CN111341806B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种显示装置,所述显示装置包括:窗;抗反射器,设置在窗下面,抗反射器包括具有第一透射率的第一区域和具有比第一透射率高的第二透射率的第二区域;以及显示面板,设置在抗反射器下面,显示面板包括具有第一分辨率的第一显示区域和具有比第一分辨率低的第二分辨率的第二显示区域。在平面图中,第二区域与第二显示区域叠置。
Description
本申请要求于2018年12月18日提交的第10-2018-0164413号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此,如同在此进行了充分地阐述。
技术领域
发明的示例性实施例/实施方式总体上涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种具有提高的感测灵敏度并具有提高的显示质量的包括电子模块的显示装置。
背景技术
显示装置包括具有各种电子部件(诸如显示图像的显示面板、感测外部输入的输入感测构件以及电子模块)的装置。电子部件通过以各种方式布置的信号线彼此电连接。
显示面板包括产生图像的发光装置。输入感测构件包括感测外部输入的感测电极。电子模块可以包括相机、红外感测传感器、接近传感器等。电子模块可以设置在显示面板下面。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景,因此,它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施方式构造的装置提供了一种包括具有提高的感测灵敏度的电子模块的显示装置,并且提供了一种具有提高的显示质量的显示装置。
发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述,并且部分地,将通过描述变得明显,或者可以通过发明构思的实践而获知。
根据发明的一个或更多个示例性实施例,显示装置包括窗和设置在窗下面的抗反射器。抗反射器包括:第一区域,具有第一透射率;以及第二区域,具有比第一透射率高的第二透射率。显示装置还包括设置在抗反射器下面的显示面板,显示面板包括:第一显示区域,具有第一分辨率;以及第二显示区域,具有比第一分辨率低的第二分辨率。在平面图中,第二区域与第二显示区域叠置。
显示装置还可以包括设置在显示面板的第二显示区域下面的电子模块。
抗反射器可以包括偏振器。
抗反射器的第二区域可以被脱色。
抗反射器可以包括穿过抗反射器的第二区域形成的孔。
第二显示区域可以包括具有第一反射率的第一子区域和具有第二反射率的第二子区域,并且第一反射率可以比第二反射率高。
第一子区域可以包括设置在其中的至少一个像素,所述像素包括:发光元件,包括第一电极、发光层和第二电极;以及像素电路,电连接到发光元件,并且像素电路包括信号线和晶体管。
第二子区域可以包括设置在其中的至少一个虚设像素,所述虚设像素包括与设置在第一子区域中的像素的结构相同的结构,但从像素省略了第一电极、发光层、第二电极和晶体管中的至少一个。
第二子区域中的第二电极可以包括穿过第二子区域形成的开口。
第二电极可以包括具有第一厚度的第一电极部分和具有与第一厚度不同的第二厚度的第二电极部分,第一电极部分可以设置在第一显示区域和第一子区域中,并且第二电极部分可以设置在第二子区域中。
第一子区域可以包括多个第一子区域,第二子区域可以包括多个第二子区域,并且所述多个第一子区域和所述多个第二子区域可以在第一方向上和与第一方向交叉的第二方向上交替布置。
第二子区域可以包括多个第二子区域,并且第一子区域可以被所述多个第二子区域围绕。
第一子区域可以包括至少一个像素发光区域。
当在平面图中观看时,第二区域可以被第一区域围绕,并且第二显示区域可以被第一显示区域围绕。
第二区域可以设置为与抗反射器的边缘相邻,并且第二区域的至少一条边可以是与第一区域共用的。
根据发明的一个或更多个示例性实施例,显示装置包括:窗;抗反射器,设置在窗下面,抗反射器包括具有彼此不同的透射率的第一区域和第二区域;显示面板,设置在抗反射器下面,显示面板包括具有彼此不同的反射率的第一显示区域和第二显示区域;以及电子模块,设置在显示面板下面。第二区域、第二显示区域和电子模块在平面图中彼此叠置。
第一区域可以具有第一透射率,第二区域具有第二透射率,第一透射率比第二区域的第二透射率低,并且第一显示区域可以具有第一反射率,第二显示区域具有第二反射率,第一反射率比第二反射率高。
抗反射器可以包括偏振器,并且第二区域可以被脱色或包括限定在其中的孔。
第二显示区域可以包括:第一子区域,包括设置在其中的至少一个像素;以及第二子区域,其中设置至少一个虚设像素,像素可以包括发光元件和电连接到发光元件的像素电路,发光元件可以包括第一电极、发光层和第二电极,像素电路包括信号线和晶体管,并且其中,虚设像素可以包括与设置在第一子区域中的像素的结构相同的结构,但省略了第一电极、发光层、第二电极和晶体管中的至少一个。
第二子区域中的第二电极可以包括穿过所述第二子区域形成的开口。
要理解的是,前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,并且意图提供对如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例,并且与描述一起用于解释发明构思,附图被包括以提供对发明的进一步理解,并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1A是根据示例性实施例的显示装置的透视图。
图1B是示出根据示例性实施例的显示装置的分解透视图。
图2A、图2B、图2C和图2D是示出根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图3A是示出根据示例性实施例的抗反射面板的平面图。
图3B是示出根据示例性实施例的抗反射面板的平面图。
图4A是示出根据示例性实施例的显示面板的平面图。
图4B是示出根据示例性实施例的像素的等效电路图。
图5是示出图4A的部分AA'的放大平面图。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G是示出图4A的部分BB'的放大平面图。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E和图7F是示出图5的一部分的放大平面图。
图8是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图9是示出图6A的一部分的放大平面图。
图10A是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图10B是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的平面图。
图10C是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的平面图。
图11是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图12A是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图12B是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图13是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图14是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图15是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图16是示出根据示例性实施例的显示面板的一部分的剖视图。
图17A是示出根据示例性实施例的抗反射面板的平面图。
图17B是示出根据示例性实施例的显示面板的平面图。
图18A是示出根据示例性实施例的抗反射面板的平面图。
图18B是示出根据示例性实施例的显示面板的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的彻底的理解。如在这里所使用的“实施例”和“实施方式”是采用在这里公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性的示例的可互换的词语。然而,明显的是,在没有这些具体细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下,可以实践各种示例性实施例。在其它情况下,以框图的形式示出了公知的结构和装置,以避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外,各种示例性实施例可以不同,但不必是排它的。例如,在不脱离发明构思的情况下,示例性实施例的具体的形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。
除非另有说明,否则示出的示例性实施例应理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的变化细节的示例性特征。因此,除非另有说明,否则在不脱离发明构思的情况下,各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中,单独地或共同地称为“元件”)可以另外组合、分开、互换和/或重新布置。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供为使相邻元件之间的边界清晰。如此,除非说明,否则交叉影线或阴影的存在和不存在都不传达或指示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它的特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外,在附图中,为了清楚和/或描述性的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时,可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如,可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。此外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或者直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。因此,组件“B”直接设置在组件“A”上的表述意味着没有中间元件(诸如粘合层/粘合构件)存在于组件“B”与组件“A”之间。在形成组件“A”之后,组件“B”通过连续工艺形成在由组件“A”提供的基体表面上。为此,术语“连接”可以指在具有中间元件或者没有中间元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外,DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴),而是可以以更宽的含义进行解释。例如,DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直,或者可以代表彼此不垂直的不同的方向。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合,诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件,但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
为了描述性的目的,在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语,由此来描述如附图中所示的一个元件与另一(另外)的元件的关系。空间相对术语意图包含设备在使用、操作和/或制造中的除了附图中描绘的方位之外的不同的方位。例如,如果附图中的设备被翻转,那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述其他元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外,设备可以被另外定位(例如,旋转90度或者在其他的方位处),如此,相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是为了描述特定实施例的目的,而不意图进行限制。如在这里使用的,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式的“一”、“一个(者/种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外,术语“包括”和/或“包括”及其变型当用在该说明书中时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但是不排除存在或添加一个或更多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是,如在这里使用的,术语“基本”、“大约”和其它类似的术语被用作近似术语,而不用作程度术语,如此,它们被用于解释由本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值上的固有偏差。
在这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此,将预期出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,在这里公开的示例性实施例不应一定被解释为限于具体示出的区域的形状,而是将包括由于例如制造导致的形状上的偏差。以这种方式,附图中示出的区域可以在本质上是示意性的,并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状,如此,不一定意图进行限制。
除非另有定义,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,而不应该以理想化或过于形式化的含义来进行解释,除非在这里明确地如此定义。
在下文中,将参照附图详细地解释本公开。
图1A是示出根据示例性实施例的显示装置EA的组装透视图。图1B是示出根据示例性实施例的显示装置EA的分解透视图。
参照图1A和图1B,显示装置EA可以是响应于电信号而激活的装置。显示装置EA可以包括各种实施例。例如,显示装置EA可以应用于诸如电视机、监视器或户外广告牌的大型电子产品以及诸如个人电脑、笔记本电脑、个人数字助理、导航单元、游戏单元、移动电子装置和相机的中小型电子产品。这些仅是示例性的,因此显示装置EA可以应用于其它电子装置,只要它们不偏离构思即可。在本示例性实施例中,智能手机将作为显示装置EA来描述。
显示装置EA通过与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个基本平行的显示表面FS朝向第三方向DR3来显示图像IM。图像IM包括运动图像和静止图像。图1A示出了作为图像IM的代表性示例的时钟窗口和图标。通过其显示图像IM的显示表面FS与显示装置EA的前表面和窗面板WP的前表面对应。
在本示例性实施例中,显示装置EA的每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)相对于沿其显示图像IM的方向而被限定。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此面对,并且前表面和后表面中的每个的法线方向基本上平行于第三方向DR3。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向彼此是相对的,因此由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以改变为其它的方向。
根据示例性实施例的显示装置EA可以感测从外部施加到其的用户输入。用户输入包括各种形式的外部输入,诸如用户身体的一部分、光、热或压力。另外,显示装置EA可以根据显示装置EA的结构感测施加到显示装置EA的侧表面或后表面的用户输入,然而,显示装置EA不应限于特定实施例。
显示装置EA包括窗面板WP、抗反射面板RPP、显示模块DM、电子模块SS和壳体HU。在本示例性实施例中,窗面板WP和壳体HU彼此结合以提供显示装置EA的外部。
窗面板WP包括光学透明绝缘材料。例如,窗面板WP包括玻璃或塑料材料。窗面板WP具有单层或多层结构。作为示例,窗面板WP包括通过粘合剂彼此附接的多个塑料膜或者玻璃基底以及通过粘合剂附接到玻璃基底的塑料膜。
如上所述,窗面板WP的显示表面FS限定显示装置EA的前表面。透射区域TA可以是光学透明区域。例如,透射区域TA可以是具有约90%或更高的可见光透射率的区域。
与透射区域TA相比,边框区域BZA可以是具有相对低的透射率的区域。边框区域BZA限定透射区域TA的形状。边框区域BZA设置成与透射区域TA相邻并且围绕透射区域TA。
边框区域BZA具有预定颜色。边框区域BZA覆盖显示模块DM的外围区域NAA,以防止或抑制从外部观看到外围区域NAA。然而,这仅是示例性的,并且可以根据示例性实施例从窗面板WP中省略边框区域BZA。
抗反射面板RPP设置在窗面板WP下面。抗反射面板RPP降低从窗面板WP上方入射到其的外部光的反射率。
显示模块DM显示图像IM并感测外部输入。显示模块DM包括前表面IS,前表面IS包括有效区域AA和外围区域NAA。有效区域AA可以是响应于电信号而激活的区域。
在本示例性实施例中,有效区域AA可以是通过其显示图像IM并感测外部输入的区域。透射区域TA至少与有效区域AA叠置。例如,透射区域TA与有效区域AA的整个表面或至少一部分叠置。因此,用户通过透射区域TA感知图像IM或提供外部输入,然而,这仅是示例性的。也就是说,通过其显示图像IM的区域和通过其感测外部输入的区域可以在有效区域AA中彼此分开,但它们不应限于特定实施例。
外围区域NAA可以被边框区域BZA覆盖。外围区域NAA可以与有效区域AA相邻设置。外围区域NAA可以围绕有效区域AA。驱动电路或驱动布线可以设置在外围区域NAA中,以驱动有效区域AA。
在本示例性实施例中,显示模块DM在其中有效区域AA和外围区域NAA面对窗面板WP的平坦状态下被组装,然而,这仅是示例性的。根据另一示例性实施例,显示模块DM的外围区域NAA的一部分可以是弯曲的。在这种情况下,外围区域NAA的所述一部分面对显示装置EA的后表面,因此可以减小显示装置EA的前表面中的边框区域BZA。作为另一种方式,显示模块DM可以被组装成使得有效区域AA的一部分是弯曲的。此外,根据示例性实施例,可以从显示模块DM中省略外围区域NAA。
显示模块DM包括显示面板DP、输入感测层ISL和驱动电路DC。
显示面板DP包括用于产生图像IM的构造。由显示面板DP产生的图像IM通过透射区域TA由用户感知。
输入感测层ISL感测从外部施加的外部输入。如上所述,输入感测层ISL感测施加到窗面板WP的外部输入。
驱动电路DC电连接到显示面板DP和输入感测层ISL。驱动电路DC包括主电路板MB、第一电路板CF1和第二电路板CF2。
第一电路板CF1电连接到显示面板DP。第一电路板CF1连接显示面板DP和主电路板MB。在本示例性实施例中,柔性电路膜作为第一电路板CF1被示出,然而,这仅是示例性的。第一电路板CF1可以不连接到主电路板MB,并且可以是刚性板。
第一电路板CF1连接到显示面板DP的设置在外围区域NAA中的垫(显示垫)。第一电路板CF1向显示面板DP提供电信号,以驱动显示面板DP。电信号由第一电路板CF1或主电路板MB产生。
第二电路板CF2电连接到输入感测层ISL。第二电路板CF2连接输入感测层ISL和主电路板MB。在本示例性实施例中,柔性电路膜作为第二电路板CF2被示出,然而,这仅是示例性的。第二电路板CF2可以不连接到主电路板MB,并且可以是刚性板。
第二电路板CF2连接到输入感测层ISL的设置在外围区域NAA中的垫(感测垫)。第二电路板CF2向输入感测层ISL提供电信号以驱动输入感测层ISL。电信号由第二电路板CF2或主电路板MB产生。
主电路板MB包括用于驱动显示模块DM的各种驱动电路和用于提供电源的连接器。第一电路板CF1和第二电路板CF2连接到主电路板MB。根据本公开,通过使用主电路板MB来容易地控制显示模块DM,然而这仅是示例性的。在根据示例性实施例的显示模块DM中,显示面板DP和输入感测层ISL可以连接到不同的主电路板,并且第一电路板CF1和第二电路板CF2中的一个可以不连接到主电路板MB,然而,它们不应限于特定实施例。
电子模块SS设置在显示模块DM下面。电子模块SS设置在显示面板DP下面。当在平面图中观看时,电子模块SS设置成与有效区域AA叠置。因此,边框区域BZA不需要具有用于电子模块SS的空间,因此可以防止或抑制边框区域BZA的尺寸增大。
电子模块SS接收通过透射区域TA传输的外部输入或者通过透射区域TA提供输出。电子模块SS包括红外感测传感器、接近传感器、相机、扬声器、光感测传感器和热感测传感器中的至少一个。电子模块SS包括多个组件,然而,电子模块SS不应限于特定实施例。
壳体HU结合到窗面板WP。壳体HU结合到窗面板WP以提供预定的内部空间。显示模块DM和电子模块SS被容纳在内部空间中。
壳体HU具有有着相对高刚性的材料。例如,壳体HU包括玻璃、塑料或金属材料或者它们组合的多个框架和/或板。壳体HU稳定地保护容纳在内部空间中的组件免受外部冲击的影响。
图2A、图2B、图2C和图2D是示出根据示例性实施例的显示装置EA的剖视图。
图2A、图2B、图2C和图2D示出了由第一方向DR1和第三方向DR3限定的剖面。在图2A、图2B、图2C和图2D中,显示装置EA被简单地示出,以示出显示装置EA的功能元件的堆叠关系。
根据示例性实施例的显示装置EA可以包括显示面板、输入感测传感器、抗反射器和窗。显示面板、输入感测传感器、抗反射器和窗中的至少一些组件可以通过连续工艺形成,或者可以通过粘合构件彼此结合。图2A、图2B、图2C和图2D示出了光学透明粘合剂OCA作为粘合构件。在下文中描述的粘合构件可以包括常规粘合剂或压敏粘合剂。在示例性实施例中,抗反射器和窗可以用其它的组件替换,或者可以被省略。
在图2A、图2B、图2C和图2D中,在输入感测传感器、抗反射器和窗之中,通过与其它组件的连续工艺而形成的组件被称为“层”。在输入感测传感器、抗反射器和窗之中,通过粘合构件结合到其它组件的组件被称为“面板”。面板包括提供基体表面的基体层,例如,合成树脂膜、复合膜或玻璃基底,然而,基体层可以从被称为“层”的组件中省略。换言之,被称为“层”的组件设置在由其它组件提供的基体表面上。
在下文中,根据基体层的存在或不存在,输入感测传感器、抗反射器和窗可以被称为“输入感测面板ISP”、“抗反射面板RPP”和“窗面板WP”,或者可以被称为“输入感测层ISL”、“抗反射层RPL”和“窗层WL”。
如图2A中所示,显示装置EA包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射面板RPP和窗面板WP。输入感测层ISL直接设置在显示面板DP上。
显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL被定义为显示模块DM。光学透明粘合剂OCA设置在显示模块DM与抗反射面板RPP之间以及抗反射面板RPP与窗面板WP之间。
显示面板DP产生图像,并且输入感测层ISL获取外部输入(例如,触摸事件)的坐标信息。虽然未单独示出,但是根据示例性实施例的显示模块DM还包括设置在显示面板DP的下表面上的保护构件。保护构件和显示面板DP通过粘合构件彼此结合。在下文中参照图2B、图2C和图2D描述的显示装置EA也还包括保护构件。
根据示例性实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板,然而,其不应被特别限制。例如,显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和量子棒。在下文中,有机发光显示面板将作为显示面板被描述。
抗反射面板RPP降低从窗面板WP的上方入射到其的外部光的反射率。根据示例性实施例的抗反射面板RPP可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型,并且可以包括λ/2延迟器和λ/4延迟器。偏振器可以是膜型,并且可以包括伸长型合成树脂膜。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器或保护膜可以被限定为抗反射面板RPP的基体层。
根据示例性实施例的窗面板WP包括基体层WP-BS和遮光图案WP-BZ。基体层WP-BS可以包括玻璃基底和/或合成树脂膜。基体层WP-BS不应限于单层结构。基体层WP-BS可以包括通过粘合构件彼此结合的两个或更多个膜。
遮光图案WP-BZ与基体层WP-BS部分叠置。遮光图案WP-BZ设置在基体层WP-BS的后表面上,并且基本上限定显示装置EA的边框区域BZA。其中未设置遮光图案WP-BZ的区域限定显示装置EA的透射区域TA。在窗面板WP中,其中设置遮光图案WP-BZ的区域被定义为窗面板WP的遮光区域,并且其中未设置遮光图案WP-BZ的区域被定义为窗面板WP的透射区域。
遮光图案WP-BZ可以具有着色层和黑色遮光层的多层结构。着色层和黑色遮光层可以通过沉积、印刷和涂覆工艺形成。虽然在图中未示出,但是窗面板WP还可以包括设置在基体层WP-BS的整个表面上的功能涂层。功能涂层可以包括抗指纹层、抗反射层或硬涂层。在图2B、图2C和图2D中,示意性地示出了窗面板WP和窗层WL,而没有将基体层WP-BS与遮光图案WP-BZ分开。
如图2B和图2C中所示,显示装置EA包括显示面板DP、输入感测面板ISP、抗反射面板RPP和窗面板WP。可以改变输入感测面板ISP和抗反射面板RPP的堆叠顺序。
如图2D中所示,显示装置EA包括显示面板DP、输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL。与图2A中示出的显示装置EA相比,省略了光学透明粘合剂OCA,并且输入感测层ISL、抗反射层RPL和窗层WL通过连续工艺形成在由显示面板DP提供的基体表面上。可以改变输入感测层ISL和抗反射层RPL的堆叠顺序。
图3A是示出根据示例性实施例的抗反射面板RPP的平面图。图3B是示出根据示例性实施例的抗反射面板RPP的平面图。在下文中描述的抗反射面板RPP的结构和功能可以应用于抗反射层RPL(见图2D)。
参照图3A和图3B,抗反射面板RPP包括第一区域RA1和第二区域RA2。第一区域RA1围绕第二区域RA2。第二区域RA2具有圆形形状。当在平面图中观看时,第二区域RA2是与电子模块SS叠置的区域。
第一区域RA1具有第一透射率,第二区域RA2具有第二透射率。第二透射率高于第一透射率。例如,当电子模块SS是红外感测传感器时,在红外波长带中,第二透射率高于第一透射率。根据示例性实施例,因为与电子模块SS叠置的区域的透射率升高,所以电子模块SS的感测灵敏度可以进一步提高。
当电子模块SS是红外感测传感器时,电子模块SS包括发光模块和光接收模块。发光模块发射红外线,光接收模块感测红外线。光接收模块包括互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器。从发光模块发射的红外线被外部物体(例如,用户的脸或手指)反射,并且反射的红外线入射到光接收模块中。
可以对抗反射面板RPP的第二区域RA2施加各种处理,以提高第二区域RA2的透射率。
参照图3A,抗反射面板RPP的第二区域RA2可以被脱色。作为示例,抗反射面板RPP可以是偏振器,并且抗反射面板RPP的第二区域RA2可以被脱色。这里,抗反射面板RPP的第二区域RA2被脱色可以意味着被脱色的第二区域RA2的透射率高于未脱色的第一区域RA1的透射率。另外,第二区域RA2可以是非偏振部分。
参照图3B,孔RHA可以被限定在抗反射面板RPP中。孔RHA可以被限定在第二区域RA2(参照图3A)中。孔RHA可以是从抗反射面板RPP的上表面到下表面完全穿透抗反射面板RPP的孔,然而,本公开不应限于此或由此限制。例如,孔RHA可以是通过在厚度方向上去除抗反射面板RPP的一部分而形成的孔。
图4A是示出根据示例性实施例的显示面板DP的平面图。图4B是示出根据示例性实施例的像素PX的等效电路图。
参照图4A,显示面板DP包括基体层BL、多个像素PX、多条信号线GL、DL、PL和ECL以及多个显示垫PDD。
基体层BL可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的层压结构。
显示面板DP的有效区域AA是通过其显示图像IM的区域,并且外围区域NAA是其中设置驱动电路或驱动布线的区域。图4A示出了显示面板DP的有效区域AA和外围区域NAA。像素PX布置在有效区域AA中。
第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以限定在显示面板DP中。另外,第一显示区域DA1可以是通过其显示图像的区域。第一显示区域DA1可以围绕第二显示区域DA2。因此,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以形成显示面板DP的有效区域AA。
当在平面图中观看时,第一显示区域DA1可以与第一区域RA1(参照图3A)叠置,并且第二显示区域DA2可以与第二区域RA2(参照图3A)叠置。
第一显示区域DA1可以具有与第二显示区域DA2的分辨率不同的分辨率。作为示例,第二显示区域DA2的分辨率可以比第一显示区域DA1的分辨率低。另外,第一显示区域DA1可以具有与第二显示区域DA2的反射率不同的反射率。作为示例,第二显示区域DA2的反射率可以比第一显示区域DA1的反射率低。反射率可以指相对于外部光的反射率。
抗反射面板RPP(参照图3A)的第二区域RA2的透射率比第一区域RA1的透射率高。因此,第二区域RA2的外部光反射抑制性能可以稍微低于第一区域RA1的外部光反射抑制性能。然而,根据示例性实施例,虽然降低了第二区域RA2的外部光反射抑制性能,但是第二区域RA2的外部光反射抑制性能可以通过降低第二显示区域DA2的反射率来补偿。外部光反射抑制性能可以通过控制显示面板DP的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的分辨率和/或反射率来补偿。
信号线GL、DL、PL和ECL连接到像素PX,以将电信号传输到像素PX。在包括在显示面板DP中的信号线之中,扫描线GL、数据线DL、电力线PL和发光控制线ECL作为代表性示例被示出,然而,这些仅是示例性的。信号线GL、DL、PL和ECL还可以包括初始化电压线,并且不应限于特定实施例。
图4B示出了像素PX之中的一个像素PX的电路图的放大图作为代表性示例。图4B示出了连接到第i扫描线GLi和第i发光控制线ECLi的像素PX。
像素PX包括发光元件EE和像素电路CC。
像素电路CC包括多个晶体管T1至T7以及电容器CP。晶体管T1至T7通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺形成。
像素电路CC响应于数据信号来控制流过发光元件EE的电流的量。发光元件EE响应于从像素电路CC提供的电流的量以预定亮度发光。为此,第一电力电压ELVDD具有比第二电力电压ELVSS的电平设置得高的电平。发光元件EE包括有机发光元件或量子点发光元件。
晶体管T1至T7中的每个包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。在下面的描述中,为了便于解释,输入电极和输出电极中的一个电极被称为“第一电极”,而输入电极和输出电极中的另一个电极被称为“第二电极”。
第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电力电压ELVDD,并且第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到发光元件EE的阳极电极。在本公开中,第一晶体管T1可以被称为“驱动晶体管”。
第一晶体管T1响应于施加到第一晶体管T1的控制电极的电压来控制流过发光元件EE的电流的量。
第二晶体管T2连接在数据线DL与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的控制电极连接到第i扫描线GLi。当第i扫描信号施加到第i扫描线GLi时,第二晶体管T2导通并将数据线DL连接到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极与第一晶体管T1的控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极连接到第i扫描线GLi。当第i扫描信号施加到第i扫描线GLi时,第三晶体管T3导通并将第一晶体管T1的第二电极连接到第一晶体管T1的控制电极。因此,当第三晶体管T3导通时,第一晶体管T1以二极管构造连接。
第四晶体管T4连接在节点ND与初始化电力发生器之间。第四晶体管T4的控制电极连接到第i-1扫描线GLi-1。当第i-1扫描信号施加到第i-1扫描线GLi-1时,第四晶体管T4导通并向节点ND提供初始化电压Vint。
第五晶体管T5连接在电力线PL与第一晶体管T1的第一电极之间。第五晶体管T5的控制电极连接到第i发光控制线ECLi。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极与发光元件EE的阳极电极之间。第六晶体管T6的控制电极连接到第i发光控制线ECLi。
第七晶体管T7连接在初始化电力发生器与发光元件EE的阳极电极之间。第七晶体管T7连接到第i+1扫描线GLi+1。当第i+1扫描信号施加到第i+1扫描线GLi+1时,第七晶体管T7导通并将初始化电压Vint提供到发光元件EE的阳极电极。
第七晶体管T7可以提高黑色表现能力。详细地,当第七晶体管T7导通时,发光元件EE的寄生电容被放电。因此,当实现黑色亮度时,发光元件EE不因来自第一晶体管T1的漏电流而发光,因此可以提高黑色表现能力。
另外,在图4B中,第七晶体管T7的控制电极连接到第i+1扫描线GLi+1,然而,其不应限于此或由此限制。根据另一示例性实施例,第七晶体管T7的控制电极可以连接到第i扫描线GLi或第i-1扫描线GLi-1。
图4B示出PMOS作为像素电路CC的参考,然而,其不应限于此或由此限制。根据另一示例性实施例,像素电路CC可以通过NMOS实现。根据另一示例性实施例,像素电路CC可以通过NMOS和PMOS的组合来实现。
电容器CP设置在电力线PL与节点ND之间。电容器CP被充入与数据信号对应的电压。当第五晶体管T5和第六晶体管T6导通时,流过第一晶体管T1的电流的量由电容器CP中充入的电压确定。
在本公开中,像素PX的等效电路不应限于图4B中示出的等效电路。根据另一示例性实施例,可以以各种方式来实现像素PX,以使发光元件EE发光。
再次参照图4A,电力图案VDD设置在外围区域NAA中。在本示例性实施例中,电力图案VDD连接到电力线PL。因此,显示面板DP包括电力图案VDD,因此像素PX可以接收相同的第一电源信号。
显示垫PDD包括第一垫D1和第二垫D2。第一垫D1设置为多个,并且第一垫D1分别连接到数据线DL。第二垫D2连接到电力图案VDD,以电连接到电力线PL。显示面板DP将通过显示垫PDD从外部提供的电信号施加到像素PX。此外,显示垫PDD还可以包括除第一垫D1和第二垫D2之外的接收其它电信号的垫,并且不应限于特定实施例。
图5是示出图4A的部分AA'的放大平面图。图5示出了图4A的第一显示区域DA1的一部分的放大图。
参照图4A和图5,第一显示区域DA1可以被划分为多个子区域AR1。每个子区域AR1包括设置在其中的至少一个像素。子区域AR1沿第一方向DR1和第二方向DR2布置。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G是示出图4A的部分BB'的放大平面图。图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G示出了图4A的第二显示区域DA2的一部分的放大图。
第二显示区域DA2包括第一子区域AR1和第二子区域AR2。第一子区域AR1与图5的子区域AR1中的一个基本相同。为了便于划分,在图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G中,在第一子区域AR1周围显示圆圈。
第一子区域AR1可以具有比第二子区域AR2的第二反射率高的第一反射率。也就是说,第二显示区域DA2的反射率可以通过第二子区域AR2降低。
至少一个像素可以设置在第一子区域AR1中,并且至少一个虚设像素可以设置在第二子区域AR2中。虚设像素可以是从其省略了用于像素的一些组件的像素。虚设像素可以不提供光。也就是说,第二子区域AR2可以是不包括像素的区域。当像素提供图像时,虚设像素可以不提供图像。第二子区域AR2可以被称为“低反射区域”、“透射区域”、“非显示区域”、“非发光区域”或“半透射区域”。因为第二显示区域DA2包括不提供图像的第二子区域AR2,所以第二显示区域DA2的分辨率会比第一显示区域DA1的分辨率低。
第一子区域AR1可以是多个第一子区域AR1中的一个(在下文中,称为“第一子区域”),第二子区域AR2可以是多个第二子区域AR2中的一个(在下文中,称为“第二子区域”)。第一子区域AR1和第二子区域AR2可以以预定规则布置。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G示出了第一子区域AR1和第二子区域AR2的布置作为代表性示例,然而,它们不应限于此或由此限制。只要第二显示区域DA2包括第一子区域AR1和第二子区域AR2,则第一子区域AR1和第二子区域AR2的布置可以以各种方式改变。
参照图6A,第一子区域AR1与第二子区域AR2沿第一方向DR1和第二方向DR2交替布置。例如,一个第一子区域AR1和一个第二子区域AR2可以彼此交替布置。
当与图6A相比时,因为在相同的区域中,图6B中的第二子区域AR2的数量比图6A中的第二子区域AR2的数量大,所以图6B的反射率可以比图6A的反射率低。
参照图6B,每个第一子区域AR1可以被第二子区域AR2围绕。作为示例,第一行和第二行可以沿第二方向DR2彼此交替布置。第一行可以是其中一个第一子区域AR1和一个第二子区域AR2沿第一方向DR1彼此交替布置的行。第二行可以是其中第二子区域AR2沿第一方向DR1布置的行。
参照图6C,每个第一子区域AR1可以被第二子区域AR2围绕。作为示例,沿第一方向DR1顺序布置的第一列、第二列、第三列和第二列的组可以沿第一方向DR1重复地布置。第一列可以是其中一个第一子区域AR1和一个第二子区域AR2沿第二方向DR2彼此交替布置的列。第二列可以是其中第二子区域AR2沿第二方向DR2布置的列。第三列可以是其中一个第一子区域AR1和一个第二子区域AR2沿第二方向DR2彼此交替布置的列。当第一列的偶数行是第二子区域AR2时,第三列的偶数行可以是第一子区域AR1。
参照图6D,第一列和第二列可以沿第一方向DR1彼此交替布置。第一列可以是其中第一子区域AR1沿第二方向DR2布置的列。第二列可以是其中第二子区域AR2沿第二方向DR2布置的列。
参照图6E,沿第一方向DR1顺序布置的第一列、第二列和第三列的组可以沿第一方向DR1重复地布置。第一列和第二列中的每个可以是其中一个第一子区域AR1和一个第二子区域AR2沿第二方向DR2彼此交替布置的列。第三列可以是其中第二子区域AR2沿第二方向DR2布置的列。当第一列的偶数行是第二子区域AR2时,第二列的偶数行可以是第一子区域AR1。
参照图6F,两个第一行与一个第二行沿第二方向DR2交替布置。第一行中的每个可以是其中一个第一子区域AR1和一个第二子区域AR2沿第一方向DR1彼此交替布置的行。第二行可以是其中第二子区域AR2沿第一方向DR1布置的行。
参照图6G,两个第一列与一个第二列沿第一方向DR1交替布置。第一列中的每个可以是其中一个第一子区域AR1和一个第二子区域AR2沿第二方向DR2彼此交替布置的列。第二列可以是其中第二子区域AR2沿第二方向DR2布置的列。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E和图7F是示出图5的一部分的放大平面图。
图7A至图7F是示出布置在第一子区域AR1中的像素发光区域的平面图。第一子区域AR1包括设置在其中的至少一个像素。像素发光区域限定在像素中。像素发光区域提供预定光,并且由稍后描述的像素限定层PDL(参照图8)限定。
参照图7A,第一子区域AR1可以包括第一像素发光区域PXA1、第二像素发光区域PXA2和第三像素发光区域PXA3。
像素PX(参照图4A)可以包括产生红光的红色像素、产生绿光的绿色像素和产生蓝光的蓝色像素。在本示例性实施例中,第一像素发光区域PXA1、第二像素发光区域PXA2和第三像素发光区域PXA3可以分别对应于红色像素、绿色像素和蓝色像素。
第一像素发光区域PXA1、第二像素发光区域PXA2和第三像素发光区域PXA3可以沿预定方向布置成一条线。第一像素发光区域PXA1、第二像素发光区域PXA2和第三像素发光区域PXA3可以具有彼此相同的面积或彼此不同的面积。
参照图7B,第一子区域AR1可以包括第一像素发光区域PXA1、第二像素发光区域PXA2和第三像素发光区域PXA3。第一像素发光区域PXA1、第二像素发光区域PXA2和第三像素发光区域PXA3中的每个可以具有矩形形状。第一像素发光区域PXA1和第二像素发光区域PXA2可以被限定为使得水平方向上的长度比竖直方向上的长度长,并且第三像素发光区域PXA3可以被限定为使得竖直方向上的长度比水平方向上的长度长。
图7A和图7B示出了包括三个像素发光区域的一个第一子区域AR1作为代表性示例,然而,本公开不应限于此或由此限制。例如,一个第一子区域AR1可以包括一个像素发光区域、两个像素发光区域或者四个或更多个像素发光区域。
参照图7C,第一子区域AR1可以包括第一像素发光区域PXA1p、第二像素发光区域PXA2p和第三像素发光区域PXA3p。第一像素发光区域PXA1p、第二像素发光区域PXA2p和第三像素发光区域PXA3p中的每个可以具有菱形形状。第一像素发光区域PXA1p、第二像素发光区域PXA2p和第三像素发光区域PXA3p可以彼此具有不同的面积。第一像素发光区域PXA1p、第二像素发光区域PXA2p和第三像素发光区域PXA3p可以分别具有第一面积、第二面积和第三面积。第一面积可以比第二面积大,第三面积可以比第一面积大。图7C中示出的布置可以被称为Pentile布置。
参照图7D,与图7C相比,第一子区域AR1可以多包括一个第二像素发光区域PXA2p。
参照图7E,第一子区域AR1可以不包括第三像素发光区域PXA3p。
参照图7F,第一子区域AR1可以不包括第一像素发光区域PXA1p。
图8是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。图8示出了布置有显示面板DP(参照图4A)的一个像素的区域的剖视图。图8中示出的区域可以是第一子区域AR1。第一子区域AR1可以是包括在第一显示区域DA1或第二显示区域DA2中的区域。
参照图4A和图8,每个像素PX可以包括发光元件OLED和像素电路。像素电路可以包括晶体管TR、信号线GL、DL、PL和ECL以及电容器。图8仅示出了一个晶体管TR。像素发光区域可以限定在每个像素PX中,并且图8中示出了一个第一像素发光区域PXA1p。第一子区域AR1可以包括第一像素发光区域PXA1p和非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕第一像素发光区域PXA1p。
显示面板DP可以包括基体层BL、电路层ML、发光元件层EL和封装层TFE。电路层ML可以包括晶体管TR以及多个绝缘层BFL、L1、L2、L3和L4。
绝缘层BFL可以设置在基体层BL上,晶体管TR可以设置在绝缘层BFL上。晶体管TR可以包括半导体层ACL、控制电极GED、第一电极ED1和第二电极ED2。
半导体层ACL可以设置在绝缘层BFL上。绝缘层BFL可以是向半导体层ACL提供改性表面的缓冲层。在这种情况下,相对于绝缘层BFL,半导体层ACL可以具有比基体层BL高的粘合强度。另外,绝缘层BFL可以是保护半导体层ACL的下表面的阻挡层。在这种情况下,绝缘层BFL可以防止或抑制基体层BL本身或通过基体层BL进入的污染物或湿气渗透到半导体层ACL中。作为另一示例,绝缘层BFL可以是阻挡通过基体层BL进入的外部光入射到半导体层ACL中的光阻挡层。在这种情况下,绝缘层BFL还可以包括光阻挡材料。
半导体层ACL可以包括多晶硅或非晶硅。此外,半导体层ACL可以包括金属氧化物半导体。半导体层ACL可以包括沟道区以及第一离子掺杂区和第二离子掺杂区,沟道区用作电子或空穴通过其移动的路径,第一离子掺杂区和第二离子掺杂区在其间插置有沟道区。
第一绝缘层L1可以设置在绝缘层BFL上,以覆盖半导体层ACL。第一绝缘层L1可以包括无机材料。无机材料可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
控制电极GED可以设置在第一绝缘层L1上。第二绝缘层L2可以设置在第一绝缘层L1上,以覆盖控制电极GED。第二绝缘层L2可以包括无机材料。
第三绝缘层L3可以设置在第二绝缘层L2上。第一电极ED1和第二电极ED2可以设置在第三绝缘层L3上。第一电极ED1和第二电极ED2可以经由穿过第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3限定的接触孔连接到半导体层ACL。
第四绝缘层L4可以设置在第三绝缘层L3上,以覆盖第一电极ED1和第二电极ED2。第四绝缘层L4可以具有单层或多层结构。例如,单层结构可以包括有机层。多层结构可以包括彼此堆叠的有机层和无机层。第四绝缘层L4可以是在其上方提供平坦表面的平坦化层。
发光元件层EL和像素限定层PDL可以设置在第四绝缘层L4上。
发光元件层EL可以包括发光元件OLED和像素限定层PDL。发光元件OLED可以包括第一电极E1、发光层EM和第二电极E2。第一电极E1可以设置在第四绝缘层L4上,并且可以经由穿过第四绝缘层L4限定的接触孔电连接到第二电极ED2。发光元件OLED可以与图4B中描述的发光元件EE对应。
像素限定层PDL可以设置在电路层ML上,以限定第一像素发光区域PXA1p。像素限定层PDL可以覆盖第一电极E1的至少一部分,并且可以设置在第四绝缘层L4上。第一电极E1的一部分可以不被像素限定层PDL覆盖,并且可以与第一像素发光区域PXA1p对应。
发光层EM可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。发光层EM可以具有单一材料的单层结构、多种不同材料的单层结构或多种不同材料的多层结构。
发光层EM可以包括有机材料。只要有机材料是常用材料,有机材料就不应被特别限制。例如,发光层EM可以包括发射红色光、绿色光和蓝色光的材料之中的至少一种材料,并且可以包括荧光材料或磷光材料。
第二电极E2可以设置在发光层EM和像素限定层PDL上。第二电极E2可以接收第二电力电压。
封装层TFE可以设置在第二电极E2上。封装层TFE可以直接覆盖第二电极E2。根据另一示例性实施例,覆盖层可以进一步设置在封装层TFE与第二电极E2之间,以覆盖第二电极E2。在这种情况下,封装层TFE可以直接覆盖覆盖层。覆盖层可以包括有机材料。覆盖层可以保护第二电极E2免受后续工艺(诸如溅射工艺)的影响,并且可以提高发光元件层EL的发光效率。
封装层TFE可以包括有机层和无机层,无机层可以保护发光元件OLED免受湿气和氧的影响,并且有机层可以保护发光元件OLED免受诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。
图9是示出图6A的一部分的放大平面图。
图9是示出第二子区域AR2的虚设像素区域的平面图。虚设像素区域不提供图像。为了便于解释,用虚线表示与像素发光区域对应的虚设像素区域。
例如,第二子区域AR2可以包括第一虚设像素区域IPXA1p和第二虚设像素区域IPXA2p。第一虚设像素区域IPXA1p和第二虚设像素区域IPXA2p可以分别与图7E中示出的第一子区域AR1的第一像素发光区域PXA1p和第二像素发光区域PXA2p对应。
参照图5,第一显示区域DA1(参照图4A)包括多个第一子区域AR1。如图7F中所示,一个第一子区域AR1可以包括第二像素发光区域PXA2p和第三像素发光区域PXA3p。如图7E中所示,在第一方向DR1上与一个第一子区域AR1相邻设置的另一第一子区域AR1可以包括第一像素发光区域PXA1p和第二像素发光区域PXA2p。
第二显示区域DA2(参照图4A)可以包括第一子区域AR1和第二子区域AR2。第二子区域AR2可以是包括虚设像素的区域(即,不包括像素的区域)。也就是说,第二子区域AR2可以是其中图7E的第一像素发光区域PXA1p和第二像素发光区域PXA2p被改变为虚设像素区域的区域。
图10A是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。图10B是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的平面图。图10C是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的平面图。
图10A中示出的区域可以是第二子区域AR2。第二子区域AR2可以是包括在第二显示区域DA2(参照图4A)中的区域。
参照图8和图10A,虚设像素可以设置在第二子区域AR2中。虚设像素可以是从其省略了第一电极E1、发光层EM、第二电极E2和晶体管TR中的至少一个的像素。
图10A示出了与图8的第一像素发光区域PXA1p对应的第一虚设像素区域IPXA1p。另外,图10A示出了从其省略了晶体管TR的第一区域CPA1、从其省略了第一电极E1的第二区域CPA2以及从其省略了第二电极E2的第三区域CPA3。
图10A的虚设像素可以是从其省略了第一电极E1、发光层EM、第二电极E2和晶体管TR的像素。当在平面图中观看时,与像素相比,虚设像素可以具有其中省略了金属层的结构。因此,虚设像素的反射率可以比像素的反射率低。另外,虚设像素的透射率可以比像素的透射率高。
图10B示出了第二子区域AR2的平面图。参照图10B,可以从第二子区域AR2去除第一电极E1、发光层EM、第二电极E2和晶体管TR。然而,因为第一子区域AR1设置在第二子区域AR2周围,所以向第一子区域AR1传输信号的线可以设置在第二子区域AR2中。例如,信号线可以设置在第二子区域AR2中。图10B仅示出了信号线之中的扫描线GL和数据线DL作为代表性示例。
图10C示出了第一子区域AR1、第二子区域AR2和第二电极E2。第二电极E2可以设置在整个有效区域AA(参照图4A)中。第二电极E2可以接收共电压。
开口E2-H可以限定在第二电极E2的与第二子区域AR2叠置的区域中。开口E2-H可以通过去除第二电极E2的部分来限定。
开口E2-H可以使用各种工艺形成在第二电极E2中。例如,开口E2-H可以使用冲压工艺或激光钻孔工艺形成。另外,通过其限定开口E2-H的第二电极E2可以使用多个掩模工艺形成。除了上述工艺之外,可以使用各种工艺作为形成开口E2-H的工艺。
图11是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。
参照图8和图11,虚设像素可以设置在第二子区域AR2中。图11示出了与图8的第一像素发光区域PXA1p对应的第一虚设像素区域IPXA1p。另外,示出了从其省略晶体管TR的第一区域CPA1-1和从其省略第一电极E1的第二区域CPA2-1。图11中示出的虚设像素可以包括发光层EM和第二电极E2。然而,因为从虚设像素省略了使像素发射光所需的组件之中的一些组件,所以虚设像素可以不提供光。另外,通过省略第一电极E1,可以提高虚设像素的透射率,并且可以降低虚设像素的反射率。
图12A是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。图12B是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。
在对图12A和图12B的描述中,将主要描述与图11的特征不同的特征。第二电极可以包括第一电极部分E2和第二电极部分E2-T。第一电极部分E2可以具有第一厚度,第二电极部分E2-T可以具有第二厚度。第一厚度可以比第二厚度大。
