CN113936724A - 用于确保可靠性的存储器系统 - Google Patents

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SK Hynix Inc
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Abstract

本公开涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置和控制器。控制器包括：第一内部存储装置；第二内部存储装置，被配置为存储恢复代码；电平检测器，被配置为检测电源电压的电平变化是否分别超过参考电平范围；保护操作组件，被配置为响应于电平检测器的结果而确定进入和退出保护模式，执行第一保护操作，该第一保护操作生成事件信息和快照信息，并且将事件信息和快照信息存储在第一内部存储装置中；以及恢复操作组件，被配置为响应于退出保护模式而从第二内部存储装置接收恢复代码，进入恢复模式，从第一内部存储装置接收事件信息和快照信息，并且对存储器装置执行恢复操作。

Description

用于确保可靠性的存储器系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年7月13日提交的、申请号为10-2020-0085978的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。
技术领域
实施例涉及一种存储器系统，并且更特别地，涉及一种用于确保可靠性的存储器系统。
背景技术
近来，计算机环境范例已经转变为普适计算，这使得几乎可以随时随地访问计算机系统。因此，诸如移动电话、数码相机、笔记本电脑的便携式电子装置的使用已经增长。这样的便携式电子装置通常使用或者包括包含或嵌入至少一个存储器装置的存储器系统，例如，数据存储装置。数据存储装置可以用作便携式电子装置的主存储装置或辅助存储装置。
计算装置受益于以非易失性半导体存储器装置的形式实施数据存储，因为非易失性半导体存储器装置由于没有机械驱动部件(例如，硬盘中的机械臂)而具有优异的稳定性和耐久性，并且可以展现出高数据访问速度和低功耗。半导体数据存储装置的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡和/或固态驱动器(SSD)。
发明内容
各个实施例涉及一种存储器系统，该存储器系统即使在从外部供应的电源电压的电平改变时，也能够有效地确保可靠性。
在实施例中，一种存储器系统可以包括：存储器装置；以及控制器，通过多个接口可操作地联接到存储器装置。控制器可以包括：第一内部存储装置，具有易失性特性；第二内部存储装置，具有非易失性特性，并且被配置为存储恢复代码；电平检测器，被配置为检测电源电压的电平变化是否分别超过参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的检测信号；保护操作组件，被配置为响应于检测信号而确定进入和退出保护模式，并且在进入保护模式时执行第一保护操作，该第一保护操作生成关于存储器系统的状态的事件信息、生成多个接口中的每一个的逻辑值作为快照信息以及将事件信息和快照信息存储在第一内部存储装置中，并且保护操作组件进一步被配置为执行第二保护操作，该第二保护操作将多个接口中的每一个固定为所设定的逻辑值；以及恢复操作组件，被配置为响应于存储器系统退出保护模式而从第二内部存储装置接收恢复代码，进入恢复模式，从第一内部存储装置接收事件信息和快照信息，并且对存储器装置执行恢复操作。
保护操作组件可以在响应于检测信号而进入保护模式时生成操作信息和执行信息，并且可以将操作信息和执行信息存储在第一内部存储装置中作为事件信息，该操作信息与进入保护模式的操作有关，该执行信息指示第二保护操作是否已经完成。
控制器可以进一步包括：缓冲器，被配置为缓冲待通过多个接口传输到存储器装置的信号。保护操作组件可以在进入保护模式时生成由缓冲器缓冲的信号的逻辑值作为快照信息，并且将快照信息存储在第一内部存储装置中。
恢复操作组件可以在恢复模式下响应于事件信息和快照信息而识别存储器装置中存储的数据之中发生错误的概率高于参考概率的数据，并且可以对所识别出的数据执行错误校正操作。
电源电压可以包括：第一电源电压，以第一参考电平为目标，并且用作控制器和存储器装置的操作电压；以及第二电源电压，以大于第一参考电平的第二参考电平为目标，并且用作多个接口的操作电压。
参考电平范围可以包括第一参考电平是中间电平的第一参考电平范围以及第二参考电平是中间电平的第二参考电平范围。电平检测器可以在第一电源电压超过第一参考电平范围的最大电平或者下降到低于第一参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第一检测信号，并且可以在第二电源电压超过第二参考电平范围的最大电平或者下降到低于第二参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第二检测信号。
保护操作组件可以响应于第一和第二检测信号中的至少一个的启用而进入保护模式，并且响应于第一和第二检测信号两者的停用而退出保护模式。
保护操作组件可以生成操作信息，该操作信息指示第一检测信号是否已经被启用以及第二检测信号是否已经被启用。
存储器系统可以进一步包括：电压生成器，被配置为接收第一电源电压并生成第三电源电压，该第三电源电压以第三参考电平为目标并用作控制器的操作电压；接收第一电源电压并生成第四电源电压，该第四电源电压以第四参考电平为目标并用作存储器装置的操作电压；接收第二电源电压并生成第五电源电压，该第五电源电压以大于第三参考电平的第五参考电平为目标，并用作控制器中的用于驱动多个接口的电路的操作电压；接收第二电源电压并生成第六电源电压，该第六电源电压以大于第四参考电平的第六参考电平为目标，并用作存储器装置中的用于驱动多个接口的电路的操作电压。
参考电平范围可以包括第三参考电平是中间电平的第三参考电平范围、第四参考电平是中间电平的第四参考电平范围、第五参考电平是中间电平的第五参考电平范围以及第六参考电平是中间电平的第六参考电平范围。电平检测器可以在第三电源电压超过第三参考电平范围的最大电平或者下降到低于第三参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第三检测信号，可以在第四电源电压超过第四参考电平范围的最大电平或者下降到低于第四参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第四检测信号，可以在第五电源电压超过第五参考电平范围的最大电平或者下降到低于第五参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第五检测信号，并且可以在第六电源电压超过第六参考电平范围的最大电平或者下降到低于第六参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第六检测信号。
保护操作组件可以响应于第三至第六检测信号中的任意一个的启用而进入保护模式，并且可以响应于第三至第六检测信号的全部停用而退出保护模式。
保护操作组件可以生成操作信息，该操作信息指示第三检测信号是否已经被启用、第四检测信号是否已经被启用、第五检测信号是否已经被启用以及第六检测信号是否已经被启用。
电源电压可以包括：第七电源电压，以第七参考电平为目标并用作控制器的操作电压；第八电源电压，以第八参考电平为目标并用作存储器装置的操作电压；第九电源电压，以大于第七参考电平的第九参考电平为目标，并用作控制器中的用于驱动多个接口的电路的操作电压；以及第十电源电压，以大于第八参考电平的第十参考电平为目标，并用作存储器装置中的用于驱动多个接口的电路的操作电压。
参考电平范围可以包括第七参考电平是中间电平的第七参考电平范围、第八参考电平是中间电平的第八参考电平范围、第九参考电平是中间电平的第九参考电平范围以及第十参考电平是中间电平的第十参考电平范围。电平检测器可以在第七电源电压超过第七参考电平范围的最大电平或者下降到低于第七参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第七检测信号，可以在第八电源电压超过第八参考电平范围的最大电平或者下降到低于第八参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第八检测信号，可以在第九电源电压超过第九参考电平范围的最大电平或者下降到低于第九参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第九检测信号，并且可以在第十电源电压超过第十参考电平范围的最大电平或者下降到低于第十参考电平范围的最小电平时，启用检测信号中的第十检测信号。
保护操作组件可以响应于第七至第十检测信号中的任意一个的启用而进入保护模式，并且可以响应于第七至第十检测信号的全部停用而退出保护模式。
保护操作组件可以生成操作信息，该操作信息指示第七检测信号是否已经被启用、第八检测信号是否已经被启用、第九检测信号是否已经被启用以及第十检测信号是否已经被启用。
多个接口可以包括命令接口、地址接口和数据接口，并且保护操作组件可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将命令接口的逻辑值固定为第一逻辑值以停止存储器装置的操作，将数据接口的逻辑值固定为第二逻辑值，并且将地址接口的逻辑值固定为防止存储器装置被访问的第三逻辑值。
保护操作组件可以在进入保护模式时同时开始第一保护操作和第二保护操作。
在实施例中，一种存储器系统可以包括：存储器装置；控制器，包括易失性存储装置以及被配置为存储恢复代码的非易失性存储装置；以及多个接口，位于控制器与存储器装置之间。控制器可以被配置为：检测第一电压和第二电压是否超过各自的参考电平范围，第一电压用于操作控制器和存储器装置，第二电压用于操作多个接口；当检测到第一电压和第二电压中的一个超过相应的参考电平范围时，进入保护模式，以将事件信息和快照信息存储在易失性存储装置中，该事件信息与保护模式相关联，并且该快照信息与多个接口相关联；并且响应于存储器系统退出保护模式而进入恢复模式，从非易失性存储装置接收恢复代码并从易失性存储装置接收事件信息和快照信息，使用恢复代码、事件信息和快照信息，在存储器装置中存储的数据项之中选择至少一个数据项，并且对所选择的至少一个数据项执行错误校正操作。
