CN113991046B - 一种成膜设备及有机膜层的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种成膜设备及有机膜层的制备方法，成膜设备包括：恒温室，包括第一反应釜，第一反应釜包括第一气体输入端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端；成膜室，包括喷嘴及承载台，喷嘴与第一超临界流体输出端相连通；第一气体输入端为气体进入第一反应釜的通道，有机材料输入端为有机材料进入第一反应釜的通道，第一反应釜具有恒定的温度和压强并用于将气体转换为超临界流体，超临界流体用于溶解有机材料，第一超临界流体输出端用于将溶解有有机材料的超临界流体输送至喷嘴，喷嘴用于将溶解有有机材料的超临界流体喷出，以在承载台上形成有机膜层。该成膜设备及有机膜层的制备方法能够避免使用大量有机溶剂，成膜工艺更为简单。

Description

一种成膜设备及有机膜层的制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种成膜设备及有机膜层的制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置以其自发光、全固态、高对比度等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。OLED显示装置具有驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

有机发光二极管显示装置中的有机发光材料在制备过程中，主要通过蒸镀、喷墨打印等方式进行成膜，但蒸镀需要高真空高温度的成膜条件，对成膜设备要求较高，且材料利用率低；而喷墨打印则存在设备价格昂贵，成膜时需要大量有机溶剂、成膜设备易出现堵孔问题和工艺不成熟等缺点。

发明内容

本发明提供一种成膜设备及有机膜层的制备方法，能够有效解决目前有机发光材料的成膜工艺复杂、需要大量有机溶剂的问题。

一方面，本发明提供一种成膜设备，所述成膜设备包括：

恒温室，包括第一反应釜，所述第一反应釜包括第一气体输入端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端；

成膜室，包括喷嘴及承载台，所述喷嘴与所述第一超临界流体输出端相连通；

其中，所述第一气体输入端为气体进入所述第一反应釜的通道，所述有机材料输入端为有机材料进入所述第一反应釜的通道，所述第一反应釜具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体，所述超临界流体用于溶解所述有机材料，所述第一超临界流体输出端用于将溶解有所述有机材料的超临界流体输送至所述喷嘴，所述喷嘴用于将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台上形成有机膜层。

可选的，所述气体为二氧化碳气体，所述有机材料包括有机发光二级管显示面板的发光功能层中的至少一种材料，所述超临界流体为二氧化碳超临界流体，所述第一反应釜的温度为10℃至30℃，所述第一反应釜的压强为3.4Mpa。

可选的，所述恒温室还包括第二反应釜，所述第二反应釜包括第二气体输入端和第二超临界流体输出端，所述第二超临界流体输出端与所述喷嘴相连通，

其中，所述第二气体输入端为气体进入所述第二反应釜的通道，所述第二反应釜具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体，所述第二超临界流体输出端用于将所述超临界流体输送至所述喷嘴，所述喷嘴将所述超临界流体喷出。

可选的，所述成膜设备还包括第一传输管和第二传输管，所述第一传输管用于传输所述气体，所述第二传输管用于传输超临界流体至所述喷嘴，所述第一传输管分别与所述第一气体输入端和所述第二气体输入端相连通，所述第二传输管分别与所述第一超临界流体输出端和所述第二超临界流体输出端相连通。

可选的，所述第二反应釜设置于所述第一反应釜和所述成膜室之间。

可选的，所述成膜室还包括位于所述喷嘴和所述承载台之间的扩散板，所述承载台上设置有用于沉积所述有机膜层的基板，所述有机膜层由所述有机材料形成。

可选的，所述扩散板包括阵列排布的微孔，所述微孔的孔径大小可调节。

可选的，所述成膜室还包括位于所述扩散板和所述基板之间的加热器和转印版，所述加热器用于对所述转印版进行加热，所述转印版用于将形成在所述转印版上的有机膜层转印至所述基板上。

可选的，所述第二反应釜的温度和压强与所述第一反应釜的温度和压强相同。

另一方面，本发明还提供一种有机膜层的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

提供一成膜设备，所述成膜设备包括第一反应釜和成膜室，所述第一反应釜具有恒定的温度和压强且包括第一气体输出端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端，所述成膜室包括喷嘴和承载台；

