CN113972124A - 一种接地组件及其等离子体处理装置与工作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于等离子体处理装置中的接地组件及其等离子体处理装置与工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔；下电极组件，位于真空反应腔内，下电极组件包括承载面，用于承载待处理晶圆；接地组件，其环绕设置在下电极组件的外侧，接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间；晶圆边缘保护环，环绕覆盖在待处理晶圆的边缘；若干个升降装置，其包含升降杆和驱动装置，驱动装置设置在容纳空间内，驱动装置与升降杆连接以便驱动升降杆带动晶圆边缘保护环升降。其优点是：在接地组件内设置容纳空间，将驱动装置设置于容纳空间内，避免过多占用真空反应腔内的空间，使驱动装置免受真空反应腔内的电磁场影响，有利于刻蚀工作的稳定性。

Description

一种接地组件及其等离子体处理装置与工作方法

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，具体涉及一种用于等离子体处理装置中的接地组件及其等离子体处理装置与工作方法。

背景技术

等离子体处理装置通常采用气体输送系统将反应气体输送到真空反应腔的腔体中，通过射频产生等离子体环境，从而对晶圆进行刻蚀。在等离子体处理进程中，等离子体具有扩散性，会充满整个真空反应腔腔室。但是，在某些工艺要求中，晶圆边缘不能被等离子体环境刻蚀，因此需要一些保护部件遮盖保护晶圆的边缘，在传片过程中，需要先移开保护部件，才能进行晶圆传片。但是在现有的等离子体处理装置中，真空反应腔内构件复杂多样且空间有限，将保护部件设置成全对称结构较为困难，另外，保护部件的对中性以及加工精度很难达到工艺要求水平，从而导致晶圆和保护部件之间的边缘覆盖不均匀，影响刻蚀效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种接地组件及其等离子体处理装置与工作方法，通过接地组件内设置的电磁场屏蔽的容纳空间将升降装置的驱动装置设置在真空反应腔内，缩短了升降装置的升降杆长度，减小了升降杆的加工难度，提高了晶圆和晶圆边缘保护环之间的对中性，使晶圆边缘保护环和晶圆边缘之间覆盖均匀，以利于得到最优的工艺效果。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种等离子体处理装置，包含：

真空反应腔；

下电极组件，位于所述真空反应腔内，所述下电极组件包括承载面，用于承载待处理晶圆；

接地组件，其环绕设置在所述下电极组件的外侧，所述接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间；

晶圆边缘保护环，环绕覆盖在待处理晶圆的边缘；

若干个升降装置，其包含升降杆和驱动装置，所述驱动装置设置在所述容纳空间内，所述驱动装置与所述升降杆连接以便驱动所述升降杆带动所述晶圆边缘保护环升降。

可选的，所述接地组件包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件外侧；

接地环外环，环绕设置在所述接地环本体外侧，所述接地环外环底部向所述下电极组件方向延伸直至与所述接地环本体连接；

盖板，覆盖在所述接地环本体和所述接地环外环之间并与两者连接，所述盖板、接地环本体和接地环外环包围形成所述容纳空间，所述盖板上开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

可选的，所述接地环本体和所述接地环外环一体成型；

和/或，所述盖板与所述接地环本体和所述接地环外环通过机械紧固装置连接，各部件连接处设置有密封结构以保证气密性；

和/或，所述升降杆和所述盖板接触部位设置有密封结构以保证气密性。

可选的，所述接地组件包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件的外侧；

至少两个容纳舱，所述容纳舱外接于所述接地环本体上，所述容纳舱内为所述容纳空间，所述容纳舱顶部开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

