CN113948554A - 电子设备和电子设备的制造方法 - Google Patents

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金圣哲
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Abstract

本公开涉及电子设备和电子设备的制造方法。所述电子设备包括：电子模块；显示面板，所述显示面板设置在所述电子模块上，并且包括第一显示区域和与所述第一显示区域相邻的第二显示区域，所述第二显示区域与所述电子模块重叠；以及偏振板，所述偏振板设置在所述显示面板上，并且包括第一偏振区域和第二偏振区域，所述第一偏振区域与所述第一显示区域重叠，所述第二偏振区域包括偏振部分和具有比所述偏振部分高的透光率的非偏振部分，所述非偏振部分与所述第二显示区域重叠。

Description

电子设备和电子设备的制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年7月17日提交的第10-2020-0089128号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，通过引用将上述韩国专利申请并入本文，如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
本发明的实施例一般地涉及电子设备和电子设备的制造方法，并且更具体地，涉及包括图案化的偏振层的电子设备和电子设备的制造方法。
背景技术
已经使用各种类型的显示装置来提供图像信息，并且显示装置可以各自包括接收外部信号或向外部提供输出信号的电子模块。例如，电子模块可以包括相机模块、传感器或声音模块等，并且为了增加用于显示图像的区域，考虑到将电子模块等设置在用于显示图像的区域中。
因此，需要在设置有电子模块的区域中保持显示质量并改善电子模块的灵敏度。
在本背景技术部分公开的以上信息仅是为了理解本发明构思的背景，并且因此，以上信息可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人发现，当具有电子模块的显示装置在电子模块上利用偏振层来制造时，与电子模块重叠的偏振层可能使电子模块的性能劣化。
根据本发明的原理构造的具有电子模块的显示装置能够借助于通过提供图案化的偏振层提高与电子模块重叠的显示区域中的透光率来改善电子模块的性能和显示装置的显示质量。
根据本发明的原理构造的制造显示装置的方法借助于通过提供图案化的偏振层提高与电子模块重叠的显示区域中的透光率来改善电子模块的性能和显示装置的显示质量。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中进行阐述，并且根据该描述将部分地是明显的，或者可以通过实践本发明构思来获知所述附加特征。
根据本发明的一方面，一种电子设备包括：电子模块；显示面板，所述显示面板设置在所述电子模块上，并且包括第一显示区域和与所述第一显示区域相邻的第二显示区域，所述第二显示区域与所述电子模块重叠；以及偏振板，所述偏振板设置在所述显示面板上，并且包括第一偏振区域和第二偏振区域，所述第一偏振区域与所述第一显示区域重叠，所述第二偏振区域包括偏振部分和具有比所述偏振部分高的透光率的非偏振部分，所述非偏振部分与所述第二显示区域重叠。
所述偏振板可以包括作为最上层的偏振器层，并且所述偏振器层可以包括聚合物膜和分散在所述聚合物膜中的光吸收体。
所述非偏振部分中的每单位面积的所述光吸收体的数目可以小于所述第一偏振区域和所述偏振部分中的每单位面积的所述光吸收体的数目。
所述非偏振部分可以通过从所述聚合物膜去除所述光吸收体来形成。
所述显示面板可以包括：基体层；电路层，所述电路层设置在所述基体层上，并且包括至少一个金属图案；以及发光元件层，所述发光元件层设置在所述电路层上，并且包括彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中，所述第二显示区域可以包括非像素区域和像素区域，所述非像素区域可以不包括所述至少一个金属图案和所述第一电极，所述像素区域可以包括所述至少一个金属图案和所述第一电极。
所述非像素区域可以与所述非偏振部分重叠，并且所述像素区域可以与所述偏振部分重叠。
所述偏振部分可以与所述至少一个金属图案和所述第一电极之中的至少一者重叠；并且所述非偏振部分可以不与所述至少一个金属图案和所述第一电极两者重叠。
所述至少一个金属图案可以包括下部屏蔽图案、晶体管和连接电极之中的至少一者。
所述非偏振部分可以不与所述至少一个金属图案重叠。
所述第一显示区域和所述第二显示区域中的每一个可以包括多个像素单元；并且所述第二显示区域中的每单位面积的所述像素单元的数目可以小于所述第一显示区域中的每单位面积的所述像素单元的数目。
所述多个像素单元中的每一个可以包括第一颜色发光区域、第二颜色发光区域和第三颜色发光区域。
所述第一显示区域可以包括第一像素单元，所述第一像素单元包括布置为当在平面中观看时彼此间隔开的多个发光区域；并且所述第二显示区域可以包括第二像素单元，所述第二像素单元可以包括与所述第一像素单元中的所述多个发光区域的布置不同地布置的多个发光区域。
与所述第一显示区域相比，所述第二显示区域可以具有更低的像素密度或更低的布线密度。
所述电子设备还可以包括支撑构件，所述支撑构件设置在所述显示面板下方并且包括与所述电子模块重叠的通孔。
根据本发明的另一方面，一种电子设备的制造方法包括以下步骤：提供显示面板，所述显示面板包括第一显示区域和与所述第一显示区域相邻的第二显示区域，所述第二显示区域具有与所述第一显示区域不同的透光率；在所述显示面板上提供偏振板，所述偏振板包括与所述第一显示区域重叠的第一偏振区域和与所述第二显示区域重叠的第二偏振区域；以及将提供的所述偏振板图案化，其中，将所述偏振板图案化的所述步骤包括以下步骤：从所述显示面板下方在所述第二显示区域中照射激光；以及从所述偏振板上方向所述第二偏振区域提供清洗液。
所述偏振板可以包括设置在所述第一偏振区域和所述第二偏振区域中的偏振器层；所述偏振器层可以包括聚合物膜和分散在所述聚合物膜中的光吸收体；在所述第二显示区域中照射所述激光的所述步骤可以包括在所述聚合物膜中将所述光吸收体分离的步骤；并且提供所述清洗液的步骤可以包括提取分离的所述光吸收体的所述步骤。
将所述偏振板图案化的所述步骤可以包括将所述第二偏振区域图案化为偏振部分和具有比所述偏振部分高的透光率的非偏振部分的步骤；并且所述非偏振部分可以是通过将所述光吸收体与所述聚合物膜分离所形成的部分。
所述显示面板可以包括：基体层；电路层，所述电路层设置在所述基体层上，并且包括金属图案；以及发光元件层，所述发光元件层设置在所述电路层上，并且包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，并且在所述第二显示区域中照射所述激光的所述步骤中，可以通过使用所述金属图案和所述第一电极之中的至少一者作为掩模从所述基体层下方在朝向所述偏振板的方向上照射所述激光。
将所述偏振板图案化的所述步骤可以包括将所述第二偏振区域图案化为包括可以与所述金属图案和所述第一电极之中的至少一者重叠的偏振部分以及可以不与所述金属图案和所述第一电极重叠的非偏振部分的步骤。
所述激光可以选自大约340nm至大约810nm的波长范围。
在所述第二显示区域中照射所述激光的所述步骤和提供所述清洗液的所述步骤可以在同一步骤中执行。
提供所述清洗液的所述步骤可以包括通过使用喷雾法、蒸汽喷射法或浸渍法提供所述清洗液的步骤。
所述清洗液可以为中性溶液。
所述清洗液可以为去离子水。
所述制造方法还可以包括在将所述偏振板图案化的所述步骤之后在所述显示面板下方设置电子模块的步骤。
设置所述电子模块的所述步骤可以包括将所述电子模块设置为与所述第二显示区域重叠的步骤。
将理解，前面的一般性描述和下面的详细描述两者是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并且与描述一起用于说明本发明构思。
图1是根据本发明的原理构造的电子设备的实施例的透视图。
图2是图1的电子设备的分解透视图。
图3是沿着图2的线I-I'截取的截面图。
图4是沿着图2的线II-II'截取的截面图。
图5A是图2的电子设备的偏振板的截面图。
图5B是图5A的偏振板的平面图。
图6是图2的电子设备的显示面板的截面图。
图7是图6的显示面板的平面图。
图8是图7的区域AA'的平面图。
图9是图2的电子设备的显示面板的像素单元的平面图。
图10是图7的区域BB'的平面图。
图11是图10的像素单元和非像素单元的平面图。
图12是图2的电子设备的显示面板和偏振板的实施例的截面图。
图13是图2的电子设备的显示面板和偏振板的另一实施例的截面图。
图14是图1的电子设备中的感测区域的平面图。
图15是图2的电子设备的显示面板和偏振板的另一实施例的截面图。
图16是示出根据本发明的原理的图1的电子设备的制造方法的流程图。
