CN113972307A - 具有双面胶体的发光二极管封装结构 - Google Patents
具有双面胶体的发光二极管封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113972307A CN113972307A CN202010722870.5A CN202010722870A CN113972307A CN 113972307 A CN113972307 A CN 113972307A CN 202010722870 A CN202010722870 A CN 202010722870A CN 113972307 A CN113972307 A CN 113972307A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitting diode
- pad
- light
- chip
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 22
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000012237 artificial material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种具有双面胶体的发光二极管封装结构，包含金属支架、发光二极管芯片以及透明胶体。金属支架具有顶面以及底面，并且金属支架包含第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘，第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘之间保持透光间隙，透光间隙连通顶面以及底面，并且使第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘之间不互相接触。发光二极管芯片设置于第一贴片焊盘，并且对应于顶面。发光二极管芯片的第一电极以及第二电极分别电性连接于第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘。透明胶体覆盖于顶面以及底面，并且包覆发光二极管芯片以及填充透光间隙，并且第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘的外侧边缘分别外露于透明胶体。
Description
技术领域
本发明有关于光电器件，特别是涉及一种具有双面胶体的发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管是一种固态的半导体光电器件，用以将电能转化为光能。发光二极管包含一个半导体芯片。芯片的负极连接在一个金属支架上，芯片的正极连接电源，且整个芯片被环氧树脂封装。发光二极管芯片包含P型半导体以及N型半导体。当电流通过焊线作用于这个芯片的时候，芯片就会发光。发光二极管芯片需要受到保护，以免遭受灰尘、潮湿、静电放电(ESD)和机械破坏。而施加电流时，在P-N内产生的热量需要去除，以防发光二极管芯片过热。现有技术不断提出新材料以及新的封装结构将发光二极管芯片产生的热量传导出来。
图1、图2以及图3所示为现有技术中的发光二极管封装结构1。其中，图1是前视剖面示意图，图2是俯视图，图3是底视图。如图所示发光二极管封装结构1包含印刷电路板2、发光二极管芯片3、第一焊线4、第二焊线5以及透明胶体6。印刷电路板2的顶面设置固晶垫2c以及焊线垫2d，印刷电路板2的底面设置二焊接垫2e。发光二极管芯片3设置于固晶垫2c，第一焊线4以及第二焊线5分别将发光二极管芯片3的二电极连接至固晶垫2c以及焊线垫2d。透明胶体6，例如环氧树脂或硅胶，通过模制的方法，包覆发光二极管芯片3、第一焊线4以及第二焊线5，以保护发光二极管芯片3。
如图4、图5以及图6所示，是发光二极管封装结构1实际焊接于二个金属线200的情况。金属线200可以是一般裸线，也可以是漆包线或胶包线外露的部分。金属线200分别焊接到二焊接垫2e，透过第一焊线4、第二焊线5、固晶垫2c以及焊线垫2d的连接，提供电力到发光二极管芯片3，使得发光二极管芯片3发光。金属线200通常为铜线，但不排除其他具有高导电特性的金属。然而，受到印刷电路板2的遮蔽，发光二极管封装结构1发光角度只有180°，无法进一步提升发光角度。
此外，上述发光二极管封装结构1焊接于金属线200的过程中，事先在二金属线200上锡膏，再放置二焊接垫2e到二金属线200。然后发光二极管封装结构1连同金属线200通过回焊炉进行回流焊。在过回流焊的过程中，因锡在高温下流动性良好，发光二极管封装结构1会随着锡的流动而偏移，造成生产有一定比例的开路，短路或倾斜等不良。生产良率偏低，需要重工，造成人工材料的浪费，增加产品成本，降低竞争力。
发明内容
基于上述技术课题，本发明提出一种具有双面胶体的发光二极管封装结构，用以解决现有技术中存在的缺陷。
本发明提出一种具有双面胶体的发光二极管封装结构，包含金属支架、发光二极管芯片以及透明胶体。金属支架具有顶面以及底面，金属支架包含第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘，第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘之间保持一透光间隙，透光间隙连通顶面以及底面，并且使第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘之间不互相接触。发光二极管芯片设置于第一贴片焊盘，并且对应于顶面；其中，发光二极管芯片的第一电极以及第二电极分别电性连接于第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘。透明胶体覆盖于顶面以及底面，并且包覆发光二极管芯片以及填充透光间隙，并且第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘的外侧边缘分别外露于透明胶体。
在至少一实施例中，具有双面胶体的发光二极管封装结构更包含第一焊线以及第二焊线，第一焊线连接于第一电极以及第一贴片焊盘，并且第二焊线连接于第二电极以及第二贴片焊盘。
在至少一实施例中，透明胶体具有上模制胶体以及下模制胶体，分别结合于顶面以及底面。
在至少一实施例中，上模制胶体以及下模制胶体透过透光间隙互相连接，且上模制胶体包覆发光二极管芯片、第一焊线以及第二焊线。
在至少一实施例中，具有双面胶体的发光二极管封装结构更包含二金属线，第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘对应底面且外露于透明胶体的部份，分别焊接到二金属线。
在至少一实施例中，下模制胶体位于二金属线之间。
