，然而，可以存在一个或多个对准脊320，并且该结构可以在其它方面类似于图5中所示的结构。印刷电路板310可以形成封装的衬底，该衬底包括图5中所示的元件，该衬底可以通过位于印刷电路板310的下表面上的导体530的阵列来紧固并且连接到另一印刷电路板（例如，母板）。这样的母板可以具有用以容纳夹具的底部部分517的孔或切口。第二靠岸部（beachfront）540可以用于容纳另一光学引擎（未示出）或者例如边缘连接器，其用于与数字集成电路505进行串行电连接（如在下文中更详细讨论的那样）。
图5未按比例绘制。在一些实施例中，数字集成电路505是矩形的（例如，正方形），并且足够大，以在其四个边缘中的每个上容纳一个或多个光学引擎，从而向数字集成电路505提供多个光学接口。在一些实施例中，数字集成电路505具有多个电串行发射器和接收器，并且封装提供到数字集成电路505的第一多个电串行发射器和接收器的直接电连接（例如，在第二靠岸部540处）和（如在图5的右侧示出的那样）通过一个或多个光学引擎到数字集成电路505的第二多个高速通道的光学连接。在具有多个光学引擎的实施例中，可能有利的是，能够在不需要例如将ASIC散热器510从数字集成电路505移除的情况下替换光学引擎中的任一个（例如，以安装不同版本的光学引擎、或以替换故障的光学引擎）。通过图5的配置使得光学引擎的这样的替换时可能的。图6是其中安装有光纤的光学引擎的透视图。光学引擎包括Tx PIC 605、Tx IC 610、Rx PIC 615、以及Rx IC 620。示例性实现方式是提供高达1.6T吞吐量的实施例。如果使用FR4，则最大数量的光纤可以是20根Tx光纤和4根Rx光纤。
如本文中所使用的，单词“或”是包括性的，使得例如“A或B”意味着（i）A、（ii）B、以及（iii）A和B中的任一个。如本文中所使用的，用语“矩形”包括作为特殊情况的正方形，即，正方形是矩形的示例。将理解，在元件或层被称为“位于另一元件或层上”，“连接到”另一元件或层、“耦合到”另一元件或层、“紧靠另一元件或层”或“与另一元件或层相邻”时，其可以直接地位于另一元件或层上、连接到另一元件或层、耦合到另一元件或层、紧靠另一元件或层、或与另一元件或层相邻、或可以存在一个或多个介于中间的元件或层。相比之下，在元件或层被称为“直接地位于另一元件或层上”、“直接地连接到”另一元件或层、“直接地耦合到”另一元件或层、“直接地紧靠另一元件或层”或“与另一元件或层紧邻”时，不存在介于中间的元件或层。
本文中所记载的任何数值范围旨在包括被归入所记载的范围内的相同的数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”或“1.0与10.0之间”的范围旨在包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间（并且包括所记载的最小值1.0和所记载的最大值10.0）的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，例如2.4至7.6。本文中所记载的任何最大数值限制旨在包括被归入其中的所有较低数值限制，并且本说明书所记载的任何最小数值限制旨在包括被归入其中的所有较高数值限制。
尽管已在本文中具体地描述并且说明用于共同封装光学器件和收发器部件的系统和方法的示例性实施例，对于本领域技术人员而言，许多修改和变型将是显而易见的。因此，将理解，根据本公开的原理而构造的用于共同封装光学器件和收发器部件的系统和方法可以不同于如在本文中具体地描述的方式而体现。本发明还在以下的权利要求及其等同物中限定。
Claims (19)
1.一种组件，包括：
光子集成电路；以及
电子集成电路，
所述光子集成电路的前表面在重叠区域中紧靠所述电子集成电路的前表面，
所述光子集成电路的第一部分突出在所述电子集成电路的第一边缘之外，并且
所述电子集成电路的第一部分突出在所述光子集成电路的第一边缘之外，
所述电子集成电路的所述前表面上的导体在所述重叠区域中连接到所述光子集成电路的所述前表面上的导体。
2.根据权利要求1所述的组件，其中所述电子集成电路的所述第一边缘与所述电子集成电路的所述第一部分相对，并且所述光子集成电路的所述第一边缘与所述光子集成电路的所述第一部分相对。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的组件，其中所述电子集成电路的所述前表面上的所述导体在所述重叠区域中通过金属凸块连接到所述光子集成电路的所述前表面上的所述导体，所述金属凸块是多个金属凸块之一，所述金属凸块布置于矩形阵列上的网格上，金属凸块不存在于所述矩形阵列的拐角处的网格点。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的组件，其中在所述重叠区域中：
在所述电子集成电路上不存在再分布层，并且
在所述光子集成电路上不存在再分布层。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的组件，还包括紧靠所述电子集成电路的所述第一部分的印刷电路板。
6.根据权利要求5所述的组件，还包括所述电子集成电路的所述第一部分与所述印刷电路板之间的可压缩膜连接器，所述电子集成电路的所述第一部分上的导体通过所述可压缩膜连接器中的导体连接到所述印刷电路板上的导体。
7.根据权利要求6所述的组件，还包括所述印刷电路板上的数字集成电路，所述数字集成电路通过下者连接到所述电子集成电路：
所述印刷电路板上的导体，以及
所述可压缩膜连接器中的导体。
8.根据权利要求7所述的组件，还包括：
所述数字集成电路上的散热器；以及
所述电子集成电路上的散热器。
9.根据权利要求8所述的组件，其中所述组件配置成容许在不将所述散热器从所述数字集成电路移除的情况下替换：
所述光子集成电路，以及
所述电子集成电路。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的组件，其中：
所述光子集成电路包括光检测器，并且
所述电子集成电路包括通过具有小于500微米的长度的传导路径连接到所述光检测器的放大器。
11.根据权利要求10所述的组件，其中所述传导路径的所述长度小于200微米。
12.根据权利要求10所述的组件，其中所述传导路径的所述长度小于100微米。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的组件，其中：
所述光子集成电路包括光检测器，并且
所述电子集成电路包括连接到所述光检测器的放大器；并且
其中从对所述光检测器的承载振幅调制的光的光输入到与所述振幅调制对应的电信号的来自所述放大器的输出的信号路径具有至少10 GHz的3 dB带宽。
14.根据权利要求13所述的组件，其中所述信号路径具有至少60 GHz的3 dB带宽。
15.根据前述权利要求中的任一项所述的组件，其中：
所述光子集成电路包括调制器，并且
所述电子集成电路包括通过具有小于500微米的长度的传导路径连接到所述调制器的放大器。
16.根据权利要求15所述的组件，其中所述传导路径的所述长度小于200微米。
17.根据权利要求15所述的组件，其中所述传导路径的所述长度小于100微米。
18.根据前述权利要求中的任一项所述的组件，其中：
所述光子集成电路包括调制器，并且
所述电子集成电路包括连接到所述调制器的放大器；并且
其中从对所述放大器的电信号的输入到承载与所述电信号对应的振幅调制的光的来自所述调制器的输出的信号路径具有至少10 GHz的3 dB带宽。
19.根据权利要求18所述的组件，其中所述信号路径具有至少40 GHz的3 dB带宽。
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