图17、图18和图19是各自示意性地示出图1的电子设备的制造方法的步骤的视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种实施例或实施方案的透彻理解。如这里所使用的，“实施例”和“实施方案”是可互换的词语，所述词语是采用这里公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或更多个等同布置来实践各种实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。此外，各种实施例可以是不同的，但不必须是排他性的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，实施例的具体形状、构造和特性可以在另一实施例中使用或实现。
除非另有说明，否则示出的实施例将被理解为提供可在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地称为或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来阐明相邻元件之间的边界。因此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可能夸大了元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为此目的，术语“连接”可以指在存在或不存在中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴，诸如x轴、y轴和z轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可以解释为只有X、只有Y、只有Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用来将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被命名为第二元件。
为了描述的目的，在这里可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等空间相对术语，并且从而描述如图中所示的一个元件与另一元件(多个元件)的关系。除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果在附图中设备被翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定向为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可涵盖上方和下方两种方位。此外，设备可被另外定向(例如，旋转90度或者在其他方位处)，并且因此相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”时，说明存在陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还指出的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作为近似的术语而不是程度的术语，并且这样，用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化的实施例和/或中间结构的示意图的截面图和/或分解图来描述各种实施例。这样，预计到例如由于制造技术和/或公差而引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的实施例不应当必然被理解为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括由于例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，图中示出的区域实际上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，并且因此，不必旨在是限制性的。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应解释为理想化的或过于形式化的含义。
在下文中，将参照附图描述根据本发明构思的实施例的电子设备。
图1是实施例中的电子设备的透视图。图2是根据实施例的电子设备的分解透视图，并且图3和图4各自是根据实施例的电子设备的截面图。图3是沿着图2的线I-I'截取的截面图。图4是沿着图2的线II-II'截取的截面图。
根据实施例的电子设备DD可以是响应于电信号而被激活的设备。例如，电子设备DD可以是便携式电话、平板计算机、汽车导航单元、游戏机或可穿戴装置，但是实施例不限于此。图1示例性地示出了电子设备DD是便携式电话。
电子设备DD可以通过有源区域AA-DD显示图像IM。有源区域AA-DD可以包括由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。有源区域AA-DD还可以包括从由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的至少一侧弯曲的弯曲表面。根据图1中示出的实施例的电子设备DD被示出为包括分别从由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的两个侧表面弯曲的两个弯曲表面。然而，实施例不限于有源区域AA-DD的形状。例如，有源区域AA-DD可以仅包括平面，并且有源区域AA-DD还可以包括分别从平面的至少两个或更多个侧表面(例如，四个侧表面)弯曲的四个弯曲表面。
同时，图1和下面的附图示出了第一方向轴DR1至第三方向轴DR3，并且由在以下描述中描述的第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向是相对概念，并且可以被转换为其他方向。另外，由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向可以分别被描述为第一方向、第二方向和第三方向，并且可以使用相同的附图标记。
在下面的描述中，第一方向轴DR1和第二方向轴DR2彼此正交，并且第三方向轴DR3可以是相对于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向。
感测区域SA-DD可以被限定在电子设备DD的有源区域AA-DD内。图1示例性地示出了单个感测区域SA-DD，但是实施例未限制感测区域SA-DD的数目。感测区域SA-DD可以是有源区域AA-DD的一部分。因此，电子设备DD可以通过感测区域SA-DD显示图像。
电子模块EM可以设置在与感测区域SA-DD重叠的区域中。电子模块EM可以接收通过感测区域SA-DD传输的外部输入或通过感测区域SA-DD提供输出。
参照图1、图2、图3和图4，电子设备DD可以包括显示区域DA和与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。显示区域DA可以是与稍后将描述的显示面板DP的有源区域AA对应的部分，并且非显示区域NDA可以是与显示面板DP的外围区域NAA对应的部分。
非显示区域NDA可以是阻挡光学信号、设置在显示区域DA外部并且围绕显示区域DA的区域。在实施例中，非显示区域NDA可以不设置在前表面上，而是可以设置在电子设备DD的侧表面上。在实施例中，电子设备DD可以不具有非显示区域NDA。
根据实施例的电子设备DD可以包括电子模块EM、设置在电子模块EM上的显示面板DP和设置在显示面板DP上的偏振板PM。支撑构件SP可以设置在显示面板DP下方，并且与电子模块EM重叠的通孔HH可以被限定在支撑构件SP中。
根据实施例的电子设备DD可以包括设置在显示面板DP上的窗口WM。另外，根据实施例的电子设备DD可以包括设置在显示面板DP下方的壳体HU。电子模块EM和显示面板DP等可以容纳在壳体HU中。
在根据实施例的电子设备DD中，窗口WM和壳体HU可以结合以构成电子设备DD的外观。在根据实施例的电子设备DD中，电子模块EM可以是输出或接收光学信号的电子组件。例如，电子模块EM可以是用于捕获外部图像的相机模块。另外，电子模块EM可以是诸如接近传感器或红外发光传感器的传感器模块。
在根据实施例的电子设备DD中，显示面板DP可以设置在电子模块EM上。显示面板DP可以包括其中显示图像IM的有源区域AA和与有源区域AA相邻的外围区域NAA。例如，显示面板DP的前表面IS可以包括有源区域AA和外围区域NAA。有源区域AA可以是响应于电信号而被激活的区域。
外围区域NAA可以与有源区域AA相邻。外围区域NAA可以围绕有源区域AA。在外围区域NAA中，可以设置用于驱动有源区域AA的驱动电路或驱动线、用于向有源区域AA提供电信号的各种信号线或焊盘、或者电子元件。