将一气体通过所述第一气体输入端输送至所述第一反应釜内，所述气体在所述第一反应釜内转换为超临界流体；

将有机材料通过所述有机材料输入端输送至所述第一反应釜内，以使所述有机材料溶解于所述超临界流体中；

将溶解有所述有机材料的超临界流体通过所述第一超临界流体输出端输送至所述喷嘴，所述喷嘴将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台上形成有机膜层。

本发明提供的成膜设备及有机膜层的制备方法，在制备有机发光二极管显示面板的有机发光层时，通过设置合适的温度和压强环境，使气体转换为超临界流体，该超临界流体具有液体和气体的双重特性，有与液体接近的密度，和与气体接近的黏度及高的扩散系数，对有机发光层的成膜材料具有很好的溶解性，从而无需采用现有技术中使用大量的有机溶剂溶解所述成膜材料的方式，也不需要真空和高温的成膜环境，具有简化有机发光层的成膜工艺和降低成本的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本发明实施例提供的一种成膜设备的结构示意图；

图2示出了本发明实施例提供的另一种成膜设备的结构示意图；

图3示出了本发明实施例提供的有机膜层的制备流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。以下分别进行详细说明，需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

一方面，本发明提供一种成膜设备，所述成膜设备用于成膜有机发光二极管显示面板的发光功能层，有机发光二极管显示面板包括基板、设置于所述基板上的驱动电路层、设置于驱动电路层上的阳极和阴极，所述阳极和阴极之间设置有所述发光功能层，所述发光功能层由有机材料形成，所述发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

图1示出了本发明实施例提供的一种成膜设备的结构示意图，如图1所示，本实施例中，所述成膜设备包括：

恒温室10，包括第一反应釜110，所述第一反应釜110包括第一气体输入端120、有机材料输入端130和第一超临界流体输出端140；

成膜室20，包括喷嘴210及承载台220，所述喷嘴210与所述第一超临界流体输出端140相连通；

其中，所述第一气体输入端120为气体进入所述第一反应釜110的通道，所述有机材料输入端130为有机材料进入所述第一反应釜110的通道，所述第一反应釜110具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体，所述超临界流体用于溶解所述有机材料，所述第一超临界流体输出端140用于将溶解有所述有机材料的超临界流体输送至所述喷嘴210，所述喷嘴210用于将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台220上形成有机膜层。

本实施例中，所述恒温室10具有一恒温环境，所述恒温环境保持一恒定温度，所述恒定温度可以取自一温度区间中的某一温度值，所述温度区间为10℃至30℃。

本实施例中，所述第一反应釜110处于所述恒温室10营造的所述恒温环境内，从而使所述第一反应釜110的内部反应腔室的温度与所述恒定温度相同，即所述第一反应釜110内部的反应腔室的温度可以是10℃至30℃中的某一温度。

本实施例中，所述第一反应釜110包括第一气体输入端120、有机材料输入端130和第一超临界流体输出端140。

本实施例中，所述第一气体输入端120为气体进入所述第一反应釜110的通道，即一气体通过所述第一气体输入端120输入到所述第一反应釜110的内部反应腔室。

本实施例中，所述第一反应釜110具有恒定的温度，所述第一反应釜110恒定的温度由所述恒温室10的温度所决定；所述第一反应釜110另外具有恒定的压强。在所述第一反应釜110特定的恒温恒压环境下，所述气体能够在所述第一反应釜110的内部反应腔室转变为超临界流体。所述超临界流体具有液体和气体的双重特性，有与液体接近的密度，又与气体接近的黏度及高的扩散系数，因此，具有很强的溶解能力、低黏度、低表面张力和良好的流动、传递性能。

本实施例中，所述第一超临界流体输出端140用于将溶解有所述有机材料的超临界流体输送至成膜室20，具体为输送至所述成膜室20的喷嘴210。

本实施例中，所述成膜室20包括所述喷嘴210和承载台220，所述喷嘴210与所述第一超临界流体输出端140相连通，用于将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台220上形成有机膜层。

本实施例中，所述气体为二氧化碳气体；所述恒温室10和所述第一反应釜110的温度为10℃至30℃中的某一温度，优选为10℃；所述第一反应釜110的压强例如为3.4Mpa；通过所述第一气体输入端120输入到所述第一反应釜110的所述二氧化碳气体在10℃至30℃的温度环境和3.4Mpa高压环境下转变为二氧化碳超临界流体。

