CN113872532B - 应用于4g全频段功率放大器的耦合电路及电子设备 - Google Patents

应用于4g全频段功率放大器的耦合电路及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,包括定向耦合器、耦合信号输出端口、低频耦合通路网络、中高频耦合通路网络、第一切换开关以及第二切换开关;所述第一切换开关用于使所述定向耦合器的耦合端选择性与所述低频耦合通路网络的输入端或者所述中高频耦合通路网络的输入端连接,所述第二切换开关用于在所述耦合端与所述低频耦合通路网络的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口与所述低频耦合通路网络的输出端连接,并在所述耦合端与所述中高频耦合通路网络的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口与所述中高频耦合通路网络的输出端连接,由此,可以使得耦合电路选择性工作在低频段或者中高频段。

Description

应用于4G全频段功率放大器的耦合电路及电子设备
技术领域
本发明涉及射频功率放大器技术领域,尤其涉及一种应用于4G全频段功率放大器的耦合电路及电子设备。
背景技术
射频功率放大器发射模组在手机通信系统中承担了越来越重要的角色,其具有极高的集成度,内部不仅集成有功率放大器,还有多掷数射频开关以及耦合器。其中耦合器在射频功率放大器发射模组的主要作用便是通过耦合模组接收的线型功率放大器的功率能量,然后反馈给手机收发系统,手机收发系统通过耦合器反馈信号对手机射频功率放大器进行功率校准和调节,以此来得到准确的发射功率。然而,传统的双微带线耦合器耦合系数随频率变化较单调,很难有较好的耦合平坦度,工作带宽较窄,使得耦合器只能在低频段或者中高频段工作。
发明内容
本发明实施例提供一种应用于低频功率放大器的耦合电路及电子设备,可以选择性工作在低频段或者中高频段,具有较宽的工作带宽,提高适用范围。
为了解决上述技术问题,第一方面,本发明提供一种应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,包括定向耦合器、耦合信号输出端口、低频耦合通路网络、中高频耦合通路网络、第一切换开关以及第二切换开关;
所述定向耦合器包括主输入端、主输出端、连接所述主输入端和所述主输出端的主传输线、隔离端、耦合端以及连接所述耦合端和所述隔离端的次传输线;所述主输入端用于输入射频信号,所述主输出端连接有天线,以通过所述天线输出射频信号,所述隔离端通过负载电阻接地;
所述第一切换开关用于使所述耦合端选择性与所述低频耦合通路网络的输入端或者所述中高频耦合通路网络的输入端连接,所述第二切换开关用于在所述耦合端与所述低频耦合通路网络的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口与所述低频耦合通路网络的输出端连接,并在所述耦合端与所述中高频耦合通路网络的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口与所述中高频耦合通路网络的输出端连接。
更进一步地,所述第一切换开关和所述第二切换开关均为单端双掷开关;
所述第一切换开关的动端与所述耦合端连接,所述第一切换开关的一个不动端与所述低频耦合通路网络的输入端连接,所述第一切换开关的另一个不动端与所述中高频耦合通路网络的输入端连接;
所述第二切换开关的动端与所述耦合信号输出端口连接,所述第二切换开关的一个不动端与所述低频耦合通路网络的输出端连接,所述第二切换开关的另一个不动端与所述中高频耦合通路网络的输出端连接。
更进一步地,所述低频耦合通路网络包括第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路以及第四谐振支路;
所述第一谐振支路的一端、所述第二谐振支路的一端和所述第三谐振支路的一端均与所述第一切换开关的一个不动端连接,所述第一谐振支路的另一端、第四谐振支路的一端均与所述第二切换开关的一个不动端连接,所述第二谐振支路的另一端、所述第三谐振支路的另一端和第四谐振支路的另一端均接地;
所述第二谐振支路的谐振频率范围为4GHz~4.7GHz,所述第三谐振支路的谐振频率范围为2.5GHz~3GHz,所述第四谐振支路的谐振频率范围为1.9GHz~2GHz。
更进一步地,所述第二谐振支路的谐振频率为4.56GHz,所述第三谐振支路的谐振频率为2.7GHz,所述第四谐振支路的谐振频率为2.0GHz。
更进一步地,所述第一谐振支路包括串联的第一电容C1和第一电感L1,所述第一电容C1的一端作为所述低频耦合通路网络的输出端与所述第二切换开关的一个不动端连接,所述第一电容C1的另一端与所述第一电感L1连接,所述第一电感L1的另一端与所述第一切换开关的一个不动端连接。
更进一步地,所述第二谐振支路包括串联的第二电容C2和第二电感L2,所述第二电容C2的一端通过所述第二电感L2接地,所述第二电容C2的另一端与所述第一切换开关的一个不动端连接;
第三谐振支路包括串联的第三电容C3和第三电感L3,所述第三电容C3的一端通过所述第三电感L3接地,所述第三电容C3的另一端与所述第一切换开关的一个不动端连接;
所述第四谐振支路包括串联的第四电容C4和第四电感L4,所述第四电容C4的一端通过所述第四电感L4接地,所述第四电容C4的另一端与所述第二切换开关的一个不动端连接。
更进一步地,还包括第五电容C5和第五电感L5;
所述第五电容C5的一端作为所述低频耦合通路网络的输入端与所述第一切换开关的一个不动端连接,所述第五电容C5的另一端与所述第一电感L连接;所述第二电容C2和所述第三电容C3分别通过所述第五电容C5与所述第一切换开关的一个不动端连接;
所述第五电感L5串联在所述第五电容C2和所述第一电感L1之间,所述第一谐振支路位于所述第五电容C5和所述第五电感L5之间,所述第二谐振支路位于所述第一电感L1和所述第五电感L5之间。
更进一步地,所述第一谐振支路的谐振频率为600MHz-1.3GHz。
更进一步地,所述中高频耦合通路网络包括带通滤波器、π型滤波单元以及谐振单元;
所述带通滤波器的一端和所述谐振单元的一端均与所述第一切换开关的另一个不动端连接,所述带通滤波器的另一地接地,所述谐振单元的另一端与所述π型滤波单元的输入端连接,所述π型滤波单元的输出端与所述第二切换开关的另一个不动端连接。
更进一步地,所述带通滤波器包括第六电容C6、第六电感L6、第七电容C7以及第七电感L7,所述第六电容C6和所述第六电感L6形成并联结构,所述第七电容C7和所述第七电感L7形成串联结构,所述并联结构的一端与所述第一切换开关的另一个不动端连接,所述并联结构的另一端与所述串联结构的一端连接,所述串联结构的另一端接地。
更进一步地,所述π型滤波单元包括形成第一串联支路的第八电容C8和第八电感L8、形成第二串联支路的第九电容C9和第九电感L9、以及第十电感L10;
所述第一串联支路的一端和所述第十电感L10的一端连接,且连接节点作为所述π型滤波单元的输入端与所述谐振单元连接,所述第一串联支路的另一地接地;所述第二串联支路的一端和所述第十电感L10的另一端连接,且连接节点作为所述π型滤波单元的输出端与所述第二切换开关的另一个不动端连接,所述第二串联支路的另一端接地。
更进一步地,所述谐振单元包括串联的第十一电感L11和第十电容C10,所述第十一电感L11的一端作为所述谐振单元的所述一端与所述第一切换开关的另一个不动端连接,所述第十一电感L11的另一端与所述第十电容C10的一端连接,所述第十电容C10的另一端作为所述谐振单元的所述另一端与所述π型滤波单元的输入端连接。
更进一步地,还包括第十二电感L12,所述带通滤波器的所述一端和所述谐振单元的所述一端通过所述第十二电感L12与所述第一切换开关的另一个不动端连接。
更进一步地,还包括第一电阻R1,所述π型滤波单元的输出端通过所述第一电阻R1与所述第二切换开关的另一个不动端连接。
第二方面,本发明实施例还提供一种电子设备,包括上述任一项所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路。
有益效果:本发明的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,包括定向耦合器、耦合信号输出端口、低频耦合通路网络、中高频耦合通路网络、第一切换开关以及第二切换开关;所述定向耦合器包括主输入端、主输出端、连接所述主输入端和所述主输出端的主传输线、隔离端、耦合端以及连接所述耦合端和所述隔离端的次传输线;所述主输入端用于输入射频信号,所述主输出端连接有天线,以通过所述天线输出射频信号,所述隔离端通过负载电阻接地;所述第一切换开关用于使所述耦合端选择性与所述低频耦合通路网络的输入端或者所述中高频耦合通路网络的输入端连接,所述第二切换开关用于在所述耦合端与所述低频耦合通路网络连接时,使所述耦合信号输出端口与所述低频耦合通路网络的输出端连接,并在所述耦合端与所述中高频耦合通路网络连接时,使所述耦合信号输出端口与所述中高频耦合通路网络的输出端连接,由此,通过第一切换开关和第二切换开关的作用,可以使得耦合电路选择性使用低频耦合通路网络或者中高频耦合通路网络输出耦合信号,从而使得耦合电路的工作频段可以覆盖全部4G通信频段,具有较宽的工作带宽,提高适用范围。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是本发明实施例提供的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路的电路图;
图2是本发明实施例的低频耦合通路网络的耦合系数仿真波形图;
图3是本发明实施例的中高频耦合通路网络的耦合系数仿真波形图。
具体实施方式
请参照图式,其中相同的组件符号代表相同的组件,本发明的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本发明具体实施例,其不应被视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
参阅图1,本发明实施例的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路100,其包括定向耦合器10、耦合信号输出端口11、低频耦合通路网络12、中高频耦合通路网络13、第一切换开关14以及第二切换开关15。
其中,所述定向耦合器10包括主输入端Port1、主输出端Port2、连接所述主输入端Port1和所述主输出端Port2的主传输线、隔离端Port3、耦合端Port4以及连接所述耦合端Port4和所述隔离端Port3的次传输线。本发明实施例中,定向耦合器10可以是双微带线耦合器,也可以是其他例如同轴线或带状线耦合器。所述主输入端Port1用于输入射频信号RFin,所述主输出端Port2连接有天线ANT,以通过所述天线ANT输出射频信号。所述隔离端Port3通过负载电阻R0接地,其中负载电阻R0可以是50Ω的阻值。所述耦合端Port4用于输出耦合信号。
所述第一切换开关14用于使所述耦合端Port4选择性与所述低频耦合通路网络12的输入端或者所述中高频耦合通路网络13的输入端连接,所述第二切换开关15用于在所述耦合端Port4与所述低频耦合通路网络12的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口11与所述低频耦合通路网络12的输出端连接,并在所述耦合端Port4与所述中高频耦合通路网络13的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口11与所述中高频耦合通路网络13的输出端连接。即,本发明实施例中,通过第一切换开关14和第二切换开关15的作用,使得所述耦合端Port4选择通过所述低频耦合通路网络12将耦合信号传输至耦合信号输出端口11,从而通过所述耦合信号输出端口11输出耦合信号,或者使得所述耦合端Port4选择通过所述中高频耦合通路网口13将耦合信号传输至耦合信号输出端口11,从而通过所述耦合信号输出端口11输出耦合信号。
因此,通过本发明实施例的耦合电路100,可以使得耦合电路100的工作频段能够覆盖全部4G通信频段,具有较宽的工作带宽,提高适用范围。
其中,耦合电路100还可以包括逻辑控制模块16,逻辑控制模块16用于控制第一切换开关14和第二切换开关15实现开关切换功能。
进一步地,本发明的一实施例中,所述第一切换开关14和所述第二切换开关15均为单端双掷开关。其中,所述第一切换开关14的动端与所述耦合端Port4连接,所述第一切换开关14的一个不动端与所述低频耦合通路网络12的输入端连接,所述第一切换开关14的另一个不动端与所述中高频耦合通路网络13的输入端连接。所述第二切换开关15的动端与所述耦合信号输出端口11连接,所述第二切换开关15的一个不动端与所述低频耦合通路网络12的输出端连接,所述第二切换开关15的另一个不动端与所述中高频耦合通路网络13的输出端连接。
其中,所述低频耦合通路网络12包括第一谐振支路121、第二谐振支路122、第三谐振支路123以及第四谐振支路124。所述第一谐振支路121的一端、所述第二谐振支路122的一端和所述第三谐振支路123的一端均与所述第一切换开关14的一个不动端连接,所述第一谐振支路121的另一端、第四谐振支路124的一端均与所述第二切换开关15的一个不动端连接,所述第二谐振支路122的另一端、所述第三谐振支路123的另一端和第四谐振支路124的另一端均接地。
所述第二谐振支路122的谐振频率范围为4GHz~4.7GHz,所述第三谐振支路123的谐振频率范围为2.5GHz~3GHz,所述第四谐振支路124的谐振频率范围为1.9GHz~2GHz。由此,本发明实施例中,通过第二至第四谐振支路的谐振,可以对中高频信号的耦合系数进行抑制,从而当所述耦合端Port4通过所述低频耦合通路网络12输出耦合信号时,可以减少中高频信号的干扰,提高收发系统的判断准确性。
进一步地,在一种实现方式中,所述第二谐振支路122的谐振频率为4.56GHz,所述第三谐振支路123的谐振频率为2.7GHz,所述第四谐振支路124的谐振频率为2.0GHz。
其中,所述第一至第四谐振支路可以均为LC串联谐振支路。更具体地,所述第一谐振支路121包括串联的第一电容C1和第一电感L1,所述第二谐振支路122包括串联的第二电容C2和第二电感L2,第三谐振支路123包括串联的第三电容C3和第三电感L3,所述第四谐振支路124包括串联的第四电容C4和第四电感L4。进一步地,所述低频耦合通路网络12还包括第五电容C5和第五电感L5。
所述第一电容C1的一端作为所述低频耦合通路网络12的输出端与所述第二切换开关15的一个不动端连接,所述第一电容C1的另一端与所述第一电感L1连接,所述第一电感L1的另一端依次通过第五电感L5和第五电容C5而与所述第一切换开关14的一个不动端连接,即所述第五电容C5的一端作为所述低频耦合通路网络12的输入端与所述第一切换开关14的一个不动端连接。
所述第二电容C2的一端通过所述第二电感L2接地,所述第二电容C2的另一端连接在所述第五电感L5和所述第五电容C5之间。所述第三电容C3的一端通过所述第三电感L3接地,所述第三电容C3的另一端连接在所述第一电感L1和所述第五电感L5之间。所述第四电容C4的一端通过所述第四电感L4接地,所述第四电容C4的另一端连接作为所述低频耦合通路网络12的输出端的所述第一电容C1的一端。其中,第五电容C5可以用于阻抗调节匹配。所述第一谐振支路121谐振于低频区域,同时可用于阻抗调节,调节耦合系数的平坦度。第一谐振支路11的振频率范围可以为600MHz-1.3GHz。
参阅图2,图2是本发明实施例的低频耦合通路网络的耦合系数仿真波形图,图中纵坐标表示耦合系数,横坐标表示频率,如图所示,第二谐振支路122谐振于m16的位置,即谐振频率为4.56GHz;第三谐振支路123谐振于m15的位置,即谐振频率为2.7GHz;第四谐振支路124谐振于m17的位置,即谐振频率为2.0GHz,由图可看出,第二谐振支路122、第三谐振支路123以及第四谐振支路124对中高频信号的耦合系数具有较好的抑制,达到了30dB以上的抑制,而在600MHz-1.3GHz的低频区域,耦合系数较为平坦,波动只有+-0.1dB。因此,通过对中高频型号的抑制,可以提高收发系统对功率判断的准确性,具有较好的低频性能。
继续参阅图1,本发明的一实施例中,所述中高频耦合通路网络13包括带通滤波器131、π型滤波单元132以及谐振单元133。所述带通滤波器131的一端和所述谐振单元133的一端均与所述第一切换开关14的另一个不动端连接,所述带通滤波器131的另一地接地,所述谐振单元133的另一端与所述π型滤波单元132的输入端连接,所述π型滤波单元132的输出端与所述第二切换开关15的另一个不动端连接。
进一步地,所述带通滤波器131包括第六电容C6、第六电感L6、第七电容C7以及第七电感L7,所述第六电容C6和所述第六电感L6形成并联结构,所述第七电容C7和所述第七电感L7形成串联结构,所述并联结构的一端与所述第一切换开关14的另一个不动端连接,更具体而言,所述第六电容C6的一端和所述第六电感L6的一端均作为所述并联结构的一端连接至与所述第一切换开关14的另一个不动端,所述并联结构的另一端与所述串联结构的一端连接,所述串联结构的另一端接地,更具体而言,所述第七电容C7和所述第七电感L7串联,且所述第七电感L7的一端为所述串联结构的所述另一端接地。
其中,如图3所示,第六电容C6和第六电感L6谐振于第一谐波频率640.MHz,即m1的位置点,第七电容C7和第七电感L7谐振于第二谐波频率3.15GHz即m7的位置点。
其中,所述第六电容C6和所述第六电感L6并联谐振的阻抗Z111表示为:
Figure GDA0003760334550000081
所述第七电容C7和所述第七电感L7串联谐振的阻抗Z112表示为:
Figure GDA0003760334550000082
Figure GDA0003760334550000083
Figure GDA0003760334550000084
由式(1)可知,所述并联结构的阻抗Z111谐振于ωα,在ω<ωα时,所述并联结构的阻抗Z111呈容性,在ω>ωα时,所述并联结构的阻抗Z111呈感性。由式(2)可知,所述串联结构的阻抗Z112谐振于ωβ,在ω<ωβ时,所述串联结构的阻抗Z112呈感性,在ω>ωβ时,所述串联结构的阻抗Z112呈容性。
所述带通滤波器131的阻抗可以表示为:
Figure GDA0003760334550000091
显然,方程ω4L6L7C6C72(L6C6+L6C7+L6C7)+1=0存在四个根,该四个根可以分为两对,每对根互为相反数。由此,可以通过合理配置第六电容C6、第六电感L6、第七电容C7和第七电感L7的参数,使得上述两对根分别对应第一谐波频率和第二谐波频率。
本发明实施例中,中高频耦合通路网络13还包括第十二电感L12和第一电阻R1。所述π型滤波单元132包括形成第一串联支路的第八电容C8和第八电感L8、形成第二串联支路的第九电容C9和第九电感L9、以及第十电感L10。所述第一串联支路的一端和所述第十电感L10的一端连接,且连接节点作为所述π型滤波单元132的输入端与所述谐振单元133连接,所述第一串联支路的另一地接地;所述第二串联支路的一端和所述第十电感L10的另一端连接,且连接节点作为所述π型滤波单元132的输出端与所述第二切换开关15的另一个不动端连接,所述第二串联支路的另一端接地。
所述谐振单元133包括串联的第十一电感L11和第十电容C10,所述第十一电感L11的一端作为所述谐振单元133的所述一端与所述第一切换开关14的另一个不动端连接,所述第十一电感L11的另一端与所述第十电容C10的一端连接,所述第十电容C10的另一端作为所述谐振单元133的所述另一端与所述π型滤波单元132的输入端连接。
其中,所述带通滤波器131的所述一端和所述谐振单元133的所述一端通过所述第十二电感L12与所述第一切换开关14的另一个不动端连接,即所述第十二电感L12的一端作为所述中高频耦合通路网络13的输入端与所述第一切换开关14的另一个不动端连接。所述π型滤波单元132的输出端通过所述第一电阻R1与所述第二切换开关15的另一个不动端连接,即所述第一电阻R1的一端作为所述中高频耦合通路网络13的输出端与所述第二切换开关15的另一个不动端连接。
其中,所述谐振单元133谐振于工作频段区间,通过调节电容C10和电感L11与带通滤波器131协同组合,调整电路阻抗的同时对谐振单元133进行调整以达到调节耦合系数的目的。通过π型滤波单元132,可以对高频部分的耦合系数进行滤波效果。其中电容C8、电感L8的谐振和电容C9、电感L9的谐振均可以对高频部分的信号进行较好的抑制。如图3所示,电容C8、电感L8谐振于m8频点,电容C9、电感L9谐振于5GHz以上的频点,用于抑制更高频段耦合。第一电阻R1可以用于调节整体中高频耦合通路网络13的耦合系数。由于耦合频率较高,因此中高频段的耦合系数往往比低频要高,因此通过串联一个电阻R1对耦合系数进行衰减,可以达到平衡耦合系数的目的,从而获得更平坦的全频段系数。从图3中可以看出,耦合系数在1.3GHz-2.7GHz非常平坦,耦合系数波动不到±0.2dB,同时对耦合频段以外的频段有一定的抑制效果。
因此,通过本发明实施例的耦合电路100,可以对整个耦合网络的耦合系数从600MHz-2.7GHz,具有非常平坦的耦合系数,全频段的耦合系数波动不到±0.2dB。
本发明实施例还提供一种电子设备,包括上述任一实施例所描述的耦合电路。
以上对本发明实施例所提供的一种应用于4G全频段功率放大器的耦合电路及电子设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (12)

1.一种应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,包括定向耦合器、耦合信号输出端口、低频耦合通路网络、中高频耦合通路网络、第一切换开关以及第二切换开关;
所述定向耦合器包括主输入端、主输出端、连接所述主输入端和所述主输出端的主传输线、隔离端、耦合端以及连接所述耦合端和所述隔离端的次传输线;所述主输入端用于输入射频信号,所述主输出端连接有天线,以通过所述天线输出射频信号,所述隔离端通过负载电阻接地;
所述第一切换开关用于使所述耦合端选择性与所述低频耦合通路网络的输入端或者所述中高频耦合通路网络的输入端连接,所述第二切换开关用于在所述耦合端与所述低频耦合通路网络的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口与所述低频耦合通路网络的输出端连接,并在所述耦合端与所述中高频耦合通路网络的输入端连接时,使所述耦合信号输出端口与所述中高频耦合通路网络的输出端连接;
所述第一切换开关和所述第二切换开关均为单端双掷开关;
所述第一切换开关的动端与所述耦合端连接,所述第一切换开关的一个不动端与所述低频耦合通路网络的输入端连接,所述第一切换开关的另一个不动端与所述中高频耦合通路网络的输入端连接;
所述第二切换开关的动端与所述耦合信号输出端口连接,所述第二切换开关的一个不动端与所述低频耦合通路网络的输出端连接,所述第二切换开关的另一个不动端与所述中高频耦合通路网络的输出端连接;
所述低频耦合通路网络包括第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路以及第四谐振支路;
所述第一谐振支路的一端、所述第二谐振支路的一端和所述第三谐振支路的一端均与所述第一切换开关的一个不动端连接,所述第一谐振支路的另一端、第四谐振支路的一端均与所述第二切换开关的一个不动端连接,所述第二谐振支路的另一端、所述第三谐振支路的另一端和第四谐振支路的另一端均接地;
所述第二谐振支路的谐振频率范围为4GHz~4.7GHz,所述第三谐振支路的谐振频率范围为2.5GHz~3GHz,所述第四谐振支路的谐振频率范围为1.9GHz~2GHz;
所述中高频耦合通路网络包括带通滤波器、π型滤波单元以及谐振单元;
所述带通滤波器的一端和所述谐振单元的一端均与所述第一切换开关的另一个不动端连接,所述带通滤波器的另一地接地,所述谐振单元的另一端与所述π型滤波单元的输入端连接,所述π型滤波单元的输出端与所述第二切换开关的另一个不动端连接。
2.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,所述第二谐振支路的谐振频率为4.56GHz,所述第三谐振支路的谐振频率为2.7GHz,所述第四谐振支路的谐振频率为2.0GHz。
3.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,所述第一谐振支路包括串联的第一电容C1和第一电感L1,所述第一电容C1的一端作为所述低频耦合通路网络的输出端与所述第二切换开关的一个不动端连接,所述第一电容C1的另一端与所述第一电感L1连接,所述第一电感L1的另一端与所述第一切换开关的一个不动端连接。
4.根据权利要求3所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,所述第二谐振支路包括串联的第二电容C2和第二电感L2,所述第二电容C2的一端通过所述第二电感L2接地,所述第二电容C2的另一端与所述第一切换开关的一个不动端连接;
第三谐振支路包括串联的第三电容C3和第三电感L3,所述第三电容C3的一端通过所述第三电感L3接地,所述第三电容C3的另一端与所述第一切换开关的一个不动端连接;
所述第四谐振支路包括串联的第四电容C4和第四电感L4,所述第四电容C4的一端通过所述第四电感L4接地,所述第四电容C4的另一端与所述第二切换开关的一个不动端连接。
5.根据权利要求4所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,还包括第五电容C5和第五电感L5;
所述第五电容C5的一端作为所述低频耦合通路网络的输入端与所述第一切换开关的一个不动端连接,所述第五电容C5的另一端与所述第一电感L连接;所述第二电容C2和所述第三电容C3分别通过所述第五电容C5与所述第一切换开关的一个不动端连接;
所述第五电感L5串联在所述第五电容C2和所述第一电感L1之间,所述第一谐振支路位于所述第五电容C5和所述第五电感L5之间,所述第二谐振支路位于所述第一电感L1和所述第五电感L5之间。
6.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,所述第一谐振支路的谐振频率为600MHz-1.3GHz。
7.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,所述带通滤波器包括第六电容C6、第六电感L6、第七电容C7以及第七电感L7,所述第六电容C6和所述第六电感L6形成并联结构,所述第七电容C7和所述第七电感L7形成串联结构,所述并联结构的一端与所述第一切换开关的另一个不动端连接,所述并联结构的另一端与所述串联结构的一端连接,所述串联结构的另一端接地。
8.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,所述π型滤波单元包括形成第一串联支路的第八电容C8和第八电感L8、形成第二串联支路的第九电容C9和第九电感L9、以及第十电感L10;
所述第一串联支路的一端和所述第十电感L10的一端连接,且连接节点作为所述π型滤波单元的输入端与所述谐振单元连接,所述第一串联支路的另一地接地;所述第二串联支路的一端和所述第十电感L10的另一端连接,且连接节点作为所述π型滤波单元的输出端与所述第二切换开关的另一个不动端连接,所述第二串联支路的另一端接地。
9.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,所述谐振单元包括串联的第十一电感L11和第十电容C10,所述第十一电感L11的一端作为所述谐振单元的所述一端与所述第一切换开关的另一个不动端连接,所述第十一电感L11的另一端与所述第十电容C10的一端连接,所述第十电容C10的另一端作为所述谐振单元的所述另一端与所述π型滤波单元的输入端连接。
10.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,还包括第十二电感L12,所述带通滤波器的所述一端和所述谐振单元的所述一端通过所述第十二电感L12与所述第一切换开关的另一个不动端连接。
11.根据权利要求1所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路,其特征在于,还包括第一电阻R1,所述π型滤波单元的输出端通过所述第一电阻R1与所述第二切换开关的另一个不动端连接。
12.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-11任一项所述的应用于4G全频段功率放大器的耦合电路。
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