显示面板DP可以包括第一显示区域NSA-EP和第二显示区域SA-EP。第二显示区域SA-EP可以是与电子模块EM重叠的区域，并且第一显示区域NSA-EP可以是被设置为围绕第二显示区域SA-EP的至少一部分的区域。第二显示区域SA-EP可以对应于电子设备DD的感测区域SA-DD。第一显示区域NSA-EP可以是电子设备DD中的与除了感测区域SA-DD之外的有源区域AA-DD对应的部分。
当在平面中观看时，第二显示区域SA-EP的面积可以小于第一显示区域NSA-EP的面积。第一显示区域NSA-EP的透光率和第二显示区域SA-EP的透光率可以彼此不同。第二显示区域SA-EP的透光率可以大于第一显示区域NSA-EP的透光率。
同时，在根据实施例的显示面板DP中，用于驱动设置在第二显示区域SA-EP中的像素PX(例如，在图7中)的驱动电路或驱动线等的一部分可以设置在外围区域NAA中。因此，第二显示区域SA-EP中的布线密度可以低于第一显示区域NSA-EP中的布线密度。然而，实施例不限于此，并且第一显示区域NSA-EP中的布线密度可以与第二显示区域SA-EP中的布线密度基本上相同。显示面板DP可以包括发光元件层DP-ED(例如，在图6中)，发光元件层DP-ED包括有机发光元件、量子点发光元件、微型LED发光元件或纳米LED发光元件。发光元件层DP-ED(例如，在图6中)可以是实际上产生图像的构造。
在根据实施例的电子设备DD中，偏振板PM可以设置在显示面板DP上。偏振板PM可以设置在显示面板DP和窗口WM之间。在实施例中，偏振板PM可以包括偏振器层(例如，在图5A中)。偏振板PM可以执行用于减小由于从电子设备DD的外部入射的光所导致的反射的防反射功能。
偏振板PM可以包括第一偏振区域NSA-P和第二偏振区域SA-P。第二偏振区域SA-P可以是与电子模块EM重叠的部分和与电子设备DD的感测区域SA-DD对应的部分。第一偏振区域NSA-P可以设置为围绕第二偏振区域SA-P的至少一部分。第一偏振区域NSA-P中的透光率可以低于第二偏振区域SA-P中的平均透光率。例如，在第一偏振区域NSA-P中，偏振板PM的平均透光率可以为大约50％或更小。另外，在第二偏振区域SA-P中，偏振板PM的平均透光率可以为大约50％或更大。具体地，在第二偏振区域SA-P中，偏振板PM的平均透光率可以为大约70％或更大。
偏振板PM的第一偏振区域NSA-P可以是与显示面板DP的第一显示区域NSA-EP重叠的部分，并且第二偏振区域SA-P可以是与显示面板DP的第二显示区域SA-EP重叠的部分。
在根据实施例的电子设备DD中，将参照附图详细地描述显示面板DP和偏振板PM。
参照图2、图3和图4等，支撑构件SP可以设置在显示面板DP下方。支撑构件SP可以包括垫层(cushion layer)CM和金属支撑层MP。另外，支撑构件SP还可以包括粘合层AP3和AP4中的至少一个。粘合层AP3和AP4可以为光学透明粘合层。
通孔HH可以被限定在支撑构件SP中。通孔HH可以被限定为穿过垫层CM和金属支撑层MP。另外，通孔HH可以同样被限定为穿过被包括在支撑构件SP中的粘合层AP3和AP4。
通孔HH可以被限定为设置在显示面板DP的有源区域AA中。在电子设备DD中，显示面板DP的第二显示区域SA-EP也可以是与通孔HH对应的部分。偏振板PM的第二偏振区域SA-P可以是与通孔HH对应的部分。电子模块EM可以与通孔HH重叠。电子模块EM的至少一部分可以设置为插入在通孔HH中。
可以提供垫层CM以保护显示面板DP和电子模块EM免受从电子设备DD的外部施加的物理冲击。另外，垫层CM可以以至少预定的厚度提供，以实现通孔HH。垫层CM的厚度可以为大约50μm或更大。例如，垫层CM的厚度可以为大约100μm或更大。
垫层CM可以通过包括丙烯酸类聚合物、氨基甲酸酯类聚合物、硅类聚合物和酰亚胺类聚合物之中的至少一种来形成。垫层CM可以具有能够保护显示面板DP和电子模块EM的强度，并且可以限定通孔HH。
粘合层AP3可以设置在垫层CM上。粘合层AP3可以结合垫层CM和显示面板DP。
金属支撑层MP可以是支撑被包括在电子设备DD中的诸如显示面板DP的构件的支撑基板。金属支撑层MP可以是薄膜金属基板。金属支撑层MP还可以具有诸如散热或电磁波屏蔽的功能。
在根据实施例的电子设备DD中，支撑构件SP还可以包括面板支撑部件。面板支撑部件可以设置在显示面板DP下方。面板支撑部件可以设置在显示面板DP和垫层CM之间。面板支撑部件可以包括聚合物膜。聚合物膜可以为光学透明聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜。
另外，支撑构件SP还可以包括将面板支撑部件和显示面板DP结合的粘合层，并且粘合层可以为光学透明粘合层。
在根据实施例的电子设备DD中，窗口WM可以设置在偏振板PM上。窗口WM可以覆盖显示面板DP的前表面IS。窗口WM可以包括基体基板WM-BS和边框图案WM-BZ。
基体基板WM-BS可以是包括光学透明绝缘材料的基板。基体基板WM-BS可以具有柔性。例如，基体基板WM-BS可以包括聚合物膜、包含聚合物材料的基板、或薄膜玻璃基板。基体基板WM-BS可以对应于不具有相位差或具有非常低的相位差的基板。在基体基板WM-BS上，可以进一步设置功能层，例如防反射层、防指纹层或用于控制相位的光学层。
边框图案WM-BZ可以是印刷在基体基板WM-BS的一个表面上或沉积在基体基板WM-BS上的彩色层。例如，边框图案WM-BZ可以具有多层结构。多层结构可以包括着色层和黑色阻光层。着色层和黑色阻光层可以通过沉积、印刷或涂覆工艺来形成。边框图案WM-BZ可以被省略，并且可以被形成在除了基体基板WM-BS之外的功能层上。
窗口WM包括暴露于外部的上表面FS。电子设备DD的上表面FS可以基本上由窗口WM的上表面FS限定。透射区域TA可以是位于窗口WM的上表面FS上的光学透明区域。透射区域TA可以具有与显示面板DP的有源区域AA对应的形状。例如，透射区域TA与有源区域AA的全部或至少一部分重叠。可以从外部通过透射区域TA观看到显示在显示面板DP的有源区域AA上的图像。
在窗口WM的上表面FS上，边框区域BZA可以是向其提供边框图案WM-BZ的部分。边框区域BZA可以限定透射区域TA的形状。边框区域BZA可以与透射区域TA相邻并且围绕透射区域TA。边框区域BZA可以覆盖显示面板DP的外围区域NAA，并且防止从外部观看到外围区域NAA。
感测区域SA可以被限定在窗口WM的透射区域TA中。窗口WM的感测区域SA可以被定义为电子设备DD的感测区域SA-DD。
根据实施例的电子设备DD还可以包括至少设置在偏振板PM和窗口WM之间或设置在显示面板DP和偏振板PM之间的粘合层AP1和AP2。粘合层AP1和AP2可以为光学透明粘合层。
图5A是根据实施例的偏振板的截面图，并且图5B是根据实施例的偏振板的平面图。图5A和图5B示出了第二偏振区域SA-P和设置为围绕第二偏振区域SA-P的第一偏振区域NSA-P的一部分。第一偏振区域NSA-P可以是与显示面板DP的第一显示区域NSA-EP重叠的部分，并且第二偏振区域SA-P可以是与显示面板DP的第二显示区域SA-EP重叠的部分。
根据实施例的偏振板PM可以包括偏振器层PL。偏振器层PL可以被包括在偏振板PM的最上层中。偏振器层PL可以是最外层，并且可以构成偏振板PM的与显示面板DP(例如，在图4中)间隔开的上表面。
偏振器层PL可以是用于使提供的光在一个方向上线性偏振的光学层。例如，偏振器层PL可以是线性偏振层，但是实施例不限于此。偏振器层PL可以是包括拉伸聚合物膜的膜型线性偏振器。例如，拉伸聚合物膜可以是拉伸聚乙烯醇膜。
偏振器层PL可以包括拉伸聚合物膜BF和吸附到聚合物膜BF的光吸收体AF。例如，光吸收体AF可以附着到聚合物膜BF的外表面。例如，光吸收体AF可以被分散在聚合物膜BF中。聚合物膜BF可以包括聚乙烯醇。光吸收体AF可以为双色染料或碘。例如，可以通过涂覆碘以吸附到拉伸聚乙烯醇膜上而制造偏振器层PL。例如，碘可以分散在拉伸聚乙烯醇膜中。
此时，聚合物膜BF被拉伸的方向(例如，在第一方向轴DR1上)可以是偏振器层PL的吸附轴，并且与拉伸方向垂直的方向可以是偏振器层PL的透射轴(例如，在第三方向轴DR3上)。在实施例中，偏振板PM的透射轴可以被定义为偏振器层PL的透射轴。然而，实施例不限于此，并且偏振方向可以因被包括在偏振板PM中的其他光学功能层而改变。在这种情况下，偏振板PM的透射轴可以不与偏振器层PL的透射轴一致。
另外，偏振板PM还可以包括设置在偏振器层PL下方的相位延迟层RL1和RL2中的至少一个。偏振板PM可以包括第一相位延迟层RL1和第二相位延迟层RL2。第二相位延迟层RL2可以设置在第一相位延迟层RL1和偏振器层PL之间。第一相位延迟层RL1和第二相位延迟层RL2可以各自为使所提供的光的相位延迟的光学层。第一相位延迟层RL1可以为λ/4相位延迟层，并且第二相位延迟层RL2可以为λ/2相位延迟层。
例如，根据实施例的偏振板PM还可以包括光补偿层、保护层、支撑层或粘合层等。