可选的，所述容纳舱的个数为三个，三个容纳舱沿所述接地环本体的周向均匀分布。

可选的，所述接地组件包含两个容纳舱，其对称分布在所述接地环本体的外侧。

可选的，所述升降杆包括：

主杆，其底部与所述驱动装置连接，其顶部连接一连接件；

若干个副杆，其一端与所述连接件连接，另一端与所述晶圆边缘保护环接触。

可选的，所述容纳舱为锥形结构或柱形结构。

可选的，所述晶圆边缘保护环的外边缘包含若干个连接耳，若干个升降杆分别与所述连接耳接触。

可选的，所述晶圆边缘保护环的外边缘开设有若干个接触孔，所述升降杆顶部为台阶结构，所述升降杆顶部伸入所述接触孔内以便支撑所述晶圆边缘保护环。

可选的，所述驱动装置为气缸或直线电机。

可选的，所述接地组件开设有若干个通道使所述容纳空间与所述下电极组件连通，当所述驱动装置为气缸时，所述气缸的供气气路通过所述通道进入所述容纳空间。

可选的，所述接地组件开设有若干个通道使所述容纳空间与所述下电极组件连通，当所述驱动装置为直线电机时，所述直线电机的通电线路通过所述通道进入所述容纳空间内。

可选的，所述升降杆的长度范围为60～80mm。

可选的，一种用于等离子体处理装置中的接地组件，所述等离子体处理装置包含：真空反应腔，位于所述真空反应腔内的下电极组件，所述下电极组件包括承载面以承载待处理晶圆，环绕覆盖在待处理晶圆边缘上的晶圆边缘保护环，用于承载并带动所述晶圆边缘保护环升降的升降装置，所述升降装置包含升降杆和驱动装置，

所述接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间，所述升降装置的驱动装置设置在所述容纳空间内，所述驱动装置与所述升降杆连接以便驱动所述升降杆带动所述晶圆边缘保护环升降。

可选的，包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件外侧；

接地环外环，环绕设置在所述接地环本体外侧，所述接地环外环底部向所述下电极组件方向延伸直至与所述接地环本体连接；

盖板，覆盖在所述接地环本体和所述接地环外环之间并与两者连接，所述盖板、接地环本体和接地环外环包围形成容纳空间以放置所述驱动装置，所述盖板上开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

可选的，包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件的外侧；

至少两个容纳舱，所述容纳舱外接于所述接地环本体上，所述容纳舱内为所述容纳空间，所述容纳舱顶部开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

可选的，一种等离子体处理装置的工作方法，包含：

提供所述等离子体处理装置；

当需传送晶圆时，利用驱动装置使升降杆向上移动，使晶圆能够被传送。

可选的，还包含：

当晶圆传送完成后，利用驱动装置使升降杆向下移动，使晶圆边缘保护环覆盖在晶圆边缘。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

本发明提供的等离子体处理装置中，在接地组件内设置若干个电磁场屏蔽的容纳空间，将升降装置的驱动装置设置于所述容纳空间内，避免过多占用真空反应腔内的空间，也使驱动装置免受真空反应腔内的电磁场影响，真空反应腔内的刻蚀也不易受驱动装置的影响，有利于刻蚀工作的稳定性；同时，本发明将升降装置的驱动装置设置于接地组件的容纳空间内，很大程度上缩短了升降装置的升降杆的长度，减小了升降杆的加工难度，也减小了升降装置和下电极组件的尺寸链，提高了晶圆和晶圆边缘保护环之间的对中性，使晶圆边缘保护环和晶圆边缘之间覆盖均匀，有利于得到最优的工艺效果；另外，本发明中升降装置的升降杆始终在真空反应腔内部，没有与真空反应腔的腔体接触，可避免真空反应腔内的部分射频顺着升降杆到真空反应腔的腔体上，而是顺着接地组件，避免了发生点火或起火现象。

进一步的，本发明提供的等离子体处理装置中，放置驱动装置的容纳空间可均匀、对称分布，相应地升降杆也为均匀、对称分布，使得每个升降杆的受力均等，不容易发生倾斜，可保证刻蚀环境的稳定性，另外，对称的设计使真空反应腔内的气流比较均匀，有利于提高晶圆刻蚀的均匀性。

附图说明

图1为本发明的一种等离子体处理装置的结构示意图；

图2为图1中区域A的一种放大图；

图3为图1中接地组件部分结构示意图；

图4为图1中接地组件的另一种部分结构示意图；

图5为图1中晶圆边缘保护环和升降杆的一种结构示意图；

图6为图1中接地组件的又一种部分结构示意图；

图7为图1中晶圆边缘保护环和升降杆的又一种结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明一实施例的目的。

如图1所示，为本发明的一种等离子体处理装置的结构示意图，该等离子体处理装置包含：一真空反应腔100，所述真空反应腔100包含由金属材料制成圆柱形的反应腔侧壁101，所述反应腔侧壁101上设置一晶圆传输口(图中未示出)，该晶圆传输口用于实现晶圆在真空反应腔100内外之间传输。所述真空反应腔100内包含一下电极组件110，其设置于所述真空反应腔100底部，所述下电极组件110包括承载面，传入所述真空反应腔100内的待处理晶圆W放置在所述承载面上。所述反应腔侧壁101上方设置一绝缘窗口102，绝缘窗口102上方设置有电感耦合线圈120，射频功率源(图中未示出)通过射频匹配网络将射频电压施加到电感耦合线圈120上。反应气体注入所述真空反应腔100内，所述射频功率源的射频功率驱动所述电感耦合线圈120产生较强的高频交变磁场，使得所述真空反应腔100内低压的反应气体被电离产生等离子体。该等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理晶圆W的表面发生多种物理和化学反应，使得待处理晶圆W表面的形貌发生改变，从而完成对待处理晶圆W的刻蚀过程。

