CN113983966B - 一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:接收待测芯片的尺寸参数;基于尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数;基于预设的第一目标测量点,确定待测芯片的内矩形;从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对所述内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定;基于测量结果,确定待测芯片的平面度是否达标。通过采用上述芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质,解决了在测量芯片平面度的过程中,测量结果随机性大、精度低的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
随着数码技术、半导体制造技术的发展,图像传感器已经广泛应用于各种领域,并且每种应用领域都有其独特的客户要求。例如,一些天文望远镜、全画幅数码相机、医学成像等专业成像应用领域就需要用到大尺寸的图像传感器。这些大尺寸的图像传感器由于受到光刻机像场的限制,需要在制造过程中使用拼接技术。拼接技术就是在芯片的制造过程中,把涉及的图形分区,依次曝光,最终拼接成一个大尺寸的图形传感器,并在拼接后的芯片上涂抹一层胶水以辅助连接芯片和基板,然而,由于胶水的涂抹是通过人工操作完成的,不可避免的会出现涂抹胶水后的芯片表面平面度达不到要求的情况,此时就需要对其表面的平面度进行检测,如果发现平面度不达标则需要对芯片进行除胶操作,并重新进行涂抹。
现有技术中,芯片表面平面度的测量方式主要是以手工测量和CCD图像测量为主。
然而,采用上述测量方式时,目标测量点的选取位置随机性大、测量精度低,尤其在使用CCD(Charge coupled device电荷耦合元件)图像测量芯片平面度时,会受到光照强度和镜头景深的影响,难以确保测量精度。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质,其目的是通过使用高精度的激光测距传感器,按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量,解决了在测量芯片平面度的过程中,目标测量点选取位置的随机性大、精准度低的问题。
第一方面,本申请实施例提供了一种芯片平面度测量方法,包括:
接收待测芯片的尺寸参数,待测芯片为矩形形状;
基于尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数;
基于预设的第一目标测量点,确定待测芯片的内矩形,第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点;
从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定;
基于测量结果,确定待测芯片的平面度是否达标。
可选地,尺寸参数可包括待测芯片的长度及宽度;基于尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数,可包括:将待测芯片的长度除以第一步数得到的结果,确定为单次测量步距;将待测芯片的宽度除以单次测量步距得到的结果,确定为第二步数。
可选地,基于预设的第一目标测量点,确定待测芯片的内矩形,可包括:将第一步数减一所得数值与单次测量步距的乘积,确定为目标长度;将第二步数减一所得数值与单次测量步距的乘积,确定为目标宽度;在待测芯片内部,以第一目标测量点为内矩形的顶点,以目标长度为内矩形的长度,以目标宽度为内矩形的宽度,内矩形的四条边分别与待测芯片四条边平行,确定待测芯片的内矩形。
可选地,从第一目标测量点开始,按照预设方向将内矩形的四条边依次确定为第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边;从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对待测芯片内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,可包括:从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对待测芯片内矩形的第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边上的多个目标测量点的平面高度进行测量。
可选地,内矩形四条边中两条长边上目标测量点的数量由第一步数决定,内矩形四条边中两条短边上目标测量点的数量由第二步数决定。
可选地,测量结果可包括每个目标测量点的平面高度值;基于测量结果,确定待测芯片的平面度是否达标,可包括:基于每个目标测量点的平面高度值,确定全部目标测量点对应的最小平面高度值及最大平面高度值;计算最大平面高度值与最小平面高度值的差值的绝对值;基于绝对值,确定待测芯片的平面度是否达标。