根据实施例的偏振板PM可以包括位于第二偏振区域SA-P中的偏振部分PP和非偏振部分NP。在实施例中，非偏振部分NP可以是其中光吸收体AF从偏振器层PL的聚合物膜BF中被分离或被去除的部分，或者可以是其中仅少量光吸收体AF被吸附到偏振器层PL的聚合物膜BF上的部分。
在实施例中，非偏振部分NP中的(例如，在平面图中的)每单元面积的光吸收体AF的数目可以小于偏振部分PP中的(例如，在平面图中的)每单元面积的光吸收体AF的数目。另外，第一偏振区域NSA-P中的(例如，在平面图中的)每单元面积的光吸收体AF的数目可以大于第二偏振区域SA-P中的(例如，在平面图中的)每单元面积的光吸收体AF的平均数目。
在实施例中，非偏振部分NP是偏振器层PL中的不具有线性偏振功能的部分，并且偏振部分PP对应于偏振器层PL中的保持线性偏振功能的部分。另外，如同偏振部分PP那样，第一偏振区域NSA-P也对应于保持线性偏振功能的部分。
在实施例中，非偏振部分NP的透光率可以大于偏振部分PP的透光率。另外，非偏振部分NP的透光率可以大于第一偏振区域NSA-P的透光率。第二偏振区域SA-P的平均透光率可以是偏振部分PP和非偏振部分NP的平均透光率值。因此，第二偏振区域SA-P的平均透光率可以大于第一偏振区域NSA-P的平均透光率。
图6是根据实施例的显示面板的截面图，并且图7是根据实施例的显示面板的平面图。
在实施例中，显示面板DP包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路层DP-CL、发光元件层DP-ED和上部绝缘层TFL。基体层BL可以包括塑料基板、玻璃基板、金属基板或有机/无机复合材料基板等。例如，基体层BL可以包括至少一个聚酰亚胺层。
电路层DP-CL可以包括至少一个绝缘层、半导体图案和导电图案。绝缘层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。半导体图案和导电图案可以构成信号线、像素驱动电路和扫描驱动电路。稍后将对此进行详细描述。
发光元件层DP-ED包括显示元件，例如，发光元件ED(例如，在图12中)。发光元件层DP-ED还可以包括有机层，诸如像素限定层PDL(例如，在图12中)。
发光元件层DP-ED可以设置在有源区域AA中。外围区域NAA设置在有源区域AA的外围并围绕有源区域AA，并且发光元件可以不设置在外围区域NAA中。
上部绝缘层TFL可以包括多个薄膜。一些薄膜设置为改善光学效率，并且一些薄膜设置为保护发光元件。上部绝缘层TFL可以包括薄膜封装层，薄膜封装层包括无机层/有机层/无机层的层叠结构。
同时，显示面板DP还可以包括传感器层。传感器层可以检测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以指各种类型的外部输入，诸如用户身体的一部分、光、热、笔或压力。
传感器层可以通过连续的工艺形成在上部绝缘层TFL上。在这种情况下，传感器层可以表示为直接设置在上部绝缘层TFL上。措辞“直接设置”可以指其他组件不设置在传感器层和上部绝缘层TFL之间。例如，单独的粘合构件可以不设置在传感器层和上部绝缘层TFL之间。同时，实施例不限于此，并且粘合构件可以进一步设置在传感器层和上部绝缘层TFL之间。同时，在实施例中，传感器层可以包括用于检测外部输入的感测电极，并且感测电极可以通过包括透明金属氧化物等来形成。
如图7中所示，显示面板DP可以包括多条信号线SGL(在下文中，称为信号线)、多个像素PX(在下文中，称为像素)和驱动电路GDC。像素PX设置在有源区域AA中。每个像素PX包括发光元件和连接到发光元件的像素驱动电路。信号线SGL和像素驱动电路可以被包括在图6中示出的电路层DP-CL中。
第二显示区域SA-EP可以是与第一显示区域NSA-EP相比具有更低像素密度的部分，或者具有更低布线密度的部分。
例如，在根据实施例的显示设备中，相对于相同的单位面积，与在第一显示区域NSA-EP中相比，较少数量的像素PX可以设置在第二显示区域SA-EP中。其中未设置像素PX的区域对应于光学信号传输所通过的区域。然而，实施例不限于此，并且第二显示区域SA-EP可以具有与第一显示区域NSA-EP基本上相同水平的像素密度。
同时，当第二显示区域SA-EP和第一显示区域NSA-EP中的像素密度基本上相同时，第二显示区域SA-EP的布线密度可以低于第一显示区域NSA-EP的布线密度。例如，设置在第二显示区域SA-EP中的诸如用于驱动第二像素单元AR1'(例如，在图13中)的晶体管TR(例如，在图13中)的电路布线可以设置为向外围区域NAA移动。因此，第二显示区域SA-EP中的布线密度可以低于第一显示区域NSA-EP中的布线密度。像素PX不设置在外围区域NAA中。驱动电路GDC设置在外围区域NAA中。在该实施例中，驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路生成多个扫描信号(在下文中，被称为扫描线)，并且将扫描信号顺序地输出到多条扫描线GL(在下文中，称为扫描线)。扫描驱动电路还可以将另一不同的控制信号输出到像素PX的驱动电路。
扫描驱动电路可以包括通过相同的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)形成的多个薄膜晶体管，通过所述工艺形成像素PX的驱动电路。
信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电力线PWL和控制信号线CSL。信号线SGL还可以包括单独的复位线和发光线。扫描线GL分别连接到像素PX之中的相应的像素PX，并且数据线DL分别连接到像素PX之中的相应的像素PX。电力线PWL连接到像素PX。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路提供控制信号。
信号线SGL可以连接到电路板。信号线SGL可以连接到具有安装在电路板上的集成电路的形状的时序控制电路。
在实施例中，信号线SGL可以设置在电路层DP-CL上，并且可以被称为信号线SGL之中的被包括在至少一个电路层DP-CL中的至少一个金属图案MTL(例如，在图15中)。例如，信号线SGL之中的扫描线GL和数据线DL可以是不与偏振板的非偏振部分NP(例如，在图15中)重叠的金属图案MTL(例如，在图15中)。
图8是示出了图7的区域AA'的平面图。图8简化并示出了设置在图7的区域AA'中的像素单元。图9是示出了被包括在图8中示出的一个像素单元中的发光区域的构造的平面图。
像素PX可以设置在第一像素单元AR1中，并且第一像素单元AR1可以是向其提供图像的区域。因此，第一像素单元AR1可以被称为有效区域或图像区域。
参照图7、图8和图9，设置在第一显示区域NSA-EP中的多个第一像素单元AR1可以具有相互相同的发光区域EA-B、EA-G和EA-R的设置。第一发光区域EA-B是第一颜色像素的发射区域，第二发光区域EA-G是第二颜色像素的发射区域，并且第三发光区域EA-R是第三颜色像素的发射区域。
多个第一像素单元AR1中的每一个可以包括第一发光区域EA-B、第二发光区域EA-G和第三发光区域EA-R。在该实施例中，示出了多个第一像素单元AR1中的每一个包括单个第一发光区域EA-B、两个第二发光区域EA-G和单个第三发光区域EA-R。然而，实施例不限于此。
另外，示出了当在平面中观看时被包括在第一像素单元AR1中的发光区域EA-B、EA-G和EA-R中的每一者的形状具有菱形形状，但是实施例不限于此。
参照图9，在单个像素单元AR1中，两个第二发光区域EA-G可以设置为在第一方向轴DR1的方向上彼此间隔开，并且第一发光区域EA-B和第三发光区域EA-R可以设置为彼此间隔开，第二发光区域EA-G位于第一发光区域EA-B和第三发光区域EA-R之间。发光区域EA-B、EA-G和EA-R可以经由非发光区域NPA彼此区分开。发光区域EA-B、EA-G和EA-R可以是由像素限定层PDL(例如，在图12中)划分的区域，并且非发光区域NPA可以是与像素限定层PDL(例如，在图12中)重叠的区域。
在实施例中，被包括在第一像素单元AR1中的第二发光区域EA-G之中的一个也可以被定义为与第二发光区域EA-G区分开的第四发光区域。图9示出了当在平面中观看时两个第二发光区域EA-G具有相同的形状和相同的面积，但是实施例不限于此。与示出的形状不同，在实施例中，当在平面中观看时，第二发光区域EA-G和第四发光区域可以具有不同的形状。
在实施例中，被包括在第一显示区域NSA-EP中的第一像素单元AR1的构造不限于附图中示出的构造，而是被包括在单个第一像素单元AR1中的发光区域的数目、不同的发光区域之间的比率、发光区域之间的设置关系和发光区域的形状等可以根据显示面板DP所需的显示质量而改变和组合。
在实施例中，单个第一发光区域EA-B可以产生蓝光。两个第二发光区域EA-G中的每一者可以各自产生绿光。一个第三发光区域EA-R可以产生红光。蓝光、绿光和红光可以改变为三原色光。
