TWI552164B - Ｘ射線屏蔽材料之製備方法 - Google Patents

Description

X射線屏蔽材料之製備方法

本發明係有關於一種可有效屏蔽阻擋X-射線之重要比例材料混合製備的方法，尤指涉及一種結合屏蔽奈米粉體材料混合比例與高分子材料混合程序之X射線屏蔽材料之製備方法，特別係指兩種程序針對奈米粉體材料之混合製程。其中，該混合程序所包含使用之奈米氧化物粉體、金屬粉末、混合比例及操作溫度係可將屏蔽阻擋X-射線至99%以上者，以及高分子材料混合程序所包含使用之高或低分子量材料、高分子種類、混合比例、溫度及混合時間係作為可製備一具有高機械強度及可抗高輻射劑量之無定型材料。

隨著現代高科技技術的快速發展，各種高能射線在軍事、通訊、醫學、工農業等領域和日常生活中得到越來越廣泛的應用。但給人們帶來方便和享受的同時，各種射線也在某種程度上給人類帶來了一些危害，已被公認為繼大氣污染、水質污染、噪音污染後的第四大公害。環境專家更預測，25年以後環境電磁能量密度可增加26倍，50年後可增加700倍，嚴重惡化的電磁環境會對電子、電氣系統和人類造成災難性的危害。每人每天隨時都暴露於天然的宇宙與地表幅射及各式人造輻射源之中。

有鑑於此，人們對輻射有效防護的意識亦逐漸增強，因此未 來除核能領域外，其他民生領域的需求亦會增加。例如：醫療用抗輻射防護衣、工作手套、放射性藥物或醫療及工業用射源儲存容器、建築外牆、及電廠除役前後設備屏蔽等，防高能電磁輻射材料用途將相當廣泛。

各種輻射源的產生，係由於若有不穩定的元素發生衰變時，即會從不穩定元素的原子核中放射出粒子，這些放出的粒子皆具有穿透力，且依本身所攜帶的能量不同而會有不同的穿透力，這些放射性粒子對人體及環境也具有不同程度的影響。通常，放射性的粒子包含α、β、γ、中子及X射線等。

X射線又稱為倫琴射線，其波長範圍從0.01nm~10nm之間的電磁輻射，所對應的頻率範圍在30PHz~30EHz。X射線光子產生於高能電子加速，產生X射線最簡單的方式是利用加速後的電子撞擊金屬靶材，在撞擊過程中，電子會突然的減速，損失的動能會以光子的形式釋放出來，形成X光光譜。增大加速的電壓，電子攜帶的能量會增加，能將金屬原子內層電子撞擊出來，於是內層將形成空穴，而外層電子躍遷回內層填補空穴，並放出0.1奈米波長左右的光子。高強度的X射線可經由同步加速器或自由電子雷射產生。同步輻射的光源，具高強度、連續波長等特性，成為科學研究最佳的X光光源。

放射性醫學的應用治療、核武器的研究發展及核能工業與技術開發，在這些相關領域上皆廣泛會應用到放射性的技術與設備。通常所面臨到的放射性射線如γ、中子及X射線等，這些射線均會對人體及環境造成不同程度的破壞及重要影響。當人體經常接觸時會出現皮膚燒傷、毛髮脫落、白血病及骨癌等，因此如何對這些放射性作屏蔽日益受到人們的重 視且提出相關的研究。

從相關的文獻中可知，屏蔽低能的X射線通常是採用橡膠材料、含鉛的玻璃、有機玻璃等。因含鉛的氧化物具有毒性，一般遂改用混凝土或纖維材料來作為屏蔽材料。早期俄國研究人員利用聚丙烯腈接枝材料來來作防護服，結果顯示，此種做法對於X射線具有不錯的防護效果，惟由於技術過程較複雜，製造難度較大。另有日本研究人員將硫酸鋇加入黏膠纖維中製成防輻射纖維，經過層壓或熱壓方式變成層狀的織物，對X射線亦具有一定的防護效果。再如美國一家公司利用PE與PVC進行改質，開發出名為Demron的防輻射織物。此種經由改質過的織物具有能夠減緩與吸收輻射的功能。在中國大陸亦有研究單位利用丙烯酸釓(Gd(AA)3)與天然橡膠共混，使其進行交聯製成複合材料，結果發現Gd(AA)3在橡膠中的粒徑小與分散性佳，所產生的界面作用力強。防護X射線的性能隨著Gd(AA)3添加量的增加而提升。至於在X射線的屏蔽方面，前述中國大陸研究單位利用樹脂與奈米鉛或奈米硫酸鉛製成複合材料，研究結果顯示，具奈米尺寸的鉛或硫酸鉛經X射線照射後顯現出更穩定的狀態。