本发明通过透明胶体对二金属线进行限位。亦即，即使是在回流焊中锡膏融化而导致二金属线位移，二金属线最多也只是变成对透明胶体夹持，但仍维持对第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘的接触，维持良好的焊接效果，提升生产过程中产品的良品率，提高劳动效率，节约劳动成本，增加竞争力。
附图说明
图1是现有技术中，发光二极管封装结构的前视剖面示意图。
图2是现有技术中，发光二极管封装结构的俯视图。
图3是现有技术中，发光二极管封装结构的底视图。
图4是现有技术中，发光二极管封装结构焊接于金属线的前视剖面示意图。
图5是现有技术中，发光二极管封装结构焊接于金属线的俯视图。
图6是现有技术中，发光二极管封装结构焊接于金属线的底视图。
图7是本发明实施例中，发光二极管封装结构的前视剖面示意图。
图8是本发明实施例中，发光二极管封装结构的俯视图。
图9是本发明实施例中，发光二极管封装结构的底视图。
图10是本发明实施例中，发光二极管封装结构焊接于金属线的前视剖面示意图。
图11是本发明实施例中，发光二极管封装结构焊接于金属线的俯视图。
图12是本发明实施例中，发光二极管封装结构焊接于金属线的底视图。
主要组件符号说明：
1:发光二极管封装结构
2:印刷电路板
3:发光二极管芯片
4:第一焊线
5:第二焊线
6:透明胶体
2c:固晶垫
2d:焊线垫
2e:焊接垫
100:具有双面胶体的发光二极管封装结构
110:金属支架
111:第一贴片焊盘
112:第二贴片焊盘
113:顶面
114:底面
120:发光二极管芯片
121:第一电极
122:第二电极
131:第一焊线
132:第二焊线
140:透明胶体
141:上模制胶体
142:下模制胶体
G:透光间隙
200:金属线
具体实施方式
参阅图7、图8以及图9所示，是本发明实施例提出的一种具有双面胶体的发光二极管封装结构100，包含一金属支架110、一发光二极管芯片120、一第一焊线131、一第二焊线132以及一透明胶体140。
如图7、图8以及图9所示，金属支架110以金属制成，具有良好的导电率以及导热率。金属支架110具有顶面113以及底面114。金属支架110具有透光间隙G，透光间隙G连通顶面113以及底面114。具体而言，金属支架110包含第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112，第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112之间保持透光间隙G，透光间隙G连通顶面113以及底面114，并且使第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112之间不互相接触。
如图7、图8以及图9所示，第一贴片焊盘111上有固晶位置，且对应于顶面113。发光二极管芯片120设置于固晶位置，亦即发光二极管芯片120设置于第一贴片焊盘111，并且对应于金属支架110的顶面113。发光二极管芯片120具有第一电极121以及第二电极122。如图7、图8以及图9所示，第一焊线131连接于第一电极121以及第一贴片焊盘111，第二焊线132连接于第二电极122以及第二贴片焊盘112，藉以透过第一焊线131以及第二焊线132将发光二极管芯片120电性连接至第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112。
如图7、图8以及图9所示，透明胶体140覆盖于顶面113以及底面114，并且包覆发光二极管芯片120、第一焊线131、第二焊线132，以及填充透光间隙G。同时，第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112的外侧边缘分别外露于透明胶体140，亦即，金属支架110的相对两侧边外露于透明胶体140。
如图7所示，透明胶体140可区分为上模制胶体141以及下模制胶体142，分别结合于顶面113以及底面114，同时填充于透光间隙G而透过透光间隙G互相连接。于一具体实施例中，可先透过下模制胶体142结合于底面114，以结合第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112成金属支架110，之后再进行发光二极管芯片120的贴附以及焊线131,132的焊接，再设置上模制胶体141于顶面113以包覆发光二极管芯片120、第一焊线131以及第二焊线132。
参阅图10、图11以及图12所示，具有双面胶体的发光二极管封装结构100用于焊接于二金属线200上。金属线200可以是一般裸线，也可以是漆包线或胶包线外露的部分。第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112对应底面114且外露于透明胶体140的部份，分别焊接到二金属线200，透过第一焊线131、第二焊线132、第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112的连接，提供电力到发光二极管芯片120，使得发光二极管芯片120发光。金属线200通常为铜线，但不排除其他具有高导电特性的金属。透过多个具有双面胶体的发光二极管封装结构100依序焊接于二金属线200，以可形成可多方向发光的灯串。
如图7至图12所示，当透过二金属线200提供电力而对第一电极121以及第二电极122施以一电压差时，发光二极管芯片120发出光线。此时，透明胶体140可作为导光，使得光线朝顶面113上方发散。同时，透明胶体140也导引光线通过透光间隙G，并经过下模制胶体142，而向下方发散。因此，本发明实施例的具有双面胶体的发光二极管封装结构100可以达成360°发光，同时，以金属制成的金属支架110有助于导热以协助发光二极管芯片120散热。此外，金属支架110表面也可以透过电镀等方式设置反射层，加强向上或向下的强度，避免金属支架110表面吸收光线降低亮度。透明胶体140中也可以掺杂反光、荧光或颜料等可以改变发光状态的粒子。
如图10所示，由具有双面胶体的发光二极管封装结构100的前视剖面示意图观察，第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112的外侧边缘分别突出于下模制胶体142，并且下模制胶体142与贴片焊盘111,112的交界处形成L型截面结构，二金属线200位于此L型截面结构中，并且分别焊接于第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112，使得下模制胶体142位于二金属线200之间，而可利用下模制胶体142对二金属线200进行限位。亦即，即使是在回流焊中锡膏融化而导致二金属线200位移，二金属线200最多也只是变成对下模制胶体142夹持，但仍维持对第一贴片焊盘111以及第二贴片焊盘112的接触，维持良好的焊接效果，提升生产过程中产品的良品率，提高劳动效率，节约劳动成本，增加竞争力。
Claims (6)