图10是示出了图7的区域BB'的平面图。图10简化并示出了设置在图7的区域BB'中的像素单元。图11是示出了图10中示出的区域BB'的一部分的平面图。
图10是示出了作为图7中示出的显示面板DP的第二显示区域SA-EP的一部分的区域BB'的平面图。第二显示区域SA-EP可以包括多个第二像素单元AR1'和多个非像素单元AR2。
参照图7、图8、图9和图11，第二显示区域SA-EP可以包括交替地且重复地设置的第二像素单元AR1'和非像素单元AR2。多个第二像素单元AR1'和多个非像素单元AR2可以根据预定的规则对准。
像素PX可以设置在第二像素单元AR1'中，并且第二像素单元AR1'可以是向其提供图像的区域。因此，第二像素单元AR1'可以被称为有效区域或图像区域。
非像素单元AR2的透光率可以大于第二像素单元AR1'的透光率。非像素单元AR2可以被称为透射部分、非显示部分、半透射部分、透射区域、非像素区域、开口或开口区域等。
像素PX可以不设置在非像素单元AR2中。发光元件可以至少不设置在非像素单元AR2中。因此，包括第二像素单元AR1'和非像素单元AR2的第二显示区域SA-EP的分辨率可以低于第一显示区域NSA-EP的分辨率。
半导体图案、导电图案或信号线可以不设置在非像素单元AR2中。另外，反射电极或非透射电极等可以不设置在非像素单元AR2中。另外，在非像素单元AR2中，光学信号可以通过非像素单元AR2移动。例如，可以输出从电子模块(例如，在图4中)提供的信号，或者可以通过非像素单元AR2接收从外部输入的信号。
参照图10，第二像素单元AR1'和非像素单元AR2可以沿着第一方向轴DR1和第二方向轴DR2交替地布置。例如，单个第二像素单元AR1'和单个非像素单元AR2可以交替地布置。非像素单元AR2可以具有与第二像素单元AR1'的面积对应的面积。然而，实施例不限于此，并且非像素单元AR2不一定具有与第二像素单元AR1'相同的面积。
另外，第二像素单元AR1'和非像素单元AR2的布置不限于图10中示出的布置。在第二显示区域SA-EP中，第二像素单元AR1'和非像素单元AR2的数目的比率可以不同于图10中示出的数目的比率。在实施例中，非像素单元AR2可以沿着第一方向轴DR1或第二方向轴DR2以条纹形状对准，或者第二像素单元AR1和非像素单元AR2的数目可以改变(例如，在图10中示出的区域BB'中)。
图11是用于更具体地示出第二显示区域SA-EP中的第二像素单元AR1'和非像素单元AR2的构造的平面图。在实施例中，非像素单元AR2可以设置在第二像素单元AR1'之间。
第二像素单元AR1'可以包括如图11所示出的至少三个发光区域EA-B、EA-G和EA-R。第二像素单元AR1'可以包括第一发光区域EA-B、第二发光区域EA-G和第三发光区域EA-R。在该实施例中，示出了多个第二像素单元AR1'中的每一个包括单个第一发光区域EA-B、两个第二发光区域EA-G和单个第三发光区域EA-R。然而，实施例不限于此。
另外，示出了当在平面中观看时，被包括在第二像素单元AR1'中的发光区域EA-B、EA-G和EA-R中的每一者的形状具有矩形形状，但是实施例不限于此。
参照图11，在单个第二像素单元AR1'中，两个第二发光区域EA-G可以设置为彼此间隔开，并且第一发光区域EA-B和第三发光区域EA-R可以设置为彼此间隔开，第二发光区域EA-G位于第一发光区域EA-B和第三发光区域EA-R之间。发光区域EA-B、EA-G和EA-R可以经由非发光区域NPA彼此区分开。当第二像素单元AR1'包括至少三个发光区域EA-B、EA-G和EA-R时，非像素单元AR2可以具有大于三个发光区域EA-B、EA-G和EA-R之中的至少两个发光区域的之和的面积。
参照图9和图11，第一像素单元AR1和第二像素单元AR1'中的发光区域的布置形状和形状可以彼此不同。同时，被包括在第一像素单元AR1和第二像素单元AR1'中的发光区域的尺寸、发光区域的布置、相互不同的发光区域之间的面积比率或发光区域的形状等不限于图9和图11中示出的被包括在第一像素单元AR1和第二像素单元AR1'中的发光区域的尺寸、发光区域的布置、相互不同的发光区域之间的面积比率或发光区域的形状等。
另外，与示出的情况不同，第一像素单元AR1和第二像素单元AR1'可以具有相同的发光区域的构造。
在实施例中，第二像素单元AR1'的尺寸可以不同于第一像素单元AR1的尺寸。例如，第二像素单元AR1'的尺寸可以大于第一像素单元AR1的尺寸。
图8中示出的区域AA'和图10中示出的区域BB'可以示出相同单位面积的区域。参照图7、图8、图9和图10，第二显示区域SA-EP中的每单位面积的发光区域(例如，区域BB')的数目可以小于第一显示区域NSA-EP中的每单位面积的发光区域AA'的数目。第二显示区域SA-EP中的(例如，在平面图中的)每单位面积设置的像素单元AR1'的数目可以小于第一显示区域NSA-EP中的(例如，在平面图中的)每单位面积设置的像素单元AR1的数目。另外，第二显示区域SA-EP中的像素密度可以低于第一显示区域NSA-EP中的像素密度。然而，实施例不限于此，并且第二显示区域SA-EP中的像素密度和第一显示区域NSA-EP中的像素密度基本上相同，并且第二显示区域SA-EP中的布线密度可以低于第一显示区域NSA-EP中的布线密度。
图12和图13各自是根据实施例的电子设备的截面图。图12是第一显示区域的一部分的截面图，并且图13是第二显示区域的一部分的截面图。
图12是示出了电子设备的与被包括在图8中示出的第一像素单元AR1中的第一发光区域EA-B对应的部分的截面图。图13是示出了电子设备的一部分的截面图，该部分对应于被包括在第二像素单元AR1'中的第一发光区域EA-B和设置在第二像素单元AR1'之间的非像素单元AR2。
参照图12和图13，根据实施例的电子设备可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的偏振板PM。如图12和图13中所示，可以省略设置在显示面板DP和偏振板PM之间的粘合层AP2(例如，在图4中)。
参照图12和图13，显示面板DP可以包括多个绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线等。通过诸如涂覆工艺或沉积工艺的方法形成绝缘层、半导体层和导电层等。接下来，可以通过光刻方法将绝缘层、半导体层和导电层选择性地图案化。通过这样的方法，形成被包括在电路层DP-CL和发光元件层DP-ED中的半导体图案、导电图案和信号线等。接下来，可以形成覆盖发光元件层DP-ED的上部绝缘层TFL。
晶体管TR和发光元件ED可以设置在基体层BL上。发光元件ED可以包括第一电极AE、第二电极CE以及设置在第一电极AE和第二电极CE之间的发射层EML。另外，发光元件ED可以包括设置在第一电极AE和发射层EML之间的空穴传输区域HTR以及设置在发射层EML和第二电极CE之间的电子传输区域ETR。
第一缓冲层BFL1可以设置在基体层BL上。第一缓冲层BFL1可以改善基体层BL和诸如下部屏蔽图案BML的金属图案之间的结合强度。第一缓冲层BFL1可以包括氧化硅层和氮化硅层之中的至少一种。例如，第一缓冲层BFL1可以通过交替地堆叠或者层叠氧化硅层和氮化硅层来形成。
下部屏蔽图案BML可以设置在第一缓冲层BFL1上。同时，在实施例中，可以省略第一缓冲层BFL1，并且在这种情况下，下部屏蔽图案BML可以提供在基体层BL的上表面上。
下部屏蔽图案BML可以与晶体管TR重叠。下部屏蔽图案BML可以与有源部分A1重叠，并且可以用作防止有源部分A1的电特性的劣化的保护层。另外，在电子设备的制造工艺中，下部屏蔽图案BML可以保护晶体管TR免受从基体层BL下方渗入或透过的激光或湿气的影响。下部屏蔽图案BML可以由具有低透光率的导电材料形成。例如，下部屏蔽图案BML可以阻挡大约340nm至大约810nm的激光束。
第二缓冲层BFL2可以设置在下部屏蔽图案BML上。第二缓冲层BFL2可以覆盖整个下部屏蔽图案BML。半导体图案设置在第二缓冲层BFL2上。半导体图案可以包括硅半导体。半导体图案还可以包括多晶硅或非晶硅。另外，半导体图案还可以包括金属氧化物半导体。
半导体图案可以具有根据半导体图案是否被掺杂而改变的电性质。半导体图案可以包括掺杂区和非掺杂区。掺杂区可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区。
掺杂区具有比非掺杂区大的导电率，并且可以用作电极或信号线。非掺杂区可以基本上对应于晶体管的有源层(例如，沟道)。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源层(例如，沟道)，并且另一部分可以是源(例如，输入电极区域)或漏(例如，输出电极区域)，并且再一部分可以是连接信号线(例如，连接电极)。
如图12和图13中所示，晶体管TR的源极S1、有源部分A1、漏极D1由半导体图案形成。第一绝缘层10可以设置在半导体图案上。晶体管TR的栅极G1可以设置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20可以设置在栅极G1上。第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。