由於高分子材料熱塑性聚氨酯也具有優異的防輻射性能，在輻射劑量為5*102kGy條件下，熱塑性聚氨酯的拉伸強度損失率為25%，當輻射劑量提升至104kGy時，其硬度的變化不大。但有些高分子材料在輻射劑量為5*102kGy條件時，即已無法正常作用。

前述之屏蔽X射線的材料，通常其合成方法或製作方式皆需經過多道繁瑣程序及步驟始能完成。而且常用的屏蔽物，例如：含鉛的玻璃或有機玻璃等，其容易破裂、體積大、佔空間且具有相當之重量之缺點。

如上所述，為改善習知屏蔽X射線的設備或技術使用含鉛或玻璃等作為屏蔽材料的缺點，本發明提出了一種結合高分子材料與金屬或金屬氧化物方式之X射線屏蔽材料之製備方法。本發明藉由奈米金屬氧化物粉體技術，搭配高分子混煉技術，在不同混合比例下，能均勻分布於高分子材料中製成高分子團狀物(High density Polymer Metal Oxide，HPOM)。其中，高分子混煉程序係用高分子材料以冷凍粉碎成1mm以下之粉體，混合一定比例之奈米金屬氧化物粉體，使其具有屏蔽X射線之效能。

高分子團狀物混煉製備完成後，可以不定型方式製成屏蔽物。步驟(A)粉體材料混合程序：粉體材料混和程序11：選擇適當之金屬、金屬氧化物或氧化物及粒徑大小，以介於100~1000目(mesh)之間作為混和粒徑，將此金屬、金屬氧化物或氧化物粉體以介於1：0.1~1：10之比例範圍，以球磨機進行混合後，其操作在轉速介於100~300rpm之間，球磨時間介於10~30min之間，並以間隔式順向及逆向行星式旋轉處理，藉此可將金屬、金屬氧化物或氧化物粉體充分混和均勻；以及高分子粉體混煉程序12：選擇混和均勻之金屬、金屬氧化物或氧化物粉體混和物，以小於1mm之高分子粉體作為混和粒徑，將此高分子粉體與前述金屬、金屬氧化物或氧化物粉體之混和物，以介於1：0.005~1：10之比例範圍混合後，進行高溫混煉處理，其操作在溫度介於90~200℃之間，經過0.1~0.5小時之混煉時間，藉此可完成一混和均勻之高分子團狀物(HPOM)。

上述步驟(B)混煉完成後之高分子團狀物(HPOM)趁溫度還在100~120℃時取出，置於不銹鋼模板中，控制所需厚度在1~10mm之 間，並以熱壓機以100~160℃，熱壓得到高分子團狀物(HPOM)板材。

11‧‧‧粉體材料混合程序

12‧‧‧高分子粉體混煉程序

第1圖為本發明之製程流程示意圖。

第2圖為兩種不同高分子製得板材，經不同輻射計量照射後其對X射線屏蔽效率比較示意圖。

第3圖為本發明之粉體物質與高分子混煉後製得板材，經500GkGy輻射劑量照射後，其對X射線屏蔽效率之比較示意圖。

第4圖為本發明之粉體物質與不同高分子比例混煉後製得板材，其對X射線屏蔽效率之比較示意圖。

第5圖為高分子團狀物(HPOM)複合板材及複合板材內部分佈圖。

為使貴審查委員對於本發明的特徵能更進一步的了解，以下茲配合圖式，列舉實施例詳細說明本發明可有效屏蔽阻擋X射線之重要比例材料混合方法與高分子材料混合程序。

本實施方式中係以一般牙醫診所等常用之X射線能量50keV為射源，其結果證明在適當之條件下，使用奈米粉體經由高分子混煉後之高分子板材能夠有效屏蔽X射線。基材係使用熱塑性高密度高分子材料，添加不同的金屬、金屬氧化物或氧化物粉體分散於高分子基材中來作為屏蔽X射線的複合材料。熱塑性高密度高分子是一種可經由加熱塑化的彈性體，經由不同的配比可形成不同硬度的產品，隨著硬度增加仍能具有優異的彈性性能。

