CN113900110A - 光学感测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种光学感测装置,其包括一电路基板、一发射器及一检测器分别设置在电路基板上,一封装结构包覆在发射器与检测器上,并通过一第一凹陷部分隔发射器与检测器,更提供一第二凹陷部于检测器上方。因此,通过第一凹陷部与第二凹陷部改变发射器所产生的光束的散射路径,降低发射器产生的光束直接传递至检测器,以提升光学感测装置的感测准确度,降低光学串扰的影响。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学感测装置,特别是涉及一种可改变发射器的光束传递方向的光学感测装置。
背景技术
近距离传感器(Proximity Sensor,PS)是能够在无实体直接接触的情况下检测是否存在附近物体的传感器。近距离传感器通常发射电磁波、静电场或者电磁辐射波束(例如,红外)并搜寻场的变化或返回信号。被感测的物体通常称为近距离传感器的目标。不同的近距离传感器对象需要不同的传感器。例如,电容或光电传感器可以用于塑料对象,电感近距离传感器可以适于金属对象。因此,应用近距离传感器的感测模块可称为光学感测模块。
许多光学感测模块通常包括金属屏蔽件,以提供发射器与检测器之间的光学隔离,来使得发射器与检测器之间的不期望的光学串扰(Crosstalk)最小化。然而,使用金属屏蔽件的方式,虽然可以提供发射器与检测器之间的光学隔离,但是金属屏蔽件的设置会增加光学感测模块的制造成本,因此,改以应用一开口在发射器与检测器之间,同样可以达到降低光学感测模块的光学串扰的问题。
图1显示一种现有的光学感测装置的立体图,如图1所示,光学感测装置1包括一电路板11、一发射器12、一检测器13、一封装构件14以及一开口15。发射器12与检测器13设置在电路板11上,封装构件14设置在发射器12与检测器13上,通过在发射器12与检测器13之间形成开口15,达到改变光束的散射路径。
然而,设计开口的方式相较于无设计开口的方式,虽然可以有效降低光学串扰的问题,但是当光学感测模块的体积越来越小时,设置开口的方式,还是有很高的几率让发射器12所散射的光束直接传递至检测器13,如图1所示,而无法将光学串扰的问题降低至可容忍的范围内。
故,如何通过结构设计的改良,来降低光学串扰的问题提升光学感测装置的感测效果,已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种光学感测装置,其包括一电路基板、一发射器、一检测器与一封装构件。电路基板的表面包括彼此独立的多个电路区域,发射器及检测器分别设置在多个电路区域上。封装构件包覆多个电路区域,并分别设置于多个电路区域上的发射器与检测器上,且封装构件包括一第一凹陷部与一第二凹陷部。第一凹陷部深度设置于对应发射器与检测器之间,第二凹陷部深度设置于对应检测器之上。第二凹陷部的深度低于第一凹陷部的深度,通过第一凹陷部与第二凹陷部改变发射器产生的光束于封装构件内的散射路径。
为了解决上述的技术问题,本发明所采用的另外一技术方案是提供一种光学感测装置,其包括一电路基板、一发射器、一检测器与一光阻绝封装构件。
本发明的其中一有益效果在于,本发明所提供的光学感测装置,其能通过设置第一凹陷部、第二凹陷部与/或第三凹陷部的技术方案,降低发射器产生的光束直接传递至检测器,以提升光学感测模块的感测准确度,降低光学串扰的影响。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而所提供的附图仅用于提供参考与说明,并非用来对本发明加以限制。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而所提供的附图仅用于提供参考与说明,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1显示一种现有的光学感测装置的立体图。
图2A为本发明第一实施例的光学感测装置的立体示意图。
图2B为本发明第一实施例的光学感测装置的光束传递的剖面示意图。