连接电极CNE可以设置在晶体管TR和发光元件ED之间，并且将晶体管TR和发光元件ED连接。连接电极CNE可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。
第一连接电极CNE1可以设置在第四绝缘层40上，并且可以通过限定在第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40中的第一接触孔CH1连接到漏极D1。第五绝缘层50可以设置在第一连接电极CNE1上。第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上。
第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以通过限定在第五绝缘层50中的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE1。第六绝缘层60可以设置在第二连接电极CNE2上。从第一缓冲层BFL1至第六绝缘层60的各层可以被定义为电路层DP-CL。电路层DP-CL可以包括至少一个金属图案MTL(例如，在图15中)，诸如下部屏蔽图案BML、半导体图案S1、A1和D1(还分别被称为源极S1、有源部分A1和漏极D1)、栅极G1或连接电极CNE。这样的至少一个金属图案可以不被包括在非像素单元AR2中。非像素单元AR2可以不包括半导体图案或导电图案，而是包括多个绝缘层。非像素单元AR2可以对应于具有比像素单元AR1和AR1'更大的透光率的透射区域。在根据实施例的电子设备中，与非像素单元AR2对应的部分可以被称为非像素区域，并且与像素单元AR1和AR1'对应的部分可以被称为像素区域。
与在图13中示出的情况不同，在实施例中，设置在第二像素单元AR1'上的诸如晶体管TR的电路布线可以不设置在第二像素单元AR1'上，而是设置在显示面板的外围区域NAA(例如，在图7中)中。例如，在实施例中，与第一像素单元AR1不同，设置在第二像素单元AR1'上的诸如晶体管TR的电路线的数目减少，并且因此，第二像素单元AR1'中的布线密度可以低于第一像素单元AR1中的布线密度。同时，第二像素单元AR1中的电路层DP-CL可以包括透明导电层，并且设置在发光元件ED和外围区域NAA(例如，在图7中)上的电路线可以被电连接。
第一电极AE可以设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可以是阳极电极。第一电极AE可以通过限定在第六绝缘层60中的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE2。像素限定层PDL可以设置在第一电极AE和第六绝缘层60上。在像素限定层PDL中，可以限定用于暴露第一电极AE的预定部分的开口PX_OP。
像素限定层PDL可以由聚合物树脂形成。例如，像素限定层PDL可以利用聚丙烯酸酯类树脂或聚酰亚胺类树脂形成。此外，像素限定层PDL可以被形成为进一步包括除了聚合物树脂之外的无机材料。同时，像素限定层PDL可以利用吸光材料形成，或者可以包括黑色颜料或黑色染料。利用黑色颜料或黑色染料形成的像素限定层PDL可以限定黑色像素限定层。当形成像素限定层PDL时，可以使用炭黑等作为黑色颜料或黑色染料，但是实施例不限于此。
当利用吸光材料形成像素限定层PDL时，像素限定层PDL可以阻挡从显示面板DP下方入射的激光等。例如，利用吸光材料形成的像素限定层PDL可以阻挡大约340nm至大约810nm的激光束。像素限定层PDL可以不被包括在非像素单元AR2中。像素限定层PDL可以与偏振板PM的偏振部分PP重叠，并且可以不与非偏振部分NP重叠。
空穴传输区域HTR可以设置在第一电极AE上以及设置在像素限定层PDL上。空穴传输区域HTR可以公共地设置在发光区域EA-B和非发光区域NPA中。空穴传输区域HTR可以包括空穴传输层和空穴注入层。
发射层EML可以设置在空穴传输区域HTR上。发射层EML可以设置在与开口PX_OP对应的区域上。发射层EML可以包括有机材料和/或无机材料。在图12和图13中，发射层EML可以是发射蓝光的部分。同时，第二发光区域EA-G(例如，在图9中)可以产生绿光，并且第三发光区域EA-R(例如，在图9中)可以产生红光。第二发光区域EA-G(例如，在图9中)和第三发光区域EA-R(例如，在图9中)也可以具有与在图12和图13中示出的第一发光区域EA-B对应的层叠结构。
电子传输区域ETR可以设置在发射层EML和空穴传输区域HTR上。电子传输区域ETR可以公共地设置在发光区域EA-B和非发光区域NPA中。电子传输区域ETR可以包括电子传输层和电子注入层。
第二电极CE可以设置在电子传输区域ETR上。第二电极CE可以是阴极电极。第二电极CE可以被提供为公共层。
同时，在实施例中，空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极CE被示出为延伸直到非发光区域NPA，但是实施例不限于此。例如，空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极CE也可以被图案化并且被提供为对应于发光区域。
其上设置有发光元件ED的层可以被限定为发光元件层DP-ED。上部绝缘层TFL可以设置在发光元件ED上。
第一电极AE可以不被包括在非像素单元AR2中。非像素单元AR2可以与上部绝缘层TFL重叠。另外，当第二电极CE为透明电极时，非像素单元AR2可以包括第二电极CE的至少一部分。
第一电极AE可以是具有低透光率的反射电极或半透射电极。在电子设备的制造工艺中，第一电极AE可以保护发射层EML等免受从基体层BL下方渗入或透过的激光或湿气的影响。例如，第一电极AE可以阻挡具有大约340nm至大约810nm的激光。
相比于与非像素单元AR2重叠的偏振板PM的透光率，偏振板PM的透光率在与显示面板DP的像素单元AR1和AR1'重叠的部分中可以较低。像素单元AR1和AR1'是包括发光区域EA-B和非发光区域NPA的部分，并且与像素单元AR1和AR1'重叠的偏振板PM可以与电路层DP-CL的下部屏蔽图案BML、晶体管TR、发光元件层DP-ED的第一电极AE和像素限定层PDL中的至少一者重叠。另外，偏振板PM的与非像素单元AR2重叠的非偏振部分NP可以不与电路层DP-CL的下部屏蔽图案BML、晶体管TR、发光元件层DP-ED的第一电极AE和像素限定层PDL重叠。
例如，在实施例中，下部屏蔽图案BML可以与整个第二像素单元AR1'重叠。在实施例中，下部屏蔽图案BML可以与偏振部分PP重叠，并且可以不与非偏振部分NP重叠。
非偏振部分NP可以是与缓冲层BFL1和BFL2、绝缘层10、20、30、40、50和60以及上部绝缘层TFL重叠的部分。
图14是根据实施例的电子设备的平面图图像。图14示出了根据实施例的电子设备DD(例如，在图1中)中的与感测区域SA-DD对应的部分的平面图图像。感测区域SA-DD可以包括第二像素单元AR1'和非像素单元AR2。第二像素单元AR1'可以包括多个发光区域EA-B、EA-G和EA-R。被包括在图14中示出的根据实施例的电子设备中的第二像素单元AR1'中所包括的发光区域EA-B、EA-G和EA-R的布置形状可以与上面在图11等中描述的第二像素单元AR1'的发光区域的布置形状相同。
同时，在图14中示出的根据实施例的电子设备中，当在平面中观看时，非像素单元AR2的形状可以为圆形形状或多边形形状。被称为非像素单元AR2的部分和偏振板的非偏振部分可以彼此对应。例如，实施例中的非偏振部分NP(例如，在图13中)的形状可以为与被称为非像素单元AR2的部分对应的圆形或多边形形状。
与被称为非像素单元AR2的部分对应的非偏振部分处的透光率可以大于除了被称为第二像素单元AR1'的部分之外的其他部分处的偏振板的透光率。
在图14中示出的图像中，第二像素单元AR1'之间的部分、第二像素单元AR1'与非像素单元AR2之间的部分以及非像素单元AR2之间的部分可以是与偏振板的偏振部分PP(例如，在图13)对应的部分。第二像素单元AR1'可以是包括电路层的金属图案的区域，并且非像素单元AR2可以是不包括电路层的金属图案的区域。
图15是示出了根据实施例的电子设备的一部分的截面图。参照图15，根据实施例的电子设备可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的偏振板PM。在实施例中，显示面板DP包括基体层BL、设置在基体层BL上的电路层DP-CL以及发光元件层DP-ED。在显示面板DP中，上部绝缘层TFL可以设置在发光元件层DP-ED上。
电路层DP-CL可以包括金属图案MTL。金属图案MTL可以指由形成在电路层DP-CL中的诸如半导体图案、导电图案、连接线和信号线的图案中的每一者和它们的组合提供的光阻挡部分。