可选地,基于绝对值,确定待测芯片的平面度是否达标,可包括:判断绝对值是否小于预设阈值;如果小于预设阈值,则确定待测芯片的平面度达标;如果不小于预设阈值,则确定待测芯片的平面度不达标。
第二方面,本申请实施例提供了一种芯片平面度测量装置,包括:
采样模块,用于接收待测芯片的尺寸参数,待测芯片为矩形形状;
计算模块,用于基于尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数;
确定模块,用于基于预设的第一目标测量点,确定待测芯片的内矩形,第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点;
测量模块,用于从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定;
评价模块,用于基于测量结果,确定待测芯片的平面度是否达标。
第三方面,本申请实施例提供了一种电子设备,包括:处理器、存储器和总线,所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令,当电子设备运行时,所述处理器与所述存储器之间通过总线通信,所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如上述的芯片平面度测量方法的步骤。
第四方面,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质上存储有计算机程序,计算机程序被处理器运行时执行上述的芯片平面度测量方法的步骤。
本申请实施例带来了以下有益效果:
本申请实施例提供了一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质,包括:接收待测芯片的尺寸参数,待测芯片为矩形形状;基于尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数;基于预设的第一目标测量点,确定待测芯片的内矩形,第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点;从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定;基于测量结果,确定待测芯片的平面度是否达标。本申请通过使用高精度的激光测距传感器,按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量,解决了在测量芯片平面度的过程中,目标测量点选取位置的随机性大、精准度低的问题。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,以下附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的芯片平面度测量方法的流程示意图;
图2为本申请实施例提供的目标测量点的位置示意图;
图3为本申请实施例提供的芯片平面度测量装置的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的每个其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本说明书中使用用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
应当理解,在本申请实施例中,“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或者两个以上。“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“包含A、B和/或C”是指包含A、B、C三者中任1个或任2个或3个。
应当理解,在本申请实施例中,“与A对应的B”、“与A相对应的B”、“A与B相对应”或者“B与A相对应”,表示B与A相关联,根据A可以确定B。根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B,还可以根据A和/或其他信息确定B。
为了使得本领域技术人员能够使用本申请内容,结合特定应用场景“芯片平面度测量”给出以下实施方式,对于本领域技术人员来说,在不脱离本申请的精神和范围的情况下,可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用场景。
值得注意的是,在本申请提出之前,芯片表面平面度的测量方式主要是以手工测量和CCD图像测量为主,例如:需要工人通过卡尺对芯片的平面度进行测量与评定,当平面度测试完成后将半导体芯片移送至电特性测试工作台,不仅大大降低了芯片的测试效率,使得目标测量点的选取位置随机性大、测量精度低,在使用CCD图像测量芯片平面度时,更由于受到光照强度和镜头景深的影响,使得测量精度难以得到保证。
基于此,本申请实施例提供一种芯片平面度测量方法、装置、电子设备及存储介质,通过使用高精度的激光测距传感器,按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量,解决了在测量芯片平面度的过程中,目标测量点选取位置的随机性大、精准度低,以及测量效率低的问题。
