CN113903483A - 一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法 - Google Patents

一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113903483A
CN113903483A CN202111067722.5A CN202111067722A CN113903483A CN 113903483 A CN113903483 A CN 113903483A CN 202111067722 A CN202111067722 A CN 202111067722A CN 113903483 A CN113903483 A CN 113903483A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composite material
rare earth
flexible composite
multilayer flexible
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111067722.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113903483B (zh
Inventor
李杨
赵自勤
崔凯
吴晓宏
秦伟
卢松涛
洪杨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Chongqing Research Institute of Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Chongqing Research Institute of Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology, Chongqing Research Institute of Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN202111067722.5A priority Critical patent/CN113903483B/zh
Publication of CN113903483A publication Critical patent/CN113903483A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113903483B publication Critical patent/CN113903483B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21FPROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
    • G21F1/00Shielding characterised by the composition of the materials
    • G21F1/12Laminated shielding materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21FPROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
    • G21F1/00Shielding characterised by the composition of the materials
    • G21F1/02Selection of uniform shielding materials
    • G21F1/08Metals; Alloys; Cermets, i.e. sintered mixtures of ceramics and metals
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21FPROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
    • G21F1/00Shielding characterised by the composition of the materials
    • G21F1/02Selection of uniform shielding materials
    • G21F1/08Metals; Alloys; Cermets, i.e. sintered mixtures of ceramics and metals
    • G21F1/085Heavy metals or alloys
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21FPROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
    • G21F1/00Shielding characterised by the composition of the materials
    • G21F1/02Selection of uniform shielding materials
    • G21F1/10Organic substances; Dispersions in organic carriers