实施例一

在本实施例中，所述等离子体处理装置为电感耦合型等离子体处理装置(ICP)。

如图1所示，为本实施例的一种电感耦合型等离子体处理装置，所述真空反应腔100设置有内衬103，以保护所述真空反应腔100内壁不被等离子体腐蚀。所述反应腔侧壁101靠近所述绝缘窗口102的一端设置有边缘进气口104，所述绝缘窗口102的中心区域设置有中央进气口105，所述边缘进气口104和所述中央进气口105用于将所述反应气体注入所述真空反应腔100内。射频功率源的射频功率经电感耦合线圈120以磁场耦合的形式进入所述真空反应腔100，从而产生等离子体环境以用于刻蚀。

如图1和图2结合所示，该等离子体处理装置还包含接地组件130，所述接地组件130环绕设置在所述下电极组件110的外侧，以实现等离子体处理装置的接地。

为了满足某些工艺要求的晶圆W边缘保护需求，该等离子体处理装置还包含晶圆边缘保护环140，其环绕覆盖在待处理晶圆W的边缘上。所述晶圆边缘保护环140的内径小于晶圆W的外径，在进行晶圆W传片时需先将所述晶圆边缘保护环140移开，若干个升降装置150用于升降所述晶圆边缘保护环140。其中，所述升降装置150包含升降杆151和驱动装置154，所述驱动装置154与所述升降杆151连接以便驱动所述升降杆151带动所述晶圆边缘保护环140升降。

在本发明中，在所述接地组件130内设置有若干个电磁场屏蔽的容纳空间134，所述升降装置150的驱动装置154设置在所述接地组件130的容纳空间134内，所述升降杆151伸出所述容纳空间134与所述晶圆边缘保护环140接触以便带动所述晶圆边缘保护环140升降。尽管真空反应腔100内构件复杂多样、电磁场射频环境复杂，但是，由于所述容纳空间134内具有电磁场屏蔽的环境，所述驱动装置154设置在所述容纳空间134内，可避免传导电压或传导射频，有利于维护所述真空反应腔100内的电场分布和电场环境的稳定性，提高晶圆W刻蚀效果。同时，将所述驱动装置154设置于所述容纳空间134内，空间占用范围较小，节省了真空反应腔100的内部空间，可灵活安排真空反应腔100内其他部件的安装与放置。另外，本发明驱动装置154在真空反应腔100内，升降杆151的长度不会过长，加工精度容易实现，升降装置150和下电极组件140之间的尺寸链较短，对中性较好，在工艺过程中，晶圆W和晶圆边缘保护环140之间的边缘覆盖较均匀，有利于得到最优的工艺效果。本发明中升降装置150的升降杆151始终在真空反应腔100内部，没有与真空反应腔100的腔体接触，可避免真空反应腔100内的部分射频顺着升降杆151到真空反应腔100的腔体上，而是顺着接地组件130，避免了发生点火或起火现象。

如图1、图2和图3结合所示，在本实施例中，所述接地组件130包含：接地环本体131、接地环外环132和盖板133。所述接地环本体131环绕设置在所述下电极组件110外侧；所述接地环外环132环绕设置在所述接地环本体131外侧，所述接地环外环132底部向所述下电极组件110方向延伸直至与所述接地环本体131连接。所述盖板133覆盖在所述接地环本体131和所述接地环外环132之间并与两者连接，所述盖板133、接地环本体131和接地环外环132包围形成电磁场屏蔽的容纳空间134，所述驱动装置154设置于所述容纳空间134内以避免驱动装置154影响所述真空反应腔100内的电场环境，所述盖板133上开设至少一个通孔供所述升降杆151穿过。

在本实施例中，所述容纳空间134为环形结构，其可容纳多个驱动装置154，可选的，各个驱动装置154沿接地环本体131的周向均匀分布，则各个升降杆151也均匀分布，使真空反应腔100内气体的均匀性较好。当然，本发明的容纳空间134也可设置为其他结构形状，以满足真空反应腔100内的气体流导需求，即可设计成各种结构以补偿腔体的流体不均匀性。