为便于对本实施例进行理解,首先对本申请实施例所公开的一种芯片平面度测量方法进行详细介绍,图1为本申请实施例提供的芯片平面度测量方法的流程示意图,如图1所示,该方法包括如下步骤:
步骤S101,接收待测芯片的尺寸参数。待测芯片为矩形形状。
步骤S102,基于尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数。
步骤S103,基于预设的第一目标测量点,确定待测芯片的内矩形。第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点。
步骤S104,从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量。其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定。
步骤S105,基于测量结果,确定待测芯片的平面度是否达标。
首先,对本申请实施例中涉及的名称进行简单介绍。
在本申请实施例中可以通过伺服电机驱动激光测距传感器,对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中:
激光测距传感器:
是先由激光二极管对准目标发射激光脉冲。经目标反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到传感器接收器,被光学系统接收后成像到雪崩光电二极管上。雪崩光电二极管是一种内部具有放大功能的光学传感器,因此它能检测极其微弱的光信号。记录并处理从光脉冲发出到返回被接收所经历的时间,即可测定目标距离。
伺服电机:
是指在伺服系统中控制机械元件运转的发动机,是一种补助马达间接变速装置,伺服电机可以控制速度,位置精度非常准确,可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。伺服电机转子转速受输入信号控制,并能快速反应,在自动控制系统中,用作执行元件,且具有机电时间常数小、线性度高等特性,可把所收到的电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出。分为直流和交流伺服电动机两大类,其主要特点是,当信号电压为零时无自转现象,转速随着转矩的增加而匀速下降。
CCD:
是一种电荷耦合元件,可以称为CCD图像传感器。CCD是一种半导体器件,能够把光学影像转化为数字信号。
本申请实施例提供了一种芯片平面度测量方法,能够通过使用高精度的激光测距传感器,按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量,解决了在测量芯片平面度的过程中,目标测量点选取位置的随机性大、精准度低,以及测量效率低的问题。
下面对本申请实施例提供的上述示例性的各步骤分别进行说明。
在步骤S101中,待测芯片可指各种半导体芯片,示例性的,半导体芯片包括但不限于探测器芯片、传感器芯片。该待测芯片的形状为矩形形状。
在一可选示例中,尺寸参数包括待测芯片的长度及宽度。
这里,这里待测芯片的长度可指待测芯片的四条边中两条长边的长度,待测芯片的宽度可指待测芯片的四条边两条短边的长度。测量设备接收到输入的待测芯片的尺寸参数后,能够根据预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数。
在步骤S102中,预设的第一步数可指待测芯片的四条边中两条长边的测量次数,也是待测芯片的四条边中两条长边上目标测量点的数量,该第一步数是工艺值,本领域技术人员可根据实际情况确定第一步数的具体数值,本申请对此不作限定。
在一可选实施例中,可以通过以下方式确定单次测量步距及第二步数:将待测芯片的长度除以第一步数得到的结果,确定为单次测量步距;将待测芯片的宽度除以单次测量步距得到的结果,确定为第二步数。
这里,单次测量步距可指激光测距传感器在对待测芯片四条边上的多个目标测量点进行平面高度测量时相邻两次测量的距离,第二步数与第一步数相对应,可指待测芯片的四条边中两条短边的测量次数,也是待测芯片的四条边中两条短边上目标测量点的数量。
示例性的,这里的待测芯片的尺寸参数可以为长度100毫米,宽度为50毫米,第一步数为10,计算可得单次测量步距为100/10=10毫米,第二步数为50/10=5。
在步骤S103中,第一目标测量点可指对待测芯片进行平面度测量时,多个目标测量点中的首个测量点,该第一目标测量点是预先设置好的,位于待测芯片内且靠近待测芯片四角的测量点,示例性的,第一目标测量点可以是待测芯片中靠近左下角的点,第一目标测量点距离左下角两条边的距离小于单次测量步距。
在一可选示例中,可通过以下方式确定待测芯片的内矩形:将第一步数减一所得数值与单次测量步距的乘积,确定为目标长度;将第二步数减一所得数值与单次测量步距的乘积,确定为目标宽度;在待测芯片内部,以第一目标测量点为内矩形的顶点,以目标长度为内矩形的长度,以目标宽度为内矩形的宽度,内矩形的四条边分别与待测芯片四条边平行,确定待测芯片的内矩形。