第一电极部分E2可以设置在第一显示区域DA1(参照图4A)中,并且第二电极部分E2-T可以设置在第二显示区域DA2中。
在示例性实施例中,第二电极部分E2-T可以设置在整个第二显示区域DA2中。在示例性实施例中,第二电极部分E2-T可以仅设置在第二显示区域DA2的第二子区域AR2中。
第一电极部分E2可以包括多个金属层,并且相对于第一电极部分E2,第二电极部分E2-T可以包括更少数量的金属层。例如,第一电极部分E2可以包括两个金属层,第二电极部分E2-T可以包括一个金属层。
在示例性实施例中,第一电极部分E2和第二电极部分E2-T中的每个可以包括单个金属层,并且第一电极部分E2的厚度可以不同于第二电极部分E2-T的厚度。
图13是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。
参照图8和图13,虚设像素可以设置在第二子区域AR2中。图13示出了与图8的第一像素发光区域PXA1p对应的第一虚设像素区域IPXA1p。另外,示出了从其省略晶体管TR的第一区域CPA1-2和从其省略第二电极E2的第三区域CPA3-2。图13中示出的虚设像素可以包括发光层EM和第一电极E1。然而,因为从虚设像素省略了使像素发射光所需的组件之中的一些组件,所以虚设像素可以不提供光。另外,通过省略第二电极E2,可以提高虚设像素的透射率,并且可以降低虚设像素的反射率。
图14是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。
参照图8和图14,虚设像素可以设置在第二子区域AR2中。图14示出了与图8的第一像素发光区域PXA1p对应的第一虚设像素区域IPXA1p。另外,示出了从其省略第一电极E1的第二区域CPA2-3。图14中示出的虚设像素可以包括晶体管TR、发光层EM和第二电极E2。然而,因为从虚设像素省略了使像素发射光所需的组件之中的一些组件,所以虚设像素可以不提供光。
图15是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。
参照图8和图15,虚设像素可以设置在第二子区域AR2中。图15示出了与图8的第一像素发光区域PXA1p对应的第一虚设像素区域IPXA1p。另外,示出了从其省略第一电极E1的第二区域CPA2-4和从其省略第二电极E2的第三区域CPA3-4。图15中示出的虚设像素可以包括晶体管TR。然而,因为从虚设像素省略了使像素发射光所需的组件之中的一些组件,所以虚设像素可以不提供光。
图16是示出根据示例性实施例的显示面板DP的一部分的剖视图。
参照图8和图16,虚设像素可以设置在第二子区域AR2中。图16示出了与图8的第一像素发光区域PXA1p对应的第一虚设像素区域IPXA1p。另外,示出了从其省略第二电极E2的第三区域CPA3-5。图16中示出的虚设像素可以包括晶体管TR、发光层EM和第一电极E1。然而,因为从虚设像素省略了使像素发射光所需的组件之中的一些组件,所以虚设像素可以不提供光。
图17A是示出根据示例性实施例的抗反射面板RPP-1的平面图。图17B是示出根据示例性实施例的显示面板DP-1的平面图。
参照图17A,抗反射面板RPP-1可以包括第一区域RA1-1和第二区域RA2-1。第一区域RA1-1可以具有第一透射率,第二区域RA2-1可以具有比第一透射率高的第二透射率。根据示例性实施例,因为与电子模块SS(参照图1B)叠置的区域的透射率提高,所以电子模块SS的感测灵敏度可以进一步提高。
可以对抗反射面板RPP-1的第二区域RA2-1施加各种处理,以提高第二区域RA2-1的透射率。例如,抗反射面板RPP-1的第二区域RA2-1可以被脱色或被去除。
第二区域RA2-1可以被限定为与抗反射面板RPP-1的边缘相邻。例如,抗反射面板RPP-1可以具有四边形形状,所述四边形形状在抗反射面板RPP-1的每个顶点处具有曲率。第二区域RA2-1可以包括至少一条具有曲率的边。
第一区域RA1-1可以围绕第二区域RA2-1。第一区域RA1-1与第二区域RA2-1之间的边界可以包括至少一条边。图17A示出了其中边界包括两条边的示例。
参照图17B,第一显示区域DA1-1和第二显示区域DA2-1可以被限定在显示面板DP-1中。当在平面图中观看时,第一显示区域DA1-1可以与第一区域RA1-1叠置,并且当在平面图中观看时,第二显示区域DA2-1可以与第二区域RA2-1叠置。
第一显示区域DA1-1可以具有比第二显示区域DA2-1的分辨率高的分辨率。另外,第一显示区域DA1-1可以具有比第二显示区域DA2-1的反射率高的反射率。
第二区域RA2-1的外部光反射抑制性能可以稍微低于第一区域RA1-1的外部光反射抑制性能。然而,根据示例性实施例,虽然降低了第二区域RA2-1的外部光反射抑制性能,但是第二区域RA2-1的外部光反射抑制性能可以通过降低第二显示区域DA2-1的反射率来补偿。外部光反射抑制性能可以通过控制显示面板DP-1的第一显示区域DA1-1和第二显示区域DA2-1的分辨率和/或反射率来补偿。
图18A是示出根据示例性实施例的抗反射面板RPP-2的平面图。图18B是示出根据示例性实施例的显示面板DP-2的平面图。
参照图18A,抗反射面板RPP-2可以包括第一区域RA1-2和第二区域RA2-2。第一区域RA1-2可以具有第一透射率,第二区域RA2-2可以具有比第一透射率高的第二透射率。根据示例性实施例,因为与电子模块SS(参照图1B)叠置的区域的透射率提高,所以电子模块SS的感测灵敏度可以进一步提高。
第二区域RA2-2可以被限定为与抗反射面板RPP-2的边缘相邻。例如,抗反射面板RPP-2可以具有四边形形状,所述四边形形状在抗反射面板RPP-2的每个顶点处具有曲率。第二区域RA2-2可以包括至少两条具有曲率的边。
参照图18B,第一显示区域DA1-2和第二显示区域DA2-2可以被限定在显示面板DP-2中。当在平面图中观看时,第一显示区域DA1-2可以与第一区域RA1-2叠置,并且当在平面图中观看时,第二显示区域DA2-2可以与第二区域RA2-2叠置。
第一显示区域DA1-2可以具有比第二显示区域DA2-2的分辨率高的分辨率。另外,第一显示区域DA1-2可以具有比第二显示区域DA2-2的反射率高的反射率。
根据以上所述,显示装置包括其中限定了具有彼此不同的透射率的第一区域和第二区域的抗反射器以及其中限定了具有彼此不同的分辨率或反射率的第一显示区域和第二显示区域的显示面板。当在平面图中观看时,抗反射器的与电子模块叠置的第二区域可以具有比第一区域的透射率高的透射率。因此,可以进一步提高电子模块的感测灵敏度。
另外,虽然随着第二区域的透射率提高,外部光反射抑制性能降低,但是外部光反射抑制性能可以通过控制显示面板的第二显示区域的分辨率和/或反射率来补偿。
虽然在这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式,但是根据该描述,其它实施例和修改将是明显的。因此,发明构思不限于这样的实施例,而是限于所附权利要求以及如对本领域普通技术人员而言将明显的各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。
Claims (19)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
窗;
抗反射器,设置在所述窗下面,所述抗反射器包括:具有第一透射率的第一区域;以及具有比所述第一透射率高的第二透射率的第二区域;
显示面板,设置在所述抗反射器下面,所述显示面板包括:具有第一分辨率的第一显示区域;以及具有比所述第一分辨率低的第二分辨率的第二显示区域;以及
电子模块,设置在所述显示面板的所述第二显示区域下面,
其中,在平面图中,所述第二区域与所述第二显示区域叠置,并且当在所述平面图中观看时,所述第二区域是与所述电子模块叠置的区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述抗反射器包括偏振器。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述抗反射器的所述第二区域被脱色。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述抗反射器包括穿过所述抗反射器的所述第二区域形成的孔。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二显示区域包括具有第一反射率的第一子区域和具有第二反射率的第二子区域,并且
其中,所述第一反射率比所述第二反射率高。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一子区域包括设置在其中的至少一个像素,所述像素包括:
发光元件,包括第一电极、发光层和第二电极;以及