采用上述接地组件130结构，很大程度上缩短了升降杆151的长度，减少了升降杆151和下电极组件110之间的尺寸链，从而提高了晶圆W和晶圆边缘保护环140之间的对中性，使晶圆边缘保护环140和晶圆W边缘之间覆盖更均匀。例如，在一个实施例中，所述升降杆151的长度范围为60～80mm，升降杆151的升降高度为0～25mm，相比于将驱动装置154设置在真空反应腔100外部时，若达到同样升降高度其升降杆151长度为260mm左右。因此，本实施例的升降杆151长度更短，加工更加容易，精度更高，对中性更好。

另外，在本实施例中，所述接地环本体131和所述接地环外环132一体成型，以便维护所述容纳空间134的气密性。在其它实施例中，所述盖板133与所述接地环本体131和所述接地环外环132均通过机械紧固装置连接，各部件连接处设置有密封结构以保证气密性。另外，所述升降杆151和所述盖板133接触部位设置有密封结构以保证所述容纳空间134的气密性。

该等离子体处理装置包含多个全对称结构的升降装置150，以便更加稳定地支撑所述晶圆边缘保护环140。其中，如图1所示，所述升降装置150的升降杆151包括主杆152和若干个副杆153。所述主杆152底部与所述驱动装置154连接，所述主杆152顶部连接一连接件。所述副杆153一端与所述连接件连接，另一端与所述晶圆边缘保护环140接触。可选的，在本实施例中，所述升降杆151包含一个副杆153，所述副杆153底部和所述主杆152直径相同，所述连接件为两者接触部位，所述副杆153和所述主杆152一体成型，以使支撑更加稳定。

所述晶圆边缘保护环140的外边缘包含若干个连接耳141，若干个升降杆151的副杆153分别与所述连接耳141接触。具体地，所述晶圆边缘保护环140的外边缘开设有若干个接触孔，所述升降杆151顶部即副杆153的顶部为台阶结构，所述升降杆151顶部伸入所述接触孔内以便支撑所述晶圆边缘保护环140。所述接触孔的直径小于所述升降杆151中部的直径，以便所述升降杆151支撑所述晶圆边缘保护环140。

另外，所述驱动装置154为气缸或直线电机。在本实施例中，所述接地组件130设置有若干个通道135(见图2)与所述下电极组件110连通，以使所述容纳空间134与所述下电极组件110连通。当所述驱动装置154为气缸时，气缸的供气气路通过所述下电极组件110、通道135进入所述容纳空间134；当所述驱动装置154为直线电机时，直线电机的通电线路通过所述下电极组件110、通道135进入所述容纳空间134内。各个驱动装置154之间的同步性，可采用光电转化传输信号，根据光电传感器的到位时间监控它们是否偏离目标。

另外，本发明还提供了一种等离子体处理装置的工作方法，包含：提供所述等离子体处理装置；当需传送晶圆W时，利用驱动装置154使升降杆151向上移动，使晶圆W能够被传送。当晶圆W传送完成后，利用驱动装置154使升降杆151向下移动，使晶圆边缘保护环140覆盖在晶圆W边缘。该方法操作简便，为工作人员的日常运维提供了便利。

实施例二

请参照图4至图5，基于实施例一中的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对接地组件230以及升降杆251的结构做出了一些改变，主要针对接地组件230的接地环本体231外侧部分的结构以及升降杆251结构做出改变。

在本实施例中，所述升降装置包含升降杆251和驱动装置，所述驱动装置与所述升降杆251连接以便驱动所述升降杆251带动晶圆边缘保护环240升降。如图4所示，所述接地组件230包含接地环本体231以及至少两个容纳舱232。所述容纳舱232可为锥形结构或柱形结构，但其形状不仅限于此。具体地，所述接地环本体231环绕设置在所述下电极组件的外侧，所述容纳舱232外接于所述接地环本体231上，所述容纳舱232内为所述容纳空间233，所述驱动装置设置于所述容纳舱232内，所述容纳舱232为一包括顶盖的封闭结构，所述容纳舱232顶部开设至少一个通孔供所述升降杆251穿过。另外，所述接地环本体231开设有若干个通道与所述下电极组件连通，所述容纳舱232与所述通道连通，以便所述驱动装置的供气气路或通电线路经所述通道接入所述容纳舱232内。