高密度高分子是一種結晶度高、非極性的熱塑性樹脂。由於其高度結晶，因此外觀上也就呈現出不透明的狀態(高分子材料不同於鑽石，結晶度高往往會降低透明度)，並且硬度也更高。這種塑膠耐水耐油性都非常出色，適用性極廣，一般在攝式100度以上才會容易變形。高密度高分子還特別具有耐酸耐鹼耐腐蝕性，所以亦普遍被應用在工業上。其中，PE具有優良的耐化學品的特性，也普遍被使用在日常生活中，而且不吸濕並具有好的防水蒸汽特性，可用於包裝用途。另一種HP材料具有良好的電性能，特別是絕緣介電強度高，極適用於電線電纜。

因此，於本發明的實施方式中之高分子/金屬、金屬氧化物或氧化物複合材料，係為奈米氧化物粉體與特殊研製之機能性高分子材料複合而成的高分子團狀物(HPOM(High density Polymer Metal Oxide，M：金屬、金屬氧化物或氧化物))，可屏蔽X射線之防護材料。

一般高分子內含氫量高，高的氫量密度及高密度的聚合物高分子對放射線皆具有一定程度的阻滯作用。防輻射材料對輻射的屏蔽作用是通過材料中所含的吸收物質，對電磁輻射之有效吸收與阻隔而成的。物質對射線的吸收，大致上以兩種方式進行，即能量吸收和粒子吸收。物質對射線的吸收，主要是三種效應，分述如下。

第一種為康普頓散射-以射線粒子與吸收物質的原子或原子核發生碰撞方式進行，粒子失去部分能量，同時改變行進方向而發生散射。此過程反覆進行，最終射線粒子的能量被耗盡，即被吸收。能量吸收的大小與吸收物質之原子序數的4次方呈正比。

第二種為光電效應-射線粒子打在核外電子上，其能量全部 轉移給電子，射線粒子被吸收。與此同時獲得能量的電子擺脫原子核的束縛，成為自由電子，然而自由電子不穩定，它們將回到基態(穩定態)，回復過程中其剩餘能量會以熱能形式，或通過能級躍遷發出次級射線的形式釋放。

第三種為電子對效應一當能量大於1.022MeV(百萬電子伏特，放射性活度)的X光子靠近原子核的時候，它會消失而產生一個正電子和一個負電子。

以一種或多種成分複合之金屬、金屬氧化物或氧化物，金屬、金屬氧化物或氧化物可為矽、鋁、鈰、鉻、鋅、銦、銥、釤、鐵、錳、鉬、鎳、鉛、鈮、鈣、鈀、鉑、鉀、銠、銅、鈉、鉭、鎵、錫、鈦、鎢、釩、釔、鍶及鋯中之一種或多種。

首先，請參閱第1圖本發明之製程流程示意圖。如圖中所示，其至少包含下列步驟。

步驟(A)粉體材料混合程序11：選擇適當之金屬、金屬氧化物或氧化物及粒徑大小，以介於100~1000目(mesh)之間作為混合粒徑，較佳者為介於100~500目之間，將此金屬、金屬氧化物或氧化物粉體以介於1：0.1~1：10之比例範圍，以球磨機進行混合後，其操作在轉速介於100~300rpm之間，球磨時間介於10~30min之間，並以間隔式順向及逆向行星式旋轉處理，藉此可將金屬、金屬氧化物或氧化物粉體充分混合均勻；以及步驟(B)高分子粉體混煉程序12：選擇混合均勻之金屬、金屬氧化物或氧化物粉體混合物，以小於1mm之高分子粉體作為混合粒徑，將此高分子粉體與前述金屬、金屬氧化物或氧化物粉體之混合物，以介於1：0.005~1：10 之比例範圍混合後，進行高溫混煉處理，其操作在溫度介於90~200℃之間，經過0.1~0.5小時之混煉時間，藉此可完成一混合均勻之高分子團狀物(High density Polymer Metal Oxide，HPOM)。

