CN113921589A - 一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，包括：衬底；氧化镓纳米膜，位于衬底的上表面中段，其在太阳光盲区探测器的制备过程中经过了氧气退火处理；源电极和漏电极，分别位于衬底的上表面的氧化镓纳米膜两侧并搭接氧化镓纳米膜；钝化层，覆盖在氧化镓纳米膜的上表面，从钝化层的上表面中部向下刻蚀有深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽；栅介质，覆盖栅极凹槽的表面以及钝化层的上表面；栅电极，覆盖在栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方，形成栅电极的栅金属的厚度为14nm±4nm，以使太阳光盲区的光波能够穿过，栅电极的偏置电压的设计值为0V。本发明提供的太阳光盲区探测器的功耗较低。
Description
技术领域
本发明属于太阳光盲区探测技术领域，具体涉及一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器。
背景技术
在太阳光穿过大气层的时候，波长小于280nm的光被大气层吸收，所以这部分波段的光在地球表面是极少存在的，所以我们称这部分波段的光为太阳光盲区。基于以上特征，在太阳光盲区进行信号探测具有背景噪声干扰小、虚警律低的优点，这使得太阳光盲区探测器被广泛地应用到导弹追踪，空间通讯等国防领域，同时还在火焰探测、医疗等民用领域有较为广泛的应用。
目前的太阳光盲区探测器为了能获取较高的探测性能，往往需要加载较高的外部激励电压，这使得现有的太阳光盲区探测器的功耗普遍较高。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的上述技术问题，本发明提供了一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器。
本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，包括：
衬底；
氧化镓纳米膜，位于所述衬底的上表面中段；所述氧化镓纳米膜在所述氧化镓基太阳光盲区探测器的制备过程中经过了氧气退火处理；
源电极和漏电极，分别位于所述衬底的上表面的所述氧化镓纳米膜两侧，且均搭接所述氧化镓纳米膜；
钝化层，覆盖在所述氧化镓纳米膜的上表面；其中，从所述钝化层的上表面中部向下刻蚀有深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽；
栅介质，覆盖所述栅极凹槽的表面以及所述钝化层的上表面；
栅电极，覆盖在所述栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方；其中，形成所述栅电极的栅金属的厚度为14nm±4nm，以使太阳光盲区的光波能够穿过；并且，所述栅电极的偏置电压的设计值为0V。
优选地，所述基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器还包括：零偏置电路；所述零偏置电路用于向所述栅电极提供零偏置电压。
优选地，所述基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器还包括：透光绝缘层；所述透光绝缘层覆盖在所述栅电极上方。
优选地，所述氧化镓纳米膜的掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1018cm-3，厚度为60nm～300nm。
优选地，所述钝化层包括：SiO2(二氧化硅)钝化层或SiN(氮化硅)钝化层。
优选地，所述源电极和所述漏电极均为Ti(钛)和Au(金)形成的叠层。
优选地，所述栅介质包括：Al2O3(氧化铝)、HfO2(二氧化铪)或者两者形成的叠层。
优选地，所述栅金属为Ni(镍)和Au形成的叠层。
优选地，所述衬底包括：蓝宝石衬底或硅衬底。
本发明实施例还提供了一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器的制备方法，包括：
获取衬底，并在所述衬底的上表面中段放置氧化镓纳米膜；
在所述衬底的上表面的所述氧化镓纳米膜的两侧蒸镀欧姆金属，以分别形成源电极和漏电极；所述源电极和所述漏电极均搭接所述氧化镓纳米膜；
在所述氧化镓纳米膜的上表面淀积钝化层；
从所述钝化层的上表面中部向下刻蚀，形成深至所述氧化镓纳米膜的栅极凹槽；
进行氧气退火处理；
在所述栅极凹槽的表面以及所述钝化层的上表面淀积栅介质；
在所述栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方淀积厚度为14nm±4nm的栅金属，形成能够使太阳光盲区的光波穿过的栅电极；所述栅电极的偏置电压的设计值为0V。
本发明提供的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，采用三端口的金属-氧化物-半导体场效应管(MOS)结构；基于该结构，本发明一方面设置了深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽，使得栅极区域的氧化镓纳米膜的厚度较小，更容易耗尽沟道；另一方面，本发明在制备器件的过程中对氧化镓纳米膜进行过氧气退火处理，可以使靠近栅极区域的氧化镓中的施主杂质被热氧化，降低了栅极区域的电子浓度；基于两方面的综合因素，可显著增加器件的阈值电压，从而使得本发明提供的氧化镓基太阳光盲区探测器在栅极的偏置电压为0V的条件下即可工作，即在该氧化镓基太阳光盲区探测器工作在0V的栅极偏置电压下时，只要有太阳光盲区的光波照射到器件表面即可产生光响应实现太阳光盲区探测，即本发明提供的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器可在低功耗条件下实现太阳光盲区探测。
以下将结合附图及对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器在无光照条件以及在波长为254nm的光照条件下的电流–电压曲线；
图3是本发明实施例提供的一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器的制备方法流程图；
图4(a)至图4(f)以图形化的方式示出了本发明实施例中制备氧化镓基太阳光盲区探测器的流程。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
为了在低功耗条件下实现太阳光盲区探测，本发明实施例提供了一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器。参见图1所示，该氧化镓基太阳光盲区探测器包括：衬底10、氧化镓纳米膜20、源电极40、漏电极70、钝化层30、栅介质50以及栅电极60。
其中，氧化镓纳米膜20，位于衬底10的上表面中段。该氧化镓纳米膜20在氧化镓基太阳光盲区探测器的制备过程中经过了氧气退火处理。
高质量的单晶Ga2O3(氧化镓)可以通过熔体生长方法得到，制备成本低；并且，Ga2O3具有较高的日盲区(太阳光盲区)光信号吸收率，可有效的吸收日盲区的光信号，实现对于日盲区光信号的高效探测；另外，通过对Ga2O3进行故意掺杂，可实现从1×1015cm-3～1×1020cm-3的超宽范围的电子浓度调控，使电阻率可在15个数量级范围内自由调节；而且Ga2O3还具备很高的临界击穿电场以及优异的热和化学稳定性。因此，本发明实施例采用氧化镓纳米膜20来作为太阳光盲区探测器中的半导体材料。
优选地，该氧化镓纳米膜20的掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1018cm-3，厚度为60nm～300nm。
另外，衬底10可以采用蓝宝石衬底或者硅衬底等。
源电极40和漏电极70，分别位于衬底10的上表面的氧化镓纳米膜20两侧，且均搭接中间的氧化镓纳米膜20。
可选地，源电极40和漏电极70为Ti和Au形成的叠层，当然并不局限于此。
钝化层30，覆盖在氧化镓纳米膜20的上表面；其中，从钝化层30的上表面中部向下刻蚀有深至氧化镓纳米膜20内部的栅极凹槽。
这里，刻蚀该栅极凹槽的主要目的在于减薄栅极区域的氧化镓纳米膜20的厚度，从而使得器件在工作时更容易耗尽沟道。
钝化层30可以包括：SiO2钝化层30或SiN钝化层30，并不局限于此。
栅介质50，覆盖栅极凹槽的表面以及钝化层30的上表面。
可选地，该栅介质50可以包括Al2O3、HfO2或者他们两者形成的叠层。
栅电极60，覆盖在栅极凹槽内以及两侧的栅介质50上方；其中，形成栅电极60的栅金属的厚度为14nm±4nm，以使太阳光盲区的光波能够穿过；并且，栅电极60的偏置电压的设计值为0V。其中，栅金属可以为Ni和Au形成的叠层，并不局限于此。
发明人通过实验发现，厚度在14nm±4nm的栅金属足够薄到可以使太阳光盲区的光波穿过；在此基础上，当氧化镓基太阳光盲区探测器工作在0V的栅极偏置电压下时，只要有太阳光盲区的光波照射到器件表面即可产生光响应实现太阳光盲区探测。
通常来说，MOS管的栅极都要接一定大小的偏置电压；当想要采用MOS管结构实现太阳光盲区探测时，为了降低MOS管的关态电流，从而使MOS管能够在较低的噪声下实现探测，需要给MOS管施加较高的栅极偏置电压来耗尽沟道，这样一来太阳光盲区探测器的功耗势必会很高。为了降低功耗，本发明实施例提供的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器在MOS结构基础上，一方面设置了深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽，使得栅极区域的氧化镓纳米膜的厚度较小，更容易耗尽沟道；另一方面，本发明实施例在制备器件的过程中对氧化镓纳米膜进行过氧气退火处理，可以使靠近栅极区域的氧化镓中的施主杂质被热氧化，降低了栅极区域的电子浓度；综合上述两方面的因素，可显著增加器件的阈值电压，从而使得本发明实施例提供的氧化镓基太阳光盲区探测器工作在0V的栅极偏置电压下时，只要有太阳光盲区的光波照射到器件表面(主要是照射到栅极凹槽底面的栅金属)即可产生光响应实现太阳光盲区探测，由此实现了低功耗条件下的太阳光盲区探测。
在实际应用中，在栅电极60的偏置电压的设计值为0V的保证下，本发明实施例提供的氧化镓基太阳光盲区探测器的栅电极60可悬空使用，无需外接偏置电路，从而可有效减小太阳光盲区探测器所在系统的复杂度。
在一种可选实现方式中，为了使栅电极60的电位始终精确地保持在零电位，在图1所示的氧化镓基太阳光盲区探测器基础上，本发明实施例提供的氧化镓基太阳光盲区探测器还可以进一步包括：零偏置电路，该零偏置电路用于向栅电极60提供零偏置电压，具体来说提供的是精准的零偏置电压。这种实现方式较为适合对探测精度要求较高的场景。
零偏置电路的具体电路结构不是本发明实施例的发明点，本发明实施例对此不做限定，可使用现有的任一种零偏置电路。
在另一种可选实现方式中，在图1所示的氧化镓基太阳光盲区探测器基础上，本发明实施例提供的氧化镓基太阳光盲区探测器还可以在栅电极60的上方覆盖一层透光绝缘层，这样可以杜绝空间中的电子对悬空的栅电极60的零电位产生影响，确保太阳光盲区探测器的检测精度。其中，透光绝缘层可以采用玻璃或者环氧树脂等材料制成。
上述两种实现方式可以合并为一个新的实施例，该实施例中，零偏置电路输出的零偏置电压接氧化镓基太阳光盲区探测器的栅电极60，并且该栅电极60的上方还覆盖着一层透光绝缘层。
为了验证本发明实施例的有效性，测试了本发明实施例提供的氧化镓基太阳光盲区探测器在无光照条件以及在波长254nm的光照条件下的电流–电压曲线(图2)。测试过程中，源电极和漏电极所接电压保持不变，给栅电极外接的偏置电压从-10V变换到10V。参见图2所示，在栅电极的偏置电压为0V时，氧化镓基太阳光盲区探测器处于关断状态(如图2的实线所示)；当施加波长为254nm的光照时，氧化镓基太阳光盲区探测器产生了很明显的光响应(如图2的虚线所示)，其中，该氧化镓基太阳光盲区探测器在波长254nm的光照条件下具有5.4×106的光暗电流比，基于图2所示的数据进行计算可以得到，本发明实施例提供的氧化镓基太阳光盲区探测器可具有6.0×106A/W的响应度，2.9×107％的量子效率以及3.3×1018Jones(琼斯)的探测度，完全满足在实际当中的应用。其中，响应度、量子效率以及探测度的计算方式如下：
R表示响应度，Iphoto表示光电流，Idark表示暗电流，P254nm表示在波长254nm的光照条件下的光功率密度，S表示有效光照面积，EQE表示量子效率，h表示普朗克常数，c表示光速，q表示元电荷，λ表示光波的波长，D*表示探测度。
相应于上述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，本发明实施例还提供了该氧化镓基太阳光盲区探测器的制备方法。如图3所示，该制备方法包括以下步骤：
S1：获取衬底，并在衬底的上表面中段放置氧化镓纳米膜。
图4(a)形象地示出了该步骤S1的执行过程。
该步骤S1可以包括下述的多个子步骤：
(1-a)清洗衬底。
具体的，将衬底依次放入食人鱼溶液、去离子水、丙酮、酒精、去离子水中清洗，总清洗时长可以为15～20分钟。
(1-b)在衬底的上表面中段制作定位标记，该定位标记用于定位氧化镓纳米膜。
具体的，光刻出十字形的定位标记的图形，然后在该图形上淀积金属钨，得到定位标记。其中，钨的厚度约在80nm±10nm左右。
需要说明的是，制作定位标记的步骤(1-b)并不是必须的。例如在生产线上生产氧化镓基太阳光盲区探测器时，可借助激光定位或其他定位手段来实现定位。
(1-c)向衬底的上表面中段放置氧化镓纳米膜。
具体的，实际中可预先制备好目标尺寸的氧化镓纳米膜，利用胶带或者其他辅助装置将氧化镓纳米膜放置到衬底上，待静置一段时间后，纳米膜与衬底通过分子间的范德华力便可结合在一起。
其中，预先制备氧化镓纳米膜时需要对所采用的氧化镓材料依次放入丙酮、酒精、去离子水中超声清洗15～20分钟。另外，利用氧化镓材料制备氧化镓纳米膜的过程中，可使用胶带从氧化镓材料上进行粘取，并使用台阶仪对氧化镓纳米膜进行厚度以及宽度的测量。最终放置到衬底上的氧化镓纳米膜的厚度为60nm～300nm。
(1-d)清洗附着有氧化镓纳米膜的衬底。
将附着有氧化镓纳米膜的衬底依次放入丙酮、酒精、去离子水中超声清洗15～20分钟。
S2：在衬底的上表面的氧化镓纳米膜的两侧蒸镀欧姆金属，以分别形成源电极和漏电极。
该源电极和漏电极均搭接中间的氧化镓纳米膜。
图4(b)形象地示出了该步骤S2的执行过程。
该步骤S2可以包括下述的多个子步骤：
(2-a)在衬底的上表面两侧以及氧化镓纳米膜两侧光刻源电极图形和漏电极图形。
(2-b)使用电子束蒸发工艺，分别在源电极图形和漏电极图形上蒸镀欧姆金属，形成源电极和漏电极。其中，所蒸镀的欧姆金属的厚度约120nm～180nm左右。
(2-c)在氮气氛围下进行高温快速退火。
举例而言，在氮气氛围下进行480℃退火60秒。
S3：在氧化镓纳米膜的上表面淀积钝化层。
图4(c)形象地示出了该步骤S3的执行过程。
该步骤S3可以包括下述的多个子步骤：
(3-a)预处理氧化镓纳米膜的表面。
具体的，将制备好源电极、漏电极的样品放入PEALD(Plasma Enhanced AtomicLayer Deposition，等离子体增强原子层沉积)设备，在300℃的腔室温度下，对氧化镓纳米膜表面进行20分钟的原位臭氧处理，以提高氧化镓纳米膜的表面质量。
(3-b)在预处理后氧化镓纳米膜表面淀积钝化层。
具体的，将预处理完的样品放入ICPCVD(Inductive Coupled Plasma ChemicalVapor Deposition，电感耦合等离子体化学气相沉积)腔室中，在130℃±20℃温度下生长钝化层。
其中，钝化层的厚度可以为200nm±50nm。
S4：从钝化层的上表面中部向下刻蚀，形成深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽。
图4(d)形象地示出了该步骤S4的执行过程。
该步骤S4可以包括下述的多个子步骤：
(4-a)光刻栅极凹槽的图形。
具体的，在淀积完钝化层的样品的上表面中部光刻出栅极凹槽的图形。
(4-b)按照栅极凹槽的图像进行光刻。
具体的，将样品放入RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)刻蚀机腔室中，以按照该图形刻蚀出栅极凹槽。
优选地，参照图1所示的器件放置方向，该栅极凹槽的横向尺寸可以为1.5μm～3μm。
S5：进行氧气退火处理。
该步骤S5可以包括下述的多个子步骤：
(5-a)清洗刻蚀完的样品。
具体的，将刻蚀完的样品分别放置于丙酮、酒精以及水当中进行超声清洗10～15分钟，然后利用氮气枪将样品吹干。
(5-b)在氧气氛围下对清洗完的样品进行快速热退火。
具体的，将清洗完的样品放入RTP(Rapid Thermal Processing，快速热处理)设备中，在氧气氛围下进行快速热退火处理，退火温度475℃±25℃，时间15～25分钟。
S6：在栅极凹槽的表面以及钝化层的上表面淀积栅介质。
图4(e)形象地示出了该步骤S6的执行过程。
具体的，将样品放入PEALD腔室，在300℃温度下进行栅介质的生长，生长的厚度约15nm～20nm。
S7：在栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方淀积厚度为14nm±4nm的栅金属，形成能够使太阳光盲区的光波穿过的栅电极，该栅电极的偏置电压的设计值为0V。
图4(f)形象地示出了该步骤S7的执行过程。
该步骤S7可以包括下述的多个子步骤：
(7-a)光刻栅电极的图形。
具体的，在栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方光刻栅电极的图形。
(7-b)在栅电极的图形上淀积栅金属。
具体的，使用电子束蒸发设备在栅电极的图形上淀积栅金属，厚度约为14nm±4nm。
由此，完成了氧化镓基太阳光盲区场效应光晶体管的制备。
另外，如果氧化镓基太阳光盲区场效应光晶体管后续在使用时需要通过探针对源、漏电极进行加电，则可以进一步在源、漏电极上进行开孔，以便容纳探针。具体的操作方式可以是先光刻出开孔的图形，然后将样品放入RIE刻蚀机腔室中进行干法刻蚀。
在一个优选的实施例中，上述步骤S1中获取的衬底为蓝宝石衬底，其尺寸为1cm×1cm；该步骤S1的子步骤(1-b)中制作的定位标记是厚度为80nm的十字形钨标记。
相应的，上述步骤S2的子步骤(2-b)中蒸镀的欧姆金属的厚度为120nm。
相应的，上述步骤S3的子步骤(3-b)中生长的是厚度为200nm的SiN钝化层或SiO2钝化层，生长时的环境温度为130℃。
相应的，上述步骤S5的子步骤(5-b)中进行氧气退火时的退火温度为500℃，时间为20分钟。
相应的，上述步骤S6中生长的是厚度为15nm的Al2O3，或者生长的是厚度为18nm的HfO2。
相应的，上述步骤S7的子步骤(7-b)中淀积的栅金属的厚度为14nm。
本发明实施例提供的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器的制备方法中，一方面通过刻蚀栅极凹槽对栅极区域的氧化镓纳米膜进行了减薄处理，使得器件更容易耗尽沟道；另一方面对氧化镓纳米膜进行过氧气退火处理，可以使靠近栅极区域的氧化镓中的施主杂质被热氧化，降低了栅极区域的电子浓度；基于两方面的综合因素，可显著增加器件的阈值电压，从而使得利用该制备方法所制备的氧化镓基太阳光盲区探测器在栅极的偏置电压为0V的条件下即可工作，即在该氧化镓基太阳光盲区探测器工作在0V的栅极偏置电压下时，只要有太阳光盲区的光波照射到器件表面即可产生光响应实现太阳光盲区探测，即可在低功耗条件下实现太阳光盲区探测。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
尽管在此结合各实施例对本申请进行了描述，然而，在实施所要求保护的本申请过程中，本领域技术人员通过查看所述附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现所述公开实施例的其他变化。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，包括：
衬底；
氧化镓纳米膜，位于所述衬底的上表面中段；所述氧化镓纳米膜在所述氧化镓基太阳光盲区探测器的制备过程中经过了氧气退火处理；
源电极和漏电极，分别位于所述衬底的上表面的所述氧化镓纳米膜两侧，且均搭接所述氧化镓纳米膜；
钝化层，覆盖在所述氧化镓纳米膜的上表面；其中，从所述钝化层的上表面中部向下刻蚀有深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽；
栅介质，覆盖所述栅极凹槽的表面以及所述钝化层的上表面；
栅电极，覆盖在所述栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方；其中，形成所述栅电极的栅金属的厚度为14nm±4nm，以使太阳光盲区的光波能够穿过；并且，所述栅电极的偏置电压的设计值为0V。
2.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，还包括：零偏置电路；所述零偏置电路用于向所述栅电极提供零偏置电压。
3.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，还包括：透光绝缘层；所述透光绝缘层覆盖在所述栅电极上方。
4.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，所述氧化镓纳米膜的掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1018cm-3，厚度为60nm～300nm。
5.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，所述钝化层包括：SiO2钝化层或SiN钝化层。
6.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，所述源电极和所述漏电极均为Ti和Au形成的叠层。
7.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，所述栅介质包括：Al2O3、HfO2或者两者形成的叠层。
8.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，所述栅金属为Ni和Au形成的叠层。
9.根据权利要求1所述的基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器，其特征在于，所述衬底包括：蓝宝石衬底或硅衬底。
10.一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器的制备方法，其特征在于，包括：
获取衬底，并在所述衬底的上表面中段放置氧化镓纳米膜；
在所述衬底的上表面的所述氧化镓纳米膜的两侧蒸镀欧姆金属，以分别形成源电极和漏电极；所述源电极和所述漏电极均搭接所述氧化镓纳米膜；
在所述氧化镓纳米膜的上表面淀积钝化层；
从所述钝化层的上表面中部向下刻蚀，形成深至所述氧化镓纳米膜的栅极凹槽；
进行氧气退火处理；
在所述栅极凹槽的表面以及所述钝化层的上表面淀积栅介质；
在所述栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方淀积厚度为14nm±4nm的栅金属，形成能够使太阳光盲区的光波穿过的栅电极；所述栅电极的偏置电压的设计值为0V。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20220111 |