如图5所示，所述升降杆251包括主杆252和若干个副杆253。所述主杆252底部与所述驱动装置连接，所述主杆252顶部连接一连接件254。所述副杆253一端与所述连接件254连接，另一端与所述晶圆边缘保护环240的连接耳241接触。

在本实施例中，所述接地组件230包含两个容纳舱232，其对称分布在所述接地环本体231的外侧。该等离子体处理装置包含两个升降装置150，其驱动装置分别设置于所述容纳舱232内，所述升降杆251包含一个主杆252和两个副杆253，主杆252和副杆253通过连接件254间接连接。所述晶圆边缘保护环240设置有两个对称分布的连接耳241，两个升降杆251分别与两个连接耳241接触以带动所述晶圆边缘保护环240升降。

在本实施例中，所述接地组件230只有两个对称分布的容纳舱232，其气体的流阻较小，不会牺牲整个真空反应腔的气体流导。另外，两个容纳舱232占用空间较小，对于内部空间有限的等离子体处理装置来说，其较大程度上提高了真空反应腔内各部件安装布置的灵活性，不会影响其他部件的安放使用。分别设置于两个容纳舱232内的驱动装置与包含多个副杆253的升降杆251相配合共同完成晶圆边缘保护环240的升降。本实施例的其他结构部分以及各组件作用方式都与实施例一中的相同，在此不再加以赘述。

实施例三

请参照图6至图7，基于实施例二中的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对接地组件330以及升降杆351的结构做出了一些改变，主要针对接地组件330的接地环本体331外侧部分的结构以及升降杆351结构做出改变。

在本实施例中，所述升降装置包含升降杆351和驱动装置，所述驱动装置与所述升降杆351连接以便驱动所述升降杆351带动晶圆边缘保护环340升降。如图6所示，所述接地组件330包含接地环本体331以及三个容纳舱332，各个容纳舱332均匀分布在所述接地环本体331的外侧，所述容纳舱332内为所述容纳空间333，所述驱动装置设置于所述容纳舱332内，所述容纳舱232为一包括顶盖的封闭结构，所述容纳舱332顶部开设至少一个通孔供所述升降杆351穿过。

如图7所示，所述升降杆351包括主杆352和一个副杆353。所述主杆352底部与所述驱动装置连接，所述主杆352顶部连接一连接件；所述副杆353一端与所述连接件连接，另一端与所述晶圆边缘保护环340的连接耳341接触。可选的，所述主杆352和所述副杆353底部直径相同，所述连接件为两者接触部位，所述副杆353和所述主杆352一体成型，以使支撑更加稳定。

在本实施例中，所述接地组件330只有三个均匀分布的容纳舱332，其气体的流阻较小，不会牺牲整个真空反应腔的气体流导。三个升降杆351均匀分布共同支撑晶圆边缘保护环340，每个升降杆351承受的重量均等，不容易发生倾斜，并且气体流量比较均匀。另外，三个容纳舱332占用空间较小，对于内部空间有限的等离子体处理装置来说，其较大程度上提高了真空反应腔内各部件安装布置的灵活性，不会影响其他部件的安放使用。本实施例的其他结构部分以及各组件作用方式都与实施例二中的相同，在此不再加以赘述。

需要说明的是，本发明中容纳舱的个数不仅限于实施例中的两个或三个，其可根据具体的使用需求设置为其他个数，只要可实现支撑晶圆边缘保护环均可。

综上所述，本发明的用于等离子体处理装置中的接地组件130及其等离子体处理装置与工作方法中，该等离子体处理装置设置有下电极组件110、包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间134的接地组件130、晶圆边缘保护环140、升降装置150等结构，该升降装置150包含升降杆151和驱动装置154，所述驱动装置设置在所述容纳空间134内，其与所述升降杆151连接以便驱动所述升降杆151带动所述晶圆边缘保护环140升降。该装置将驱动装置154设置于接地组件130的容纳空间134内，缩短了升降杆151的长度，减小了升降杆151的加工难度，提高了晶圆W和晶圆边缘保护环140之间的对中性，使晶圆边缘保护环140和晶圆W边缘之间覆盖均匀，有利于得到最优的刻蚀工艺效果。

进一步的，本发明提供的等离子体处理装置中，放置驱动装置154的容纳空间134可均匀、对称分布，相应地升降杆151也为均匀、对称分布，使得每个升降杆151的受力均等，不容易发生倾斜，可保证刻蚀环境的稳定性，另外，对称的设计使真空反应腔100内的气流比较均匀，有利于提高晶圆W刻蚀的均匀性。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (19)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：

真空反应腔；

下电极组件，位于所述真空反应腔内，所述下电极组件包括承载面，用于承载待处理晶圆；

接地组件，其环绕设置在所述下电极组件的外侧，所述接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间；

晶圆边缘保护环，环绕覆盖在待处理晶圆的边缘；

若干个升降装置，其包含升降杆和驱动装置，所述驱动装置设置在所述容纳空间内，所述驱动装置与所述升降杆连接以便驱动所述升降杆带动所述晶圆边缘保护环升降。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地组件包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件外侧；

接地环外环，环绕设置在所述接地环本体外侧，所述接地环外环底部向所述下电极组件方向延伸直至与所述接地环本体连接；

盖板，覆盖在所述接地环本体和所述接地环外环之间并与两者连接，所述盖板、接地环本体和接地环外环包围形成所述容纳空间，所述盖板上开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述接地环本体和所述接地环外环一体成型；

和/或，所述盖板与所述接地环本体和所述接地环外环通过机械紧固装置连接，各部件连接处设置有密封结构以保证气密性；

和/或，所述升降杆和所述盖板接触部位设置有密封结构以保证气密性。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地组件包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件的外侧；

至少两个容纳舱，所述容纳舱外接于所述接地环本体上，所述容纳舱内为所述容纳空间，所述容纳舱顶部开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述容纳舱的个数为三个，三个容纳舱沿所述接地环本体的周向均匀分布。

6.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述接地组件包含两个容纳舱，其对称分布在所述接地环本体的外侧。

7.如权利要求1或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述升降杆包括：

主杆，其底部与所述驱动装置连接，其顶部连接一连接件；

若干个副杆，其一端与所述连接件连接，另一端与所述晶圆边缘保护环接触。

8.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述容纳舱为锥形结构或柱形结构。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述晶圆边缘保护环的外边缘包含若干个连接耳，若干个升降杆分别与所述连接耳接触。

10.如权利要求1或9所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述晶圆边缘保护环的外边缘开设有若干个接触孔，所述升降杆顶部为台阶结构，所述升降杆顶部伸入所述接触孔内以便支撑所述晶圆边缘保护环。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述驱动装置为气缸或直线电机。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述接地组件开设有若干个通道使所述容纳空间与所述下电极组件连通，当所述驱动装置为气缸时，所述气缸的供气气路通过所述通道进入所述容纳空间。

13.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述接地组件开设有若干个通道使所述容纳空间与所述下电极组件连通，当所述驱动装置为直线电机时，所述直线电机的通电线路通过所述通道进入所述容纳空间内。

14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述升降杆的长度范围为60～80mm。

15.一种用于等离子体处理装置中的接地组件，所述等离子体处理装置包含：真空反应腔，位于所述真空反应腔内的下电极组件，所述下电极组件包括承载面以承载待处理晶圆，环绕覆盖在待处理晶圆边缘上的晶圆边缘保护环，用于承载并带动所述晶圆边缘保护环升降的升降装置，所述升降装置包含升降杆和驱动装置，其特征在于，

所述接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间，所述升降装置的驱动装置设置在所述容纳空间内，所述驱动装置与所述升降杆连接以便驱动所述升降杆带动所述晶圆边缘保护环升降。

16.如权利要求15所述的接地组件，其特征在于，包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件外侧；

接地环外环，环绕设置在所述接地环本体外侧，所述接地环外环底部向所述下电极组件方向延伸直至与所述接地环本体连接；

盖板，覆盖在所述接地环本体和所述接地环外环之间并与两者连接，所述盖板、接地环本体和接地环外环包围形成容纳空间以放置所述驱动装置，所述盖板上开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

17.如权利要求15所述的接地组件，其特征在于，包含：

接地环本体，环绕设置在所述下电极组件的外侧；

至少两个容纳舱，所述容纳舱外接于所述接地环本体上，所述容纳舱内为所述容纳空间，所述容纳舱顶部开设至少一个通孔供所述升降杆穿过。

18.一种等离子体处理装置的工作方法，其特征在于，包含：

提供如权利要求1至权利要求14任一项所述等离子体处理装置；

当需传送晶圆时，利用驱动装置使升降杆向上移动，使晶圆能够被传送。

19.如权利要求18所述的等离子体处理装置的工作方法，其特征在于，还包含：

当晶圆传送完成后，利用驱动装置使升降杆向下移动，使晶圆边缘保护环覆盖在晶圆边缘。

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