    • G21F1/103Dispersions in organic carriers
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21FPROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
    • G21F1/00Shielding characterised by the composition of the materials
    • G21F1/12Laminated shielding materials
    • G21F1/125Laminated shielding materials comprising metals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法,属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有稀土金属氧化物纳米颗粒无法形成高密度材料,对于高能伽马射线屏蔽性能差的问题。本发明在稀土氧化物纳米颗粒/树脂基体形成的复合材料表面利用磁控溅射沉积一层高密度、高原子序数的金属薄膜,不仅弥补了传统稀土金属氧化物/树脂基体复合材料对高能射线屏蔽性能差的缺点,还利用了稀土金属氧化物/树脂基体吸收高密度金属与射线相互作用产生的二次辐射,可大大提高辐射屏蔽性能和辐射防护效率。

Description

一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法,属于功能材料制 备技术领域。
背景技术
医疗照射来源于X射线诊断、CT、伽马刀、体内引入放射性核素的医学诊断以及放射治疗过程。随着医疗技术的发展,越来越多的人接受放射性医疗,使人均有效剂量当量有上升的趋势,良好的屏蔽材料可以使医疗工作人员受到保护和避免病人身体正常器官无必要的额外照射。且屏蔽体的重量和体积对仪器的重量和大小有决定性的意义,所以辐射防护材料的无毒、轻质量、低密度、高性能变得尤为重要。
传统的辐射屏蔽材料铅有剧毒并且铅表面易形成灰尘颗粒,所以这种防辐射材料对环 境和人都有极大的危害,此外铅的强度低,硬度差,耐高温性能差,质量高,对能量介于 40~88kev的射线吸收较差,而医用X射线和核电站等多数场合射线能量低于88kev。因此,为克服传统材料的缺点,制备出质量轻、无毒、物理性质优异、屏蔽性能好的新型防 护材料是十分必要的。
发明内容
本发明为了解决现有上述技术问题,提供一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及 其制备方法。
本发明的技术方案:
一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,该方法为利用磁控溅射技术在 稀土金属氧化物/树脂基体材料上沉积高密度金属层。
进一步限定,该方法包括以下步骤:
步骤1,将平均粒径为10~30nm的稀土氧化物粉体和有机树脂基体混合获得基体树 脂胶液,采用刮涂、旋涂或喷涂的方式将其涂覆在所需保护的基体上,涂层厚度为 1~10mm,在30~80℃真空干燥箱中加热固化8h,获得稀土金属氧化物/树脂基体材料;
步骤2,采用磁控溅射技术,以高密度金属为靶材,在经过预处理后的稀土金属氧化 物/树脂基体材料上镀覆高密度金属层。
进一步限定,步骤1中稀土氧化物为氧化铒、氧化钆、氧化镧、氧化钐中一种或两种以及上以任意比例混合。
进一步限定,步骤1中有机树脂基体为氰酸酯、环氧树脂、聚氨酯或高含氢聚乙烯。
进一步限定,步骤1中基体树脂胶液中稀土氧化物的质量分数为10~80%。
更进一步限定,步骤1中基体树脂胶液中稀土氧化物的质量分数为10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%或80%。
进一步限定,步骤1中稀土氧化物粉体和有机树脂基体混合物采用三辊研磨机搅拌, 转速为150rmp,时间为5~15min。
更进一步限定,搅拌时间为10min。
进一步限定,步骤2中稀土金属氧化物/树脂基体材料预处理过程为使用500目砂纸 打磨表面,然后进行普拉斯玛等离子处理10min。
进一步限定,步骤2中高密度金属为钨、钽或铋。
进一步限定,步骤2中磁控溅射镀覆高密度金属层的条件为:以高密度金属为靶材, 氩气为保护气,腔体真空度为5×10-3~5×10-5pa,温度为25~125℃,压力为0.4~0.8pa,磁 控管放电电流50~300mA,磁控管放电电压为100~500V,沉积时间为10~90min。
更进一步限定,真空度为5x10-3pa、1x10-4pa、5x10-4pa、1x10-5pa或5x10-5pa。
更进一步限定,温度为25℃、50℃、75℃、100℃或125℃。
更进一步限定,腔体压力为0.4pa、0.5pa、0.6pa或0.7pa。
更进一步限定,磁控管放电电流为50mA、100mA、150mA、200mA、250mA或300mA。
更进一步限定,磁控管放电电压为100V、200V、300V、400V或500V。
进一步限定,氩气纯度为99.9999%,流量为11.2~44.8sccm。
更进一步限定,流量为22.4sccm。
本发明具有以下有益效果:稀土氧化物复合材料的K吸收边集中在44~66keV,而高 密度金属的K吸收边大于66keV。本发明在稀土氧化物纳米颗粒/树脂基体形成的复合材料表面利用磁控溅射沉积一层高密度、高原子序数金属薄膜,采用多层复合的结构,使得稀土氧化物与高密度金属相互配合,不仅弥补了稀土氧化物对于能量大于66keV的光子 屏蔽能力差的缺点,而且也弥补了高原子序数金属对于低能光子屏蔽能力差的缺点,实现 了对于连续能量段光子的高性能屏蔽。并且可以利用稀土氧化物复合材料吸收光子与高原子序数金属产生的X射线、次级光子、电子等二次辐射。提高了辐射屏蔽性能和辐射防 护效率。