这里,内矩形可指位于矩形待测芯片内的矩形,该内矩形的四条边与待测芯片的四条边平行,内矩形四条边的长度根据第一步数、第二步数及单次测量步距确定,以上述示例为例,第一步数为10、第二步数为5、单次测量步距为10毫米,则内矩形的长度为(10-1)×10=90毫米,内矩形的宽度为(5-1)×10=40毫米。
在步骤S104中,平面高度可指目标测量点处涂抹胶水后,涂胶表面距离基板的高度,预设方向可指使用激光测距传感器对多个目标测量点测量时测量顺序所指示的方向,示例性的,预设方向可包括但不限于以下项中的任意一项:顺时针方向、逆时针方向。
在一可选实施例中,从所述第一目标测量点开始,按照预设方向将所述内矩形的四条边依次确定为第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边,可通过以下方式对待测芯片内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量:从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对所述待测芯片内矩形的第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边上的多个目标测量点的平面高度进行测量。
图2为本申请实施例提供的目标测量点的位置示意图。如图2所示,以预设方向为逆时针方向为例,E边为第一内矩形边,F边为第二内矩形边,G边为第三内矩形边,H边为第四内矩形边,a点为第一目标测量点,b为第一内矩形边上的最后一个目标测量点,c为第三内矩形边上的最后一个目标测量点,d为第三内矩形边上的最后一个测量点。反之,如果预设方向为顺时针方向,则H边为第一内矩形边,G边为第二内矩形边,F边为第三内矩形边,E边为第四内矩形边。
这里,如果将a点和b点作为E边上的目标测量点,示例性的,可通过以下方式对多个目标测量点进行测量:伺服电机接收到测量指令后,会通过导轨丝杠带动激光测距传感器依次对待测芯片的多个目标测量点进行测量,首先对a点进行平面高度的测量,测量完成后伺服电机带动激光测距传感器向右移动单次测量步距的长度,对下一个目标测量点的平面高度进行测量,依此类推,直至完成对E边上最后一个目标测量点b点的测量,E边共有10个目标测量点,然后,伺服电机会带动激光测距传感器垂直向上移动,开始对F边上的目标测量点依次进行测量,相邻两次测量的间距同样为单次测量步距,直至完成对F边上最后一个目标测量点的测量,F边共有3个目标测量点,随后,伺服电机会带动激光测距传感器继续向上移动单次测量步距的长度,开始对G边上的第一个目标测量点c点进行测量,测量完成后伺服电机会带动激光测距传感器水平向左移动,开始对G边上的其余9个目标测量点从右向左依次进行测量,相邻两次测量的间距同样为单次测量步距,直至完成对G边上最后一个目标测量点d点的测量,G边共有10个目标测量点,最后,伺服电机会带动激光测距传感器垂直向下移动,从上至下依次对H边上的3个目标测量点进行测量,相邻两次测量的间距同样为单次测量步距,直至完成对G边上最后一个目标测量点的测量。
另外,如果将b点作为E边上的目标测量点,将c点作为F边上的目标测量点,将d点作为G边上的目标测量点,将a点作为H边上的目标测量点,示例性的,可通过以下方式对多个目标测量点进行测量:伺服电机接收到测量指令后,会通过导轨丝杠带动激光测距传感器依次对待测芯片的多个目标测量点进行测量,首先对a点的下一个目标测量点进行平面高度的测量,测量完成后伺服电机带动激光测距传感器从左向右依次对E边目标测量点的平面高度进行测量,依此类推,直至完成对E边上最后一个目标测量点b点的测量,E边共有9个目标测量点,然后,伺服电机会带动激光测距传感器垂直向上移动,从下至上依次对F边上的目标测量点进行测量,相邻两次测量的间距同样为单次测量步距,直至完成对F边上最后一个目标测量点c点的测量,F边共有4个目标测量点,随后,伺服电机会带动激光测距传感器水平向左移动,开始对G边上的9个目标测量点从右向左依次进行测量,相邻两次测量的间距同样为单次测量步距,直至完成对G边上最后一个目标测量点d点的测量,G边共有9个目标测量点,最后,伺服电机会带动激光测距传感器垂直向下移动,从上至下依次对H边上的4个目标测量点进行测量,相邻两次测量的间距同样为单次测量步距,直至完成对G边上最后一个目标测量点a点的测量。
在一可选实施例中,内矩形四条边中两条长边上目标测量点的数量由第一步数决定,所述内矩形四条边中两条短边上目标测量点的数量由第二步数决定。
以上述示例为例,针对a、b、c和d四个测量点的不同划分方式可以确定每个边上不同的测量次数,但无论如何划分,目标测量的位置和测量方式是相同的,可以得出,E边和G边上目标测量点的数量由第一步数决定,F边和G边上目标测量点的数量由第二步数决定。
在步骤S105中,测量结果可指每个目标测量点的测量信息,测量信息可包括该目标测量点的平面高度值以及该目标测量点的坐标,其中,可将测量信息写入文件中,以基于该文件中的数据对测量结果进行分析。
这里,可通过以下方式确定目标测量点的坐标:可将第一目标测量点a点作为原点,以与第一边平行的方向为x轴方向,以与第四边平行的方向为y轴方向,建立平面直角坐标系,由于相邻两个目标测量点之间的距离为单次测量步距,因此,可以确定每个目标测量点的坐标。以上述示例为例,可将a点作为平面直角坐标系的原点,以与E边平行的方向为x轴方向,以与H边平行的方向为y轴方向,建立平面直角坐标系,a点坐标为(0,0),d点坐标为(0,40)。
在一可选示例中,可通过以下方式确定待测芯片的平面度是否达标:基于每个目标测量点的平面高度值,确定全部目标测量点对应的最小平面高度值及最大平面高度值;计算最大平面高度值与最小平面高度值的差值的绝对值;判断绝对值是否小于预设阈值;如果小于预设阈值,则确定待测芯片的平面度达标;如果不小于预设阈值,则确定待测芯片的平面度不达标。
示例性的,预设阈值可以是根据经验或工艺标准确定的数值,本领域技术人员可以根据实际情况进行选择,本申请在此不作限定。假设最小平面高度值为2毫米,最大高度值为4毫米,预设阈值为3毫米,则最大平面高度值与最小平面高度值得差值为2毫米,该差值大于预设阈值,则待测芯片的平面度达标。
在另一可选示例中,可通过以下方式确定待测芯片的平面度是否达标:基于每个目标测量点的平面高度值,确定每个目标测量点的平面高度值与第一目标测量点的平面高度值的差值,计算该差值的离散度;判断离散度是否小于预设阈值,如果小于预设阈值,则确定待测芯片的平面度达标;如果不小于预设阈值,则确定待测芯片的平面度不达标。
可见,本申请应用在自动化芯片拼接检测设备上后,可以大大提高对拼接后芯片平面度检测的精度和效率,可将由人工涂胶操作带来的芯片平面度误差准确的提示给用户,方便做对芯片进行进一步处理,提高了芯片拼接的生产速度。
基于同一发明构思,本申请实施例中还提供了与芯片平面度测量方法对应的芯片平面度测量装置,由于本申请实施例中的装置解决问题的原理与本申请实施例上述芯片平面度测量方法相似,因此装置的实施可以参见方法的实施,重复之处不再赘述。
图3为本申请实施例提供的芯片平面度测量装置的结构示意图,如图3所示,该装置包括以下模块:
采样模块201,用于接收待测芯片的尺寸参数,待测芯片为矩形形状;
计算模块202,用于基于尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数;
确定模块203,用于基于预设的第一目标测量点,确定待测芯片的内矩形,第一目标测量点位于待测芯片内且靠近待测芯片的矩形顶点;
测量模块204,用于从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定;
评价模块205,用于基于测量结果,确定待测芯片的平面度是否达标。
对应于图1中的芯片平面度测量方法,本申请实施例还提供了一种电子设备300的结构示意图,如图4所示,所述电子设备300包括处理器310、存储器320和总线330。所述存储器320存储有所述处理器310可执行的机器可读指令,当电子设备300运行时,所述处理器310与所述存储器320之间通过总线330通信,所述机器可读指令被所述处理器310执行时,能够执行上述芯片平面度测量方法,通过使用高精度的激光测距传感器,按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量,解决了在测量芯片平面度的过程中,目标测量点选取位置的随机性大、精准度低,以及测量效率低的问题。
对应于图1中的芯片平面度测量方法,本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器运行时执行上述芯片平面度测量方法的步骤。
具体地,该存储介质能够为通用的存储介质,如移动磁盘、硬盘等,该存储介质上的计算机程序被运行时,能够执行上述芯片平面度测量方法,通过使用高精度的激光测距传感器,按照预设方向依次对待测芯片上的多个目标测量点的平面高度进行等距测量,解决了在测量芯片平面度的过程中,目标测量点选取位置的随机性大、精准度低,以及测量效率低的问题。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,前述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考上述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请提供的实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台电子设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释,此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
最后应说明的是:以上所述实施例,仅为本申请的具体实施方式,用以说明本申请的技术方案,而非对其限制,本申请的保护范围并不局限于此,尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改、变化或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种芯片平面度测量方法,其特征在于,所述方法包括:
接收待测芯片的尺寸参数,所述待测芯片为矩形形状;
基于所述尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数;
基于预设的第一目标测量点,确定所述待测芯片的内矩形,所述第一目标测量点位于所述待测芯片内且靠近所述待测芯片的矩形顶点;
从所述第一目标测量点开始,按照预设方向依次对所述内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,所述多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定;
基于测量结果,确定所述待测芯片的平面度是否达标;
所述测量结果包括每个目标测量点的平面高度值;
所述基于测量结果,确定所述待测芯片的平面度是否达标,包括:
基于每个目标测量点的平面高度值,确定全部目标测量点对应的最小平面高度值及最大平面高度值;
计算所述最大平面高度值与所述最小平面高度值的差值的绝对值;
基于所述绝对值,确定所述待测芯片的平面度是否达标。
2.如权利要求1所述的芯片平面度测量方法,其特征在于,所述尺寸参数包括所述待测芯片的长度及宽度;
所述基于所述尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数,包括:
将所述待测芯片的长度除以所述第一步数得到的结果,确定为单次测量步距;
将所述待测芯片的宽度除以所述单次测量步距得到的结果,确定为第二步数。
3.如权利要求2所述的芯片平面度测量方法,其特征在于,所述基于预设的第一目标测量点,确定所述待测芯片的内矩形,包括:
将所述第一步数减一所得数值与所述单次测量步距的乘积,确定为目标长度;
将所述第二步数减一所得数值与所述单次测量步距的乘积,确定为目标宽度;
在所述待测芯片内部,以所述第一目标测量点为内矩形的顶点,以目标长度为内矩形的长度,以目标宽度为内矩形的宽度,内矩形的四条边分别与所述待测芯片四条边平行,确定所述待测芯片的内矩形。
4.如权利要求1所述的芯片平面度测量方法,其特征在于,从所述第一目标测量点开始,按照预设方向将所述内矩形的四条边依次确定为第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边;
所述从所述第一目标测量点开始,按照预设方向依次对所述待测芯片内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,包括:
从所述第一目标测量点开始,按照预设方向依次对所述待测芯片内矩形的第一内矩形边、第二内矩形边、第三内矩形边和第四内矩形边上的多个目标测量点的平面高度进行测量。
5.如权利要求1所述的芯片平面度测量方法,其特征在于,所述内矩形四条边中两条长边上目标测量点的数量由第一步数决定,所述内矩形四条边中两条短边上目标测量点的数量由第二步数决定。
6.如权利要求1所述的芯片平面度测量方法,其特征在于,所述基于所述绝对值,确定所述待测芯片的平面度是否达标,包括:
判断所述绝对值是否小于预设阈值;
如果小于所述预设阈值,则确定所述待测芯片的平面度达标;
如果不小于预设阈值,则确定所述待测芯片的平面度不达标。
7.一种芯片平面度测量装置,其特征在于,包括:
采样模块,用于接收待测芯片的尺寸参数,所述待测芯片为矩形形状;
计算模块,用于基于所述尺寸参数及预设的第一步数,确定单次测量步距及第二步数;
确定模块,用于基于预设的第一目标测量点,确定所述待测芯片的内矩形,所述第一目标测量点位于所述待测芯片内且靠近所述待测芯片的矩形顶点;
测量模块,用于从第一目标测量点开始,按照预设方向依次对所述内矩形四条边上的多个目标测量点的平面高度进行测量,其中,相邻两个目标测量点的间隔为单次测量步距,所述多个目标测量点的个数由第一步数和第二步数决定;
评价模块,用于基于测量结果,确定所述待测芯片的平面度是否达标;
所述测量结果包括每个目标测量点的平面高度值;
所述评价模块,具体用于:
基于每个目标测量点的平面高度值,确定全部目标测量点对应的最小平面高度值及最大平面高度值;
计算所述最大平面高度值与所述最小平面高度值的差值的绝对值;
基于所述绝对值,确定所述待测芯片的平面度是否达标。
8.一种电子设备,其特征在于,包括处理器、存储器和总线,所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令,当电子设备运行时,所述处理器与所述存储器之间通过总线进行通信,所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1-6中任一项所述的芯片平面度测量方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1-6中任一项所述的芯片平面度测量方法的步骤。
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