图12、图13和图15将金属图案MTL示出为诸如单个半导体图案、单个导电图案、单条连接线或单条信号线的单个层，但是实施例不限于此。例如，金属图案MTL可以形成为单层或多层，所述单层或多层具有从半导体图案、导电图案或信号线中选择的半导体图案、导电图案或信号线彼此组合的形状。例如，参照图12、图13和图15，金属图案MTL可以是由下部屏蔽图案BML、晶体管TR、连接电极CNE等的组合提供的部分。
金属图案MTL可以是第一偏振区域NSA-P和第二偏振区域SA-P重叠所在的部分。第二偏振区域SA-P的非偏振部分NP可以是不与金属图案MTL重叠的部分。
在实施例中，第二显示区域SA-EP可以包括非像素单元AR2和像素单元AR1'，非像素单元AR2不包括金属图案，像素单元AR1'包括金属图案MTL。非像素单元AR2可以被称为非像素区域，并且像素单元AR1'可以被称为像素区域。例如，在实施例中，金属图案MTL可以不设置在被称为非像素单元AR2的非像素区域中。
在实施例中，显示面板DP的发光元件层DP-ED可以包括通过图案化工艺形成的第一电极AE。第一电极AE可以不被包括在第二显示区域SA-EP的非像素区域中。像素区域可以包括图案化的第一电极AE。
在实施例中，设置在显示面板DP上的偏振板PM包括第一偏振区域NSA-P和第二偏振区域SA-P。与第二显示区域SA-EP重叠的第二偏振区域SA-P可以包括偏振部分PP和非偏振部分NP。第二偏振区域SA-P的平均透光率可以大于第一偏振区域NSA-P的平均透光率。
第二偏振区域SA-P的偏振部分PP可以与金属图案MTL和第一电极AE之中的至少一者重叠。另外，第二偏振区域SA-P的非偏振部分NP可以不与金属图案MTL和第一电极AE两者重叠。
在根据实施例的电子设备中，电子模块EM(例如，在图4中)可以设置在显示面板DP下方，以便与第二偏振区域SA-P重叠。例如，偏振板PM可以包括其中设置有电子模块EM(例如，在图4中)的感测区域SA-DD中的非偏振部分NP，使得偏振板PM可以具有高透光率。另外，在根据实施例的电子设备中，偏振板PM的偏振部分PP可以提供为与被包括在显示面板中的诸如金属图案MTL或第一电极AE的光阻挡部分重叠，并且第二偏振区域SA-P中的除了偏振部分PP之外的其余部分可以是非偏振部分NP。因此，根据实施例的电子设备可以通过提供与非像素区域对应的透射部分来增强或改善电子模块的灵敏度，而图像质量不劣化。
另外，根据实施例的电子设备可以在非偏振部分中包括在偏振板的与电子模块重叠的第二偏振区域中的除了与被包括在显示面板中的诸如金属图案的光阻挡部分重叠的部分之外的所有其余部分。因此，根据实施例的电子设备可以在第二偏振区域中呈现出或具有高透光率，并且在电子设备的与第二偏振区域对应的感测区域中呈现出或具有改善的显示质量和优异的电子模块灵敏度。
在下文中，将参照附图描述根据实施例的电子设备的制造方法。图16是根据实施例的电子设备的制造方法的流程图。图17、图18和图19是示意性地示出实施例的电子设备的制造方法的步骤的视图。
在下文中，在对于将要参照图16、图17、图18和图19描述的根据实施例的电子设备的制造方法的描述中，将不再描述与对于参照图1至图15描述的根据实施例的电子设备的描述重叠的内容。另外，在对于将要参照图16、图17、图18和图19描述的根据实施例的电子设备的制造方法的描述中，根据实施例的电子设备的上述部分可以等同地应用于关于电子设备的构造的部分。
根据实施例的电子设备的制造方法S10可以包括提供显示面板的步骤S100、提供偏振板的步骤S300和将偏振板图案化的步骤S500。根据实施例的电子设备的制造方法S10可以在将偏振板图案化的步骤S500之后包括设置电子模块的步骤S700。电子模块可以设置为与图案化的偏振板的第二偏振区域重叠。
图17和图18示意性地示出了提供显示面板的步骤S100和提供偏振板的步骤S300，并且图19示意性地示出了将偏振板图案化的步骤S500。
参照图17和图18，在提供显示面板的步骤S100中，显示面板DP可以包括第一显示区域NSA-EP和第二显示区域SA-EP。第二显示区域SA-EP可以是具有比第一显示区域NSA-EP更低的像素密度的部分。
在提供初步偏振板P-PM的步骤S300中，在显示面板DP上提供包括第一偏振区域NSA-P和第二偏振区域SA-P的初步偏振板P-PM。第一偏振区域NSA-P可以提供为对应于第一显示区域NSA-EP，并且第二偏振区域SA-P可以提供为对应于第二显示区域SA-EP。
同时，在图17和图18的图示中，初步偏振板被称为参考指示符“P-PM”，并且参考指示符“P-PM”用于将初步偏振板P-PM与偏振板PM区分开。例如，初步偏振板P-PM可以具有在偏振板PM被图案化为包括非偏振部分NP之前的状态。例如，偏振板PM可以通过将初步偏振板P-PM图案化来形成。
显示面板DP可以包括基体层BL、电路层DP-CL和发光元件层DP-ED，电路层DP-CL包括金属图案MTL，发光元件层DP-ED包括第一电极AE。金属图案MTL和第一电极AE可以对应于阻挡光的掩模MSK。图17示出了在掩模MSK中仅包括单层金属图案MTL和发光元件层DP-ED的第一电极AE的构造，但是掩模MSK还可以包括显示面板DP中的另一光阻挡部分的构造。例如，可以使用被包括在电路层DP-CL中的不透明层作为掩模MSK。
例如，在对于参照图1至图15描述的根据实施例的电子设备的描述中，被包括在电路层DP-CL中并阻挡激光的半导体图案、导电图案、连接线、信号线等以及被包括在发光元件层DP-ED中并具有光阻挡功能的像素限定层等的构造可以被包括在掩模MSK中。
在第二显示区域SA-EP中，掩模MSK是被包括在像素单元AR1'中并且不被包括在非像素单元AR2中的部分。
图19是示意性地示出将偏振板图案化的步骤S500的视图。参照图16、图17、图18和图19，将偏振板图案化的步骤S500可以包括在第二显示区域SA-EP中照射激光的步骤S510以及在偏振板上方向第二偏振区域提供清洗液的步骤S530。例如，在步骤S510中，可以从显示面板下方照射激光。
在实施例中，偏振板PM可以包括作为偏振板PM的最上层的偏振器层PL(例如，在图5A中)，并且偏振器层可以包括聚合物膜和被吸附到聚合物膜上(例如，被分散在聚合物膜中)的光吸收体。在第二显示区域SA-EP中照射激光的步骤S510可以包括将吸附到聚合物膜上的光吸收体分离的步骤。
发射的激光LS可以是从大约340nm至大约810nm的波长范围选择的光。激光LS可以为连续波激光或脉冲激光。例如，激光可以发出或发射绿色波长范围内的光。
提供激光LS的光源LAP可以设置在显示面板DP下方，并且可以在沿着第一方向轴DR1移动的同时提供激光LS。激光LS可以在设置在电路层DP-CL中的作为不透明图案层的掩模MSK处被阻挡，并且在未设置掩模MSK的部分处穿过显示面板，并且被提供到偏振板PM。可以在显示面板DP的基体层BL下方在朝向偏振板PM的方向上提供激光LS。
同时，除了设置在电路层DP-CL中的掩模MSK之外，还可以在显示面板DP下方提供单独的图案化掩模。激光LS可以通过穿过设置在显示面板DP下方的图案化掩模而被提供到偏振板PM。
同时，图19示出了使用单个光源LAP提供激光LS，但是实施例不限于此。例如，多个光源LAP可以设置在显示面板DP下方并且向未被掩模MSK阻挡的部分提供激光LS。
激光LS可以不穿过被掩模MSK阻挡的阻挡区域MSA，并且激光LS通过阻挡区域MSA之间的投射区域而发射。在发射激光LS之前的初步非偏振部分P-NP可以是具有与偏振部分PP相同的构造的部分。通过提供激光LS和清洗液CW，初步非偏振部分P-NP可以被形成为非偏振部分NP。
在偏振板上方向第二偏振区域提供清洗液的步骤S530中，可以向作为最上层的偏振器层(例如，在图5A中)提供清洗液。在偏振板上方向第二偏振区域提供清洗液的步骤S530可以包括提取通过照射激光的步骤S510与聚合物膜分离的光吸收体的步骤。
例如，在提供清洗液的步骤S530中，清洗液CW通过从偏振器层溶解并提取双色染料或碘而被提供在偏振器层上。清洗液CW可以为中性溶液。清洗液CW可以是具有从大约pH值6至大约pH值8的pH值的溶液。例如，清洗液CW可以为水或有机溶剂。清洗液CW可以为去离子水。另外，清洗液可以包括醇、丙酮或乙酸乙酯等。
清洗液CW可以通过喷雾法以液相来提供，可以通过蒸汽喷射法以蒸汽形式提供在偏振板上，或者可以使用浸渍法提供到偏振板。
提供清洗液的步骤S530可以在室温下执行。另外，与此不同，提供清洗液的步骤S530可以在高温下执行。在这种情况下，步骤S530可以在蒸发温度或更低的温度下执行。
在第二显示区域SA-EP中照射激光的步骤S510和在偏振板上方向第二偏振区域提供清洗液的步骤S530可以在同一步骤中执行。在同一步骤中执行不限于在时间上同时执行。
例如，在第二显示区域SA-EP中照射激光的步骤S510和在偏振板上方向第二偏振区域提供清洗液的步骤S530可以在单个设备中执行，而无需移动显示面板或待处理的偏振板。另外，在第二显示区域SA-EP中照射激光的步骤S510的整个工艺中，可以执行提供清洗液的步骤S530。同时，可以不执行与发射激光LS同时地提供清洗液的步骤，并且还可以在发射激光LS之前和之后提供清洗液。
将偏振板图案化的步骤S500可以包括将第二偏振区域SA-P图案化为偏振部分PP和非偏振部分NP。非偏振部分NP可以是具有比偏振部分PP高的透光率的部分。非偏振部分NP可以是通过从偏振器层分离或去除光吸收体所形成的部分。
将偏振板图案化的步骤S500可以包括将第二偏振区域SA-P图案化为包括与包括金属图案和第一电极中的至少一者的掩模MSK重叠的偏振部分PP以及不与金属图案和第一电极重叠的非偏振部分NP的步骤。
因为可以在不对与像素区域对应的部分的偏振板的光学质量造成损害的情况下将非偏振部分图案化，所以根据实施例的电子设备的制造方法可以通过利用被包括在显示面板中的光阻挡部分作为掩模将偏振板图案化的步骤而提供即使在设置有电子模块的部分中仍呈现出或具有优异的显示质量的电子设备。另外，根据实施例的电子设备的制造方法可以通过执行在显示面板下方发射激光的步骤和在偏振板上方提供清洗液的步骤以使用电路层的金属图案将偏振板图案化而提供在与电子模块重叠的部分中具有改善的透光率的电子设备。
实施例可以通过在与电子模块重叠的偏振区域中包括图案化的非偏振部分来提供在与电子模块重叠的部分中具有改善的透光率的电子设备。
根据实施例的电子设备的制造方法包括从显示面板下方发射激光以将偏振板图案化，并且因此可以用于制造在与电子模块重叠的区域中具有改善的透光率的电子设备。
尽管这里已经描述了某些实施例和实施方式，但是根据该描述，其他实施例和修改将是明显的。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的更宽的范围以及对本领域普通技术人员而言将显而易见的各种明显的修改和等同布置。

Claims (26)

1.一种电子设备，其中，所述电子设备包括：
电子模块；
显示面板，所述显示面板设置在所述电子模块上，并且包括第一显示区域和与所述第一显示区域相邻的第二显示区域，所述第二显示区域与所述电子模块重叠；以及
偏振板，所述偏振板设置在所述显示面板上，并且包括第一偏振区域和第二偏振区域，所述第一偏振区域与所述第一显示区域重叠，所述第二偏振区域包括偏振部分和具有比所述偏振部分高的透光率的非偏振部分，所述非偏振部分与所述第二显示区域重叠。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
所述偏振板包括作为最上层的偏振器层，并且
所述偏振器层包括聚合物膜和分散在所述聚合物膜中的光吸收体。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述非偏振部分中的每单位面积的所述光吸收体的数目小于所述第一偏振区域和所述偏振部分中的每单位面积的所述光吸收体的数目。
4.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述非偏振部分是通过从所述聚合物膜去除所述光吸收体而形成的。
5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述显示面板包括：
基体层；
电路层，所述电路层设置在所述基体层上，并且包括至少一个金属图案；以及
发光元件层，所述发光元件层设置在所述电路层上，并且包括彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，
其中，所述第二显示区域包括非像素区域和像素区域，所述非像素区域不包括所述至少一个金属图案和所述第一电极，所述像素区域包括所述至少一个金属图案和所述第一电极。
6.根据权利要求5所述的电子设备，其中：
所述非像素区域与所述非偏振部分重叠，并且
所述像素区域与所述偏振部分重叠。
7.根据权利要求5所述的电子设备，其中：
所述偏振部分与所述至少一个金属图案和所述第一电极之中的至少一者重叠；并且
所述非偏振部分不与所述至少一个金属图案和所述第一电极两者重叠。
8.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述至少一个金属图案包括下部屏蔽图案、晶体管和连接电极之中的至少一者。
9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述非偏振部分不与所述至少一个金属图案重叠。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
所述第一显示区域和所述第二显示区域中的每一个包括多个像素单元；并且
所述第二显示区域中的每单位面积的所述像素单元的数目小于所述第一显示区域中的每单位面积的所述像素单元的数目。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述多个像素单元中的每一个包括第一颜色发光区域、第二颜色发光区域和第三颜色发光区域。
12.根据权利要求1所述的电子设备，其中：
所述第一显示区域包括第一像素单元，所述第一像素单元包括布置为当在平面中观看时彼此间隔开的多个发光区域；并且
所述第二显示区域包括第二像素单元，所述第二像素单元包括与所述第一像素单元中的所述多个发光区域的布置不同地布置的多个发光区域。
13.根据权利要求1所述的电子设备，其中，与所述第一显示区域相比，所述第二显示区域具有更低的像素密度或更低的布线密度。
14.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括支撑构件，所述支撑构件设置在所述显示面板下方并且包括与所述电子模块重叠的通孔。
15.一种电子设备的制造方法，其中，所述制造方法包括以下步骤：
提供显示面板，所述显示面板包括第一显示区域和与所述第一显示区域相邻的第二显示区域，所述第二显示区域具有与所述第一显示区域不同的透光率；
在所述显示面板上提供偏振板，所述偏振板包括与所述第一显示区域重叠的第一偏振区域和与所述第二显示区域重叠的第二偏振区域；以及
将提供的所述偏振板图案化，
其中，将所述偏振板图案化的所述步骤包括以下步骤：
从所述显示面板下方在所述第二显示区域中照射激光；以及
从所述偏振板上方向所述第二偏振区域提供清洗液。
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中：
所述偏振板包括作为所述偏振板的最上层的偏振器层；
所述偏振器层包括聚合物膜和分散在所述聚合物膜中的光吸收体；
在所述第二显示区域中照射所述激光的所述步骤包括在所述聚合物膜中将所述光吸收体分离的步骤；并且
提供所述清洗液的所述步骤包括提取分离的所述光吸收体的步骤。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中：
将所述偏振板图案化的所述步骤包括将所述第二偏振区域图案化为偏振部分和具有比所述偏振部分高的透光率的非偏振部分的步骤；并且
所述非偏振部分是通过将所述光吸收体与所述聚合物膜分离所形成的部分。
18.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述显示面板包括：
基体层；
电路层，所述电路层设置在所述基体层上，并且包括金属图案；以及
发光元件层，所述发光元件层设置在所述电路层上，并且包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，并且
在所述第二显示区域中照射所述激光的所述步骤中，通过使用所述金属图案和所述第一电极之中的至少一者作为掩模从所述基体层下方在朝向所述偏振板的方向上照射所述激光。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，将所述偏振板图案化的所述步骤包括将所述第二偏振区域图案化为包括与所述金属图案和所述第一电极之中的至少一者重叠的偏振部分以及不与所述金属图案和所述第一电极重叠的非偏振部分的步骤。
20.根据权利要求15所述的制造方法，其中，所述激光选自340nm至810nm的波长范围。
21.根据权利要求15所述的制造方法，其中，在所述第二显示区域中照射所述激光的所述步骤和提供所述清洗液的所述步骤是在同一步骤中执行的。
22.根据权利要求15所述的制造方法，其中，提供所述清洗液的所述步骤包括通过使用喷雾法、蒸汽喷射法或浸渍法提供所述清洗液的步骤。
23.根据权利要求15所述的制造方法，其中，所述清洗液为中性溶液。
24.根据权利要求23所述的制造方法，其中，所述清洗液为去离子水。
25.根据权利要求15所述的制造方法，其中，所述制造方法还包括在将所述偏振板图案化的所述步骤之后在所述显示面板下方设置电子模块的步骤。
26.根据权利要求25所述的制造方法，其中，设置所述电子模块的所述步骤包括将所述电子模块设置为与所述第二显示区域重叠的步骤。
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