本发明采用的磁控溅射技术还具有沉积速度快,对膜层伤害小,溅射所获得的薄膜与 基片结合较好,溅射所获得的薄膜纯度高、致密度好、成膜均匀性好,溅射工艺可重复性 好,可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜,能够控制镀层的厚度,可以实现工业化生 产。此外,本发明提供的复合材料质量轻,工艺简单,易在各种基底上实施,环保无毒。
附图说明
图1为磁控溅射Ta前Er2O3复合材料图;
图2为磁控溅射Ta后Er2O3复合材料图;
图3为磁控溅射后Er2O3复合材料结合力测试图;
图4为材料的柔性测试照片;
图5为Er2O3/环氧树脂复合材料XRD;
图6为磁控溅射W后复合多层材料XRD图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进 行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限 定本发明。
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明均为常规方法。所用材料、试剂、方法 和仪器,未经特殊说明,均为本领域常规材料、试剂、方法和仪器,本领域技术人员均可通过商业渠道获得。
实施例1:
(A)将纳米氧化钆粉末用无水乙醇超声10min清洗干净后干燥。
(B)称取10g的环氧树脂与0.15g的硅烷偶联剂KH-650混合,在三辊研磨机上以90r/min搅拌10min,混合均匀后加入15g步骤(A)中处理好的纳米氧化钆粉末,搅拌 15min。继续加入5g环氧树脂固化剂继续搅拌10min,得到的混合物浆料倒入模具中,在 真空干燥箱中30℃真空干燥6h,得到氧化钆/环氧树脂基复合材料。
(C)将步骤(B)中制备好的氧化钆/环氧树脂基复合材料表面用500目砂纸轻轻打磨,然后进行普拉斯玛等离子处理10min。
(D)放入磁控溅射腔体,将高纯度钨靶(99.999%)安装在磁控管上。将腔体内抽真空至5x10-4pa,缓慢通入高纯度氩气(99.9999%),氩气流量控制在22.4sccm,调节腔 体压力至0.55pa,调节磁控管电流为200mA,磁控管电压为300V开始溅射沉积,沉积时 间为60min。
Figure BDA0003259032900000031
Figure BDA0003259032900000041
上表为三种不同材料在241Am(59.5keV)下的辐射屏蔽性能。Gd2O3(50wt%)/环氧树脂复合材料辐射屏蔽能力是纯环氧树脂20.62倍,经过磁控溅射处理后的W+Gd2O3(50wt%)/环氧树脂多层复合材料的辐射屏蔽能力为Gd2O3(50wt%)/环氧树脂复合材 料的1.18倍,为纯环氧树脂的24.5倍。
图3利用ISO 2409划格法测试了磁控溅射膜层与稀土氧化物/环氧树脂复合材料的结 合力,如图3所示,通过对比ISO 2409划格法附着力图,发现交叉处有小块剥离,影响面积小于5%,附着力达到了0~1级。
图4是制备的多层复合材料弯曲图,从图中可看出材料在180°对折后表面没有裂纹。
图5是Er2O3/环氧树脂复合材料XRD图,从图中可以看Er2O3功能填料和Er2O3/环 氧树脂复合材料与标准卡对比峰位置没有发生偏移,说明在Er2O3与环氧树脂混合成型前 后晶型没有发生变化。
图6是磁控溅射W后复合多层材料XRD图,说明W成功溅射到了复合材料表面, 形成了一层致密的膜层。
实施例2
(A)将纳米氧化铒粉末用无水乙醇超声10min清洗干净后干燥。
(B)称取10g的环氧树脂与0.15g的硅烷偶联剂KH-650混合,在三辊研磨机上以90r/min搅拌10min,混合均匀后加入15g步骤(A)中处理好的纳米氧化铒粉末,搅拌 15min。继续加入5g环氧树脂继续搅拌10min,得到的混合物浆料倒入模具中,在真空干 燥箱中30℃真空干燥6h,得到氧化铒/环氧树脂基复合材料。
(C)将步骤(B)中制备好的氧化钆/环氧树脂基复合材料表面用500目砂纸轻轻打磨,然后进行普拉斯玛等离子处理10min。
(D)放入磁控溅射腔体,将高纯度钽靶(99.999%)安装在磁控管上。将腔体内抽真空至1x10-4pa,缓慢通入高纯度氩气(99.9999%),氩气流量控制在22.4sccm,调节腔 体压力至0.7pa,调节磁控管电流为300mA,磁控管电压为500V开始溅射沉积,沉积时 间为60min。
Figure BDA0003259032900000042
Figure BDA0003259032900000051
上表为三种不同材料在241Am(59.5keV)下的辐射屏蔽性能。Er2O3(50wt%)/环氧树脂复合材料的辐射屏蔽能力是纯环氧树脂25倍,经过磁控溅射处理后的磁控溅射 Ta+Er2O3(50wt%)/环氧树脂多层复合材料的辐射屏蔽能力为Er2O3(50wt%)/环氧树脂 复合材料的1.2倍,为纯环氧树脂的30倍。
图1、2是磁控溅射前后多层复合材料的光学照片,从图中可看出制备的多层材料没 有裂痕,表面平整光滑。
实施例3
(A)将纳米氧化钆和纳米氧化铒粉末分别用无水乙醇超声10min清洗干净后干燥。
(B)称取多少10g的环氧树脂与多少0.15g的硅烷偶联剂KH-650混合,在三辊研 磨机上以150r/min搅拌10min,混合均匀后加入7.5g步骤(A)中处理好的纳米氧化钆粉 末和7.5g步骤(A)中处理好的纳米氧化铒粉末,搅拌15min。继续加入5g环氧树脂固 化剂继续搅拌10min,得到的混合物浆料倒入模具中,在真空干燥箱中30℃真空干燥6h, 得到氧化钆/环氧树脂基复合材料。