上述步驟(B)混煉完成後之高分子團狀物(HPOM)，在溫度還維持在100~120℃時取出，置於不銹鋼模板中，控制所需厚度在1~10mm之間，並以熱壓機以100~160℃，熱壓得到高分子團狀物(HPOM)板材。

上述步驟(B)混煉完成後之高分子團狀物(HPOM)，可以以各種方式(如：3D列印、射出)製備所需形狀，屏蔽所需要防護之物體。本實驗是以不銹鋼模板，以熱壓機壓製成10*10cm之高分子團狀物(HPOM)板材。

本發明的實施方式係可進一步以下列實施例說明。

〔實施例1〕

取100~1000mesh之單一金屬、金屬氧化物或氧化物粉體1~20克，先以球磨機進行初步之研磨分散。之後將一種或多種以上之金屬、金屬氧化物或氧化物粉體放入球磨模機之球磨罐中，進行粉體研磨分散程序。其中粉體之比例範圍係介於1：0.1~1：10之間，將操作在轉速介於100~300rpm之間。於開始研磨時，其避免溫度過高產生聚集，其需設定並以間隔式順向及逆向行星式旋轉處理。待操作時間終止後，待球磨罐降至室溫取出研磨之粉體。

〔實施例2〕

將上述經由研磨所處理過後之粉體進行第二階段與高分子材料混煉程序之處理。在高分子材料部分之處理上，先以液態氮控制使其 呈現脆化之狀態，後以離心破碎機處理過後，篩選小於1mm之高分子粉體以混煉機進行混合。以介於1：0.005~1：10之比例與實施例1之粉體，進行高溫混煉處理，其操作在溫度介於90~200℃之間，經過0.1~0.5小時之混煉時間，藉此可完成一混合均勻之高分子團狀物(High density Polymer Metal Oxide，HPOM)。

〔實施例3〕

將混合均勻之高分子團狀物(High density Polymer Metal Oxide，HPOM)進行屏蔽樣式塑形處理。在預熱之加熱板溫度100~160℃下，將高分子團狀物(HPOM)以10*10cm不銹鋼模板進行熱壓處理，控制所需厚度在1~10mm之間，待水冷冷卻加熱模板至室溫，脫模後即可得到高分子團狀物(HPOM)板材。

以實施例2方式單純使用高分子所製備之高分子板材HP及HP(回)，以不同輻射計量照射觀察測試其對X射線屏蔽效率之衰退情形，如第2圖所示，以輻射計量25~500kGy之強度照射後之X射線屏蔽效率結果，未照射前與以輻射累積照射500kGy強度後之X射線屏蔽效率下降約3.97%，其中台灣電力公司模擬測試電纜在核電廠中之情形，是累積照射1000kGy強度約為40年之照射效果。

若以氧化釤(Sm₂O₃)及氧化鉛(PbO)兩種粉體，依據實施例1方式製備所需之粉體，再利用實施例2及3之方式以5~50%加入高分子混煉製備成之高分子板材，再以輻射計量25~500kGy之強度照射後之X射線屏蔽效率結果，如第3圖所示，其X射線屏蔽效率在加入屏蔽粉體，經輻射計量照射累積至500kGy後，仍然維持在接近100%。

再如第4圖所示，係顯示以不同高分子添加二氧化鈦奈米粉體對X射線之屏蔽測試，TPUT之複合材料，二氧化鈦含量0.25%時，對輻射之屏蔽率已高達95.93%；HPOT之複合材料，二氧化鈦含量0.05%時，對輻射之屏蔽率可達73.21%，且其屏蔽率將隨金屬氧化物含量之增加而增加，乃因複合材料之密度增加所致，當二氧化鈦含量0.5%，此複合材料之屏蔽率可達最大值約99.31%。

另第5圖所示為二氧化鈦與氧化鎢奈米粉體與高分子充分混合熱壓成型後，經由映射(mapping)觀察奈米粉體於高分子材料中之分佈情形，粉體分佈為一均勻複合之板材，無聚集或分層等現象。電磁波射入物體的能量損耗包含表面反射損耗、內部吸收損耗及多次反射損耗等。在一定的電磁波頻率及材料厚度下，材料的反射及吸收損耗增加，電磁波能量衰減增加。由第5圖結果所示，試樣中奈米粉體的比例愈大，相對來說密度越高，增加碰撞機率，相對能量被削減耗盡的程度也越高，其結果顯示在對x射線的屏蔽性能上越好；在固定厚度的材料下，粉體的粒徑越小，其顆粒在高分子內分佈就越均勻，對X射線屏蔽的效果就越好。同樣的，當顆粒的分佈越均勻，密度越高，其對X射線的屏蔽效果也就越佳。

