CN113882017B

CN113882017B - 籽晶的铺设方法

Info

Publication number: CN113882017B
Application number: CN202010621470.5A
Authority: CN
Inventors: 黎晓丰; 陈伟; 李林东; 唐珊珊; 王全志
Original assignee: Baotou Ates Sunshine Energy Technology Co ltd; CSI Cells Co Ltd
Current assignee: Baotou Ates Sunshine Energy Technology Co ltd; CSI Cells Co Ltd
Priority date: 2020-07-01
Filing date: 2020-07-01
Publication date: 2023-06-06
Anticipated expiration: 2040-07-01
Also published as: CN113882017A

Abstract

本发明公开了一种籽晶的铺设方法，所述籽晶的铺设方法包括：以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶以构成籽晶阵列，并使相邻两个所述第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙；在所述籽晶阵列的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶，并使所述第二籽晶沿所述籽晶阵列的所述至少一个侧边延伸，且至少一个所述第二籽晶覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。根据本发明的籽晶的铺设方法，一方面，可以避免多个第一籽晶相互挤压产生应力而在高温下生成位错，另一方面，可以避免籽晶阵列的上述至少一个侧边处产生多晶。另外，还可以防止外部的携带杂质的气体通过第一间隙进入籽晶阵列，从而可以减少缺陷的产生，提升晶体硅的质量。

Description

籽晶的铺设方法

技术领域

本发明涉及晶体硅铸锭技术领域，尤其是涉及一种籽晶的铺设方法。

背景技术

铸锭单晶(cast-mono wafer)是指采用多晶铸锭炉在常规多晶铸锭工艺的基础上加入单晶籽晶，定向凝固后形成方型硅锭，并通过开方、切片等环节，最终制成单晶的硅片。其中，单晶籽晶对铸造单晶的晶体硅质量起决定性作用。

相关技术中，籽晶层整体的四周由于受到应力容易产生多晶，导致铸造单晶四周有较多的多晶，且籽晶之间在铸锭过程中容易相互挤压导致生成位错，从而导致晶体硅的质量较低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种籽晶的铺设方法，可以避免籽晶之间相互挤压生成位错，且可以避免产生多晶，从而可以提高晶体硅的质量。

根据本发明实施例的籽晶的铺设方法，包括：以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶以构成籽晶阵列，并使相邻两个所述第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙；在所述籽晶阵列的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶，并使所述第二籽晶沿所述籽晶阵列的所述至少一个侧边延伸，且至少一个所述第二籽晶覆盖至少一个所述第一间隙的至少一部分。

根据本发明实施例的籽晶的铺设方法，通过使相邻两个第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙，并在籽晶阵列的至少一个侧边处铺设第二籽晶且使至少一个第二籽晶覆盖至少一个第一间隙的至少一部分，一方面，可以避免多个第一籽晶相互挤压产生应力而在高温下生成位错，另一方面，可以避免籽晶阵列的上述至少一个侧边处产生多晶。另外，还可以防止外部的携带杂质的气体通过第一间隙进入籽晶阵列，从而可以减少缺陷的产生，提升晶体硅的质量。

根据本发明的一些实施例，所述第二籽晶包括沿所述籽晶阵列的所述侧边的延伸方向依次设置的多个子籽晶。

根据本发明的一些实施例，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶一一对应。

根据本发明的一些实施例，每个所述子籽晶包括沿朝向所述籽晶阵列的中心依次设置的第一籽晶条和至少一个第二籽晶条，多个所述子籽晶中相邻两个所述第二籽晶条彼此间隔开以限定出第二间隙，所述第二间隙与对应的所述第一间隙连通，多个所述子籽晶中相邻两个所述第一籽晶条接触。

根据本发明的一些实施例，所述第一间隙的宽度为h₁、所述第二间隙的宽度为h₂，其中，所述h₁、h₂满足：0.5mm≤h₁≤5mm，0.5mm≤h₂≤5mm。

根据本发明的一些实施例，每个所述子籽晶中的相邻两个所述籽晶条接触。

根据本发明的一些实施例，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶沿所述侧边的延伸方向错开设置，以使每个所述子籽晶覆盖至少一个所述第一间隙。

根据本发明的一些实施例，每个所述子籽晶的端面与对应的所述第一籽晶的端面错开的距离为a，其中，所述a满足：0.5mm≤a≤5mm。

根据本发明的一些实施例，多个所述子籽晶间隔设置，每个所述子籽晶包括沿朝向远离所述籽晶阵列的中心依次设置的多个第三籽晶条。

根据本发明的一些实施例，每个所述子籽晶中的相邻两个所述第三籽晶条接触。

根据本发明的一些实施例，所述第二籽晶为多个，所述籽晶阵列的四个侧边分别设有至少一个所述第二籽晶。

根据本发明的一些实施例，所述籽晶阵列的四个角中的至少一个处设有籽晶块，所述籽晶块位于相邻两个所述第二籽晶的端部之间。

根据本发明的一些实施例，每个所述第一籽晶为方形籽晶，每个所述第一籽晶的边长为L，其中，所述L满足：125mm≤L≤210mm。

根据本发明的一些实施例，所述第二籽晶的长度为b，所述第二籽晶的宽度为c，其中，所述b、c满足：125mm≤b≤210mm,5mm≤c≤40mm。

根据本发明的一些实施例，每个所述第一籽晶的厚度为s₁，所述第二籽晶的厚度为s₂，其中，所述s₁、s₂满足：5mm≤s₁≤30mm，5mm≤s₂≤30mm。

根据本发明的一些实施例，多个所述第一籽晶呈X行Y列阵列排布，其中，所述X、Y分别满足：4≤X≤9，4≤Y≤9。

根据本发明的一些实施例，所述第二籽晶包括沿朝向远离所述籽晶阵列的中心依次设置的N个第四籽晶条，其中，所述N满足：1≤N≤5。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1a是根据本发明实施例的籽晶的铺设方法的流程示意图；

图1b是根据本发明实施例的籽晶阵列和第二籽晶的结构示意图；

图2是根据本发明一个实施例的籽晶阵列和第二籽晶的局部结构示意图；

图3是根据本发明另一个实施例的籽晶阵列和第二籽晶的局部结构示意图。

附图标记：

1：籽晶阵列；11：第一籽晶；12：第一间隙；13：籽晶块；

2：第二籽晶；21：子籽晶；211：第一籽晶条；

212：第二籽晶条；213：第二间隙；214：第三籽晶条。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本发明的实施例。

下面参考图1a-图3描述根据本发明实施例的籽晶的铺设方法。籽晶的铺设方法可以用于铺设单晶籽晶。在本申请下面的描述中，以籽晶的铺设方法用于铺设单晶籽晶为例进行说明。

如图1a-图3所示，根据本发明实施例的籽晶的铺设方法，包括：

以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶11以构成籽晶阵列1，并使相邻两个第一籽晶11之间彼此间隔开以限定出第一间隙12。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。由此，可以避免由于铸锭过程多个第一籽晶11相互挤压产生应力而在高温下生成位错，从而避免缺陷的产生，可以提高晶体硅质量。

例如，在图1b的示例中示出了二十五个第一籽晶11，二十五个第一籽晶11可以呈五行五列的矩形阵列排布。可以理解的是，图1b中显示了二十五个第一籽晶11用于示例说明的目的，但是普通技术人员在阅读了本申请的技术方案之后、显然可以理解将该方案应用到其它数量的第一籽晶11的技术方案中，这也落入本发明的保护范围之内。

在籽晶阵列1的至少一个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶2，并使第二籽晶2沿籽晶阵列1的上述至少一个侧边延伸，且至少一个第二籽晶2覆盖至少一个第一间隙12的至少一部分。

例如，在图1b的示例中，籽晶阵列1的四个侧边处均设有第二籽晶2，第二籽晶2位于籽晶阵列1外侧。这里，需要说明的是，方向“外”可以理解为远离籽晶阵列1中心的一侧，其相反方向被定义为“内”，即朝向籽晶阵列1中心的一侧。

当在坩埚底部铺设籽晶阵列1时，籽晶阵列1的四条侧边可以与坩埚的四个侧壁一一对应。由于第二籽晶2设在坩埚的内侧壁与籽晶阵列1之间，可以减小籽晶阵列1与坩埚的内侧壁之间的缝隙，从而可以避免多晶的产生。而且，由于坩埚的内侧壁上可能会生长出多晶粒，第二籽晶2可以阻挡上述多晶粒向籽晶阵列1内生长。由此，通过设置第二籽晶2，可以避免籽晶阵列1的上述至少一个侧边处产生多晶，从而可以提升晶体硅的质量。

需要说明的是，“至少一个第二籽晶2覆盖至少一个第一间隙12的至少一部分”指的是，可以是一个或多个第二籽晶2覆盖一个第一间隙12的一部分；或者，一个或多个第二籽晶2覆盖每个第一间隙12的一部分；又或者，一个或多个第二籽晶2完全覆盖一个第一间隙12；再或者，一个或多个第二籽晶2完全覆盖所有的第一间隙12；当然，还可以是其中一些第一间隙12被一个或多个第二籽晶2完全覆盖，其余的每个第一间隙12被一个或多个第二籽晶2覆盖一部分。如此设置，可以防止外部的携带杂质的气体通过第一间隙12进入籽晶阵列1，从而可以进一步保证晶体硅的质量，减少缺陷的产生。

根据本发明实施例的籽晶的铺设方法，通过使相邻两个第一籽晶11之间彼此间隔开以限定出第一间隙12，并在籽晶阵列1的至少一个侧边处铺设第二籽晶2且使至少一个第二籽晶2覆盖至少一个第一间隙12的至少一部分，一方面，可以避免多个第一籽晶11相互挤压产生应力而在高温下生成位错，另一方面，可以避免籽晶阵列1的上述至少一个侧边处产生多晶。另外，还可以防止外部的携带杂质的气体通过第一间隙12进入籽晶阵列1，从而可以减少缺陷的产生，提升晶体硅的质量。

在本发明的一些实施例中，参照图2和图3，第二籽晶2包括沿籽晶阵列1的上述侧边的延伸方向依次设置的多个子籽晶21。如此设置，可以减小每个子籽晶21的长度，从而可以降低第二籽晶2的加工难度，方便加工。

在本发明的一些可选实施例中，结合图2，多个子籽晶21与位于籽晶阵列1的上述侧边上的多个第一籽晶11一一对应。

例如，在图1b和图2的示例中，籽晶阵列1具有四个侧边，籽晶阵列1的每个侧边上设有五个第一籽晶11，相应地，籽晶阵列1的每个侧边处设有五个子籽晶21，五个子籽晶21分别设在的五个第一籽晶11外侧。其中，每个子籽晶21的长度可以与第一籽晶11的长度相等。加工时，每个子籽晶21可以通过切割与第一籽晶11的尺寸相同的籽晶而成。如此设置，每个子籽晶21可以更好地止挡在对应的第一籽晶11的外侧，在避免产生多晶的同时，使整个籽晶阵列1的结构更加稳定，且方便加工。

在本发明的一些具体实施例中，如图2所示，每个子籽晶21包括沿朝向籽晶阵列1的中心依次设置的第一籽晶条211和至少一个第二籽晶条212，多个子籽晶21中相邻两个第二籽晶条212彼此间隔开以限定出第二间隙213，第二间隙213与对应的第一间隙12连通，多个子籽晶21中相邻两个第一籽晶条211接触。

例如，在图2的示例中，每个子籽晶21包括第一籽晶条211和两个第二籽晶条212，第一籽晶条211位于两个第二籽晶条212的远离籽晶阵列1中心的一侧，沿侧边的延伸方向、相邻两个子籽晶21的第二籽晶条212彼此间隔开，且相邻两个子籽晶21的第一籽晶条211相互接触。由此，通过使多个子籽晶21中相邻两个第二籽晶条212之间限定出第二间隙213，可以避免在铸锭过程中多个子籽晶21中相邻两个第二籽晶条212之间由于体积膨胀而相互挤压，从而可以避免相邻两个第二籽晶条212之间由于产生应力而在高温下生成位错，避免缺陷的产生。而且，通过使多个子籽晶21中相邻两个第一籽晶条211接触，可以将携带杂质的气体阻挡在籽晶阵列1外，从而可以避免杂质进入籽晶阵列1内部，可以进一步避免缺陷的产生。

可选地，参照图2，第一间隙12的宽度为h₁、第二间隙213的宽度为h₂，其中，h₁、h₂满足：0.5mm≤h₁≤5mm，0.5mm≤h₂≤5mm。例如，当h₁＜0.5mm时，第一间隙12过小，在铸锭过程中相邻两个第一籽晶11可能会产生挤压，从而可能在高温下生成位错导致出现缺陷；当h₁＞5mm时，第一间隙12过大，第一间隙12处可能会长晶，从而导致晶体硅的质量过差；当h₂＜0.5mm时，第二间隙213过小，在铸锭过程中，多个子籽晶21中相邻两个第二籽晶条212之间可能会产生挤压，从而可能在高温下生成位错导致出现缺陷；当h₂＞5mm时，第二间隙213过大，第二间隙213处可能会长晶，从而导致晶体硅的质量过差。由此，通过使h₁、h₂满足：0.5mm≤h₁≤5mm、0.5mm≤h₂≤5mm，可以避免相邻两个第一籽晶11以及相邻两个第二籽晶条212之间产生位错，从而可以避免缺陷的产生，且可以提升晶体硅的质量。其中，h₁和h₂可以相等。

可选地，结合图2，每个子籽晶21中的相邻两个籽晶条接触。需要说明的是，“籽晶条”指的是上述第一籽晶条211和第二籽晶条212。例如，在图2的示例中，每个籽晶条中相邻两个籽晶条之间在籽晶条的宽度方向上依次设置，每个子籽晶21中第一籽晶条211与相邻的第二籽晶条212接触且相邻两个第二籽晶条212接触。由于第一籽晶条211、第二籽晶条212的宽度远小于长度，第一籽晶条211和第二籽晶条212在宽度方向上几乎不会产生体积膨胀，从而不会产生位错。由此，在保证每个子籽晶21中相邻两个籽晶条之间不会产生位错的同时，使多个子籽晶21的结构更加紧凑，方便布置。

在本发明的另一些实施例中，如图3所示，多个子籽晶21与位于籽晶阵列1的上述侧边上的多个第一籽晶11沿上述侧边的延伸方向错开设置，以使每个子籽晶21覆盖至少一个第一间隙12。也就是说，每个子籽晶21可以覆盖一个第一间隙12，也可以覆盖多个第一间隙12。例如，在图3的示例中，籽晶阵列1的每个侧边处可以设有五个子籽晶21，五个子籽晶21可以与位于籽晶阵列1的每个侧边上的五个第一籽晶11一一对应，此时每个子籽晶21覆盖一个第一间隙12。由此，通过上述设置，可以避免气体通过第一间隙12进入籽晶阵列1内部，从而可以避免杂质的沉积，保证晶体硅具有较高的质量。

可选地，如图3所示，每个子籽晶21的端面与对应的第一籽晶11的端面错开的距离为a，其中，a满足：0.5mm≤a≤5mm。例如，在图3的示例中，相邻两个子籽晶21间隔设置，且相邻两个子籽晶21之间的间隙与对应的第一间隙12互不连通，此时相邻两个子籽晶21之间的间隙与对应的第一间隙12之间错开的距离为a。例如当a＜0.5mm时，每个子籽晶21的端面与对应的第一籽晶11的端面错开的距离过小，在铸锭过程中可能会导致气体杂质通过第一间隙12进入籽晶阵列1内部；当a＞5mm时，每个子籽晶21的端面与对应的第一籽晶11的端面错开的距离过大，容易产生缺陷。由此，通过使a满足：0.5mm≤a≤5mm，在避免气体进入籽晶阵列1内部的同时，可以避免产生缺陷，从而可以进一步提升晶体硅的质量。

在本发明的一些实施例中，参照图3，多个子籽晶21间隔设置，每个子籽晶21包括沿朝向远离籽晶阵列1的中心依次设置的多个第三籽晶条214。由此，通过使多个子籽晶21间隔设置，可以避免在铸锭过程中相邻两个子籽晶21之间由于体积膨胀而相互挤压，从而可以避免相邻两个子籽晶21之间由于产生应力而在高温下生成位错，可以避免缺陷的产生。

可选地，每个子籽晶21中的相邻两个第三籽晶条214接触。例如，在图3的示例中，每个籽晶条中相邻两个第三籽晶条214在宽度方向上依次设置，由于第三籽晶条214的宽度远小于长度，第三籽晶条214在宽度方向上几乎不会产生体积膨胀，从而不会产生位错。如此设置，在保证每个子籽晶21中相邻两个第三籽晶条214之间不会产生位错的同时，使子籽晶21的结构更加紧凑，方便布置。

可选地，如图1b-图3所示，第二籽晶2可以为多个，籽晶阵列1的四个侧边分别设有至少一个第二籽晶2。例如，在图1b的示例中，多个第二籽晶2包裹在籽晶阵列1的外周。由此，籽晶阵列1的四个侧边处的第二籽晶2可以减小籽晶阵列1与对应的坩埚的内侧壁之间的距离，且可以阻挡多晶粒从籽晶阵列1的侧边向籽晶阵列1内生长，从而可以避免籽晶阵列1的四个侧边处产生多晶，从而可以进一步提升晶体硅的质量。

进一步地，参照图1b，籽晶阵列1的四个角中的至少一个处设有籽晶块13，籽晶块13位于相邻两个第二籽晶2的端部之间。例如，在图1b的示例中示出了四个籽晶块13，四个籽晶块13分别设在籽晶阵列1的四个角处。由此，籽晶块13可以填充相邻两个第二籽晶2的端部之间的缝隙，从而可以进一步避免多晶的产生。

在本发明的一些可选实施例中，结合图1b，每个第一籽晶11可以为方形籽晶，每个第一籽晶11的边长为L，其中，L满足：125mm≤L≤210mm。例如，当L＜125mm时，每个第一籽晶11的边长过小，从而可能降低光伏组件的输出功率；当L＞210mm时，每个第一籽晶11的边长过大，从而可能增加玻璃制程的难度，降低光伏组件的载荷能力。由此，通过使L满足：125mm≤L≤210mm，使光伏组件可以具有较大的输出功率，且可以降低玻璃制程难度。

可选地，第二籽晶2的长度为b，第二籽晶2的宽度为c，其中，b、c满足：125mm≤b≤210mm,5mm≤c≤40mm。具体地，例如，当c＜5mm时，第二籽晶2的宽度过小，从而可能使籽晶阵列1与坩埚的内壁之间的间隙过大，导致多晶的产生；当c＞40mm时，第二籽晶2的宽度过大，从而可能导致第二籽晶2与坩埚的内壁之间的间隙过小，使坩埚由于受力过大而开裂。由此，通过使第二籽晶2的宽度c满足：5mm≤c≤40mm，在避免产生多晶的同时，保证了坩埚的正常使用，延长了坩埚的使用寿命。

可选地，每个第一籽晶11的厚度为s₁，第二籽晶2的厚度为s₂，其中，s₁、s₂满足：5mm≤s₁≤30mm，5mm≤s₂≤30mm。其中，第二籽晶2的厚度指的是第二籽晶2在坩埚的高度方向的尺寸。例如，当s₂＜5mm时，第二籽晶2的厚度过小，可能出现第二籽晶2未完全熔化就进入长晶阶段，从而可能导致多晶的产生；当s₂＞30mm时，第二籽晶2的厚度过大，在装料过程中，由于上部硅料的挤压，第二籽晶2对坩埚的压力较大，对坩埚不利。其中，s₁和s₂可以相等。由此，通过使第二籽晶2的厚度s₂满足5mm≤s₂≤30mm，在避免产生多晶的同时，可以减小第二籽晶2对坩埚的挤压。

在本发明的一些实施例中，多个第一籽晶11呈X行Y列阵列排布，其中，X、Y分别满足：4≤X≤9，4≤Y≤9。其中，X、Y可以相等也可以不相等。当X和Y相等时，多个第一籽晶11可以呈正方形阵列排布，例如第一籽晶11的排列方式为5×5、6×6、7×7或8×8排列。

在本发明的一些实施例中，参照图1b-图3，第二籽晶2包括沿朝向远离籽晶阵列1的中心依次设置的N个第四籽晶条，其中，N满足：1≤N≤5。例如，在图1b-图3的示例中示出了三个第四籽晶条，三个第四籽晶条沿朝向远离籽晶阵列1的中心方向依次设置。当N＞5时，会使第二籽晶2的结构过于复杂。由此，通过使N满足：1≤N≤5，在避免产生多晶的同时，使第二籽晶2的结构简单，方便布置。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，“第一特征”、“第二特征”、“第三特征”、“第四特征”可以包括一个或者更多个该特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims

1.一种籽晶的铺设方法，其特征在于，包括：

以阵列排布的方式铺设多个第一籽晶以构成籽晶阵列，并使相邻两个所述第一籽晶之间彼此间隔开以限定出第一间隙；

在所述籽晶阵列的四个侧边处铺设形成为条状结构的至少一个第二籽晶，并使所述第二籽晶沿所述籽晶阵列的所述四个侧边延伸，且至少一个所述第二籽晶覆盖至少一个所述第一间隙端部的至少一部分；

所述籽晶阵列的四个角中的至少一个处设有籽晶块，所述籽晶块位于相邻两个所述第二籽晶的端部之间。

2.根据权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第二籽晶包括沿所述籽晶阵列的所述侧边的延伸方向依次设置的多个子籽晶。

3.根据权利要求2所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶一一对应。

4.根据权利要求2所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，多个所述子籽晶与位于所述籽晶阵列的所述侧边上的多个所述第一籽晶沿所述侧边的延伸方向错开设置，以使每个所述子籽晶覆盖至少一个所述第一间隙端部。

5.根据权利要求4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，每个所述子籽晶的端面与对应的所述第一籽晶的端面错开的距离为a，其中，所述a满足：0.5mm≤a≤5mm。

6.根据权利要求4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，多个所述子籽晶间隔设置，每个所述子籽晶包括沿朝向远离所述籽晶阵列的中心依次设置的多个第三籽晶条。

7.根据权利要求6所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，每个所述子籽晶中的相邻两个所述第三籽晶条接触。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，每个所述第一籽晶为方形籽晶，每个所述第一籽晶的边长为L，其中，所述L满足：125mm≤L≤210mm。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第二籽晶的长度为b，所述第二籽晶的宽度为c，其中，所述b、c满足：125mm≤b≤210mm,5mm≤c≤40mm。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，每个所述第一籽晶的厚度为s₁，所述第二籽晶的厚度为s₂，其中，所述s₁、s₂满足：5mm≤s₁≤30mm，5mm≤s₂≤30mm。

11.根据权利要求1-7中任一项所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，多个所述第一籽晶呈X行Y列阵列排布，其中，所述X、Y分别满足：4≤X≤9，4≤Y≤9。

12.根据权利要求1-7中任一项所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述第二籽晶包括沿朝向远离所述籽晶阵列的中心依次设置的N个第四籽晶条，其中，所述N满足：1≤N≤5。