本实施例中，所述恒温室10例如还包括第二反应釜150，所述第二反应釜150包括第二气体输入端160和第二超临界流体输出端170。

本实施例中，所述第二气体输入端160为气体进入所述第二反应釜150的通道，通过所述第二气体输入端160输入的气体与通过所述第一气体输入端120输入的气体相同。

本实施例中，所述第二反应釜150具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体，所述第二反应釜150由于和所述第一反应釜110同处于一个恒温室10内，因此，第二反应釜150的温度与所述第一反应釜110的温度相同；优选的，所述第二反应釜150的压强与所述第一反应釜110的压强相同。

由于在所述成膜设备的实际使用过程中，所述第一反应釜110将溶解有有机材料的超临界流体通过第一气体输出端输送至所述喷嘴210后，所述喷嘴210上往往会附着一些残留的有机材料，从而会造成喷嘴210阻塞或成膜污染，导致有机膜层成膜质量下降。为了避免上述问题，本实施例中，在所述恒温室10内设置所述第二反应釜150作为清洁辅助釜，所述第二超临界流体输出端170用于将所述超临界流体输送至所述喷嘴210，所述喷嘴210用于将所述超临界流体喷出。由于所述第二反应釜150具有与所述第一反应釜110相同的温度和压强，使得所述喷嘴210上的有机材料能够很好溶解于由所述第二超临界流体输出端170输出的超临界流体中，从而可以有效清除在所述第一反应釜110使用过程中残留在所述喷嘴210上的有机材料，保证有机膜层的成膜质量。

本实施例中，所述成膜设备还包括第一传输管180和第二传输管190，所述第一传输管180用于传输所述气体，所述第二传输管190用于传输超临界流体至所述喷嘴210，所述第一传输管180分别与所述第一气体输入端120和所述第二气体输入端160相连通，所述第二传输管190分别与所述第一超临界流体输出端140和所述第二超临界流体输出端170相连通。

本实施例中，所述第一气体输入端120、所述第二气体输入端160、所述第一超临界流体输出端140和所述第二超临界流体输出端170上分别配置有独立的阀门，所述阀门用于控制所述第一气体输入端120、所述第二气体输入端160、所述第一超临界流体输出端140和所述第二超临界流体输出端170的开启或关闭。在需要成膜时，所述第一反应釜110工作，所述第一气体输入端120和所述第一超临界流体输出端140上的阀门开启，所述第二反应釜150不工作，所述第二气体输入端160和所述第二超临界流体输出端170上的阀门关闭；在需要对喷嘴210进行清洗时，所述第二反应釜150工作，所述第二气体输入端160和所述第二超临界流体输出端170上的阀门开启，所述第一反应釜110不工作，所述第一气体输入端120和所述第一超临界流体输出端140上的阀门关闭。

本实施例中，所述成膜设备还包括设置在所述第一传输管180上的增压泵181，所述增压泵181用于对输入至所述第一传输管180中的气体进行增压。

本实施例中，所述第二反应釜150设置在所述第一反应釜110和所述成膜室20之间。

本实施例中，所述第二反应釜150还可设置在所述第一反应釜110远离所述成膜室20的一侧，具体的，所述第二超临界流体输出端170设置在第一超临界流体输出端140远离所述成膜室20的一侧，从而使得从所述第二超临界流体输出端170输出的超临界流体能够清洗所述喷嘴210外还能够清洗整个第二传输管190，保证了在需要成膜有机发光层的不同膜层而切换有机材料时，能够全方位的清洗所述第一超临界流体输出端140与所述喷嘴210之间的传输路径，保证成膜质量。

本实施例中，所述成膜室20还包括位于所述喷嘴210和所述承载台220之间的扩散板230，所述承载台220上设置有用于沉积所述有机膜层的基板240，所述有机膜层由所述有机材料形成。

本实施例中，所述成膜设备例如通过面成膜的方式形成所述有机膜层，所述扩散板230包括阵列排布的微孔，所述微孔的孔径大小可调节。具体的，溶解有所述有机材料的超临界流体经由所述喷嘴210喷出后会首先喷射到所述扩散板230上，所述扩散板230能够使喷出的溶解有所述有机材料的超临界流体更加均匀化。成膜过程中，通过调节溶解有所述有机材料的超临界流体喷出处的容积来调节压强，通过调节扩散板230的微孔的孔径大小来调节均一性。

图2示出了本发明实施例提供的另一种成膜设备的结构示意图，如图2所示，本实施例中，所述成膜设备例如通过转印成膜的方式形成所述有机膜层，所述成膜室20还包括位于所述扩散板230和所述基板240之间的加热器和转印版250，所述加热器用于对所述转印版250进行加热，所述转印版250用于将形成在所述转印版250上的有机膜层转印至所述基板240上，具体采用加热后蒸发成膜的方式在所述基板240上形成所述有机膜层。

本发明提供的成膜设备，在制备有机发光二极管显示面板的有机发光层时，无需采用现有技术中使用大量的有机溶剂溶解所述成膜材料的方式，也不需要真空和高温的成膜环境，具有成膜设备简单稳定、成膜质量高、成膜成本低的优点。

另一方面，本发明还提供一种有机膜层的制备方法，具体的，图3示出了本发明实施例提供的有机膜层的制备流程图，如图3所示，所述有机膜层的制备方法包括以下步骤：

提供一成膜设备，所述成膜设备包括第一反应釜和成膜室，所述第一反应釜具有恒定的温度和压强且包括第一气体输出端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端，所述成膜室包括喷嘴和承载台；

将一气体通过所述第一气体输入端输送至所述第一反应釜内，所述气体在所述第一反应釜内转换为超临界流体；

将有机材料通过所述有机材料输入端输送至所述第一反应釜内，以使所述有机材料溶解于所述超临界流体中；

将溶解有所述有机材料的超临界流体通过所述第一超临界流体输出端输送至所述喷嘴，所述喷嘴将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台上形成有机膜层。

进一步的，所述有机膜层的成膜方式包括直接面成膜或转印成膜。

本发明提供的有机膜层的制备方法，在制备有机发光二极管显示面板的有机发光层时，通过设置合适的温度和压强环境，使气体转换为超临界流体，该超临界流体具有液体和气体的双重特性，有与液体接近的密度，和与气体接近的黏度及高的扩散系数，对有机发光层的成膜材料具有很好的溶解性，从而无需采用现有技术中使用大量的有机溶剂溶解所述成膜材料的方式，也不需要真空和高温的成膜环境，具有简化有机发光层的成膜工艺和降低成本的有益效果。

进一步的，所述成膜设备还包括第二反应釜，所述第二反应釜具有恒定的温度和压强并包括第二气体输入端和第二超临界流体输出端所述有机膜层的制备方法还包括以下步骤：

在所述承载台上形成所述有机膜层后，移除所述承载台，并关闭所述第一反应釜；

打开所述第二反应釜，将一气体通过所述第二气体输入端输送至所述第二反应釜内，所述气体在所述第二反应釜内转换为超临界流体；

将溶解有所述超临界流体通过所述第二超临界流体输出端输送至所述喷嘴，所述喷嘴上残留的所述有机材料溶解于所述超临界流体中，从而完成对所述喷嘴的清洗。

综上所述，本发明提供一种成膜设备，所述成膜设备包括：恒温室，包括第一反应釜，所述第一反应釜包括第一气体输入端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端；成膜室，包括喷嘴及承载台，所述喷嘴与所述第一超临界流体输出端相连通；其中，所述第一气体输入端为气体进入所述第一反应釜的通道，所述有机材料输入端为有机材料进入所述第一反应釜的通道，所述第一反应釜具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体，所述超临界流体用于溶解所述有机材料，所述第一超临界流体输出端用于将溶解有所述有机材料的超临界流体输送至所述喷嘴，所述喷嘴用于将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台上形成有机膜层。本发明提供的成膜设备及有机膜层的制备方法，在制备有机发光二极管显示面板的有机发光层时，通过设置合适的温度和压强环境，使气体转换为超临界流体，该超临界流体具有液体和气体的双重特性，有与液体接近的密度，和与气体接近的黏度及高的扩散系数，对有机发光层的成膜材料具有很好的溶解性，从而无需采用现有技术中使用大量的有机溶剂溶解所述成膜材料的方式，也不需要真空和高温的成膜环境，具有简化有机发光层的成膜工艺和降低成本的有益效果。

以上对本发明实施例所提供的一种成膜设备及有机膜层的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (6)

1.一种成膜设备，其特征在于，包括：

恒温室，包括第一反应釜，所述第一反应釜包括第一气体输入端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端；