綜上所述，本發明之高分子粉體防輻射屏蔽材料製程包含粉體材料混合程序與高分子粉體混煉程序，以高分子作為防輻射的屏蔽材料與一般常用的抗輻射水泥材料相較之下，高分子防輻射屏蔽材料具有質輕的特性，在體積與重量上能減少許多，同時兼具了輕便性與實用性，進而有助降低整體之成本並提昇其競爭力。以不同的高分子針對不同的射線與稀土元素或金屬氧化物等材料相製備成複合材料時，經由測試後發現能夠 達到一定程度的輻射屏蔽效果。可有效改善習用之種種缺點，包含粉體材料混合程序與高分子粉體混煉程序，除了能達到有效屏蔽輻射效果之外，也能有效地使用各種方式(如：3D列印、射出)製備所需形狀，屏蔽需要防護之物體，將X射線經由通過屏蔽材料後可阻擋下大於99%之X射線，且複合材料具有質量輕、密度大、防護功能佳、不占空間，以及與基材一體化等優點，機動性高與方便施作，本發明確實具有進步及實用性、符合使用者之所須，具備發明專利之要件，爰依法提出專利申請。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

11‧‧‧粉體材料混合程序

12‧‧‧高分子粉體混煉程序

Claims (8)

1. 一種X射線屏蔽材料之製備方法，包含下列步驟：(A)粉體材料混合程序：選擇適當之金屬、金屬氧化物或氧化物及粒徑大小，以介於100~1000目之間作為混和粒徑，將此金屬、金屬氧化物或氧化物粉體以介於1：0.1~1：10之比例範圍，以球磨機進行混合後，其操作在轉速介於100~300rpm之間，球磨時間介於10~30min之間，並以間隔式順向及逆向行星式旋轉處理，藉此可將金屬、金屬氧化物或氧化物粉體充分混和均勻；以及(B)高分子粉體混煉程序：選擇混和均勻之金屬、金屬氧化物或氧化物粉體混和物，以小於1mm之高分子粉體作為混和粒徑，將此高分子粉體與前述金屬、金屬氧化物或氧化物粉體之混和物，以介於1：0.005~1：10之比例範圍混合後，進行高溫混煉處理，其操作在溫度介於90~200℃之間，經過0.1~0.5小時之混煉時間，藉此可完成一混和均勻之高分子團狀物。
2. 如申請專利範圍第1項所述之X射線屏蔽材料之製備方法，其中，該步驟(A)屏蔽粉體之粒徑大小係介於100~1000目之間。
3. 依申請專利範圍第1項所述之X射線屏蔽材料之製備方法，其中，該步驟(A)之金屬、金屬氧化物或氧化物粉體比例以單一或多種以上複合介於比例1：0.1~1：10之範圍。
4. 依申請專利範圍第1項所述之X射線屏蔽材料之製備方法，其中，該步驟(A)之球磨混合，其操作在轉速介於100~300rpm之間，球磨混合時間介於10~30min之間，並以間隔式順向及逆向行星式旋轉處理。
5. 依申請專利範圍第1項所述之X射線屏蔽材料之製備方法，其中，該步驟(B)之高分子為熱塑性或具延展性之高性能高分子。
6. 依申請專利範圍第1項所述之X射線屏蔽材料之製備方法，其中，該步驟(B)之高分子粉體與前述步驟(A)之金屬、金屬氧化物或氧化物粉體之混和物，以單一或多種以上複合混合比例介於1：0.005~1：10之範圍。
7. 依申請專利範圍第6項所述之X射線屏蔽材料之製備方法，其中，該混煉溫度90~200℃之間，混煉時間介於0.1~0.5小時之間。
8. 依申請專利範圍第1項所述之X射線屏蔽材料之製備方法，其中，高分子團狀物混煉製備完成後，可以不定型方式製成屏蔽物。