根据本公开，当供应到存储器系统的电源电压的电平变化超出参考电平范围时，可以在硬件方面执行用于确保存储器装置的可靠性的保护操作，然后当从外部供应的电源电压的电平变化稳定时，可以在软件方面执行用于确保存储器装置的可靠性的恢复操作。
因此，即使在供应到存储器系统的电源电压的电平变化超出参考电平范围时，也存在可以确保存储器系统的操作稳定性的效果。
附图说明
图1是示出根据实施例的存储器系统的配置的示图。
图2是示出根据实施例的存储器系统的特性操作的示例的示图。
图3是示出根据实施例的存储器系统的特性操作的另一示例的示图。
图4是示出根据实施例的存储器系统的特性操作的另一示例的示图。
图5是示出根据实施例的存储器系统的特性操作的示图。
具体实施方式
下面参照附图更详细地描述本公开的各个示例。然而，本发明的方面和特征可以以不同的方式实现以形成其它实施例，包括任意所公开的实施例的变型。因此，本发明不限于本文阐述的实施例。相反，提供所描述的实施例，使得本公开是透彻和完整的，并且向本发明所属领域的技术人员充分传达本公开。在整个公开中，相同的附图标记在本公开的各个附图和示例中指代相同的部件。注意的是，对“实施例”、“另一实施例”等的引用不一定表示仅一个实施例，并且对任意这种短语的不同引用不一定针对相同的(多个)实施例。
将理解的是，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来标识各种元件，但是这些元件不受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个具有相同或相似名称的元件区分开。因此，一个实例中的第一元件可以在另一实例中被称为第二或第三元件，而并不指示该元件本身的任何变化。
附图不一定按比例绘制，并且在某些情况下，为了清楚地示出实施例的特征，可能放大了比例。当一个元件被称为连接或联接到另一元件时，应理解的是，前者可以直接连接或联接到后者，或者可以经由它们之间的一个或多个中间元件而电连接或联接到后者。另外，还将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。
本文使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。如本文所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也旨在包括复数形式，反之亦然。类似地，除非从语言或上下文中清楚地表明仅一个，否则不定冠词“一”和“一个”表示一个或多个。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”时，指定存在所述元件，并且不排除存在或添加一个或多个其它元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任意和所有组合。
除非另外定义，否则本文使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本发明所属领域的普通技术人员鉴于本公开通常理解的相同含义。将进一步理解的是，诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与其在本公开的上下文和相关技术中的含义一致的含义，并且除非本文明确表示，否则不应以理想化或过度形式的意义解释。
在下面的描述中，为了提供对本发明的透彻理解，阐述了许多具体细节。可以在没有这些具体细节的一些或全部的情况下实践本发明。在其它情况下，为了避免不必要地使本发明不清楚，并未详细描述公知的处理结构和/或进程。
还注意的是，除非另外明确说明，否则在某些情况下，如对相关领域的技术人员显而易见的，结合实施例描述的特征或元件可以单独使用或与另一实施例的其它特征或元件组合使用。
下面参照附图详细描述本公开的实施例，其中相同的附图标记指代相同的元件。
图1是用于说明根据实施例的存储器系统110的配置的示图。
参照图1，存储器系统110可以包括控制器130和存储器装置150。
存储器系统110可以响应于主机102的请求而操作，并且特别地，可以存储由主机102访问的数据。换句话说，存储器系统110可以用作主机102的主存储装置或辅助存储装置。根据连接到主机102的主机接口协议，存储器系统110可以被制造为各种类型的存储装置中的任意一种。例如，存储器系统110可以被实施为诸如以下的各种类型的存储装置中的任意一种：固态驱动器(SSD)，多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、缩小尺寸的MMC(RS-MMC)或微型MMC形式的MMC，安全数字(SD)、迷你SD或微型SD形式的SD卡，通用串行总线(USB)存储装置，通用闪存(UFS)装置，紧凑型闪存(CF)卡，智能媒体卡和/或记忆棒。
存储器系统110可以被实施为动态随机存取存储器(DRAM)和/或静态RAM(SRAM)形式的易失性存储器装置。在另一实施例中，存储器系统110可以被实施为以下形式的非易失性存储器装置：只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和/或闪速存储器。
存储器系统110可以被制造为诸如以下的各种类型的封装中的任意一种：堆叠封装(POP)、系统级封装(SIP)、片上系统(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)和/或晶圆级堆叠封装(WSP)。
主机102可以由各种电子装置中的任意一种实现。这种装置的示例包括诸如移动电话、MP3播放器和膝上型计算机的便携式电子装置，以及诸如台式计算机、游戏机、电视和投影仪的较大的电子装置。也就是说，主机102可以由各种有线/无线电子装置中的任意一种来实施。
主机102包括至少一个操作系统(OS)，OS通常管理和控制主机102的功能和操作，并且提供使用存储器系统110的用户与主机102之间的交互。在此，操作系统支持与用户的使用目的相对应的功能和操作。根据主机102的移动性，OS可以划分为例如通用操作系统和移动操作系统。此外，根据使用环境，操作系统中的通用操作系统可以划分为个人操作系统和企业操作系统。例如，个人操作系统是专门用于支持针对普通用户的服务提供功能的系统，并且可以包括Windows、Chrome等，并且企业操作系统是专门用于确保和支持高性能的系统，并且可以包括Windows server、Linux、Unix等。另外，操作系统中的移动操作系统是专门用于向用户支持系统的移动性服务提供功能和省电功能的系统，并且可以包括Android、iOS、Windows Mobile等。主机102可以包括多个操作系统，运行该多个操作系统以与存储器系统110执行与用户请求相对应的操作。此外，主机102将与用户请求相对应的多个命令传输到存储器系统110，因此存储器系统110执行与命令相对应的操作，即，与用户请求相对应的操作。
更具体地，存储器系统110包括存储由主机102访问的数据的存储器装置150以及控制将数据存储到存储器装置150的控制器130。
控制器130和存储器装置150可以被集成到一个半导体装置中。作为示例，控制器130和存储器装置150可以被集成到一个半导体装置中以形成SSD。当存储器系统110用作SSD时，可以进一步提高电连接到存储器系统110的主机102的操作速度。另外，控制器130和存储器装置150还可以被集成到一个半导体装置中以形成诸如以下的存储卡：PC卡(PCMCIA：个人计算机存储卡国际协会)、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡(例如，SM和SMC)、记忆棒、多媒体卡(例如，MMC、RS-MMC或微型MMC)、安全数字(SD)卡(例如，SD、迷你SD、微型SD和SDHC)和/或通用闪存(UFS)装置。
在另一示例中，存储器系统110可以构成以下中的一种或多种：计算机、超移动PC(UMPC)、工作站、上网本、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、网络平板、平板电脑、无线电话、移动电话、智能电话、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、便携式游戏机、导航装置、黑匣子、数码相机、数字多媒体广播(DMB)播放器、三维电视、智能电视、数字音频记录器、数字音频播放器、数字图片记录器、数字图片播放器、数字视频记录器、数字视频播放器、构成数据中心的存储装置、能够在无线环境下传输和接收信息的装置、构成家庭网络的各种电子装置中的一种、构成计算机网络的各种电子装置中的一种、构成远程信息处理网络的各种电子装置中的一种、射频识别(RFID)装置以及构成计算系统的各种组件。
即使没有电力供应，存储器装置150仍可以保留所存储的数据，并且特别地，通过写入操作存储从主机102提供的数据，并且通过读取操作将所存储的数据提供到主机102。另外，存储器装置150可以是非易失性存储器装置，例如闪速存储器，并且闪速存储器可以具有三维堆叠结构。
控制器130可以响应于来自主机102的请求而控制存储器装置150。例如，控制器130可以向主机102提供从存储器装置150读取的数据，并且将从主机102提供的数据存储在存储器装置150中。为此，控制器130可以控制存储器装置150的操作，例如读取操作、写入操作、编程操作和擦除操作。
在下文中，在存储器装置150是具有非易失性特性的闪速存储器的假设下给出下面的描述。然而，被实施为闪速存储器的存储器装置150仅仅是实施例。在另一实施例中，存储器装置150可以是具有易失性特性的动态随机存取存储器(DRAM)和/或静态RAM(SRAM)，或者可以是具有非易失性特性的只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)和/或电阻式RAM(RRAM)。使用哪种类型的存储器来实施存储器装置150可以取决于存储器系统110的操作环境和/或预期的使用或设计规范。
存储器系统110可以使用从外部源或组件输入的电源电压VCC作为操作电压。也就是说，存储器系统110中的控制器130和存储器装置150中的每一个的操作电压源于电源电压VCC。
控制器130可以包括第一内部存储装置1301、第二内部存储装置1302、保护操作组件1303、恢复操作组件1304和电平检测器1305。
第一内部存储装置1301可以具有易失性特性，并且可以存储在控制器130内生成的数据。
第二内部存储装置1302可以具有非易失性特性，并且可以存储恢复代码。可以由控制器130运行恢复代码，以便进入恢复模式并对存储器装置150中存储的错误数据执行恢复操作。
电平检测器1305可以检测电源电压VCC的电平变化是否超过所设定的参考电平范围，并且生成指示检测的结果的检测信号。
保护操作组件1303可以响应于由电平检测器1305生成的检测信号而确定进入和退出保护模式。此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第一保护操作，该第一保护操作生成关于存储器系统110的状态的事件信息，并且生成用于连接到存储器装置150的多个接口10中的每一个的当前逻辑值作为快照信息，并且将事件信息和快照信息存储在第一内部存储装置1301中。此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将用于连接到存储器装置150的多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值。保护操作组件1303可以在进入保护模式时同时开始第一保护操作和第二保护操作。
恢复操作组件1304可以响应于退出保护模式而从第二内部存储装置1302接收恢复代码，进入恢复模式，从第一内部存储装置1301接收事件信息和快照信息，然后对存储器装置150执行恢复操作。
图2是示出根据实施例的存储器系统110的特性操作的示例的示图。
图5是示出根据实施例的存储器系统110的特性操作的示图。
参照图2，存储器系统110可以包括控制器130和存储器装置150，并且控制器130和存储器装置150可以通过多个接口10电连接。
控制器130可以包括第一内部存储装置1301、第二内部存储装置1302、保护操作组件1303、恢复操作组件1304和电平检测器1305。
第一内部存储装置1301可以具有易失性特性，并且可以存储控制器130内生成的数据，例如，由保护操作组件1303生成的事件信息EVEN和快照信息SNAP。
此外，第二内部存储装置1302可以具有非易失性特性，并且可以存储恢复代码RVCD。可以由控制器130运行恢复代码RVCD，以便使恢复操作组件1304进入恢复模式并对存储器装置150中存储的错误数据执行恢复操作。
具体地，可以在存储器系统110的制造期间将恢复代码RVCD存储在第二内部存储装置1302中。也就是说，恢复代码RVCD可以是设计者在存储器系统110的制造期间预先写入的程序代码，该恢复代码然后用于存储器系统110的恢复操作。因此，如果恢复代码RVCD的内容在存储器系统110的制造期间写入之后发生改变，则可能无法执行正常的恢复操作。也就是说，当在操作存储器系统110的过程中由于任何原因而改变了恢复代码RVCD的内容时，即使在运行恢复代码RVCD以对存储器系统110执行恢复操作时，也无法正常恢复存储器系统110。
因此，存储恢复代码RVCD的第二内部存储装置1302可以被实施为具有非易失性特性的存储器装置，例如，只读存储器(ROM)。也就是说，当恢复代码RVCD存储在被实施为ROM的第二内部存储装置1302中时，不存在恢复代码RVCD的内容由于存储器系统110的操作或在存储器系统110的操作期间被改变的现实可能性。作为参考，被实施为ROM的第二内部存储装置1302可以存储诸如启动代码的程序代码以及恢复代码RVCD，该程序代码的内容在存储器系统110的制造期间写入之后可能禁止改变。
在一些实施例中，存储器系统110可以从外部源接收两个电源电压VCC和VCCQ，并且使用它们作为操作电压。
第一电源电压VCC可以以第一参考电平为目标，并且可以用作控制器130和存储器装置150的操作电压。第二电源电压VCCQ可以以高于第一参考电平的第二参考电平为目标，并且可以用作用于在存储器装置150和控制器130之间传输信号的多个接口10的操作电压。因此，第一内部存储装置1301、第二内部存储装置1302和保护操作组件1303中的每一个可以接收第一电源电压VCC，并且使用第一电源电压VCC作为操作电压。用于在控制器130和存储器装置150之间电连接的多个接口10可以接收第二电源电压VCCQ，并且使用第二电源电压VCCQ作为操作电压。
在一些实施例中，电平检测器1305可以检测第一电源电压VCC的电平变化是否超过所设定的第一参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的第一检测信号DET<1>。此外，电平检测器1305可以检测第二电源电压VCCQ的电平变化是否超过所设定的第二参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的第二检测信号DET<2>。
更具体地，参照图2和图5，优选地，第一电源电压VCC基本上保持第一参考电平REF_TARGET<1>，但是这可能由于诸如噪声、静电和电力供应不稳定的各种原因而无法实现；因此，第一电源电压VCC的电压电平可能会变化。第一参考电平范围可以由最大第一参考电平REF_MAX<1>和最小第一参考电平REF_MIN<1>来限定，该REF_MAX<1>和REF_MIN<1>中的每一个距处于REF_MAX<1>和REF_MIN<1>中间的第一参考电平REF_TARGET<1>存在所设定的电平差。
此外，优选地，第二电源电压VCCQ基本上保持第二参考电平REF_TARGET<2>，但是这可能由于诸如噪声、静电和电力供应不稳定的各种原因而无法实现；因此，第二电源电压VCCQ的电压电平可能会变化。第二参考电平范围可以由最大第二参考电平REF_MAX<2>和最小第二参考电平REF_MIN<2>来限定，该REF_MAX<2>和REF_MIN<2>中的每一个距处于REF_MAX<2>和REF_MIN<2>中间的第二参考电平REF_TARGET<2>存在所设定的电平差。
作为示例，图5示出第一参考电平REF_TARGET<1>和第二参考电平REF_TARGET<2>基本相同，但是第二参考电平REF_TARGET<2>可以高于第一参考电平REF_TARGET<1>。因为假设第二参考电平REF_TARGET<2>高于第一参考电平REF_TARGET<1>，所以最小第二参考电平REF_MIN<2>可以高于、等于或低于最大第一参考电平REF_MAX<1>。
为了确保存储器系统110的稳定操作，重要的是第一电源电压VCC的电平的任何变化都不超过第一参考电平范围。同样重要的是，第二电源电压VCCQ的电平的任何变化都不超过第二参考电平范围。
也就是说，当以第一参考电平REF_TARGET<1>为目标的第一电源电压VCC的电平在最大第一参考电平REF_MAX<1>和最小第一参考电平REF_MIN<1>内变化时，使用第一电源电压VCC作为操作电压的控制器130和存储器装置150可以稳定地操作。然而，当第一电源电压VCC的电平上升到超过最大第一参考电平REF_MAX<1>或下降到低于最小第一参考电平REF_MIN<1>时，使用第一电源电压VCC作为操作电压的控制器130和存储器装置150可能不能稳定地操作。
类似地，当以第二参考电平REF_TARGET<2>为目标的第二电源电压VCCQ的电平在最大第二参考电平REF_MAX<2>和最小第二参考电平REF_MIN<2>之间变化时，使用第二电源电压VCCQ作为操作电压的多个接口10可以稳定地操作。然而，当第二电源电压VCCQ的电平上升到超过最大第二参考电平REF_MAX<2>或下降到低于最小第二参考电平REF_MIN<2>时，使用第二电源电压VCCQ作为操作电压的多个接口10可能不能稳定地操作。
当第一电源电压VCC的电平变化超过第一参考电平范围时，即，当第一电源电压VCC的电平变化上升到超过最大第一参考电平REF_MAX<1>或下降到低于最小第一参考电平REF_MIN<1>时，电平检测器1305可以启用第一检测信号DET<1>。当第一电源电压VCC的电平变化维持在第一参考电平范围内时，电平检测器1305可以停用第一检测信号DET<1>。
当第二电源电压VCCQ的电平变化超过第二参考电平范围时，即，当第二电源电压VCCQ的电平变化上升到超过最大第二参考电平REF_MAX<2>或下降到低于最小第二参考电平REF_MIN<2>时，电平检测器1305可以启用第二检测信号DET<2>。当第二电源电压VCCQ的电平变化维持在第二参考电平范围内时，电平检测器1305可以停用第二检测信号DET<2>。
参照图2，保护操作组件1303可以响应于由电平检测器1305生成的第一检测信号DET<1>和第二检测信号DET<2>的启用和停用而确定进入和退出保护模式。也就是说，保护操作组件1303可以响应于由电平检测器1305生成的第一检测信号DET<1>和第二检测信号DET<2>中的至少一个的启用而进入保护模式。此外，保护操作组件1303可以响应于由电平检测器1305生成的第一检测信号DET<1>和第二检测信号DET<2>两者的停用而退出保护模式。
此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第一保护操作，该第一保护操作生成关于存储器系统110的状态的事件信息EVEN并生成多个接口10中的每一个的当前逻辑值作为快照信息SNAP，并且将事件信息EVEN和快照信息SNAP存储在第一内部存储装置1301中。此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值。保护操作组件1303可以在进入第二保护操作的保护模式时生成逻辑固定信号(LFS)，并且将逻辑固定信号(LFS)传输到多个接口10中的每一个。可以响应于逻辑固定信号(LFS)，将多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值。在一些实施例中，保护操作组件1303可以在进入保护模式时同时开始第一保护操作和第二保护操作。
将由保护操作组件1303执行的第一保护操作详细描述如下。
保护操作组件1303可以在响应于由电平检测器1305生成的检测信号DET<1：2>即第一检测信号DET<1>和第二检测信号DET<2>而进入保护模式时，生成操作信息OPI和执行信息PEI，该操作信息OPI与进入保护模式的操作有关，该执行信息PEI指示第二保护操作是否已经完成。进一步地，保护操作组件1303可以将操作信息OPI和执行信息PEI存储在第一内部存储装置1301中作为事件信息EVEN。
操作信息OPI可以表示可以收集的、与进入保护模式的操作有关的所有信息。当保护操作组件1303响应于第一检测信号DET<1>的停用和第二检测信号DET<2>的启用而进入保护模式时，操作信息OPI可以包括指示以下情况的信息：第一电源电压VCC的电平变化正常，并且第二电源电压VCCQ的电平变化异常。当保护操作组件1303因为第一检测信号DET<1>被启用一段时间然后被停用并且第二检测信号DET<2>被启用然后持续保持启用状态而进入保护模式时，操作信息OPI可以包括指示以下情况的信息：已经发生第一电源电压VCC的电平瞬时变化的错误，并且第二电源电压VCCQ的电平变化异常。保护操作组件1303可以基于第一检测信号DET<1>和第二检测信号DET<2>来生成操作信息OPI。因此，操作信息OPI可以指示第一检测信号DET<1>是否已经被启用以及第二检测信号DET<2>是否已经被启用。
在一些实施例中，执行信息PEI可以是指示已经正常执行了在进入保护模式时对将多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值的第二保护操作的执行的信息。也就是说，进入保护模式指示第一电源电压VCC和第二电源电压VCCQ中的至少一个已经经历了异常的电平变化的状态。因此，无法保证已经正常执行了响应于从保护操作组件1303传输的逻辑固定信号(LFS)而将多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值的第二保护操作。例如，即使保护操作组件1303已经将逻辑固定信号(LFS)传输到多个接口10中的每一个，但是多个接口10中的每一个也可能由于作为多个接口10的操作电压的第二电源电压VCCQ的电平的异常变化而未被固定为所设定的逻辑值。因此，执行信息PEI可以指示多个接口10中的每一个是否已经被固定为所设定的逻辑值。
在一些实施例中，控制器130可以进一步包括用于缓冲待通过多个接口10传输到存储器装置150的信号的缓冲器1306。保护操作组件1303可以在进入保护模式时生成由缓冲器1306缓冲的信号的逻辑值作为快照信息SNAP，并且将快照信息SNAP存储在第一内部存储装置1301中。
例如，进入保护模式的时间可以是由缓冲器1306缓冲的信号正在在多个接口10上承载的同时正被传输到存储器装置150的时间。在这种情况下，快照信息SNAP可以包括多个接口10的每一个上承载的信号的逻辑值。再例如，进入保护模式的时间可以在由缓冲器1306缓冲的信号被承载在多个接口10上之前。在这种情况下，快照信息SNAP可以包括待在多个接口10中的每一个上承载的信号的逻辑值，该信号不同于多个接口10中的每一个上承载的信号。
在一些实施例中，用于在控制器130和存储器装置150之间进行连接的多个接口10可以包括命令接口C_I/F、地址接口A_I/F和数据接口D_I/F。
命令接口C_I/F可以是控制器130生成用于控制存储器装置150的操作的命令信号并将该命令信号传输到存储器装置150所通过的传输路径。例如，控制器130可以生成写入命令信号、读取命令信号、擦除命令信号等，将所生成的命令信号传输到存储器装置150，并且使用命令接口C_I/F作为传输这种命令信号的路径。作为参考，命令接口C_I/F中包括的“CE”节点可以指示“芯片使能”节点，命令接口C_I/F中包括的“WE/RE”节点可以指示“写入使能/读取使能”节点，并且从控制器130传输到存储器装置150的各种类型的命令信号可以通过“CE”节点和“WE/RE”节点中的每一个上承载的信号的逻辑组合进行分类。作为示例，图2示出命令接口C_I/F中仅包括“CE”节点和“WE/RE”节点，但是根据存储器装置150的类型或设计规范，命令接口C_I/F中可以包括任意其它类型的节点。
地址接口A_I/F可以是从控制器130传输到存储器装置150以便选择存储器装置150中的存储区域中的一些并执行命令操作的地址信号的传输路径。例如，控制器130可以将地址信号与写入命令信号、读取命令信号、擦除命令信号等一起传输到存储器装置150，以指定存储器装置150中执行命令操作的存储区域，并且使用地址接口A_I/F作为传输地址信号的路径。作为示例，图2示出地址接口A_I/F中仅包括一个节点ADDR，但是地址接口A_I/F中可以包括一个或多个节点。地址接口A_I/F中将包括的节点的数量可以取决于存储器装置150的类型及其设计规范。
数据接口D_I/F可以是在控制器130和存储器装置150之间传输数据所通过的传输路径。例如，控制器130可以将写入数据与写入命令信号一起传输到存储器装置150。此外，存储器装置150可以响应于从控制器130接收的读取命令信号而执行读取操作，然后将通过执行读取操作而获得的读取数据传输到控制器130。数据接口D_I/F可以用作传输写入数据和读取数据的路径。作为示例，图2示出数据接口D_I/F中仅包括一个节点DATA，但是数据接口D_I/F中可以包括一个或多个节点。数据接口D_I/F中将包括的节点的数量可以取决于存储器装置150的类型及其设计规范。
参照图5，可以假设第一电源电压VCC和第二电源电压VCCQ中的至少一个的电平变化下降到低于相应的参考电平范围的最小电平REF_MIN<1>或REF_MIN<2>(S10)。因此，电平检测器1305可以启用第一检测信号DET<1>和第二检测信号DET<2>中的至少一个。因此，保护操作组件1303可以响应于被启用的第一检测信号DET<1>和/或第二检测信号DET<2>而进入保护模式。此外，如上所述，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第一保护操作，该第一保护操作生成事件信息EVEN和快照信息SNAP，并且将事件信息EVEN和快照信息SNAP存储在第一内部存储装置1301中。此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值。可以在进入保护模式时同时开始第一保护操作和第二保护操作。在图5所示的示例中，可以看出，生成快照信息SNAP并将快照信息SNAP存储在第一内部存储装置1301中的操作S30(即，第一保护操作)和第二保护操作的步骤S21至S23同时开始。
在下文中，下面参照图2和图5详细描述由保护操作组件1303执行的第二保护操作S21至S23。
如上所述，多个接口10可以包括命令接口C_I/F、地址接口A_I/F和数据接口D_I/F。保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将命令接口C_I/F的逻辑值固定为第一逻辑值，以停止存储器装置150的操作(S21)。也就是说，可以响应于在进入保护模式时从保护操作组件1303接收的逻辑固定信号(LFS)，将命令接口C_I/F固定为第一逻辑值。将命令接口C_I/F固定为第一逻辑值可以表示用于停止存储器装置150的操作的命令信号被控制为在被承载在命令接口C_I/F上的同时被传输到存储器装置150。在图5所示的示例中，在进入保护模式时将命令接口C_I/F中的“CE”节点固定为逻辑“高”并将“WE/RE”节点固定为逻辑“低”的操作可以是将命令接口C_I/F固定为第一逻辑值的操作。在一些实施例中，停止存储器装置150的操作可以表示存储器装置150不执行任何操作的状态，例如，表示当存储器装置150正在执行写入操作时，写入操作的运行立即停止。
此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将数据接口D_I/F的逻辑值固定为第二逻辑值(S22)。也就是说，可以响应于在进入保护模式时从保护操作组件1303接收的逻辑固定信号(LFS)，将数据接口D_I/F固定为第二逻辑值。将数据接口D_I/F固定为第二逻辑值可以表示将数据接口D_I/F上承载的信号的逻辑值固定为逻辑“高”或逻辑“低”。在图5所示的示例中，在进入保护模式时将数据接口D_I/F中包括的一个或多个“DATA”节点固定为逻辑“高”的操作可以是将数据接口D_I/F固定为第二逻辑值的操作。
此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将地址接口A_I/F的逻辑值固定为第三逻辑值，这基本上防止存储器装置150被访问(S23)。也就是说，可以响应于在进入保护模式时从保护操作组件1303接收的逻辑固定信号(LFS)，将地址接口A_I/F固定为第三逻辑值。将地址接口A_I/F固定为第三逻辑值可以表示通过地址接口A_I/F上承载的地址信号的值来控制存储器装置150中的任何存储区域不被选择并且不可访问(超出范围)。在图5所示的示例中，这可以是以下操作：将地址接口A_I/F中的所有“ADDR”节点固定为逻辑“高”，使得在进入保护模式时通过地址接口A_I/F传输到存储器装置150的地址信号的值全部为“0xF”。在一些实施例中，通过地址接口A_I/F上承载的地址信号的值来控制存储器装置150中的任何存储区域不可访问(超出范围)可以表示，地址接口A_I/F上承载了基本上防止存储器装置150中的任何存储区域被选择的地址信号的值。例如，假设存储器装置150包括1GB的存储区域，则当地址接口A_I/F上承载用于选择与2GB相对应的存储区域的地址信号的值时，存储器装置150不能响应于相应地址而选择该存储区域。因此，无法正常访问该存储区域。
重新参照图2，恢复操作组件1304可以响应于退出保护模式通过从第二内部存储装置1302接收恢复代码RVCD来进入恢复模式。此外，在进入恢复模式的状态下，恢复操作组件1304可以从第一内部存储装置1301接收事件信息EVEN和快照信息SNAP，并且对存储器装置150执行恢复操作。
具体地，保护操作组件1303可以响应于第一检测信号DET<1>和第二检测信号DET<2>两者的停用而退出保护模式，生成指示退出保护模式的保护模式退出信号PMEX，并且将保护模式退出信号PMEX传输到恢复操作组件1304。
因此，响应于由保护操作组件1303生成的保护模式退出信号PMEX，恢复操作组件1304可以通过从第二内部存储装置1302接收恢复代码RVCD来进入恢复模式。随后，在恢复模式下，恢复操作组件1304可以响应于事件信息EVEN和快照信息SNAP而执行恢复操作。恢复操作可以包括分类操作和错误校正操作。分类操作可以包括对存储器装置150中存储的数据之中发生错误的概率高于所设定的参考概率的数据进行分类，即识别。错误校正操作可以包括对通过分类操作识别出的数据中发生的错误进行校正。
原理如下，其中恢复操作组件1304可以通过事件信息EVEN和快照信息SNAP执行分类操作。
如上所述，事件信息EVEN可以包括操作信息OPI和执行信息PEI。
操作信息OPI可以表示可以收集的、与进入保护模式的操作有关的所有信息。因此，恢复操作组件1304可以通过操作信息OPI来确定进入保护模式的原因。在一些实施例中，通过确定第一电源电压VCC和第二电源电压VCCQ中的哪个电压电平异常地变化以导致进入保护模式，可以确定控制器130和存储器装置150内是否存在较高的概率发生错误，或者是否很有可能通过多个接口10传输非预期的信号。当已经由于第一电源电压VCC的电平的异常波动而进入保护模式时，很有可能已经在使用第一电源电压VCC作为操作电压的控制器130和存储器装置150内正在执行的操作中发生了错误。另一方面，当已经由于第二电源电压VCCQ的电平的异常变化而进入保护模式时，很有可能使用第二电源电压VCCQ作为操作电压的多个接口10上承载的信号可能代表非预期的逻辑值。
在一些实施例中，执行信息PEI可以指示在进入保护模式时是否已经正常执行了将多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值的第二保护操作。因此，恢复操作组件1304可以通过执行信息PEI来确定是否已经正常执行了第二保护操作。当确定在进入保护模式时已经正常地执行了第二保护操作时，多个接口10上承载的信号将影响存储器装置150的操作的可能性可以大大降低。另一方面，当确定在进入保护模式时没有正常地执行第二保护操作时，多个接口10上承载的信号将极大地影响存储器装置150的操作的可能性可能增加。
在一些实施例中，快照信息SNAP可以包括多个接口10上承载的信号的或待承载的信号的逻辑值。因此，恢复操作组件1304可以通过快照信息SNAP来确定存储器装置150正在执行或将执行的操作。特别地，恢复操作组件1304可以通过快照信息SNAP中的命令信号的逻辑值来确定存储器装置150正在执行或将执行的命令操作。类似地，恢复操作组件1304可以通过快照信息SNAP中的地址信号的逻辑值来确定存储器装置150的哪个存储区域进行或将进行命令操作。
以这种方式，恢复操作组件1304可以通过事件信息EVEN和快照信息SNAP来执行分类操作，该分类操作对存储器装置150中存储的数据之中发生错误的概率高于所设定的参考概率的数据进行分类。在执行分类操作之后，恢复操作组件1304可以执行错误校正操作，该错误校正操作对通过分类操作识别出的数据中发生的错误进行校正。错误校正操作可以包括：确认通过分类操作识别出的数据中是否实际上已经发生了错误的操作；以及当已经发生了错误时对错误进行校正的操作。校正错误的操作可能成功，或者可能不成功。恢复操作组件1304的错误校正操作可以根据已知技术来执行，例如，根据使用诸如以下的编码调制的错误校正技术来执行：低密度奇偶校验(LDPC)码、博斯-查德胡里-霍昆格姆(BCH)码、turbo码、里德-所罗门码、卷积码、递归系统码(RSC)、网格编码调制(TCM)和分组编码调制(BCM)；然而，可以使用任何合适的错误校正技术。此外，恢复操作组件1304可以包括用于执行错误校正的任何电路、模块、系统或装置。
图3是示出根据实施例的存储器系统110的特性操作的另一示例的示图。
图3示出了以下配置：存储器系统110响应于从外部源输入的两个电源电压VCC和VCCQ而生成四个电源电压VCC1、VCCQ1、VCC2和VCCQ2，然后使用四个电源电压VCC1、VCCQ1、VCC2和VCCQ2作为操作电压。也就是说，图2中的存储器系统110和图3中的存储器系统110之间在配置上的主要差异是用作操作电压的电源电压的数量。因此，在描述图3中的存储器系统110的配置和操作时，这种描述集中在对相对于图2中的存储器系统110的差异。
参照图3，存储器系统110可以包括电压生成器160，该电压生成器160从外部源接收第一电源电压VCC和第二电源电压VCCQ，并且生成第三电源电压VCC1、第四电源电压VCC2、第五电源电压VCCQ1和第六电源电压VCCQ2。
具体地，电压生成器160可以接收第一电源电压VCC并生成第三电源电压VCC1，该第三电源电压VCC1以第三参考电平为目标，并且可以用作存储器系统110中的控制器130的操作电压。此外，电压生成器160可以接收第一电源电压VCC并生成第四电源电压VCC2，该第四电源电压VCC2以第四参考电平为目标，并且可以用作存储器系统110中的存储器装置150的操作电压。此外，电压生成器160可以接收第二电源电压VCCQ并生成第五电源电压VCCQ1，该第五电源电压VCCQ1以高于第三参考电平的第五参考电平为目标，并且可以用作控制器130中的用于驱动多个接口10的电路的操作电压，该多个接口10用于在存储器装置150和控制器130之间传输信号。此外，电压生成器160可以接收第二电源电压VCCQ并生成第六电源电压VCCQ2，该第六电源电压VCCQ2以高于第四参考电平的第六参考电平为目标，并且可以用作存储器装置150中的用于驱动多个接口10的电路的操作电压，该多个接口10用于在存储器装置150和控制器130之间传输信号。
因此，控制器130中的第一内部存储装置1301、第二内部存储装置1302和保护操作组件1303中的每一个可以接收第三电源电压VCC1，并且使用第三电源电压VCC1作为操作电压。此外，存储器装置150中的用于驱动用于在控制器130和存储器装置150之间进行连接的多个接口10的电路可以接收第五电源电压VCCQ1，并且使用第五电源电压VCCQ1作为操作电压。此外，存储器装置150可以接收第四电源电压VCC2，并且使用第四电源电压VCC2作为操作电压。此外，存储器装置150中的用于驱动用于在存储器装置150和控制器130之间进行连接的多个接口10的电路可以接收第六电源电压VCCQ2，并且使用第六电源电压VCCQ2作为操作电压。
控制器130中的电平检测器1305可以检测第三电源电压VCC1的电平变化是否超过所设定的第三参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的第三检测信号DET<3>。此外，电平检测器1305可以检测第四电源电压VCC2的电平变化是否超过所设定的第四参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的第四检测信号DET<4>。此外，电平检测器1305可以检测第五电源电压VCCQ1的电平变化是否超过所设定的第五参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的第五检测信号DET<5>。此外，电平检测器1305可以检测第六电源电压VCCQ2的电平变化是否超过所设定的第六参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的第六检测信号DET<6>。
更具体地，参照图3和图5，优选地，第三电源电压VCC1基本上保持第三参考电平REF_TARGET<3>，但是这可能由于诸如噪声、静电和电力供应不稳定的各种原因而无法实现，并且第三电源电压VCC1的电压电平可能会波动。第三参考电平范围可以由最大第三参考电平REF_MAX<3>和最小第三参考电平REF_MIN<3>来限定，该REF_MAX<3>和REF_MIN<3>中的每一个距处于REF_MAX<3>和REF_MIN<3>中间的第三参考电平REF_TARGET<3>存在所设定的电平差。
此外，优选地，第四电源电压VCC2基本上保持第四参考电平REF_TARGET<4>，但是这可能由于诸如噪声、静电和电力供应不稳定的各种原因而无法实现，并且第四电源电压VCC2的电压电平可能会波动。第四参考电平范围可以由最大第四参考电平REF_MAX<4>和最小第四参考电平REF_MIN<4>来限定，该REF_MAX<4>和REF_MIN<4>中的每一个距处于REF_MAX<4>和REF_MIN<4>中间的第四参考电平REF_TARGET<4>存在所设定的电平差。
此外，优选地，第五电源电压VCCQ1基本上保持第五参考电平REF_TARGET<5>，但是这可能由于诸如噪声、静电和电力供应不稳定的各种原因而无法实现，并且第五电源电压VCCQ1的电压电平可能会波动。第五参考电平范围可以由最大第五参考电平REF_MAX<5>和最小第五参考电平REF_MIN<5>来限定，该REF_MAX<5>和REF_MIN<5>中的每一个距处于REF_MAX<5>和REF_MIN<5>中间的第五参考电平REF_TARGET<5>存在所设定的电平差。
此外，优选地，第六电源电压VCCQ2基本上保持第六参考电平REF_TARGET<6>，但是这可能由于诸如噪声、静电和电力供应不稳定的各种原因而无法实现，并且第六电源电压VCCQ2的电压电平可能会波动。第六参考电平范围可以由最大第六参考电平REF_MAX<6>和最小第六参考电平REF_MIN<6>来限定，该REF_MAX<6>和REF_MIN<6>中的每一个距处于REF_MAX<6>和REF_MIN<6>中间的第六参考电平REF_TARGET<6>存在所设定的电平差。
作为示例，图5示出第三参考电平REF_TARGET<3>、第四参考电平REF_TARGET<4>、第五参考电平REF_TARGET<5>和第六参考电平REF_TARGET<6>具有基本相同的电平，但是第五参考电平REF_TARGET<5>可以高于第三参考电平REF_TARGET<3>，第六参考电平REF_TARGET<6>可以高于第四参考电平REF_TARGET<4>。因为假设第五参考电平REF_TARGET<5>高于第三参考电平REF_TARGET<3>，所以最小第五参考电平REF_MIN<5>可以高于、等于或低于最大第三参考电平REF_MAX<3>。类似地，因为假设第六参考电平REF_TARGET<6>高于第四参考电平REF_TARGET<4>，所以最小第六参考电平REF_MIN<6>可以高于、等于或低于最大第四参考电平REF_MAX<4>。此外，第三参考电平REF_TARGET<3>和第四参考电平REF_TARGET<4>可以具有基本相同的电平或不同的电平。类似地，第五参考电平REF_TARGET<5>和第六参考电平REF_TARGET<6>可以具有基本相同的电平或不同的电平。
为了确保存储器系统110的稳定操作，重要的是第三电源电压VCC1的电平的任何变化都不超过第三参考电平范围。同样重要的是，第四电源电压VCC2的电平的任何变化都不超过第四参考电平范围。同样重要的是，第五电源电压VCCQ1的电平的任何变化都不超过第五参考电平范围。同样重要的是，第六电源电压VCCQ2的电平的任何变化都不超过第六参考电平范围。
也就是说，当以第三参考电平REF_TARGET<3>为目标的第三电源电压VCC1的电平在最大第三参考电平REF_MAX<3>和最小第三参考电平REF_MIN<3>之间变化时，可以看出，使用第三电源电压VCC1作为操作电压的控制器130稳定地操作。然而，当第三电源电压VCC1的电平上升到超过最大第三参考电平REF_MAX<3>或下降到低于最小第三参考电平REF_MIN<3>时，使用第三电源电压VCC1作为操作电压的控制器130可能不能稳定地操作。
当以第四参考电平REF_TARGET<4>为目标的第四电源电压VCC2的电平在最大第四参考电平REF_MAX<4>和最小第四参考电平REF_MIN<4>之间变化时，可以看出，使用第四电源电压VCC2作为操作电压的存储器装置150稳定地操作。然而，当第四电源电压VCC2的电平上升到超过最大第四参考电平REF_MAX<4>或下降到低于最小第四参考电平REF_MIN<4>时，使用第四电源电压VCC2作为操作电压的存储器装置150可能不能稳定地操作。
类似地，当以第五参考电平REF_TARGET<5>为目标的第五电源电压VCCQ1的电平在最大第五参考电平REF_MAX<5>和最小第五参考电平REF_MIN<5>之间变化时，可以看出，在控制器130中使用第五电源电压VCCQ1作为操作电压的用于驱动多个接口10的电路稳定地操作。然而，当第五电源电压VCCQ1的电平上升到超过最大第五参考电平REF_MAX<5>或下降到低于最小第五参考电平REF_MIN<5>时，在控制器130中使用第五电源电压VCCQ1作为操作电压的用于驱动多个接口10的电路可能不能稳定地操作。
当以第六参考电平REF_TARGET<6>为目标的第六电源电压VCCQ2的电平在最大第六参考电平REF_MAX<6>和最小第六参考电平REF_MIN<6>之间变化时，可以看出，在存储器装置150中使用第六电源电压VCCQ2作为操作电压的用于驱动多个接口10的电路稳定地操作。然而，当第六电源电压VCCQ2的电平上升到超过最大第六参考电平REF_MAX<6>或下降到低于最小第六参考电平REF_MIN<6>时，在存储器装置150中使用第六电源电压VCCQ2作为操作电压的用于驱动多个接口10的电路可能不能稳定地操作。
当第三电源电压VCC1的电平变化超过第三参考电平范围时，即，当第三电源电压VCC1的电平变化上升到超过最大第三参考电平REF_MAX<3>或下降到低于最小第三参考电平REF_MIN<3>时，电平检测器1305可以启用第三检测信号DET<3>。当第三电源电压VCC1的电平变化不超过第三参考电平范围时，即，当第三电源电压VCC1的电平变化仅仅上升到最大第三参考电平REF_MAX<3>或仅仅下降到最小第三参考电平REF_MIN<3>时，电平检测器1305可以停用第三检测信号DET<3>。
当第四电源电压VCC2的电平变化超过第四参考电平范围时，即，当第四电源电压VCC2的电平变化上升到超过最大第四参考电平REF_MAX<4>或下降到低于最小第四参考电平REF_MIN<4>时，电平检测器1305可以启用第四检测信号DET<4>。当第四电源电压VCC2的电平变化不超过第四参考电平范围时，即，当第四电源电压VCC2的电平变化仅仅上升到最大第四参考电平REF_MAX<4>或仅仅下降到最小第四参考电平REF_MIN<4>时，电平检测器1305可以停用第四检测信号DET<4>。
当第五电源电压VCCQ1的电平变化超过第五参考电平范围时，即，当第五电源电压VCCQ1的电平变化上升到超过最大第五参考电平REF_MAX<5>或下降到低于最小第五参考电平REF_MIN<5>时，电平检测器1305可以启用第五检测信号DET<5>。当第五电源电压VCCQ1的电平变化不超过第五参考电平范围时，即，当第五电源电压VCCQ1的电平变化仅仅上升到最大第五参考电平REF_MAX<5>或仅仅下降到最小第五参考电平REF_MIN<5>时，电平检测器1305可以停用第五检测信号DET<5>。
当第六电源电压VCCQ2的电平变化超过第六参考电平范围时，即，当第六电源电压VCCQ2的电平变化上升到超过最大第六参考电平REF_MAX<6>或下降到低于最小第六参考电平REF_MIN<6>时，电平检测器1305可以启用第六检测信号DET<6>。当第六电源电压VCCQ2的电平变化不超过第六参考电平范围时，即，当第六电源电压VCCQ2的电平变化仅仅上升到最大第六参考电平REF_MAX<6>或仅仅下降到最小第六参考电平REF_MIN<6>时，电平检测器1305可以停用第六检测信号DET<6>。
重新参照图3，保护操作组件1303可以响应于由电平检测器1305生成的第三检测信号DET<3>、第四检测信号DET<4>、第五检测信号DET<5>和第六检测信号DET<6>的启用和停用而确定进入和退出保护模式。也就是说，保护操作组件1303可以响应于第三检测信号DET<3>、第四检测信号DET<4>、第五检测信号DET<5>和第六检测信号DET<6>中的至少一个的启用而进入保护模式。此外，保护操作组件1303可以响应于由电平检测器1305生成的所有的第三检测信号DET<3>、第四检测信号DET<4>、第五检测信号DET<5>和第六检测信号DET<6>的停用而退出保护模式。
此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第一保护操作，该第一保护操作生成关于存储器系统110的状态的事件信息EVEN并生成多个接口10中的每一个的当前逻辑值作为快照信息SNAP，并且将事件信息EVEN和快照信息SNAP存储在第一内部存储装置1301中。此外，保护操作组件1303可以在进入保护模式时执行第二保护操作，该第二保护操作将多个接口10中的每一个固定为所设定的逻辑值。
可以由图3中的保护操作组件1303执行的第一保护操作和第二保护操作与可以由图2中的保护操作组件1303执行的第一保护操作和第二保护操作基本相同。不同之处可以在于，保护操作组件1303响应于第三检测信号DET<3>、第四检测信号DET<4>、第五检测信号DET<5>和第六检测信号DET<6>而生成操作信息OPI。也就是说，图3中的保护操作组件1303可以生成指示第三检测信号DET<3>是否已经被启用、第四检测信号DET<4>是否已经被启用、第五检测信号DET<5>是否已经被启用以及第六检测信号DET<6>是否已经被启用的操作信息OPI。
如上所述，图3中的保护操作组件1303在生成操作信息OPI时，使用第三检测信号DET<3>、第四检测信号DET<4>、第五检测信号DET<5>和第六检测信号DET<6>。因此，当通过操作信息OPI来确定进入保护模式的原因时，图3中的恢复操作组件1304可以比图2中的恢复操作组件1304更详细地确定原因。在一些实施例中，通过确定第三电源电压VCC1、第四电源电压VCC2、第五电源电压VCCQ1和第六电源电压VCCQ2中的哪个电压电平异常地波动以导致进入保护模式，可以确定控制器130或存储器装置150内是否存在较高的概率发生错误、是否很有可能在多个接口10之中通过用于允许控制器130驱动信号的电路传输非预期的信号，或者是否很有可能在多个接口10之中通过用于允许存储器装置150驱动信号的电路传输非预期的信号。
图4是示出根据实施例的存储器系统110的特性操作的另一示例的示图。
参照图4，存储器系统110可以从外部源接收四个电源电压VCC3、VCCQ3、VCC4和VCCQ4，即，第七电源电压VCC3、第八电源电压VCC4、第九电源电压VCCQ3和第十电源电压VCCQ4，并且使用它们作为操作电压。也就是说，图3中的存储器系统110和图4中的存储器系统110之间在配置上的主要差异是从外部源输入的电源电压的数量。
图3中的存储器系统110包括以下配置：响应于从外部源输入的第一电源电压VCC和第二电源电压VCCQ而生成第三电源电压VCC1、第四电源电压VCC2、第五电源电压VCCQ1和第六电源电压VCCQ2，并且使用第三电源电压VCC1、第四电源电压VCC2、第五电源电压VCCQ1和第六电源电压VCCQ2作为操作电压。另一方面，图4中的存储器系统110包括以下配置：使用从外部源输入的第七电源电压VCC3、第八电源电压VCC4、第九电源电压VCCQ3和第十电源电压VCCQ4作为操作电压。
总之，图3中的存储器系统110需要在存储器系统110中包括电压生成器160，以便响应于从外部源输入的第一电源电压VCC和第二电源电压VCCQ而生成第三电源电压VCC1、第四电源电压VCC2、第五电源电压VCCQ1和第六电源电压VCCQ2。另一方面，因为图4中的存储器系统110从外部源直接接收被用作操作电压的第七电源电压VCC3、第八电源电压VCC4、第九电源电压VCCQ3和第十电源电压VCCQ4，所以该存储器系统110不需要诸如图3中的电压生成器160的组件。
此外，图3中的存储器系统110被配置为响应于从外部源输入的第一电源电压VCC而生成第三电源电压VCC1和第四电源电压VCC2，并且响应于第二电源电压VCCQ而生成第五电源电压VCCQ1和第六电源电压VCCQ2。因此，当第一电源电压VCC的电平异常地变化时，第三电源电压VCC1和第四电源电压VCC2的电平也可能异常地变化。类似地，当第二电源电压VCCQ的电平异常地变化时，第五电源电压VCCQ1和第六电源电压VCCQ2的电平也可能异常地变化。
另一方面，图4中的存储器系统110从外部源直接接收被用作操作电压的第七电源电压VCC3、第八电源电压VCC4、第九电源电压VCCQ3和第十电源电压VCCQ4。因此，第七电源电压VCC3、第八电源电压VCC4、第九电源电压VCCQ3和第十电源电压VCCQ4的电平独立地变化。因此，在图4中的存储器系统110的情况下，两个或更多个特定电源电压的电平将同时异常地变化的可能性较低。
如上所述，根据本发明的实施例，当被供应到存储器系统110的电源电压VCC的电平发生变化使得其超出参考电平范围时，可以结合硬件来执行用于确保存储器装置的可靠性的保护操作，然后当外部供应的电源电压的电平稳定时，可以结合软件来执行用于确保存储器装置的可靠性的恢复操作。因此，即使在被供应到存储器系统110的电源电压的电平偏离参考电平范围时，也可以确保存储器系统110的操作稳定性。
尽管已经示出并描述了各个实施例，但是对于本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离如所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。

Claims (19)

1.一种存储器系统，包括：
存储器装置；以及
控制器，通过多个接口可操作地联接到所述存储器装置，
其中所述控制器包括：
第一内部存储装置，具有易失性特性；
第二内部存储装置，具有非易失性特性，并且存储恢复代码；
电平检测器，检测电源电压的电平变化是否分别超过参考电平范围，并且生成与检测的结果相对应的检测信号；
保护操作组件，响应于所述检测信号而确定进入和退出保护模式，并且在进入所述保护模式时执行第一保护操作，所述第一保护操作生成关于所述存储器系统的状态的事件信息、生成所述多个接口中的每一个的逻辑值作为快照信息以及将所述事件信息和所述快照信息存储在所述第一内部存储装置中，并且所述保护操作组件进一步执行第二保护操作，所述第二保护操作将所述多个接口中的每一个固定为所设定的逻辑值；以及
恢复操作组件，响应于所述存储器系统退出所述保护模式而从所述第二内部存储装置接收所述恢复代码，进入恢复模式，从所述第一内部存储装置接收所述事件信息和所述快照信息，并且对所述存储器装置执行恢复操作。
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述保护操作组件在响应于所述检测信号而进入所述保护模式时生成操作信息和执行信息，并且将所述操作信息和所述执行信息存储在所述第一内部存储装置中作为所述事件信息，所述操作信息与进入所述保护模式的操作有关，所述执行信息指示所述第二保护操作是否已经完成。
3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述控制器进一步包括：
缓冲器，缓冲待通过所述多个接口传输到所述存储器装置的信号，
其中所述保护操作组件在进入所述保护模式时生成由所述缓冲器缓冲的信号的逻辑值作为所述快照信息，并且将所述快照信息存储在所述第一内部存储装置中。
4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述恢复操作组件在所述恢复模式下响应于所述事件信息和所述快照信息而识别所述存储器装置中存储的数据之中发生错误的概率高于参考概率的数据，并且对所识别出的数据执行错误校正操作。
5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述电源电压包括：
第一电源电压，以第一参考电平为目标，并且用作所述控制器和所述存储器装置的操作电压；以及
第二电源电压，以第二参考电平为目标，并且用作所述多个接口的操作电压，所述第二参考电平大于所述第一参考电平。
6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中所述参考电平范围包括所述第一参考电平是中间电平的第一参考电平范围以及所述第二参考电平是中间电平的第二参考电平范围，并且
其中所述电平检测器在所述第一电源电压超过所述第一参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第一参考电平范围的最小电平时启用所述检测信号中的第一检测信号，并且
在所述第二电源电压超过所述第二参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第二参考电平范围的最小电平时启用所述检测信号中的第二检测信号。
7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中所述保护操作组件响应于所述第一检测信号和所述第二检测信号中的至少一个的启用而进入所述保护模式，并且响应于所述第一检测信号和所述第二检测信号两者的停用而退出所述保护模式。
8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中所述保护操作组件生成所述操作信息，所述操作信息指示所述第一检测信号是否已经被启用以及所述第二检测信号是否已经被启用。
9.根据权利要求5所述的存储器系统，进一步包括：
电压生成器，接收所述第一电源电压并生成第三电源电压，所述第三电源电压以第三参考电平为目标并用作所述控制器的操作电压；接收所述第一电源电压并生成第四电源电压，所述第四电源电压以第四参考电平为目标并用作所述存储器装置的操作电压；接收所述第二电源电压并生成第五电源电压，所述第五电源电压以第五参考电平为目标并用作所述控制器中的驱动所述多个接口的电路的操作电压，所述第五参考电平大于所述第三参考电平；接收所述第二电源电压并生成第六电源电压，所述第六电源电压以第六参考电平为目标并用作所述存储器装置中的驱动所述多个接口的电路的操作电压，所述第六参考电平大于所述第四参考电平。
10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述参考电平范围包括所述第三参考电平是中间电平的第三参考电平范围、所述第四参考电平是中间电平的第四参考电平范围、所述第五参考电平是中间电平的第五参考电平范围以及所述第六参考电平是中间电平的第六参考电平范围，并且
其中所述电平检测器在所述第三电源电压超过所述第三参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第三参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第三检测信号，
在所述第四电源电压超过所述第四参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第四参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第四检测信号，
在所述第五电源电压超过所述第五参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第五参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第五检测信号，并且
在所述第六电源电压超过所述第六参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第六参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第六检测信号。
11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述保护操作组件响应于所述第三检测信号至所述第六检测信号中的任意一个检测信号的启用而进入所述保护模式，并且响应于所述第三检测信号至所述第六检测信号的全部停用而退出所述保护模式。
12.根据权利要求11所述的存储器系统，其中所述保护操作组件生成所述操作信息，所述操作信息指示所述第三检测信号是否已经被启用、所述第四检测信号是否已经被启用、所述第五检测信号是否已经被启用以及所述第六检测信号是否已经被启用。
13.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述电源电压包括：
第七电源电压，以第七参考电平为目标并用作所述控制器的操作电压；
第八电源电压，以第八参考电平为目标并用作所述存储器装置的操作电压；
第九电源电压，以第九参考电平为目标并用作所述控制器中的驱动所述多个接口的电路的操作电压，所述第九参考电平大于所述第七参考电平；以及
第十电源电压，以第十参考电平为目标并用作所述存储器装置中的驱动所述多个接口的电路的操作电压，所述第十参考电平大于所述第八参考电平。
14.根据权利要求13所述的存储器系统，其中所述参考电平范围包括所述第七参考电平是中间电平的第七参考电平范围、所述第八参考电平是中间电平的第八参考电平范围、所述第九参考电平是中间电平的第九参考电平范围以及所述第十参考电平是中间电平的第十参考电平范围，并且
所述电平检测器在所述第七电源电压超过所述第七参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第七参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第七检测信号，
在所述第八电源电压超过所述第八参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第八参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第八检测信号，
在所述第九电源电压超过所述第九参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第九参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第九检测信号，并且
在所述第十电源电压超过所述第十参考电平范围的最大电平或者下降到低于所述第十参考电平范围的最小电平时，启用所述检测信号中的第十检测信号。
15.根据权利要求14所述的存储器系统，其中所述保护操作组件响应于所述第七检测信号至所述第十检测信号中的任意一个的启用而进入所述保护模式，并且响应于所述第七检测信号至所述第十检测信号的全部停用而退出所述保护模式。
16.根据权利要求15所述的存储器系统，其中所述保护操作组件生成所述操作信息，所述操作信息指示所述第七检测信号是否已经被启用、所述第八检测信号是否已经被启用、所述第九检测信号是否已经被启用以及所述第十检测信号是否已经被启用。
17.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述多个接口包括命令接口、地址接口和数据接口，并且
所述保护操作组件在进入所述保护模式时执行所述第二保护操作，所述第二保护操作将所述命令接口的逻辑值固定为第一逻辑值以停止所述存储器装置的操作，将所述数据接口的逻辑值固定为第二逻辑值，并且将所述地址接口的逻辑值固定为防止所述存储器装置被访问的第三逻辑值。
18.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述保护操作组件在进入所述保护模式时同时开始所述第一保护操作和所述第二保护操作。
19.一种存储器系统，包括：
存储器装置；
控制器，包括易失性存储装置和存储恢复代码的非易失性存储装置；以及
多个接口，位于所述控制器与所述存储器装置之间，
其中所述控制器：
检测第一电压和第二电压是否超过各自的参考电平范围，所述第一电压操作所述控制器和所述存储器装置，所述第二电压操作所述多个接口；
当检测到所述第一电压和所述第二电压中的一个超过相应的参考电平范围时，进入保护模式，以将事件信息和快照信息存储在所述易失性存储装置中，所述事件信息与所述保护模式相关联，并且所述快照信息与所述多个接口相关联；并且
响应于所述存储器系统退出所述保护模式而进入恢复模式，从所述非易失性存储装置接收所述恢复代码并从所述易失性存储装置接收所述事件信息和所述快照信息，使用所述恢复代码、所述事件信息和所述快照信息，在所述存储器装置中存储的数据项之中选择至少一个数据项，并且对所选择的至少一个数据项执行错误校正操作。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230026712A1 (en) * 2021-07-22 2023-01-26 Micron Technology, Inc. Generating system memory snapshot on memory sub-system with hardware accelerated input/output path

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004295964A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 誤書込み防止回路および該誤書込み防止回路を含む半導体装置
US20120089766A1 (en) * 2010-10-08 2012-04-12 Phison Electronics Corp. Non-volatile memory storage apparatus, memory controller and data storing method
US20130021852A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory and method of controlling thereof
CN104205044A (zh) * 2012-03-19 2014-12-10 英特尔公司 指令包括在操作数中的防恶意软件保护操作
US20160118821A1 (en) * 2014-10-22 2016-04-28 Mitsumi Electric Co., Ltd. Battery protection circuit, battery protection apparatus, and battery pack
CN107957849A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 爱思开海力士有限公司 存储器系统及其操作方法
CN110692100A (zh) * 2017-06-05 2020-01-14 Arm有限公司 用于存储器设备操作的方法、系统和设备
US20200126620A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives In memory computing (imc) memory circuit having 6t cells

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4662550B2 (ja) * 2005-10-20 2011-03-30 株式会社日立製作所 ストレージシステム
US8321380B1 (en) * 2009-04-30 2012-11-27 Netapp, Inc. Unordered idempotent replication operations
US8453000B2 (en) * 2010-08-31 2013-05-28 Infinidat Ltd. Method and system for reducing power consumption in an emergency shut-down situation
KR101451745B1 (ko) 2011-10-13 2014-10-17 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치 및 이의 구동회로
KR101869866B1 (ko) 2011-11-07 2018-06-22 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
US9846468B2 (en) * 2015-06-24 2017-12-19 Xitore, Inc. Apparatus, system, and method of storage and retrieval of local volatile memory content of non-volatile storage memory
US10635715B2 (en) * 2016-05-09 2020-04-28 Numecent Holdings, Inc. Remote virtualized asset delivery and local provisioning
US10133637B2 (en) 2016-08-04 2018-11-20 Dell Products L.P. Systems and methods for secure recovery of host system code
US10613974B2 (en) * 2016-10-04 2020-04-07 Pure Storage, Inc. Peer-to-peer non-volatile random-access memory
KR20200114017A (ko) 2019-03-27 2020-10-07 에스케이하이닉스 주식회사 컨트롤러 및 그 동작 방법
US11726851B2 (en) * 2019-11-05 2023-08-15 EMC IP Holding Company, LLC Storage management system and method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004295964A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 誤書込み防止回路および該誤書込み防止回路を含む半導体装置
US20120089766A1 (en) * 2010-10-08 2012-04-12 Phison Electronics Corp. Non-volatile memory storage apparatus, memory controller and data storing method
US20130021852A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory and method of controlling thereof
CN104205044A (zh) * 2012-03-19 2014-12-10 英特尔公司 指令包括在操作数中的防恶意软件保护操作
US20160118821A1 (en) * 2014-10-22 2016-04-28 Mitsumi Electric Co., Ltd. Battery protection circuit, battery protection apparatus, and battery pack
CN107957849A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 爱思开海力士有限公司 存储器系统及其操作方法
CN110692100A (zh) * 2017-06-05 2020-01-14 Arm有限公司 用于存储器设备操作的方法、系统和设备
US20200126620A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives In memory computing (imc) memory circuit having 6t cells

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