成膜室，包括喷嘴及承载台，所述喷嘴与所述第一超临界流体输出端相连通；其中，

所述第一气体输入端为气体进入所述第一反应釜的通道；

所述有机材料输入端为有机材料进入所述第一反应釜的通道；

所述第一反应釜具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体；

所述超临界流体用于溶解所述有机材料；

所述第一超临界流体输出端用于将溶解有所述有机材料的超临界流体输送至所述喷嘴；及

所述喷嘴用于将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台上形成有机膜层；

所述恒温室还包括第二反应釜，所述第二反应釜设置在所述第一反应釜远离所述成膜室的一侧，所述第二反应釜包括第二气体输入端和第二超临界流体输出端，所述第二超临界流体输出端与所述喷嘴相连通，

其中，所述第二气体输入端为气体进入所述第二反应釜的通道，所述第二反应釜具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体，所述第二超临界流体输出端用于将所述超临界流体输送至所述喷嘴，所述喷嘴将所述超临界流体喷出；

其中，所述成膜设备还包括第一传输管和第二传输管，所述第一传输管用于传输所述气体，所述第二传输管用于传输超临界流体至所述喷嘴，所述第一传输管分别与所述第一气体输入端和所述第二气体输入端相连通，所述第二传输管分别与所述第一超临界流体输出端和所述第二超临界流体输出端相连通；

其中，所述第二反应釜的温度和压强与所述第一反应釜的温度和压强相同；

其中，所述第二反应釜为清洁辅助釜。

2.根据权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，所述气体为二氧化碳气体，所述有机材料包括有机发光二极管显示面板的发光功能层中的至少一种材料，所述超临界流体为二氧化碳超临界流体，所述第一反应釜的温度为10℃至30℃，所述第一反应釜的压强为3.4Mpa。

3.根据权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，所述成膜室还包括位于所述喷嘴和所述承载台之间的扩散板，所述承载台上设置有用于沉积所述有机膜层的基板，所述有机膜层由所述有机材料形成。

4.根据权利要求3所述的成膜设备，其特征在于，所述扩散板包括阵列排布的微孔，所述微孔的孔径大小可调节。

5.根据权利要求3所述的成膜设备，其特征在于，所述成膜室还包括位于所述扩散板和所述基板之间的加热器和转印版，所述加热器用于对所述转印版进行加热，所述转印版用于将形成在所述转印版上的有机膜层转印至所述基板上。

6.一种有机膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一成膜设备，所述成膜设备包括第一反应釜和成膜室，所述第一反应釜具有恒定的温度和压强且包括第一气体输入端、有机材料输入端和第一超临界流体输出端，所述成膜室包括喷嘴和承载台；

将一气体通过所述第一气体输入端输送至所述第一反应釜内，所述气体在所述第一反应釜内转换为超临界流体；

将有机材料通过所述有机材料输入端输送至所述第一反应釜内，以使所述有机材料溶解于所述超临界流体中；

将溶解有所述有机材料的超临界流体通过所述第一超临界流体输出端输送至所述喷嘴，所述喷嘴将溶解有所述有机材料的超临界流体喷出，以在所述承载台上形成有机膜层；

所述成膜设备还包括第二反应釜，所述第二反应釜设置在所述第一反应釜远离所述成膜室的一侧，所述第二反应釜包括第二气体输入端和第二超临界流体输出端，所述第二超临界流体输出端与所述喷嘴相连通，其中，所述第二气体输入端为气体进入所述第二反应釜的通道，所述第二反应釜具有恒定的温度和压强并用于将所述气体转换为超临界流体，所述第二超临界流体输出端用于将所述超临界流体输送至所述喷嘴，所述喷嘴将所述超临界流体喷出，

其中，所述成膜设备还包括第一传输管和第二传输管，所述第一传输管用于传输所述气体，所述第二传输管用于传输超临界流体至所述喷嘴，所述第一传输管分别与所述第一气体输入端和所述第二气体输入端相连通，所述第二传输管分别与所述第一超临界流体输出端和所述第二超临界流体输出端相连通；

其中，所述第二反应釜的温度和压强与所述第一反应釜的温度和压强相同；

其中，所述第二反应釜为清洁辅助釜；

所述有机膜层的制备方法还包括以下步骤：

在所述承载台上形成所述有机膜层后，移除所述承载台，并关闭所述第一反应釜；

打开所述第二反应釜，将一气体通过所述第二气体输入端输送至所述第二反应釜内，所述气体在所述第二反应釜内转换为超临界流体；

将溶解有所述超临界流体通过所述第二超临界流体输出端输送至所述喷嘴，所述喷嘴上残留的所述有机材料溶解于所述超临界流体中，从而完成对所述喷嘴的清洗。