1.一种具有双面胶体的发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
金属支架，具有顶面以及底面，该金属支架包含第一贴片焊盘以及第二贴片焊盘，该第一贴片焊盘以及该第二贴片焊盘之间保持透光间隙，该透光间隙连通该顶面以及该底面，并且使该第一贴片焊盘以及该第二贴片焊盘之间不互相接触；
发光二极管芯片，设置于该第一贴片焊盘，并且对应于该顶面；其中，该发光二极管芯片的第一电极以及第二电极分别电性连接于该第一贴片焊盘以及该第二贴片焊盘；以及
一透明胶体，覆盖于该顶面以及该底面，并且包覆该发光二极管芯片以及填充该透光间隙，并且该第一贴片焊盘以及该第二贴片焊盘的外侧边缘分别外露于该透明胶体。
2.如权利要求1所述的具有双面胶体的发光二极管封装结构，其特征在于，更包含第一焊线以及第二焊线，该第一焊线连接于该第一电极以及该第一贴片焊盘，并且该第二焊线连接于该第二电极以及该第二贴片焊盘。
3.如权利要求2所述的具有双面胶体的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明胶体具有上模制胶体以及下模制胶体，分别结合于该顶面以及该底面。
4.如权利要求3所述的具有双面胶体的发光二极管封装结构，其特征在于，该上模制胶体以及该下模制胶体透过该透光间隙互相连接，且该上模制胶体包覆该发光二极管芯片、该第一焊线以及该第二焊线。
5.如权利要求4所述的具有双面胶体的发光二极管封装结构，其特征在于，更包含二金属线，该第一贴片焊盘以及该第二贴片焊盘对应该底面且外露于该透明胶体的部份，分别焊接到该二金属线。
6.如权利要求5所述的具有双面胶体的发光二极管封装结构，其特征在于，该下模制胶体位于该二金属线之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010722870.5A CN113972307A (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 具有双面胶体的发光二极管封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010722870.5A CN113972307A (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 具有双面胶体的发光二极管封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113972307A true CN113972307A (zh) | 2022-01-25 |
Family
ID=79585541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010722870.5A Pending CN113972307A (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 具有双面胶体的发光二极管封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113972307A (zh) |
-
2020
- 2020-07-24 CN CN202010722870.5A patent/CN113972307A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4122784B2 (ja) | 発光装置 | |
| US20090057850A1 (en) | Surface Mountable Semiconductor Package with Solder Bonding Features | |
| US20120043886A1 (en) | Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module | |
| US9117689B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| CN104064662A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| KR101192816B1 (ko) | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN212676298U (zh) | 具有双面胶体的发光二极管封装结构 | |
| JP2013254810A (ja) | 貫通端子付き金属基板およびそれを用いた表面実装デバイス | |
| CN113972307A (zh) | 具有双面胶体的发光二极管封装结构 | |
| KR20110123945A (ko) | 발광다이오드 방열 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN211062742U (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| CN212412079U (zh) | 可侧发光的发光二极管封装结构 | |
| US20220029073A1 (en) | Light emitting diode package having glue on two sides | |
| TW202205693A (zh) | 具有雙面膠體的發光二極體封裝結構 | |
| TWM607351U (zh) | 具有雙面膠體的發光二極體封裝結構 | |
| CN101581404B (zh) | 发光元件模块 | |
| US11101419B2 (en) | Package structure of light-emitting diode and method for packaging light-emitting diode | |
| CN214542282U (zh) | 一种led封装结构 | |
| TWI731763B (zh) | 可側發光的發光二極體封裝結構 | |
| CN114068787A (zh) | 可侧发光的发光二极管封装结构 | |
| CN217468472U (zh) | 半导体器件、半导体器件封装体、照明设备和背光单元 | |
| US20230207757A1 (en) | Led light source and packaging method thereof | |
| US20220190216A1 (en) | Diode package structure and manufacturing method thereof | |
| CN215869455U (zh) | 千瓦级cob封装led光源模块 | |
| CN104916758A (zh) | 形成发光二极管封装的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |