CN113937235A

CN113937235A - 一种包括光改善层的有机发光二极管装置及用途

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Publication number: CN113937235A
Application number: CN202010603327.3A
Authority: CN
Inventors: 陈海峰; 张小庆; 李崇; 崔明
Original assignee: Jiangsu Sunera Technology Co Ltd
Current assignee: Jiangsu Sunera Technology Co Ltd
Priority date: 2020-06-29
Filing date: 2020-06-29
Publication date: 2022-01-14

Abstract

本发明涉及一种含有光改善层的有机发光二极管装置，该有机发光二极管装置包括：基板层；有机发光二极管层，设置于所述基板上；所述有机发光二极管层包含阳极层、阴极层和有机发光功能层；光改善层，设置于所述有机发光二极管层上；其中，所述光改善层为有机化合物，所述光改善层的有机化合物具有下列特性：其分子量在500至1000之间，具有吸电子基团的电子型结构，且HOMO能级绝对值>6.0eV，LUMO能级绝对值>3.0eV，1.8<折射率n<2.5，△n＝n@450nm‑n@620nm≤0.20。

Description

一种包括光改善层的有机发光二极管装置及用途

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管装置，尤其涉及一种包括光改善层的、可以有效改善光取出效率和角度色偏的有机发光二极管装置。

背景技术

在顶发光的有机发光二极管装置结构中，由于金属阴极层与底部的金属反射层会形成谐振腔(也称微腔)，因此存在相长干涉和相消干涉。随着可视角的改变，金属阴极层与底部的金属反射层的距离(即微腔的腔长)随之发生改变，这样会导致在不同可视角下观察的亮度和颜色出现很大差异，严重影响产品性能。

在这样的发光元件中，在发光层中所发出的光入射到其他膜的情况下，如果以某角度以上入射，则在发光层与其他膜的界面处会发生全反射。因此，只能利用发出的光的一部分。近年来，为了提高光的取出效率和改善色偏，提出在折射率低的半透明电极的外侧设置有折射率高的“覆盖层”的发光元件。

对于装置的后续制备中所接触的高能量等离子体或紫外线，更需要一类稳定的材料以避免电致发光设备的内部材料受到损害，目前使用较多的为LiF。但是LiF的蒸镀温度高，且在蒸镀时容易发生堵口现象，造成生产成本的增加，且较厚的LiF层制备的柔性屏弯曲或折叠之后会发生脱层或裂痕，甚至引起屏幕图像失真，这就使得LiF层不是理想的保护层。对于装置的后续制备中所接触的高能量等离子体或紫外线，为了保护内部装置，这就要求覆盖层具备LiF层的保护作用，即起到光改善层和保护层的双重作用。

本发明人对CPL具有较深入的研究，包括但不限于专利文献1(CN109206420A)。以前只关注高折射率覆盖层对光提取效率的影响，但是没有对折射率的变化对光提取效率的影响和色偏进行深入研究。

当前使用光改善层来提高OLED装置的性能主要存在着如下问题：

1.光提取效率较低，应用于OLED装置后，装置发光效率提升有限。

2.应用于OLED装置后，装置色偏改善不明显，出射光的角度依赖性较强，随着角度的变化，亮度衰减，伴随着发光颜色发生变化。

3.对于装置的制备中所接触的高能量等离子体或紫外线，在去除保护层LiF后，无法有效保护内层装置。

为了实现OLED装置的性能的不断提升，不但需要从OLED装置结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创造出更高性能的OLED功能材料。

因此，制备一种合适的材料作为光改善层的OLED装置以解决上述问题是本领域长期需求。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明的发明人发现，当采用具有特定范围的在蓝光波长区域折射率与在红光波长区域折射率差值△n的有机化合物制备光改善层且用该光改善层制备有机发光二极管装置时，由于该特定种类的有机化合物具有较深的HOMO、LUMO能级，具有较好的抗高能量等离子体或紫外线能力，并且在折射率较高的同时，折射率在不同波长下的变化较小，因而由包含所述化合物的光改善层制备的有机发光二极管装置的电流效率提高、光取出效率提高且角度依赖性得到有效改善。鉴于此，本申请提供了一种可用于光改善层的具有特定△n范围的有机化合物，所述有机化合物除了改善光提取效率之外，还可有效地提供原有的LiF保护层的保护功能，并且可通过一定方式稳定成膜以用于制备有机发光二极管装置，由其所制备的OLED装置的光取出效率得到有效提升同时发光的角度依赖性得到有效改善。

本发明的目的是提供一种有机发光二极管装置，其包括：

基板层；

有机发光二极管层，设置于所述基板上；

所述有机发光二极管层包含阳极层、阴极层和有机发光功能层；

光改善层，设置于所述有机发光二极管层上；

其中，所述光改善层为有机化合物，

所述光改善层的有机化合物具有下列特性：

其分子量在500至1000之间，具有吸电子基团的电子型结构，且HOMO能级绝对值>6.0eV，LUMO能级绝对值>3.0eV，1.9<折射率n<2.6，且△n＝n@450nm-n@620nm≤0.20，优选地，△n在0.15至0.20之间，更优选地，△n在0.17至0.20之间，最优选地，△n在0.17至0.18之间。

附图说明

图1为本发明有机发光二极管装置的结构示意图，其中，100为基板层，200为阳极层，300为有机发光功能层，400为阴极层，500为光改善层。

图2为本发明有机发光二极管装置中有机发光功能层300的结构示意图，其中，310(HIL)为空穴注入层，320(HTL)为空穴传输层，330(EBL)为电子阻挡层，340(EML)为发光层，350(HBL)为空穴阻挡层，360(ETL)为电子传输层，370(EIL)为电子注入层。

图3为发光层340的一种构造：由纵向叠加在一起的复合发光层材料形成，

其中EM1、EM2可为蓝色、绿色、黄色或红色发光层材料的任一种。

图4为发光层340的一种构造：由纵向叠加在一起的复合发光层材料形成，

其中EM1、EM2、EM3可为蓝色、绿色、黄色或红色发光层材料的任两种。

图5为发光层340的一种构造：由横向排布在一起的复合发光层材料形成，

其中EM1、EM2、EM3分别为蓝色有机发光层材料、绿色有机发光层材料、红色有机发光层材料，并不分前后顺序。

具体实施方式

定义

在整篇说明书中，除非明确地进行相反的描述，否则“包括”或者“包含”任何部件将被理解为暗含包含其他元件，而不是排除任何其它元件。此外，应理解，在整篇说明书中，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称为在另一元件“上”时，其可以“直接在”另一元件“上”，或者也可以存在中间元件。另外，“在……上”是指位于目标部分的上面，而不一定是指按照重力方向位于上方。

在本文中，对于材料的折射率表示方法，n指在可见光波长范围下(450nm至620nm)相对于真空的折射率，n@450nm指在波长为450nm处相对于真空的折射率，n@525nm指在波长为525nm处相对于真空的折射率，n@620nm指在波长为620nm处相对于真空的折射率。

本文中使用的C_6-30芳基是指包括具有6至30个作为成环原子的碳原子的碳环芳族体系的单价基团，本文使用的C_6-30亚芳基指包括具有6至30个作为成环原子的碳原子的碳环芳族体系的二价基团。C_6-30芳基的非限制性示例可以包括苯基、联苯基、菲基、联三苯基、萘基等。C_6-30亚芳基的非限制性示例可以包括亚苯基、亚联苯基、亚菲基、亚联三苯基、亚萘基等。当C_6-30芳基和/或C_6-30亚芳基包括两个或更多个环时，这些环可以彼此稠合。

本文中所使用的5-30元杂芳基是指包括具有作为成环原子的从N、O、P和S中选择的至少一个杂原子和2至30个碳原子的碳环芳族体系的单价基团。本文使用的5-30元亚杂芳基指包括具有作为成环原子的从N、O、P和S中选择的至少一个杂原子和2至30个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。5-30元杂芳基的非限制性实例可以包括吡啶基、二苯并呋喃基、苯并噁唑基、双苯并噁唑基、咔唑基、N-苯基咔唑基等。5-30元亚杂芳基的非限制性实例可以包括上述基团的二价基团。当5-30元杂芳基和5-30元亚杂芳基包括两个或更多个环时，这些环可以彼此稠合。

本文中使用的C_1-20烷基是指包括具有1至20个碳原子的直链或支链烷基的单价基团。C_1-20烷基的非限制性实例可以包括甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基。

本文使用的C_1-20烷氧基指包括具有1至20个碳原子的直链或支链烷氧基的单价基团。

本发明的一个目的是提供一种有机发光二极管装置，该有机发光二极管装置包括：

基板；

有机发光二极管，设置于所述基板上；

所述有机发光二极管包含阳极层、阴极层和有机发光功能层；

光改善层，设置于所述有机发光二极管层上；

其中，所述光改善层为有机化合物，

所述光改善层的有机化合物具有下列特性：

其分子量在500至1000之间，具有吸电子基团的电子型结构，且HOMO能级绝对值>6.0eV，LUMO能级绝对值>3.0eV，1.8<折射率n<2.5，且△n＝n@450nm-n@620nm≤0.20，优选地，

△n在0.15至0.20之间，更优选地，△n在0.17至0.20之间，最优选地，△n在0.17至0.18之间。

在一个实施方案中，本申请的有机发光二极管装置为顶发射装置。

下面结合结构式及测试数据对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。

本发明的有机发光二极管装置的光改善层的有机材料，其分子量在500至1000之间，具有吸电子基团的电子型结构，且HOMO能级绝对值>6.0eV，LUMO能级绝对值>3.0eV，1.8<折射率n<2.5，且△n＝n@450nm-n@620nm≤0.20；吸电子基团包含的原子为N、O、S、卤素原子中的一个或多个，其中卤素包括F、Cl、Br、I。吸电子基团可以例举为吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、喹啉、异喹啉、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、酞嗪、2,3-二氮杂萘、萘啶、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、氧杂蒽酮、菲啰啉、氮杂三亚苯、吲哚并吡啶、吖啶、吡唑、噁二唑、三唑、吡唑酮、咪唑、咪唑酮、咪唑、噁唑、噻唑、吡唑、异噁唑、异噻唑、噻二唑、异吲哚、吲唑、苯并异噁唑、苯并异噻唑、菲啶、联吡啶、嘌呤、蝶啶、苯并三唑、呋咱、苯并呋咱、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、卤素(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、氰基、酮或亚砜的基团中的一种或多种组合。

优选地，所述光改善层的有机化合物的吸电子基团为以下基团中的一种或多种：

-F、-Cl、-Br、-I或-C≡N。

在一个优选的实施方案中，所述光改善层的有机化合物中吸电子基团包含的原子为N、O、S、卤素原子中的一个或多个，其中卤素为F、Cl、Br、I。

所述光改善层的有机化合物的分子量为500-1000，优选为550-900，更优选为550-850。

优选地，所述光改善层的有机化合物在在蓝光波长区域折射率n@450nm在1.9以上，优选在2.0以上，更优选为2.0-2.4；在绿光波长区域折射率n@525nm在1.9以上，优选为1.9-2.3；在红光波长区域折射率n@620nm在1.8以上，优选在1.85以上，更优选为1.85-2.2。

优选地，所述光改善层有机化合物的折射率在蓝光波长区域折射率与在红光波长区域折射率差值，即△n，小于等于0.20，优选折射率差值小于等于0.19，最优选折射率差值小于等于0.18。

优选地，所述光改善层的有机化合物的消光系数在波长450nm-620nm范围内为0.1以下。

优选地，所述光改善层的有机化合物在450-620nm区域不具有吸收。

在一个优选的实施方案中，本发明的光改善层的有机化合物在350±20nm处有较强吸收，在柔性OLED装置制备过程中，可吸收CVD工艺中的UV照射，降低紫外光对OLED材料的破坏。

本发明的光改善层的厚度可以为30-120nm，优选为40-100nm，更优选为50-90nm，最优选为60-80nm。

优选地，本发明的光改善层由所述有机化合物制成。

具体地，在一个实施方案中，本发明的有机发光二极管装置的光改善层可用的有机化合物的结构通式如下：

其中，

Ar₁分别独立地表示为单键、取代或未取代的C_6-30亚芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5-30元杂亚芳基；

X表示为氧原子、硫原子或N-R₁；

R₁分别独立地表示为氢原子、取代或未取代的C_6-30芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5-30元杂芳基；以上定义中，所述可取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、C_1-20的烷基、C_1-20的烷氧基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C_6-30芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的5-30元杂芳基中的一种或多种，

所述杂芳基的杂原子任选自氧原子、硫原子或氮原子中的一种或多种。

在一个优选的实施方案中，通式(1)中，

Ar₁分别独立的表示单键、取代或未取代的亚苯基、亚萘基、亚二联苯基、亚三联苯基、亚蒽基、亚吡啶、亚吡嗪、亚哒嗪、亚嘧啶、亚三嗪、亚喹啉、亚异喹啉、亚喹喔啉、亚喹唑啉、亚噌啉、亚酞嗪、亚2,3-二氮杂萘、亚萘啶、亚苯并咪唑、亚苯并噁唑、亚苯并噻唑、亚氧杂蒽酮、亚菲啰啉、亚氮杂三亚苯、亚吲哚并吡啶、亚吖啶、亚吡唑、亚噁二唑、亚三唑、亚吡唑酮、亚咪唑、亚咪唑酮、亚吡咯、亚呋喃、亚噻吩、亚咪唑、亚噁唑、亚噻唑、亚吡唑、亚异噁唑、亚异噻唑、亚噻二唑、亚吲哚、亚异吲哚、亚苯并呋喃、亚异苯并呋喃、亚苯并噻吩、亚吲哚嗪、亚吲唑、亚苯并异噁唑、亚苯并异噻唑、亚二苯并呋喃、亚二苯并噻吩、亚咔唑、亚菲啶、亚吩噁嗪、亚吩噻嗪、亚呫吨、亚噻蒽、亚糠基、亚吡喃、亚2H-吡喃、亚苯氧基噻吩、亚联吡啶、亚中氮茚、亚嘌呤、亚蝶啶、亚苯并三唑、亚呋咱、亚苯并呋咱、亚4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、亚酮、亚醚、亚亚砜、亚9,9-二甲基芴或亚N-苯基咔唑基中的一种；

R₁分别独立的表示为氢原子、取代或未取代的苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、蒽基、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、喹啉、异喹啉、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、酞嗪、2,3-二氮杂萘、萘啶、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、氧杂蒽酮、菲啰啉、氮杂三亚苯、吲哚并吡啶、吖啶、吡唑、噁二唑、三唑、吡唑酮、咪唑、咪唑酮、吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、噁唑、噻唑、吡唑、异噁唑、异噻唑、噻二唑、吲哚、异吲哚、苯并呋喃、异苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚嗪、吲唑、苯并异噁唑、苯并异噻唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、菲啶、吩噁嗪、吩噻嗪、呫吨、噻蒽、糠基、吡喃、2H-吡喃、苯氧基噻吩、联吡啶、中氮茚、嘌呤、蝶啶、苯并三唑、呋咱、苯并呋咱、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、酮、醚、亚砜、9,9-二甲基芴或N-苯基咔唑基中的一种。

在一个实施方案中，Ar₁、R₁定义中被取代的基团的取代基任选地选自氕原子、氘原子、氚原子、卤素原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯基胺基或呋喃基中的一种或多种。

在另一个实施方案中，本发明的有机发光二极管装置的光改善层可用的材料选自以下有机化合物中的一种或多种：

在另一个实施方案中，可用于本发明的有机发光二极管装置的光改善层的材料选自以下有机化合物：

在一个优选的实施方案中，有机发光功能层包括发光层，所述发光层包括蓝色发光像素、绿色发光像素、红色发光像素、黄色发光像素中的1种或至少2种的组合。优选地，所述发光层包括蓝色发光像素、绿色发光像素、红色发光像素、黄色发光像素中的1种或至少2种的组合。

在一个优选的实施方案中，有机发光功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少2种的组合。

在一个优选的实施方案中，有机发光功能层和光改善层材料通过蒸镀、旋涂、喷墨打印或丝网印刷方式形成。

在一个优选的实施方案中，有机发光二极管装置可以应用到照明或显示装置。

本发明提供了一种包含具有吸电子基团的电子型结构，且HOMO能级绝对值>6.0eV、LUMO能级绝对值>3.0eV、1.8<折射率n<2.5，△n＝n@450nm-n@620nm≤0.20的有机材料的光改善层的有机发光二极管装置的结构和制备方法，下面结合附图和实施例对本发明做进一步的详细说明。然而，它们可以以不同形式实施，并且不应解释为局限于本文所述的实施方案。相反，提供这些实施方案，使本公开更完整、透彻。

如图1所示，本发明的有机发光二极管装置包括基板层100、阳极层200、有机发光功能层300、阴极层400、光改善层500。基板100，可选用典型的有机发光装置中使用的任何基板。可以是玻璃或透明塑料基板，也可以是不透明材料如硅或不锈钢的基板，还可以是柔性PI膜。不同基板具有不同的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、防水性，根据基板的性质不同，使用方向不同。在基板层上可以使用公知方法形成阻挡层(可以由无机材料或/和有机材料组成，用于防止异物渗透基板及装置)和布线层(可以包括驱动TFT、电容器、导线和低温多晶硅LTPS)。

在基板100上形成阳极200，阳极200可以与阴极400位置互换，即阴极200和阳极400。此处，阳极可以仅仅为反射电极如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、镱(Yb)或其合金形成的反射膜，也可以是由反射膜和透明或半透明电极组合而成的电极，以及具有高功函且在所述反射膜上形成的透明或半透明电极层。

透明或半透明电极层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟(In₂O₃)和/或氧化锡(SnO₂)形成，也可以由金属和氧化物组合而成，例如由ITO/Ag/ITO、IGO/Al/IGO或AZO/Ag/AZO形成。

阳极可通过溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法、旋涂法、电子束蒸镀法或化学气相沉积(CVD)形成等方法形成，优选通过溅射法形成。

阳极的厚度取决于使用的材料，一般范围在5nm以上1μm以下，优选为10nm以上1μm以下，更优选为10nm以上500nm以下，特别优选为10nm以上300nm以下，最优选为10nm以上200nm以下。

如图2所示，有机发光功能层300可以包括发光层340(EML)，并且可以在EML和阳极200之间形成空穴传输区域，并且可以在EML和阴极层400之间形成电子传输区域；如果阳极200与阴极400位置互换，即阴极200和阳极400，则可以在EML和阴极200之间形成电子传输区域，并且可以在EML和阳极层400之间形成空穴传输区域。空穴传输区域可以包括空穴注入层310(HIL)、空穴传输层320(HTL)和电子阻挡层330(EBL)中的至少一层。电子传输区域可以包括空穴阻挡层350(HBL)、电子传输层360(ETL)和电子注入层370(EIL)中的至少一层。因此，有机发光功能层300包括发光层以及空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少2层的组合。

有机发光功能层的厚度为50nm-1000nm。

作为在空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层(HIL310、HTL320、EBL330)的材料，可以从已知的用于OLED装置的相关材料中选择任意的材料进行使用。

上述材料的实例可为酞菁衍生物、三唑衍生物、三芳基甲烷衍生物、三芳基胺衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、腙衍生物、芪衍生物、吡啶啉衍生物、聚硅烷衍生物、咪唑衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代奎尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、苯乙烯基胺衍生物等苯乙烯化合物、芴衍生物、螺芴衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺类共聚物、卟啉化合物、咔唑衍生物、多芳基烷衍生物、聚亚苯基乙烯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚-N-乙烯基咔唑衍生物、噻吩低聚物等导电性高分子低聚体、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、三胺类、四胺类、联苯胺类、丙炔二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1,1’-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷、4,4’-二(二芳基胺类)联苯类、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷类、4,4”-二(二芳基氨基)三联苯类、4,4”’-二(二芳基氨基)四联苯类、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基醚类、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷类或者2,2-二苯基乙烯化合物等。

HIL310和HTL320中的至少一层还可以包括用于改善传导性的电荷产生材料。所述电荷产生材料可以为p-掺杂剂。P-掺杂剂的非限定性化合物如：醌衍生物，如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；或六氮杂三亚苯衍生物，如2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)；或环丙烷衍生物，如4,4',4”-((1E,1'E,1”E)-环丙烷-1,2,3-三亚甲基三(氰基甲酰亚基))三(2,3,5,6-四氟苄基)；或金属氧化物，如氧化钨和氧化钼，但不限于此。

EBL330中要求材料的三线态(T1)能级高于发光层340中主体材料的T1能级，能够起到阻挡发光层材料能量损失的作用；EBL330材料的HOMO能级介于HTL320材料的HOMO能级和发光层340主体材料的HOMO能级之间，利于空穴从正电极注入到发光层中，同时要求EBL330材料具有高的空穴迁移率，利于空穴传输，降低装置应用功率；EBL330材料的LUMO能级高于发光层340主体材料的LUMO能级，起到电子阻挡的作用，也就是要求EBL330材料具有宽的禁带宽度(Eg)。符合以上条件的EBL330材料可以为三芳基胺衍生物、芴衍生物、螺芴衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物等。其中优选三芳基胺衍生物，如，N4,N4-双([1,1'-联苯]-4-基)-N4'-苯基N4'-[1,1'：4',1”-三联苯]-4-基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；螺芴衍生物，如N-([1,1'-二苯基]-4-基)-N-(9,9-二甲基-9H-呋喃-2-基)-9,9'-螺二芴-2-胺；二苯并呋喃衍生物，如N,N-二([1,1'-联苯]-4-基)-3'-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-[1,1'-联苯基]-4-胺，但不限于此。

为了得到高效率OLED装置，其发光层340可采用相同的一种掺杂材料，或采用多种掺杂材料，掺杂材料可为单纯的荧光材料、延迟荧光(TADF)材料或磷光材料，或由不同的荧光材料、TADF材料、磷光搭配组合而成，发光层340可为单一的发光层材料，也可以为横向或纵向叠加在一起的复合发光层材料。构成上述OLED发光体的发光层340可选自如下多种构造：

(1)单一有机发光层材料；

(2)蓝色、绿色、黄色或红色发光层材料中的任意两种组合，并不分前后顺序，如图3所示；

(3)蓝色、绿色、黄色或红色发光层材料中的任意三种组合，并不分前后顺序，如图4所示；

(4)蓝色有机发光层材料、绿色有机发光层材料、红色有机发光层材料横向排布，如图5所示。

优选地，所述有机发光功能层包括发光层，所述发光层包括蓝色发光像素、绿色发光像素、红色发光像素、黄色发光像素中的1种或至少2种的组合。

为了调节载流子电荷在发光层中的有效结合，上述构成OLED发光体的发光层340的膜厚可根据需要任意调节，或根据需要将不能色彩的发光层交替叠加组合，还可以在邻接发光层的有机层里添加不同功能用途的电荷阻挡层等。

作为构成上述OLED发光体的发光层物质的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输特性，同时需要具备恰当的能阶，可将因电子和空穴复合产生的激发能有效的传递到客体发光材料，即掺杂材料。这样的材料例如可以举出二苯乙烯基亚芳基衍生物、均二苯乙烯衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、三嗪衍生物、氧杂蒽酮衍生物、三亚苯衍生物、三嗪衍生物、六苯并苯衍生物或者双(2-甲基-8-喹啉)(对-苯基苯酚)铝(BAlq)等。

作为能够产生蓝色荧光、蓝色磷光、绿色荧光、绿色磷光及蓝绿色荧光的客体材料，不但需要具备极高的荧光量子发光效率，同时还需要具备恰当的能阶，可有效吸收主体材料激发能发光，这样的材料，没有特别限定。可列举出二苯乙烯胺类衍生物、芘衍生物、蒽衍生物、三嗪衍生物、氧杂蒽酮衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、屈衍生物、二氮杂菲衍生物、二苯乙烯基苯衍生物或者四苯基丁二烯衍生物等。其中可以使用4,4’-双[2-(9-乙基咔唑-2-基)-乙烯基]联苯(BCzVBi)、苝等，还可列举出四联苯系化合物、双苯基系化合物、苯咪唑系化合物、苯并噁唑系化合物、苯并噁二唑系化合物、苯乙烯基苯化合物、联苯乙烯吡嗪系化合物、丁二烯系化合物，萘二甲酰亚胺化合物、紫苏烯系化合物、醛连氮系化合物、环戊二烯系化合物、吡咯并吡咯甲酰系化合物、苯乙烯基胺系化合物、香豆素系化合物、芳香族二甲苯茶碱系化合物、将8-喹啉酚系物质作为配体的金属配位化合物或者聚苯系化合物等单独一种或两种以上的组合。在这些化合物材料中，本发明可列举出的具体实施材料有芳香族二甲苯茶碱系化合物，如：4,4’-双(2,2-二-1-丁基苯基乙烯基)双苯基(简称：DTBPBBi)或者4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)双苯基(简称：DPVBi)等和它们的衍生物。

相对于荧光主体材料，荧光客体材料的含有量(掺入量)优选为0.01重量％以上20重量％以下，更优选0.1重量％以上10重量％以下。作为荧光客体材料，使用蓝色荧光客体材料时，相对于荧光主体材料，其含有量优选为0.1重量％以上20重量％以下。只要在此范围内，才能够使高能量的蓝色发光体和低能量的红色发光体之间产生有效的能量分配平和，能够得到期望的具备蓝色和红色发光相平衡强度的电致发光。

上述OLED装置所包括的发光层340，不仅可使用上述荧光发光材料，还可以使用磷光材料。对比荧光材料，磷光材料在发光过程中可以同时利用单线态和三线态激子，理论上内部量子效率可以达到100％，从而可以大大提高发光装置的发光效率。

作为蓝色磷光掺杂材料，只要是具有蓝色磷光发光功能的物质即可，没有特别限定。例如可以举出铱、钛、铂、铼、钯等的金属配合物。其中，优选上述金属配合物的配位体中至少一个具有苯基吡啶骨架、二吡啶骨架、卟啉骨架等的配合物。更具体地说，可以举出双[4,6-二氟苯基吡啶-N,C2’]-甲基吡啶铱、三[2-(2,4-二氟苯基)吡啶-N,C2’]铱、二[2-(3,5-三氟甲基)吡啶-N,C2’]-甲基吡啶铱或者双[4,6-二氟苯基吡啶-N,C2’]乙酰丙酮铱。

作为绿色磷光掺杂材料，只要是具有绿色磷光发光功能的物质即可，没有特别限定。例如可以举出铱、钉、铂、铼、钯等的金属配合物，还可以举出上述金属配合物的配位体中至少一个具有苯基吡啶骨架、二吡啶骨架、卟啉骨架等的配合物作为绿色磷光掺杂剂，更具体地说，可以举出面式(face)-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₃)、双[2-苯基吡啶-N,C2’]-乙酰丙酮铱或者面式-三[5-氟-2-(5-三氟甲基-2-吡啶)苯基-C,N]铱等。

作为红色磷光掺杂材料，可以例举出八乙基卟啉铂(II)(PtOEP)、三(2-苯基异喹啉)铱(Ir(piq)₃)、双(2-(2’-苯并噻吩基)-吡啶-N,C3’)铱(乙酰丙酮化物)(Btp₂Ir(acac))等。

相对于磷光主体材料计，磷光掺杂材料的含有量(掺杂量)优选为0.01重量％以上30重量％以下，更优选为0.1重量％以上20重量％以下。使用绿色磷光掺杂材料时，相对于磷光主体材料计，优选为0.1重量％以上20重量％以下。

另外，作为磷光主体材料，只要是其三重态能量大于磷光掺杂剂的三重态能量的材料即可，没有特别限定。例如可以举出咔唑衍生物、二氮杂菲衍生物、三嗪衍生物、三唑衍生物、羟基喹啉类金属配合物。具体地说，可以举出4,4’,4”-三(9-咔唑基)三苯胺、4,4’-双(9-咔唑基)-2,2’-二甲基联苯、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基咔唑、三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)或者双-(2-甲基-8-羟基喹啉-4-(苯基苯酚)铝等。

除了上述发光层所使用的荧光或磷光主客体材料，发光层材料还可以采用非主客体掺杂体系材料，如激基复合物能量传递以及界面发光等；发光层材料还可以采用具有热活化延迟荧光(TADF)功能的主客体材料，以及TADF功能材料和上述的荧光、磷光材料相互组合搭配的形式。

组成上述OLED装置的空穴阻挡层350、电子传输层360的材料，可以在具备电子传输特性的用于OLED的材料中选择任意材料进行使用。这样的材料可以举出如1,3-双[5’-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2’-基]苯、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑等噁二唑衍生物、3-(4’-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4”-联苯)-1,2,4-三唑等三唑衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、喹噁啉衍生物、二苯醌衍生物、硝基取代茐酮衍生物、噻喃二氧化物衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘基苝等杂环四酸酐、碳化二亚胺、茐衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、硅杂环戊二烯衍生物、二氮杂菲衍生物或咪唑并吡啶衍生物等。

另外，还可以举出双(10-苯并[h]羟基喹啉)铍、5-羟基黄铜的铍盐、5-羟基黄铜的铝盐等有机金属配合物或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物，如三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、三(5,7-二氯-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对-苯基苯酚)铝(BAlq)、三(5,7-二溴-8-羟基喹啉)铝。三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝等植物激素(一般而言为8-羟基喹啉)等羟基喹啉类金属配合物等的含有螯合剂的金属螯合剂化合物。另外，还可以举出这些金属配合物的中心金属被替换成铍、铟、镁、铜、钙、锡、锌或铝的金属配合物等的实例。优选使用非金属、金属酞菁或者是它们的末端被置换为烷基、磺基等的物质。其中，更优选使用2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、3-苯基-4-(1”-萘)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)。

HBL350中要求材料的三线态(T1)能级高于发光层340中主体材料的T1能级，能够起到阻挡发光层材料能量损失的作用；HBL350材料的HUMO能级低于发光层340主体材料的HUMO能级，起到空穴阻挡的作用，同时要求HBL350材料具有高的电子迁移率，利于电子传输，降低装置应用功率；符合以上条件的HBL350材料可以为三嗪衍生物、氮杂苯衍生物等。其中优选三嗪衍生物；但不限于此。

EIL370可以由以下物质中的一种或多种形成：碱金属；碱土金属；碱金属和碱土金属的卤化物；碱金属和碱土金属的氧化物、碱金属和碱土金属的碳酸盐；碱金属和碱土金属的草酸盐或碱金属和碱土金属的氟铝酸盐。可以例举出如Li、Ca、Sr、LiF、CsF、BaO、Li₂CO₃、CaCO₃、Li₂C₂O₄、Cs₂C₂O₄、CsAlF₄。在一些实施方案中，EIL370可以包括至少一种金属，如Yb、Sc、V、Y、In、Ce、Sm、Eu或Tb中的一种或多种。

在有机发光功能层300上形成阴极400，阴极400可以与阳极200位置互换，而且可以是透明电极或半透明电极。阴极可以由锂、钙、氟化锂/钙、氟化锂/铝、铝、银、镁或其合金制成具有低功函的薄膜。进一步地，阴极层可以由包括银和至少一种金属的合金制成，所述至少一种金属包括铝、铂、镱、铬或镁。并且，Ag在所述合金中的重量比可以和其他金属比例相同或者大于或小于其他金属的重量。例如：阴极层可以由Ag-Mg合金形成，其中Ag和Mg的质量比可以为90:10至10:90。或者，阴极层可以由包括如银、金、铂、铜、镍或钨中的至少一种金属和如镱、铟、镁或铬中的至少一种金属的合金形成。这些金属膜可以通过调节膜的厚度形成透明或半透明电极。因此，由有机发光功能层300产生的光可通过阴极层400发射出。并且，阴极层400厚度可以为5-20nm。

在阴极400上形成光改善层500，光改善层500如前所述。在一个优选的实施方案中，光改善层使用的材料由通式(1)的化合物中的一种或多种组成或者包括一种或多种通式(1)的化合物。

在一个实施方案中，在阳极上形成光改善层。在另一个实施方案中，光改善层位于光线射出的一侧。在另一个实施方案中，所述光改善层的有机化合物具有比所述有机发光功能层材料、阳极材料、阴极材料更高的折射率。

在一个具体实施方案中，阳极可以是反射电极且阴极是透明或半透明电极。因此，由有机发光功能层产生的光可直接由阴极射出，或可以被阳极反射向阴极后射出。阳极可以通过例如蒸镀法或溅射法来制备。阴极可以通过例如真空蒸镀法制备。

有机发光功能层300可以由小分子的有机材料或高分子材料组成，并且有机发光功能层300可以通过多种方法制备，所述多种方法例举如真空蒸镀法、溶液旋涂、丝网印刷、喷墨打印法。

光改善层500可以由所述分子量在500至1000之间，具有吸电子基团的电子型结构，且HOMO能级绝对值>6.0eV，LUMO能级绝对值>3.0eV，1.8<折射率n<2.5，且△n＝n@450nm-n@620nm≤0.20的有机化合物组成，并且可以使用多种方法制备光改善层500，所述多种方法例举如真空蒸镀法、溶液旋涂、丝网印刷、喷墨打印法。

此外，可以通过参考图1、图2有机发光二极管装置的结构来制备包括图3、图4或图5的结构的全色有机发光二极管装置。即，根据这些实施方案的有机发光装置可以配置成多种结构，例如单色发光装置、多色光或白色光的有机发光二极管装置。

根据本发明，所述有机发光二极管装置优选为顶发光的有机发光二极管装置。

本发明实施方案对此不作特殊限定。

另外，需要说明的是，本发明化合物可用于任何需要提高光取出效率、改善视偏问题、不含LiF层的TFE封装柔性OLED装置，提升装置或元件或设备良品率，只要本发明化合物适用于此。

本文中提及的视偏问题指的是不同角度下观察装置，发光颜色逐渐变化。在本文中，改善视偏，降低角度依赖性体现在随着观察角度的变化，发光颜色变化趋势显著降低，理想状态下发光颜色不发生变化。可以用参数JNCD(JUST NOTICEABLE COLOR DIFFERENCE)来衡量，JNCD为人眼可察觉的明显的色差，JNCD数值越小，改善视偏效果越明显。

此外，本发明还涉及一种照明或显示元件，其中使用了本发明有机发光二极管装置来提高光取出效率并且改善出射光的角度依赖性。可使用本发明有机发光二极管装置的照明或显示元件可为手机屏幕、平板屏幕、电脑屏幕、电视屏幕、车载智慧屏、广告牌等。

实施例

下面结合附图和实施例，对本发明进行具体描述。

下列反应中用到的原料皆可市售可得。为了对实施例制备的化合物进行结构分析，利用元素分析测量元素含量，利用MS测量分子量。此外，使用400MHz的NMR设备测量在氘代氯仿溶剂中溶解的本发明化合物的¹H-NMR，结果如下所示。

I.制备实施例

实施例1：化合物1的合成

在三口瓶中，通入氮气，加入0.01mol原料A-1、150ml的DMF、0.012mol原料B-1和0.0001mol醋酸钯，搅拌，然后加入3ml 0.01mol/ml K₃PO₄水溶液，加热至130℃，然后在该温度下反应24小时，采用薄层色谱法(TCL)监测，取样点板。反应完全后，将反应物自然冷却，加过量水，将混合物过滤并将滤饼在真空干燥箱中干燥，所得残余物过硅胶柱纯化，得到化合物中间体M-1；

在三口瓶中，通入氮气，加入0.01mol中间体M-1、150ml的DMF、0.012mol原料C-1和0.0001mol醋酸钯，搅拌，然后加入3ml 0.01mol/ml K₃PO₄水溶液，加热至130℃，然后在该温度下反应24小时，采用薄层色谱法(TCL)监测，取样点板。反应完全后，将反应物自然冷却，加过量水，将混合物过滤并将滤饼在真空干燥箱中干燥，所得残余物过硅胶柱纯化，得到化合物1，元素分析结构(分子式C₄₆H₂₈N₄O₂)：理论值：C,82.62；H,4.22；N,8.38；测试值：C,82.59；H,4.20；N,8.36。MS(m/z)(M⁺)：理论值为668.22，实测值为668.28。

实施例2：化合物21的合成

化合物21的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料B-2替换原料B-1。所获得的化合物21的元素分析结构(分子式C₄₀H₂₄N₄OS)：理论值：C,78.93；H,3.97；N,9.20；S,5.27；测试值：C,78.94；H,3.99；N,9.21；S,5.25。MS(m/z)(M⁺)：理论值为608.17，实测值为608.20。

实施例3：化合物35的合成

化合物35的制备方法同实施例1，不同之处在于用原料B-3替换原料B-1。所获得的化合物35的元素分析结构(分子式C₄₆H₂₉N₅O)：理论值：C,82.74；H,4.38；N,10.49；测试值：C,82.75；H,4.39；N,10.48。MS(m/z)(M⁺)：理论值为667.24，实测值为667.21。

实施例4：化合物43的合成

化合物43的制备方法同实施例1第一步反应，不同之处在于用原料A-2替换原料A-1，用原料C-2替换原料B-1，反应中原料摩尔比从1:1.2改为A-2:C-2为1:3.6。所获得的化合物43的元素分析结构(分子式C₄₂H₂₄N₆O₃)：理论值C,76.35；H,3.66；N,12.72；测试值：C,76.38；H,3.68；N,12.70。MS(m/z)(M⁺)：理论值为660.19，实测值为660.23。

上文所制备化合物的核磁共振氢谱数据如表1所示。

表1

II.化合物测试实施例

1.实施例中使用的对比化合物

CP-1化合物：名称为N,N-苯基-N,N-(9-苯基-3-咔唑基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，CAS号：887402-92-8，商业购买获得，其结构式如下。

CP-2化合物：结构式如下，来自公开专利文本CN109206420A中结构，编号58。参照此专利中记载的合成方法进行CP-2的制备。

CP-3化合物：结构式如下，来自公开专利文本KR1020170116927A中结构，编号1-16。参照此专利中记载的合成方法进行CP-3的制备。

2.化合物测试

将上述实施例中制备的本发明化合物和对比化合物CP-1、CP-2、CP-3用椭偏仪(美国J.A.Woollam Co.型号：ALPHA-SE)测量(测试为大气环境)折射率n和消光系数k(基于玻璃基底各向同性拟合)，通过光电子能谱(IPS-3)测试(测试为大气环境)最高占据分子轨道HOMO能级，通过双光束紫外可见分光光度计(北京普析通用公司，型号：TU-1901)测试Eg，LUMO＝HOMO+Eg。所有测试结果数据如下表2所示：

表2

注：△n＝n@450nm-n@620nm。

由表2可以看出，本申请所述光改善层的有机化合物HOMO能级深于6.0eV，优选深于6.21eV，更优选深于6.25eV；LUMO能级深于3.0eV，优选深于3.10eV，更优选深于3.14eV。因此，本发明化合物的HOMO能级和LUMO能级与对比化合物相比普遍较深。对于装置的制备中所接触的高能量等离子体或紫外线，在去除保护层LiF后，可以有效保护内层装置。

此外，本申请所述用于光改善层的本发明有机化合物在可见光领域具有较低的消光系数、较高的折射率、较低的△n。特别地，本发明化合物的△n在0.15至0.20之间，优选在0.17至0.20之间，更优选在0.17至0.18之间。鉴于以上与对比化合物相区别的性质，本发明化合物作为光改善层应用于OLED装置后，可有效提升OLED装置的光取出效率，降低功耗，并有效改善色偏问题。

III.应用实施例

下面通过装置实施例1-12和装置比较例1-9详细说明本发明有机发光二极管装置的应用效果。本发明装置实施例4-6、7-9、10-12以及装置比较例1-3、4-6、7-9分别与装置实施例1-3中装置的制作工艺类似，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对装置中的光改善层材料做了替换。

1.实施例中使用的材料和设备

材料来源：自行合成(本发明化合物和对比化合物)或商业购买(其他物质)。

相关材料的分子结构式如下所示：

设备：

真空蒸镀装置：日本长州产业200*200mm蒸镀设备。

2.装置实施例

使用本申请所述用于光改善层的本发明有机化合物和对比化合物作为光改善层制备OLED装置

(1)装置1的制备——使用本发明化合物1作为光改善层

基板层/阳极层(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层(HT-1:P-1＝97:3质量比，厚度10nm)/空穴传输层(HT-1，厚度120nm)/电子阻挡层(EB-1，厚度10nm)/发光层(BH-1:BD-1＝97:3质量比，厚度20nm)/电子传输层(ET-1:LiQ＝1:1质量比，厚度30nm)/电子注入层(LiF，厚度1nm)/阴极层(Mg:Ag＝1:9质量比，厚度16nm)/光改善层(本发明化合物1，厚度70nm)。

具体制备过程如下：

基板层为PI膜，对ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm)阳极层进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除阳极层表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的阳极层上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的HT-1和P-1作为空穴注入层，其中HT-1和P-1的质量比为97:3。接着蒸镀120nm厚度的HT-1作为空穴传输层。随后蒸镀10nm厚度的EB-1作为电子阻挡层。上述电子阻挡材料蒸镀结束后，制作OLED发光装置的发光层，其使用BH-1作为主体材料，BD-1作为掺杂材料，其中BH-1和BD-1质量比为97:3，发光层膜厚为20nm。在上述发光层之后，继续真空蒸镀ET-1和LiQ作为电子传输层，其中ET-1和Liq质量比为1:1，膜厚为30nm。在电子传输层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的LiF层，此层为电子注入层。在电子注入层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为16nm的Mg:Ag电极层，其中Mg、Ag质量比为1:9，此层为阴极层使用。在阴极层上，真空蒸镀70nm的本发明化合物1，作为光改善层。

(2)装置2的制备

各结构数据如下：

透明基板层/阳极层(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层(HT-1:P-1＝97:3质量比，厚度10nm)/空穴传输层(HT-1，厚度120nm)/电子阻挡层(EB-2，厚度30nm)/发光层(GH-1:GH-2:GD-1＝47:47:6质量比，厚度30nm)/空穴阻挡/电子传输层(ET-1:LiQ＝1:1质量比，厚度30nm)/电子注入层(LiF，厚度1nm)/阴极层(Mg:Ag＝1:9质量比，厚度16nm)/光改善层(本发明化合物1，厚度70nm)。

制备方法与装置1的制备类似。

(3)装置3的制备

各结构数据如下：

透明基板层/阳极层(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层(HT-1:P-1＝97:3质量比，厚度10nm)/空穴传输层(HT-1，厚度120nm)/电子阻挡层(EB-3，厚度80nm)/发光层(RH-1:RD-1＝97:3质量比，厚度30nm)/空穴阻挡/电子传输层(ET-1:LiQ＝1:1质量比，厚度30nm)/电子注入层(LiF，厚度1nm)/阴极层(Mg:Ag＝1:9质量比，厚度16nm)/光改善层(本发明化合物1，厚度70nm)。

制备方法与装置1的制备类似。

(4)装置4-6、7-9、10-12、对比装置1-3、4-6、7-9的制备

制备方法和装置结构与装置实施例1相同，不同之处在于：分别使用化合物21、35、43、CP-1、CP-2、CP-3作为有机发光二极管装置的光改善层材料。

按照上述步骤完成电致发光装置的制备后，测量装置的电流效率、发光颜色、色坐标和可察觉色差，其结果如表3中所示。

IV.装置测试实施例

对III中制备的装置进行电流效率、CIE、可察觉色差(JNCD)方面的测定。

使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司)，测试时的电流密度为10mA/cm²，对上述制备的装置和对比装置进行电流效率、CIEx、CIEy及可察觉色差的测定，得到如下结果：

表3

注：Index＝电流效率/CIEy，且仅应用于蓝光装置，蓝光装置效率的好坏一般不参考电流效率，而是参考Index(业内标准)；可察觉的色差，单位：JNCD；1JNCD＝0.004；

应理解，可察觉色差越小，色度变化量越小，意味着有机发光二极管装置的出射光波长的角度依赖性被抑制的越好。

由表3的结果可以看出：

与对比装置1-9相比，用具有特定△n的本发明化合物作为光改善层制备的有机发光二极管装置在蓝光、绿光、红光领域的电流效率显著提高，这意味着使用本发明的化合物作为光改善层相比起常规使用的化合物CP-1、近期研究的化合物CP-2、CP-3显著提高了光取出效率。

此外，与△n范围在本发明之外的化合物作为光改善层制备的对比装置1-9相比，用本发明化合物作为光改善层制备的有机发光二极管装置在蓝光、绿光、红光领域的可察觉的色差显著降低，角度依赖性显著减小。

总之，具有特定△n的本发明化合物作为光改善层用于柔性封装OLED装置，使得其在大幅提升了光提取效率、显著改善电流效率并改善了角度依赖性，具有突出的、意想不到的技术效果。

综上，以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种有机发光二极管装置，该有机发光二极管装置包括：

基板层；

有机发光二极管，设置于所述基板上；

光改善层，设置于所述有机发光二极管层上；

其中，所述光改善层为有机化合物，

所述光改善层的有机化合物具有下列特性：

其分子量在500至1000之间，优选为550-900，更优选为550-850，

具有吸电子基团的电子型结构，

HOMO能级绝对值>6.0eV，LUMO能级绝对值>3.0eV，且

1.8<折射率n<2.5，且在蓝光波长区域折射率n@450nm与在红光波长区域折射率n@620nm差值△n＝n@450nm-n@620nm≤0.20，优选地，△n在0.15至0.20之间，更优选地，△n在0.17至0.20之间，最优选地，△n在0.17至0.18之间。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于：所述光改善层的有机化合物包含一种或多种以下基团：吡啶、嘧啶、三嗪、苯并噁唑、苯并噻唑、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、

-F、-Cl、-Br、-I或-C≡N。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述光改善层有机化合物的折射率在蓝光波长区域折射率n@450nm在1.9以上，优选在2.0以上，更优选为2.0-2.4；在绿光波长区域折射率n@525nm在1.9以上，优选为1.9-2.3；在红光波长区域折射率n@620nm在1.8以上，优选在1.85以上，更优选为1.85-2.2，特别地，所述光改善层的有机化合物具有比所述有机发光功能层材料、阳极材料、阴极材料更高的折射率。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述光改善层的有机化合物的消光系数在波长450nm-620nm范围内为0.1以下，优选地，所述光改善层的有机化合物在450-620nm区域不具有吸收。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述光改善层的厚度为30-120nm，优选为40-100nm，更优选为50-90nm，最优选为60-80nm。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于：所述光改善层的有机化合物如通式(1)所述：

通式(1)中，

X表示为氧原子、硫原子或N-R₁；

R₁分别独立地表示为取代或未取代的C_6-30芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5-30元杂芳基；

所述可取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、C_1-20的烷基、C_1-20的烷氧基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C_6-30芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的5-30元杂芳基中的一种或多种；

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管装置，其特征在于：

通式(1)中，

Ar₁分别独立的表示单键、取代或未取代的亚苯基、亚萘基、亚二联苯基、亚三联苯基中的一种，

R₁分别独立的表示为氢原子、取代或未取代的苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、苯并噁唑、苯并噻唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑或N-苯基咔唑基中的一种，

所述可取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、卤素原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯基胺基或呋喃基中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述光改善层的有机化合物为以下化合物中的一种或多种：

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述有机发光功能层包括发光层，所述发光层包括蓝色发光像素、绿色发光像素、红色发光像素、黄色发光像素中的1种或至少2种的组合，优选地，所述有机发光功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少2种的组合。

10.一种照明或显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的有机发光二极管装置。