像素电路,电连接到所述发光元件,所述像素电路包括信号线和晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二子区域包括设置在其中的至少一个虚设像素,所述虚设像素包括与设置在所述第一子区域中的所述像素的结构相同的结构,但省略了所述第一电极、所述发光层、所述第二电极和所述晶体管中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二子区域中的所述第二电极包括穿过所述第二子区域形成的开口。
9.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二电极包括:
第一电极部分,具有第一厚度;以及
第二电极部分,具有与所述第一厚度不同的第二厚度,
其中,所述第一电极部分设置在所述第一显示区域和所述第一子区域中,并且所述第二电极部分设置在所述第二子区域中。
10.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一子区域包括多个第一子区域,并且所述第二子区域包括多个第二子区域,并且
其中,所述多个第一子区域和所述多个第二子区域在第一方向上和与所述第一方向交叉的第二方向上交替布置。
11.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二子区域包括多个第二子区域,并且所述第一子区域被所述多个第二子区域围绕。
12.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一子区域包括至少一个像素发光区域。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,当在平面图中观看时,所述第二区域被所述第一区域围绕,并且在平面图中,所述第二显示区域被所述第一显示区域围绕。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二区域设置为与所述抗反射器的边缘相邻,并且所述第二区域的至少一条边是与所述第一区域共用的。
15.一种显示装置,所述显示装置包括:
窗;
抗反射器,设置在所述窗下面,所述抗反射器包括具有第一透射率的第一区域和具有比所述第一透射率高的第二透射率的第二区域;
显示面板,设置在所述抗反射器下面,所述显示面板包括具有彼此不同的反射率的第一显示区域和第二显示区域;以及
电子模块,设置在所述显示面板下面,其中,所述第二区域、所述第二显示区域和所述电子模块在平面图中彼此叠置,并且
当在平面图中观看时,所述第二区域是与所述电子模块叠置的区域。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述第一显示区域具有第一反射率,并且所述第二显示区域具有第二反射率,所述第一反射率比所述第二反射率高。
17.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述抗反射器包括偏振器,并且
其中,所述第二区域被脱色或包括限定在其中的孔。
18.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述第二显示区域包括:
第一子区域,包括设置在其中的至少一个像素;以及
第二子区域,其中设置至少一个虚设像素,
其中,所述像素包括发光元件和电连接到所述发光元件的像素电路,
其中,所述发光元件包括第一电极、发光层和第二电极,所述像素电路包括信号线和晶体管,并且
其中,所述虚设像素包括与设置在所述第一子区域中的所述像素的结构相同的结构,但省略了所述第一电极、所述发光层、所述第二电极和所述晶体管中的至少一个。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述第二子区域中的所述第二电极包括穿过所述第二子区域形成的开口。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR20210022818A (ko) * | 2019-08-20 | 2021-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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KR20210059091A (ko) * | 2019-11-13 | 2021-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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KR20210128554A (ko) * | 2020-04-16 | 2021-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 장치 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001318204A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 導電性反射防止膜及びそれが被覆形成された陰極線管用ガラスパネル |
CN101473439A (zh) * | 2006-04-17 | 2009-07-01 | 全视Cdm光学有限公司 | 阵列成像系统及相关方法 |
Family Cites Families (10)
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---|---|---|---|---|
US8467177B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-06-18 | Apple Inc. | Displays with polarizer windows and opaque masking layers for electronic devices |
US9385172B2 (en) * | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | One-way transparent display |
US9384691B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | Transparent display and illumination device |
US9075199B2 (en) * | 2012-10-30 | 2015-07-07 | Apple Inc. | Displays with polarizer layers for electronic devices |
US9618669B2 (en) | 2013-11-08 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Electronic device display with polarizer windows |
KR102304889B1 (ko) * | 2015-02-11 | 2021-09-23 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
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CN109285860A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板、显示装置及其获取图像显示方法 |
KR102448031B1 (ko) * | 2017-07-28 | 2022-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 센서 일체형 표시장치 |
CN110767105B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示模组及显示装置 |
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Patent Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2001318204A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 導電性反射防止膜及びそれが被覆形成された陰極線管用ガラスパネル |
CN101473439A (zh) * | 2006-04-17 | 2009-07-01 | 全视Cdm光学有限公司 | 阵列成像系统及相关方法 |
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