图3A为本发明第二实施例的光学感测装置的立体示意图。
图3B为本发明第二实施例的光学感测装置的光束传递的剖面示意图。
图4A为本发明第三实施例的光学感测装置的立体示意图。
图4B为本发明第三实施例的光学感测装置的剖面图。
图4C为本发明第四实施例的光学感测装置的剖面图。
图5为本发明第五实施例的光学感测装置的剖面图。
图6A-图6D为不同设计的光学感测装置的串扰测试的实验数据示意图。
图7为本发明的实施例的光学感测装置的制造方法流程图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“光学感测装置”的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外,本发明的附图仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘,事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容,但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应理解,虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件或者信号,但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件,或者一信号与另一信号。另外,本文中所使用的术语“或”,应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
为了解释清楚,在一些情况下,本技术可被呈现为包括包含功能块的独立功能块,包含装置、装置组件、软件中实施的方法中的步骤或路由,或硬件及软件的组合。
实施根据这些公开方法的装置可以包括硬件、固件及/或软件,且可以采取任何各种形体。这种形体的典型例子包括笔记本电脑、智能电话、小型个人计算机、个人数字助理等等。本文描述的功能也可以实施于外围设备或内置卡。通过进一步举例,这种功能也可以实施在不同芯片或在单个装置上执行的不同程序的电路板。
本发明第一实施例
图2A为本发明第一实施例的光学感测装置的立体示意图,图2B为本发明第一实施例的光学感测装置的光束传递示意图,参阅图2A与图2B所示,本发明第一实施例提供一种光学感测装置2,其包括:一电路基板21、一发射器22、一检测器23、一封装构件24、一第一凹陷部25与一第二凹陷部26。
电路基板21优选为印刷电路板(Print Circuit Board,PCB),且在电路基板21上可默认多个电路区域,发射器22与检测器23设置在电路基板21的多个电路区域上,进一步来说,检测器23设置在与发射器22相同的平面上,且检测器23与发射器22以一预定间距相邻地设置在电路基板21上。发射器22可为一发光组件(emitter),检测器23可为光检测组件(detector)。须说明的是,以本发明实施例而言,发射器22包括一垂直共振腔面射激光(Vertical-cavity surface-emitting lasers,VCSELs)以及一齐纳二极管,检测器23是一种整合式的距离与环境光源检测组件(integrated ambient and proximity sensor),但在此并不局限。检测器23可同时包括一第一检测单元231及一第二检测单元232,或是只包括一第一检测单元231或只包括一第二检测单元232。第一检测单元231可以为一环境光传感器(Ambient Light Sensor,ALS)与第二检测单元232可以为一接近传感器(ProximitySensor,PS),本发明不以检测器23的种类为限。第一检测单元231设置在邻近第一凹陷部25的地方,第二检测单元232设置在远离第一凹陷部25的一侧,其用于感测发射器22发射至被感测的物体进而由被感测的物体反射至第二检测单元232的光束,第一检测单元231与第二检测单元232的原理与应用范围为本领域技术人员所熟知,在此不再赘述。
封装构件24覆盖在发射器22与检测器23上,除了可以防止发射器22或检测器23受到外力的破坏外,还可以阻隔环境光直接传递至检测器23,封装构件24是由光学上可对应于发射器22所发出的具有特定波长的电磁信号而定义为透明或透光的环氧树脂材料或其他适合的模造材料所构成,举例来说,在信号检测器23为一种单一功能的红外光距离检测组件(IR proximity sensor)的情况下,透明封装单元24则为可让红外光穿透的化合物。封装构件24也可以是针对特定波长具有截断或过滤或遮蔽树脂,其可以有效阻隔环境光的光束直接传递至检测器23,避免感测的效果降低。举例来说,当发射器22是一垂直共振腔面射激光(Vertical-cavity surface-emitting lasers,VCSELs),封装构件24则可以为红外线阻绝(用于照度传感器)树脂,故封装构件24又可称为红外线阻绝封装构件。
另外,第一凹陷部25设置在发射器22与检测器23之间,进一步来说,第一凹陷部25的深度D1大约为0.36毫米(mm),且深度深至邻近电路基板21,但未暴露电路基板21于第一凹陷部25中,而第一凹陷部25的宽度W1大约为0.2毫米(mm)。设置第一凹陷部25的目的在于,让发射器22所散射出的光束会因为第一凹陷部25的设置,而改变散射光束的传递路线,进而降低散射光束直接传递至检测器23的几率,提高检测器23的感测灵敏度,另外,因为第一凹陷部25的设置,可以限制光束在封装构件24的表面宽度Wa为0.68毫米(mm)的范围内直射,达到集中光束的目的。
第二凹陷部26设置在检测器23的上方,但第二凹陷部26的深度D2大约为0.15毫米,且在第二凹陷部26底部的封装构件24厚度大约在0.05毫米,其厚度误差范围在±0.025毫米之间,使检测器23不会暴露在第二凹陷部26的底部。第二凹陷部26的开口从第一凹陷部25与第一检测单元231之间的位置开始延伸至邻近第二检测单元232的地方,第二凹陷部26的宽度W2大约为0.56毫米,且小于检测器23的宽度。另外,第一凹陷部25与第二凹陷部26的形成方式可以是,举例来说,蚀刻封装构件24而产生,或者也可以切割的方式形成第一凹陷部25与第二凹陷部26,而第一凹陷部25与第二凹陷部26可以是在一次的制程步骤同时形成,或者第一凹陷部25与第二凹陷部26可以在两个不同的程序步骤形成,在此并不局限。另外,在此需要说明的是,本实施例中第二凹陷部26的宽度W2至少两倍大于第一凹陷部25的宽度W1或是说大于两个检测单元的宽度大小,尤其是当第一检测单元231是环境光传感器,位于第二凹陷部26底部的封装构件24具有较薄的厚度有助于环境光的接收,但第一凹陷部25与第二凹陷部26的宽度或深度在不同实施例中,可以有所不同,并不局限于仅如图中所示,根据不同的发射器22或不同的检测器23,可依不同光束的传递特性或检测器23的感测灵敏度而调整第一凹陷部25与第二凹陷部26的宽度或深度。
通过第一凹陷部25虽然会改变散射光束直接传递至检测器23的几率,但是还是有部分的散射光束会经过再次折射而传递至检测器23,因此设置第二凹陷部26,让往检测器23传递的散射光束经过第二凹陷部26时,会再次发生折射,以进一步降低散射光束传递至检测器23的几率。
本发明第二实施例
图3A为本发明第二实施例的光学感测装置的立体示意图,图3B为本发明第二实施例的光学感测装置的光束传递示意图,参阅图3A与图3B所示,本发明第二实施例提供一种光学感测装置2,其包括:一电路基板21、一发射器22、一检测器23、一封装构件24、一第一凹陷部25、一第二凹陷部26与一第三凹陷部27。
由于第二实施例的电路基板21、发射器22、检测器23、封装构件24、第一凹陷部25与第二凹陷部26的设置位置皆与第一实施例相同,因此,有关于电路基板21、发射器22、检测器23、封装构件24、第一凹陷部25与第二凹陷部26的设置位置与其它组件的连接关系请参阅上述第一实施例的叙述,在此不再赘述。
同样,在第二实施例中,第一凹陷部25设置在发射器22与检测器23之间,进一步来说,第一凹陷部25的深度D1向下延伸至邻近电路基板21的区域,但未暴露电路基板21于第一凹陷部25中,一般约为0.36毫米,而第一凹陷部25的宽度W1大约为0.2毫米,第三凹陷部27设置在第一凹陷部25的上方,且第三凹陷部27的宽度W3大约为0.4毫米,且约两倍大于第一凹陷部25的宽度W1,第三凹陷部27的深度D3大约为0.1~0.2毫米。
进一步地说,该第一凹陷部25和第三凹陷部27堆栈成一具有阶梯状的凹陷部,而呈阶梯状的凹陷部在本发明的优选实施例中,凹陷部的左右两侧为对称,但在不同实施例中,凹陷部的左右两侧也可以为不对称,在此并不局限。设置第一凹陷部25与第三凹陷部27的目的在于,让发射器22所散射出的光束会因为第一凹陷部25与第三凹陷部27的设置,而改变散射光束的传递路线,进而使散射光束不会直接传递至检测器23,造成检测器23的误判。另外,因为第三凹陷部27的设置,可以限制光束在封装构件24的表面宽度Wb为0.58毫米(mm)的范围内直射,达到集中光束的目的。
另外,第一凹陷部25与第三凹陷部27的形成方式可以是,举例来说,蚀刻封装构件24而产生,或者也可以切割的方式形成第一凹陷部25与第三凹陷部27,而第一凹陷部25与第三凹陷部27可以是在一次的制程步骤同时形成,或者第一凹陷部25与第三凹陷部27可以在两个不同的程序步骤形成,在此并不局限。第二凹陷部26设置在检测器23的上方,其深度D2的底部并未暴露出检测器23,且第二凹陷部26的深度D2略与第三凹陷部27的深度相同,第二凹陷部26的宽度W2大约为0.56毫米,且小于检测器23的宽度,第二凹陷部26的深度D2大约为0.15毫米且在第二凹陷部26底部的封装构件24厚度大约在0.05毫米,且厚度误差范围在±0.025毫米之间。另外,在此需要说明的是,第一凹陷部25、第二凹陷部26与第三凹陷部27的宽度或深度在不同实施例中,可以有所不同,并不局限于仅如图中所示,根据不同的发射器22或不同的检测器23,可依不同光束的传递特性或检测器23的感测灵敏度而调整第一凹陷部25、第二凹陷部26与第三凹陷部27的宽度或深度。
请参阅图2B与图3B,第一凹陷部25包括第一侧边251与第二侧边252,第二凹陷部26包括第三侧边261与第四侧边262,第三凹陷部27包括第五侧边271与第六侧边272。如图2B与图3B所示,利用光束30在不同介质传递时会改变其传递路径,当光束30从发射器22发射出,会在封装构件24中传递,有些光束30会直射,有些光束30会散射,当光束30散射至第一凹陷部25,部分的散射光束30会因为介质的改变(固体至气体或气体至固体)而产生折射或反射,部分的散射光束会在第一凹陷部25的第一侧边251或第三凹陷部27的第五侧边271折射至大气中,部分的散射的光束30会折射至第一凹陷部25的第二侧边252或第三凹陷部27的第六侧边272,而再次在封装构件24中传递。接着,散射的光束30会在封装构件24的表面241反射回封装构件24,当反射的光束30经过第二凹陷部26的第三侧边261会再次发生折射,部分的光束会传递至第二凹陷部26的底部263,光束30在第二凹陷部26的底部263又再一次发生折射,进而降低光束30直接传递至接近传感器232的几率。由图2B与图3B所示,可以看见光束30因为第一凹陷部25、第二凹陷部26与/或第三凹陷部27的设置而改变其传递路线,大幅度地降低光束30直接传递至接近传感器232的几率,进而降低串扰(crosstalk)的发生,提高检测器23的感测效率。
本发明第三实施例
图4A为本发明第三实施例的光学感测装置的立体示意图,图4B为本发明第三实施例的光学感测装置的剖面图,如图4A与图4B所示,在本发明的第三实施例中,一种光学感测装置4,其包括:一电路基板41、一发射器42、一检测器43、一封装构件44、一第一凹陷部45、一第二凹陷部46与一第三凹陷部47。
由于在本发明第三实施例的光学感测装置4所包括的组件以及其连接关系都与第一实施例的光学感测装置2大致相同,光学感测装置4同样包括第一检测单元431与第二检测单元432,因此有关于光学感测装置4的电路基板41、发射器42、检测器43、封装构件44、第一凹陷部45、第三凹陷部47的设置以及连接关系,在此不再赘述。
第一凹陷部45的宽度W1大约为0.2毫米,第三凹陷部47设置在第一凹陷部45的上方,且第三凹陷部47的宽度W3至少两倍大于第一凹陷部45的宽度W1,且电路基板41优选为未暴露于第一凹陷部45底部,所以第一凹陷部45的深度D1须小于封装构件44的厚度。而且,第一凹陷部45和第三凹陷部47也可堆栈成一具有阶梯状的凹陷部,而呈阶梯状的凹陷部在本发明的优选实施例中,凹陷部的左右两侧为对称,但在不同实施例中,凹陷部的左右两侧也可以为不对称,在此并不局限。另外,同样因为第三凹陷部47的设置,可以限制光束在封装构件44的表面宽度Wb为0.58毫米(mm)的范围内直射,达到集中光束的目的。第二凹陷部46设置在检测器43的上方,第二凹陷部46的深度D2大约为0.15毫米,检测器43的上表面由厚度约0.025~0.075毫米的封装构件44所覆盖,未裸露于第二凹陷部46的深度D2底部。第二凹陷部46的开口W2’从第一检测单元431的一侧的位置开始延伸至封装构件44的一边缘。第三实施例说明本发明的第二凹陷部46在不同实施例可以有不同的实施方式,只要可以改变发射器42的散射光束直接至传递至检测器43的第二传感器432,都可以是本发明的第二凹陷部46的实施方式,在此并不局限。
本发明第四实施例
然而,在第四实施例中,例如,如图4C所示,在本发明的第四实施例中,光学感测装置4同样包括:一电路基板41、一发射器42、一检测器43、一封装构件44、一第一凹陷部45与一第二凹陷部46’。
同样,由于图4C的光学感测装置4所包括的组件以及其连接关系都与第一实施例的光学感测装置2大致相同,因此有关于光学感测装置4的组件或连接关系的叙述,在此不再赘述。在第四实施例的光学感测装置4中,相较于第三实施例的第二凹陷部46,第四实施例的第二凹陷部46’从封装构件44的一侧边一直延伸至第一凹陷部45的开口上方。换句话说,第四实施例的第二凹陷部46’与第一凹陷部45相连通构成一L形的缺口。光学感测装置4还可包括第三凹陷部47,第三凹陷部47设置在第一凹陷部45的上方,第一凹陷部45和第三凹陷部47一侧边堆栈成一具有阶梯状的凹陷部,第三凹陷部47另一侧与第二凹陷部46’相连通,通过第四实施例的第一凹陷部45、第二凹陷部46’与/或第三凹陷部47,同样可以达到改变发射器42所发射的光束的光传递路径,降低光束直接传递至检测器43的几率。
本发明第五实施例
另外,图5为本发明第五实施例的光学感测装置的剖面图,如图5所示,在本发明的第五实施例中,一种光学感测装置5,其包括:一电路基板51、一发射器52、一检测器53、一光阻绝封装构件54与一凹陷部55。
同样,由于在本发明第五实施例的光学感测装置5所包括的组件以及其连接关系都与第三实施例的光学感测装置4大致相同,光学感测装置5的检测器53同样包括第一检测单元531与第二检测单元532,因此有关于光学感测装置5的电路基板51、发射器52、检测器53与光阻绝封装构件54的设置以及连接关系,在此不再赘述。
凹陷部55的深度D大约为0.15毫米,凹陷部55的宽度W至少两倍大于两个检测单元531,532的宽度大小,且在凹陷部55底部的光阻绝封装构件54厚度Td大约在0.05毫米,且厚度误差范围在±0.025毫米之间,使检测器53不会裸露在凹陷部55的底部。凹陷部55的开口从第一感测单元531的一侧,延伸经过第一感测单元531的上方,至第二感测单元532的一侧边或从第一检测单元531的一侧的位置开始延伸至光阻绝封装构件54的一边缘。相较于第三实施例,第五实施例的光学感测装置5,仅包括的一个凹陷部55,通过检测器53上方较薄厚度的光阻绝封装构件54可降低从发射器52所发出的光束直接传递至检测器53,进一步再搭配一光阻绝封装材料作为光阻绝封装构件54,则可更有效阻隔侧光。
举例来说,选用一不透光红外光阻绝胶材作为光阻绝封装构件54全面覆盖发射器52及检测器53,也就是说,不透光红外光阻绝胶材具有一特性在选定的波长范围例如当厚度为0.3mm时,700-900nm透光率下降至60%以下,当厚度增加,则该波段的光线滤出比例随之增加,优选小于20%。所以发射器52及检测器53间的光阻绝封装构件54具有一间距Tgap,间距Tgap至少两倍大于光阻绝封装构件54的原始厚度,使得红外光至少80%被滤掉,则可有效地屏蔽侧光,避免光束直接传递至检测器53,且不影响发射器52的出光及检测器53的收光。其中,光阻绝封装构件54对应发射器52的出光表面的厚度Te至少要让60%的光穿过,所以以不透光红外光阻绝材料为例,厚度Te要小于0.3mm以下较佳。也就是说,发射器52及检测器53间的光阻绝封装构件54之间距Tgap至少两倍大于光阻绝封装构件54对应发射器52的出光表面的厚度Te;光阻绝封装构件54对应发射器52的出光表面的厚度Te大于光阻绝封装构件54对应检测器53的入光表面的厚度Td,即间距Tgap大于2倍的厚度Te且大于厚度Td。
图6A-图6D为不同设计的光学感测装置的串扰测试的实验数据示意图。图6A所示的实验数据结果是光学感测装置仅包括一个第一凹陷部,而无设置第二凹陷部与第三凹陷部,传递至接近传感器的光强度60A大约是1.2240E-6Watts/cm2,图6B所示的实验数据结果是光学感测装置包括第一凹陷部与第二凹陷部,而无设置第三凹陷部,传递至接近传感器的光强度60B大约是1.0707E-6Watts/cm2,由图6A与图6B可以看出,光学感测装置因为增加第二凹陷部,传递至接近传感器的光强度60B大约下降15%。图6C所示的实验数据结果是本发明第二实施例的光学感测装置包括第一凹陷部、第二凹陷部与第三凹陷部,传递至接近传感器的光强度60C大约是3.672E-7Watts/cm2,相较于传统的传感器封装结构仅设置第一凹陷部,其光强度大约下降70%。图6D所示的实验数据结果是本发明第三实施例的光学感测装置同样包括第一凹陷部、第二凹陷部与第三凹陷部传递至接近传感器的光强度60D大约是3.59E-7Watts/cm2,其光强度大约与第二实施例相似,同样相较于传统的传感器封装结构仅设置第一凹陷部,其光强度大约下降70%。
由实验结果可以得知,通过设置第一凹陷部、第二凹陷部与第三凹陷部在光学感测装置中,第二检测单元的串扰可以从传统光波动(fluctuation)的400计数至500计数(count),下降至少100计数(count),若串扰过高,会导致光学感测装置感测失效,使光学感测装置以为一直接近感测对象,而导致移动装置的屏幕不会关闭。
图7为本发明的光学感测装置的制造方法流程图。如图7所示,并参考本发明第一实施例的光学感测装置的组件标号,在步骤S701中,在一电路基板21上设置一发射器22与一检测器23,发射器22与检测器23之间具有一间距,因此在后续的制程中,可以在发射器22与检测器23之间的间距上形成开口。在步骤S702中,填充一封装构件材料在发射器22、检测器23与电路基板21上,填充封装构件24,并将封装构件24的材料烘烤,封装构件24除了保护发射器22与检测器23,还可以阻隔一些环境光,仅让特定波长的光束(例如红外线光等)传递至检测器23。如何填充封装构件24以及如何烘烤封装构件24的材料为本领域技术人员所熟知,在此不再赘述。
在步骤S703中,在发射器22与检测器23之间形成第一凹陷部25,第一凹陷部25的形成可以激光蚀刻的方式形成,或者在不同实施例中,也可以切割的方式形成第一凹陷部25,依照检测器23的尺寸大小,可以应用不同的制程形成第一凹陷部25,在此并不局限。接着,在步骤S704中,检测器23上方形成第二凹陷部26,第二凹陷部26的形成方式可以与形成第一凹陷部25的方式相同,且第二凹陷部26可以与第一凹陷部25在同一个制程步骤中同时形成,或第二凹陷部26可以在第一凹陷部25形成后再形成,在此并不局限。通过上述的制造流程,可以完成本发明的光学感测装置2的制造,上述仅是说明本发明的光学感测装置2的形成方式,并不局限本发明的光学感测装置2仅能以上述的制程步骤形成,举例来说,在不同实施例中,第一凹陷部25或第二凹陷部26也可以由高低落差的模具来形成,而无须使用激光蚀刻或切割的方式才能形成第一凹陷部25或第二凹陷部26。
另外,在不同实施例的光学感测装置的制造方法中,还可以包括步骤S704,在步骤S704中,在检测器23上方形成第二凹陷部26,如图2A与图2B所示,第一凹陷部25与第二凹陷部26的形成方式可以是,举例来说,蚀刻封装构件24而产生,或者也可以切割的方式形成第一凹陷部25与第二凹陷部26,而第一凹陷部25与第二凹陷部26可以是在一次的制程步骤同时形成,或者第一凹陷部25与第二凹陷部26可以在两个不同的程序步骤形成,在此并不局限。
或者,在本发明的另一实施例中,还可以包括步骤S705在第一凹陷部25上形成第三凹陷部27,第二凹陷部26与第三凹陷部27的形成方式可以与形成第一凹陷部25的方式相同,且第二凹陷部26与第三凹陷部27可以与第一凹陷部25在同一个制程步骤中同时形成,或第二凹陷部26与第三凹陷部27可以在第一凹陷部25形成后再形成,在此并不局限。通过上述的制造流程,可以完成本发明的光学感测装置2的制造,上述仅是说明本发明的光学感测装置2的形成方式,并不局限本发明的光学感测装置2仅能以上述的制程步骤形成,在此并不局限。
本发明的有益效果在于,本发明所提供的光学感测装置,其能通过设置第一凹陷部、第二凹陷部与第三凹陷部的技术方案,降低发射器产生的光束直接传递至检测器,以提升光学感测装置的感测准确度,降低光学串扰的影响。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例,并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围,所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化,均包括于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (10)
1.一种光学感测装置,其特征在于,所述光学感测装置包括:
一电路基板,其表面包括彼此独立的多个电路区域;
一发射器及一检测器分别设置多个所述电路区域上;以及
一封装构件包覆多个所述电路区域以及其上的所述发射器与所述检测器,且所述封装构件包括:
一第一凹陷部,设置于对应所述发射器与所述检测器之间;
一第二凹陷部,设置于对应所述检测器之上;以及
其中,所述第二凹陷部的深度低于所述第一凹陷部的深度,通过所述第一凹陷部与所述第二凹陷部改变所述发射器所产生的光束于所述封装构件内的散射路径。
2.根据权利要求1所述的光学感测装置,其特征在于,位于所述第二凹陷部的所述封装构件的厚度不小于0.05毫米。
3.根据权利要求1所述的光学感测装置,其特征在于,所述光学感测装置还包括一第三凹陷部,设置于所述第一凹陷部上方,且所述第三凹陷部的宽度大于所述第一凹陷部的宽度。
4.根据权利要求3所述的光学感测装置,其特征在于,所述第三凹陷部的深度等于所述第二凹陷部的深度。
5.根据权利要求1至4中任一所述的光学感测装置,其特征在于,所述检测器包括一第一检测单元与一第二检测单元,且所述第二凹陷部的开口从所述第一凹陷部与所述第一检测单元之间的位置开始延伸至邻近所述第二检测单元。
6.根据权利要求5所述的光学感测装置,其特征在于,所述第二凹陷部的开口不延伸至所述第二检测单元上方。
7.根据权利要求5所述的光学感测装置,其特征在于,所述第二凹陷部的开口横跨所述第一检测单元与所述第二检测单元,且延伸到所述封装构件的边缘。
8.根据权利要求5所述的光学感测装置,其特征在于,所述第一检测单元为一环境光传感器,所述第二检测单元为一接近传感器。
9.一种光学感测装置,其特征在于,所述光学感测装置包括:
一电路基板,其表面包括彼此独立的多个电路区域;
一发射器及一检测器分别设置所述多个电路区域上;以及
一光阻绝封装构件包覆所述电路基板的所述多个电路区域以及其上的所述发射器与所述检测器,且所述光阻绝封装构件包括一凹陷部,设置于所述检测器上方,且包括一深度;
其中,通过所述凹陷部改变所述发射器所产生的光束于所述光阻绝封装构件内的散射路径。
10.根据权利要求9所述的光学感测装置,其特征在于,所述检测器包括一第一检测单元与一第二检测单元,所述第一检测单元邻近所述发射器,所述凹陷部横跨所述第一检测单元与所述第二检测单元,及或延伸到所述光阻绝封装构件的边缘。
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