(C)将步骤(B)中制备好的氧化钆/环氧树脂基复合材料表面用500目砂纸轻轻打磨,然后进行普拉斯玛等离子处理10min。
(D)放入磁控溅射腔体,将高纯度钨靶(99.999%)安装在磁控管上。将腔体内抽真空至5x10-4pa,缓慢通入高纯度氩气(99.9999%),氩气流量控制在22.4sccm,调节腔 体压力至0.6pa,调节磁控管电流为200mA,磁控管电压为400V开始溅射沉积,沉积时 间为50min。
Figure BDA0003259032900000052
上表为三种不同材料在241Am(59.5keV)下的辐射屏蔽性能。Er2O3(25wt%)+Gd2O3(25wt%)/环氧树脂复合材料的辐射屏蔽性能是纯环氧树脂20倍,经过磁控溅射处理后 的Ta+Er2O3(25wt%)+Gd2O3(25wt%)/环氧树脂多层复合材料的辐射屏蔽性能为Er2O3(25wt%)+Gd2O3(25wt%)/环氧树脂复合材料的1.25倍,为纯环氧树脂的25倍。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和 原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,该方法为利用磁控溅射技术在稀土金属氧化物/树脂基体材料上沉积高密度金属层。
2.根据权利要求1所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤1,将平均粒径为10~30nm的稀土氧化物粉体和有机树脂基体混合获得基体树脂胶液,采用刮涂、旋涂或喷涂的方式将其涂覆在所需保护的基体上,涂层厚度为1~10mm,在30~80℃真空干燥箱中加热固化8h,获得稀土金属氧化物/树脂基体材料;
步骤2,采用磁控溅射技术,以高密度金属为靶材,在经过预处理后的稀土金属氧化物/树脂基体材料上镀覆高密度金属层。
3.根据权利要求2所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤1中稀土氧化物为氧化铒、氧化钆、氧化镧、氧化钐中一种或两种以及上以任意比例混合。
4.根据权利要求2所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤1中有机树脂基体为氰酸酯、环氧树脂、聚氨酯或高含氢聚乙烯中任意一种。
5.根据权利要求2所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤1中基体树脂胶液中稀土氧化物的质量分数为10~80%。
6.根据权利要求2所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,来了,采用三辊研磨机搅拌所述的步骤1中稀土氧化物粉体和有机树脂基体混合物,转速为150rmp,时间为5~15min。
7.根据权利要求1所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤2中稀土金属氧化物/树脂基体材料预处理过程为使用500目砂纸打磨表面,然后进行普拉斯玛等离子处理10min。
8.根据权利要求1所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤2中高密度金属为钨、钽或铋。
9.根据权利要求1所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤2中磁控溅射镀覆高密度金属层的条件为:以高密度金属为靶材,氩气为保护气,腔体真空度为5×10-3~5×10-5pa,温度为25~125℃,压力为0.4~0.8pa,磁控管放电电流50~300mA,磁控管放电电压为100~500V,沉积时间为10~90min。
10.根据权利要求9所述的一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料的制备方法,其特征在于,所述的氩气纯度为99.9999%,流量为11.2~44.8sccm。
CN202111067722.5A 2021-09-13 2021-09-13 一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法 Active CN113903483B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111067722.5A CN113903483B (zh) 2021-09-13 2021-09-13 一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111067722.5A CN113903483B (zh) 2021-09-13 2021-09-13 一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113903483A true CN113903483A (zh) 2022-01-07
CN113903483B CN113903483B (zh) 2023-06-23

Family

ID=79027839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111067722.5A Active CN113903483B (zh) 2021-09-13 2021-09-13 一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113903483B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115785585A (zh) * 2023-02-09 2023-03-14 中星(广州)纳米材料有限公司 一种中子和γ射线屏蔽材料、制备方法及应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108660442A (zh) * 2018-04-25 2018-10-16 东南大学 LaxTiyOz氧化物、包含该LaxTiyOz氧化物的复合材料及其制备方法
CN112530618A (zh) * 2020-11-26 2021-03-19 哈尔滨工业大学 一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108660442A (zh) * 2018-04-25 2018-10-16 东南大学 LaxTiyOz氧化物、包含该LaxTiyOz氧化物的复合材料及其制备方法
CN112530618A (zh) * 2020-11-26 2021-03-19 哈尔滨工业大学 一种电子元器件用抗中子辐照的防护材料及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
马涛;刘宇艳;刘振国;刘少柱;贾默;尹松年;: "一种新型梯度防核辐射材料的制备", 高分子通报, no. 10, pages 58 - 62 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115785585A (zh) * 2023-02-09 2023-03-14 中星(广州)纳米材料有限公司 一种中子和γ射线屏蔽材料、制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN113903483B (zh) 2023-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW539752B (en) Method of forming indium tin oxide thin film using magnetron negative ion sputter source
Minami et al. New transparent conducting Al-doped ZnO film preparation techniques for improving resistivity distribution in magnetron sputtering deposition
CN113903483B (zh) 一种防护X/γ射线的多层柔性复合材料及其制备方法
JP2019024073A (ja) Nd−Fe−B系磁性体の保磁力増強方法
JP2009298649A (ja) 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、導電性積層体
CN115376716B (zh) 一种屏蔽中子和γ射线的高熵陶瓷氧化物涂层及其制备方法
CN113990540B (zh) 一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法
CN113845817B (zh) 用于空间高能质子辐射防护的双组份功能填料复合涂层的制备方法
CN108130512B (zh) ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用
CN104786587B (zh) 一种纳米镧锶锰氧/石墨烯复合吸波涂层的制备方法
EP1961715A1 (en) Sintered body for vacuum vapor deposition
CN108914075A (zh) 一种基于含氦w基纳米晶薄膜材料的制备方法
CN113969078B (zh) 一种硼基材料改性的稀土氧化物空间n-γ混合场辐射屏蔽的复合涂层及其制备方法
TWI490354B (zh) 殼體及其製造方法
KR102559070B1 (ko) 방사선 차폐기능을 갖는 실란트 조성물 및 이의 제조방법
TWI804800B (zh) 中子減速材料及其製作方法
TWI490358B (zh) 殼體及其製造方法
JP2002359491A (ja) 電磁波シールド性接着フィルムおよび該接着フィルムを用いた電磁波遮蔽構成体、ディスプレイ
CN111961383B (zh) 一种抗γ射线辐照的高储氢复合防护膜层及其制备方法
TWI552164B (zh) X射線屏蔽材料之製備方法
CN110372903B (zh) 一种无铅轻质X、γ、中子一体防护材料及其制备方法
CN109868467B (zh) 一种铝合金表面抗辐射加固复合涂层的制备方法
Lu et al. The microstructure and properties of a buried AIN layer produced by nitrogen implantation into pure aluminum
CN106637036B (zh) 一种涂层具有γ射线辐射屏蔽效果的电弧喷涂管状丝材
CN115806752B (zh) 防静电热控涂层及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant