CN113872042B - 激光器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种激光器，属于光电技术领域。所述激光器包括：底板、环状的侧壁以及多个发光芯片；侧壁与该多个发光芯片均位于底板上，且侧壁包围该多个发光芯片；底板上被侧壁包围的区域中，中间区域中发光芯片的数量少于边缘区域中发光芯片的数量，和/或，中间区域中发光芯片的排布密度小于边缘区域中发光芯片的排布密度。本申请解决了激光器的可靠性较低的问题。本申请用于发光。

Description

激光器

技术领域

本申请涉及光电技术领域，特别涉及一种激光器。

背景技术

随着光电技术的发展，激光器的应用越来越广泛。

图1是相关技术提供的一种激光器的结构示意图。如图1所示，激光器00包括管壳001，以及封装在管壳001中一一对应的多个发光芯片002和多个反射棱镜003。该多个发光芯片002排成多行多列，每个反射棱镜003位于对应的发光芯片002的出光侧，发光芯片002用于向对应的反射棱镜003发出激光，反射棱镜003用于将该激光反射向管壳001的开口，如此实现激光器00的发光。

由于发光芯片002在发出激光的过程中会产生较大的热量，但是相关技术中激光器00的散热效果较差，对发光芯片002的发光性能会造成一定影响，导致激光器的可靠性较低。

发明内容

本申请提供了一种激光器，可以解决激光器的可靠性较低的问题。所述激光器包括：底板、环状的侧壁以及多个发光芯片；

所述侧壁与所述多个发光芯片均位于所述底板上，且所述侧壁包围所述多个发光芯片；所述底板上被所述侧壁包围的区域中，中间区域中发光芯片的数量少于边缘区域中发光芯片的数量，和/或，所述中间区域中发光芯片的排布密度小于所述边缘区域中发光芯片的排布密度。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请提供的激光器中，底板上中间区域中发光芯片的数量少于边缘区域中发光芯片的数量，和/或，中间区域中发光芯片的排布密度小于边缘区域中发光芯片的排布密度。由于发光芯片在发光时会产生热量，且底板上发光芯片的设置区域中，边缘区域的发光芯片产生的热量可以直接向底板中该设置区域外的区域传导，每个发光芯片的散热面积较大；而中间区域每个发光芯片的散热面积较小，中间区域发光芯片散发的热量更容易聚集。使中间区域中发光芯片满足数量较少，可以减少中间区域的发光芯片发出的热量；使中间区域中发光芯片的排布密度较小，可以增大中间区域的发光芯片的散热面积。进而，可以提高中间区域的发光芯片的散热效果，减小中间区域的发光芯片由于热量聚集而受损的风险，提高了激光器的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术提供的一种激光器的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种激光器的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种激光器的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的再一种激光器的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的又一种激光器的结构示意图；

图6是本申请另一实施例提供的一种激光器的结构示意图；

图7是本申请另一实施例提供的另一种激光器的结构示意图；

图8是本申请另一实施例提供的再一种激光器的结构示意图；

图9是本申请另一实施例提供的又一种激光器的结构示意图；

图10是本申请再一实施例提供的一种激光器的结构示意图；

图11是本申请再一实施例提供的另一种激光器的结构示意图；

图12是本申请再一实施例提供的再一种激光器的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

随着光电技术的发展，激光器由于其色域广、亮度高、能耗低、寿命长以及无污染等优点而被广泛应用，如激光器可以用作激光投影设备或者激光电视的光源。激光器包括多个发光芯片，该发光芯片用于发出激光，发光芯片在发光时会产生大量的热量，该热量的聚集会导致发光芯片的结温升高。结温的升高会对发光芯片造成不利影响，如使发光芯片发出的激光的波长展宽，发光芯片的阈值电流增大，光电转换效率下降，寿命降低，可靠性下降。相关技术中激光器中的发光芯片整齐地矩阵式排布，排布较为紧密，不利于发光芯片发光时产生的热量的散发。在激光器长时间工作时，很容易引起发光芯片的引发光学灾变损伤(Catastrophic optical damage，COD)，导致激光器的可靠性较低。

本申请实施例提供了一种激光器，可以减弱发光芯片发光时产生的热量聚集，降低发光芯片损伤的风险，进而提高激光器的可靠性。

图2是本申请实施例提供的一种激光器的结构示意图。如图2所示，激光器可以包括：底板1011、环状的侧壁1012以及多个发光芯片102。

侧壁1012与该多个发光芯片102均位于底板1011上，且侧壁1012包围该多个发光芯片102。该底板1011与侧壁1012组成的结构可以称为管壳101，底板1011和侧壁1012围合得到管壳101的容置空间。底板1011上被侧壁1012包围的区域中，中间区域中发光芯片102的数量少于边缘区域中发光芯片102的数量。和/或，中间区域中发光芯片的排布密度小于边缘区域中发光芯片102的排布密度。底板1011上被侧壁1012包围的区域也即是发光芯片102的设置区域。可选地，该边缘区域可以包围该中间区域，或者也可以半包围该中间区域，或者也可以仅位于该中间区域的两侧。可选地，中间区域中发光芯片102的数量可以指中间区域中发光芯片102的总数量，边缘区域中发光芯片102的数量可以指边缘区域中发光芯片102的总数量。发光芯片的排布密度也即是发光芯片排布的密集程度，该排布密度可以通过相邻发光芯片之间的间距来表征。需要说明的是，图2中以该中间区域中发光芯片102的数量少于边缘区域中发光芯片102的数量，且中间区域中发光芯片102的排布密度等于边缘区域中发光芯片102的排布密度为例进行示意。

需要说明的是，该中间区域与该边缘区域仅为相对概念，仅表示该中间区域相对于该边缘区域更靠近底板的中央，该中间区域并非精确地指底板的正中央。可选地，该中间区域与边缘区域可以依据发光芯片的具体排布方式来划分。如该中间区域可以指该多个发光芯片中位于中间部分的一部分发光芯片所在的区域，该边缘区域可以指该一部分发光芯片外侧的发光芯片所在的区域。该中间区域的形状可以为长方形、正方形、圆形或其他形状，或者该中间区域也并不具有特定的形状，本申请实施例对此不做限定。

需要说明的是，每个发光芯片在发光时均会产生热量，且该热量可以向周围扩散。相关技术中，激光器中的发光芯片整齐地行列排布，中间区域的面积较小，但排布的发光芯片较多，每个发光芯片的散热面积较小。中间区域的发光芯片产生的热量可扩散的范围重叠度较高，如底板上任两个相邻发光芯片之间的区域均会接受该两个发光芯片产生的热量，中间区域的热量聚集显著，较难快速散发，中间区域的发光芯片受热损坏的概率较高。而边缘区域的发光芯片产生的热量可以向底板中未设置发光芯片的外侧区域扩散，发光芯片的散热面积较大，该外侧区域并无热量产生，可以较快地传导发光芯片产生的热量。

本申请实施例中，激光器的底板上发光芯片的设置区域中，中间区域中发光芯片的数量可以少于边缘区域中发光芯片的数量。如此，可以减少中间区域的发光芯片发出的热量，减少底板的中间区域接受的热量，减少了中间区域单位面积的热密度，便于中间区域的热量较快地散发，降低中间区域的发光芯片由于受热而损坏的概率。中间区域中发光芯片的排布密度可以小于边缘区域中发光芯片的排布密度。如此，可以增大中间区域中各个发光芯片的散热面积，便于中间区域的热量较快地散发，降低中间区域的发光芯片由于受热而损坏的概率。

综上所述，本申请实施例提供的激光器中，底板上中间区域中发光芯片的数量少于边缘区域中发光芯片的数量，和/或，中间区域中发光芯片的排布密度小于边缘区域中发光芯片的排布密度。由于发光芯片在发光时会产生热量，且底板上发光芯片的设置区域中，边缘区域的发光芯片产生的热量可以直接向底板中该设置区域外的区域传导，每个发光芯片的散热面积较大；而中间区域每个发光芯片的散热面积较小，中间区域发光芯片散发的热量更容易聚集。使中间区域中发光芯片满足数量较少，可以减少中间区域的发光芯片发出的热量；使中间区域中发光芯片的排布密度较小，可以增大中间区域的发光芯片的散热面积。进而，可以提高中间区域的发光芯片的散热效果，减小中间区域的发光芯片由于热量聚集而受损的风险，提高了激光器的可靠性。

本申请实施例以底板1011上的边缘区域位于中间区域的两端为例。下面结合附图对底板的中间区域和边缘区域的划分进行介绍。请继续参考图2，激光器10中的多个发光芯片102可以排布成多行，也即是该多个发光芯片102包括多行发光芯片102。该多行发光芯片102的行方向可以为图2中的x方向，列方向可以为图2中的y方向。每个发光芯片102的出光方向可以均垂直于该多个发光芯片102的行方向，也即平行于该多个发光芯片102的列方向。图2以该多个发光芯片102排布成4行为例。

示例地，底板1011上边缘区域的发光芯片102可以包括：该多行发光芯片102中在y方向上处于两端的至少两行发光芯片102，底板1011上中间区域的发光芯片102可以包括：该至少两行发光芯片102之间的至少一行发光芯片102。图2以分别处于y方向上的两端的两行发光芯片102(也即第一行和第四行发光芯片)位于边缘区域，该两行发光芯片102之间的两行发光芯片102(也即第二行和第三行发光芯片)位于中间区域为例。需要说明的是，本申请实施例以底板的中间区域设置有两行发光芯片，边缘区域中设置有分别位于中间区域的两端的两行发光芯片为例。该中间区域中设置的发光芯片的行数也可以为一行、三行或者更多，该边缘区域中设置的发光芯片的行数也可以为三行、四行甚至更多，边缘区域中分别位于中间区域两端的发光芯片的行数也可以不同，本申请实施例不作限定。

下面结合附图，对底板的中间区域和边缘区域中发光芯片的数量之间的关系进行介绍：

在一种数量关系中，底板的中间区域中发光芯片的数量少于边缘区域中发光芯片的数量。示例地，请继续参考图2，底板的中间区域中设置有第二行和第三行发光芯片，边缘区域中在该中间区域的两侧分别设置有第一行和第四行发光芯片。第二行和第三行的发光芯片总数量少于第一行和第四行的发光芯片总数量。

在该种数量关系的一种可实现方式中，底板的中间区域中每行发光芯片的数量均少于边缘区域中每行发光芯片的数量。示例地，图2中第二行发光芯片的数量和第三行发光芯片的数量，均少于第一行发光芯片的数量，也均少于第四行发光芯片的数量。本申请实施例以中间区域中各行发光芯片的数量均相等，边缘区域中各行发光芯片的数量也均相等为例。示例地，图2中第二行发光芯片的数量可以等于第三行发光芯片的数量，如均为五个发光芯片。第一行发光芯片的数量可以等于第四行发光芯片的数量，如均为七个发光芯片。如此可以在中间区域中发光芯片的数量较少的基础上，保证底板上各区域的发光芯片排布地较为均匀，便于发光芯片的设置。可选地，中间区域中不同行中发光芯片的数量也可以不相等，如第二行中发光芯片的数量为五，第三行中发光芯片的数量为六。边缘区域中不同行中发光芯片的数量也可以不相等，如第一行中发光芯片的数量为六，第四行中发光芯片的数量为七。

在该种数量关系的另一种可实现方式中，底板的中间区域中部分行中发光芯片的数量等于边缘区域中至少部分行中发光芯片的数量，中间区域中剩余部分行中发光芯片的数量小于边缘区域中至少部分行中发光芯片的数量。示例地，图3是本申请实施例提供的另一种激光器的结构示意图。图3中的中间区域与边缘区域的划分方式与图2相同，本申请实施例不再赘述。如图3所示，第二行发光芯片的数量可以等于第一行和第四行发光芯片的数量，第三行发光芯片的数量可以少于第一行和第四行发光芯片的数量。图3以边缘区域的各行发光芯片的数量均相等为例，如第一行发光芯片的数量等于第四行发光芯片的数量。可选地，边缘区域中不同行发光芯片的数量也可以不相等。如第一行或第四行中可以减少一个发光芯片，第二行和第三行中可以均减少一个发光芯片，本申请实施例未对此种芯片排布方式进行示意。

在另一种数量关系中，底板的中间区域中发光芯片的数量等于边缘区域中发光芯片的数量。该种数量关系中，底板的中间区域中发光芯片的排布密度需小于边缘区域中发光芯片的排布密度。示例地，图4是本申请实施例提供的再一种激光器的结构示意图。图4中的中间区域与边缘区域的划分方式与图2相同，本申请实施例不再赘述。如图4所示，第二行和第三行的发光芯片总数量等于第一行和第四行的发光芯片总数量。图4以中间区域中各行发光芯片的数量均相等，边缘区域中各行发光芯片的数量均相等，也即是底板上设置的多行发光芯片中每行发光芯片的数量均相等为例。可选地，中间区域中不同行中发光芯片的数量也可以不相等，边缘区域中不同行中发光芯片的数量也可以不相等。

在该种数量关系中，在行方向上，中间区域的两端的发光芯片的距离可以大于边缘区域的两端的发光芯片的距离。也即是，中间区域中在行方向上距离最远的两个发光芯片的距离，大于边缘区域中在行方向上行距离最远的两个发光芯片的距离；在行方向上中间区域中发光芯片的排布长度大于边缘区域中发光芯片的排布长度。

需要说明的是，任一区域中发光芯片的排布密度可以通过该区域中各组相邻的发光芯片的间距来表征。本申请实施例中以任意相邻两行发光芯片之间的间隙大小均相等为例；进而仅通过在行方向上相邻的发光芯片的间距，也即是同行中相邻的发光芯片的间距，表征发光芯片的排布密度。需要说明的是，相邻行发光芯片之间也存在间隙，该间隙的大小也可以用于表征发光芯片的排布密度。相邻行发光芯片之间的间隙可以参考本申请实施例中对于同行中相邻发光芯片的间距的介绍，本申请实施例不再赘述。如均位于底板的中间区域且相邻的两行发光芯片的间隙，可以大于均位于底板的边缘区域且相邻的两行发光芯片的间隙。

下面结合附图，对底板的中间区域和边缘区域中发光芯片的排布密度的关系进行介绍。且下述实施例以同行且相邻的任两个发光芯片的间距均相等为例。需要说明的是，本申请实施例中相邻发光芯片的间距相等并非精确地必须完全相等，也可以存在一定地误差，仅需保证大致相等即可。

在一种排布密度关系中，底板的中间区域中发光芯片的排布密度小于边缘区域中发光芯片的排布密度。如中间区域中每行发光芯片中相邻发光芯片的间距，大于边缘区域中每行发光芯片中相邻发光芯片的间距。图5是本申请实施例提供的又一种激光器的结构示意图。图5中的中间区域与边缘区域的划分方式与图2相同，本申请实施例不再赘述。如图4和图5所示，第二行和第三行中相邻发光芯片的间距，大于第一行和第四行中相邻发光芯片的间距。在此种排布密度关系中，如图4所示，中间区域中发光芯片的数量可以等于边缘区域中发光芯片的数量；或者，如图5所示，中间区域中发光芯片的数量也可以小于边缘区域中发光芯片的数量。

本申请实施例以中间区域的各行中发光芯片的排布密度均相等，边缘区域的各行中发光芯片的排布密度均相等为例。也即是，中间区域中在行方向上相邻的任两个发光芯片的间距均相等，边缘区域中在行方向上相邻的任两个发光芯片的间距也均相等，如此可以保证每行中发光芯片均匀排布。如第二行中相邻的任两个发光芯片的间距相等，且等于第三行中相邻的任两个发光芯片的间距；第一行中相邻的任两个发光芯片的间距相等，且等于第四行中相邻的任两个发光芯片的间距。

可选地，中间区域的不同行中发光芯片的排布密度可以不同，边缘区域的不同行中发光芯片的排布密度也可以不同。也即是中间区域的不同行中相邻发光芯片的间距可以不同，边缘区域的不同行中相邻发光芯片的间距可以不同。如第二行中相邻的两个发光芯片的间距可以不同于第三行中相邻的两个发光芯片的间距，第一行中相邻的两个发光芯片的间距可以不同于第四行中相邻的两个发光芯片的间距。本申请实施例中未对此种方式进行示意。

在另一种排布密度关系中，底板的中间区域中发光芯片的排布密度等于边缘区域中发光芯片的排布密度。此种排布密度关系中，底板的中间区域中发光芯片的数量需少于边缘区域中发光芯片的数量。示例地，请继续参考图2和图3，第二行和第三行中发光芯片的排布密度等于第一行和第四行中发光芯片的排布密度，该四行发光芯片中在行方向上相邻的任两个发光芯片的间距均相同。在该种排布密度关系中，在行方向上，中间区域的两端的发光芯片的距离可以小于边缘区域的两端的发光芯片的距离。也即是，中间区域中在行方向上距离最远的两个发光芯片的距离，小于边缘区域中在行方向上行距离最远的两个发光芯片的距离；在行方向上中间区域中发光芯片的排布长度小于边缘区域中发光芯片的排布长度。

本申请实施例中发光芯片可以有多种排布方式。下面结合附图对底板上发光芯片的排布方式进行介绍。

在第一种排布方式中，底板上的多行发光芯片可以呈规律的行列排布，该多行发光芯片中各个发光芯片在列方向上均对齐，分别位于相邻行且相邻的任两个发光芯片在列方向上对齐。如图2中，第一行中的第二个发光芯片、第二行中的第一个发光芯片、第三行中的第一个发光芯片和第四行中的第二个发光芯片在列方向上对齐。如图3中，第一行中的第二个发光芯片、第二行中的第二个发光芯片、第三行中的第一个发光芯片和第四行中的第二个发光芯片在列方向上对齐。

需要说明的是，各行发光芯片在列方向上对齐，则各行发光芯片中相邻发光芯片的间距可以呈整数倍。在一种可选示例中，如图2和图3所示，中间区域的每行发光芯片中相邻发光芯片的间距，等于边缘区域的每行发光芯片中相邻发光芯片的间距。底板上中间区域中发光芯片的排布密度等于边缘区域中发光芯片的排布密度。

在另一种可选示例中，图6是本申请另一实施例提供的一种激光器的结构示意图。图6的中间区域和边缘区域的划分方式与图2相同。如图6所示，中间区域中相邻发光芯片的间距为边缘区域中相邻发光芯片的间距的2倍。底板上中间区域中发光芯片的排布密度小于边缘区域中发光芯片的排布密度。如第二行和第三行中相邻发光芯片的间距为第一行和第四行相邻发光芯片的间距的2倍。该种示例中，中间区域的每行中发光芯片的数量，小于或等于边缘区域的每行中发光芯片的数量的一半向上取整所得的值。如边缘区域中每行的发光芯片的数量为7，则中间区域中每行的发光芯片的数量可以为4，或者小于4。

本申请实施例以同行中相邻发光芯片的间距均相同为例。若中间区域中同行中相邻发光芯片的间距可以不同，则中间区域中可以存在部分相邻发光芯片的间距等于边缘区域中相邻发光芯片的间距，且存在部分相邻发光芯片的间距为边缘区域中相邻发光芯片的间距的2倍。

在第二种排布方式中，底板的中间区域中存在至少一行发光芯片与边缘区域中的至少一行发光芯片交错排布。需要说明的是，两行发光芯片交错排布指的是该两行发光芯片在列方向上错位，该两行中的发光芯片在列方向上并不对齐，也即分别属于该两行且相邻的两个发光芯片的连线并不平行该列方向。两个发光芯片的连线可以指该两个准直透镜的中心的连线。可选地，该两行中的发光芯片可以全部错位，或者也可以仅部分错位，本申请实施例不做限定。如全部错位指的是该两行中任两个发光芯片在列方向上均不对齐，部分错位指的是该两行中存在部分发光芯片在列方向上对齐，也存在部分发光芯片在列方向上不对齐。本申请实施例中将中间区域的发光芯片与边缘区域的发光芯片错位排布，如此可以适当增大相邻的各个发光芯片之间的间距，增大每个发光芯片的散热面积，减缓热量聚集。

示例地，激光器中分别位于底板的边缘区域和中间区域且相邻的任两行发光芯片可以交错排布。图7是本申请另一实施例提供的另一种激光器的结构示意图。对于图7的中间区域与边缘区域的介绍请参考针对图2的相关介绍，本申请实施例不再赘述。图7以边缘区域的每行发光芯片包括七个发光芯片，中间区域的每行发光芯片包括六个发光芯片为例。如图7所示，在y方向上的第一行发光芯片和第二行发光芯片分别位于边缘区域和中间区域，该两行发光芯片相邻，且该两行发光芯片交错排布。第三行发光芯片和第四行发光芯片分别位于中间区域和边缘区域，该两行发光芯片也相邻，且该两行发光芯片也交错排布。如在x方向上，第二行中的每个发光芯片可以位于第一行中的两个发光芯片之间，第三行发光芯片中的每个发光芯片可以位于第四行中的两个发光芯片之间。

可选地，底板上中间区域的每行发光芯片与边缘区域的每行发光芯片可以均交错排布。如在分别位于底板的边缘区域和中间区域且相邻的任两行发光芯片交错排布的基础上，中间区域的多行发光芯片可以阵列排布，也即是呈规律的行列排布。如请继续参考图7，第二行发光芯片和第三行发光芯片可以阵列排布。可选地，在分别位于底板的边缘区域和中间区域且相邻的任两行发光芯片交错排布的基础上，中间区域中的多行发光芯片也可以交错排布。图8是本申请另一实施例提供的再一种激光器的结构示意图。如图8所示，第二行发光芯片和第三行发光芯片也可以交错排布。

需要说明的是，图7与图8均以分别位于底板的边缘区域和中间区域且相邻的两行发光芯片中，发光芯片全部错位为例。可选地，分别位于底板的边缘区域和中间区域且相邻的两行发光芯片中，可以存在部分发光芯片在列方向上对齐，而部分发光芯片在列方向上错位。如请继续参考图5，第一行发光芯片与第二行发光芯片中，发光芯片部分错位；第三行发光芯片与第四行发光芯片中，发光芯片也部分错位。如第一行发光芯片中的第一个发光芯片与第二行发光芯片中的第一个发光芯片对齐，第一行发光芯片中的最后一个发光芯片与第二行发光芯片中的最后一个发光芯片也对齐。第一行发光芯片中间的发光芯片与第二行发光芯片中间的发光芯片均错位。第三行发光芯片中的第一个发光芯片与第四行发光芯片中的第一个发光芯片对齐，第三行发光芯片中的最后一个发光芯片与第四行发光芯片中的最后一个发光芯片也对齐。第三行发光芯片中间的发光芯片与第四行发光芯片中间的发光芯片均错位。

需要说明的是，多行发光芯片中，在行方向上分别位于两端的各个发光芯片在列方向上均对齐，此种排布方式可以称为矩形排布。也即是该多行发光芯片的整体形状的外边缘呈矩形。呈矩形排布的多行发光芯片中，位于中间的各个发光芯片可以交错排布(如图5所示)，或者也可以在列方向上对齐(如图6所示)。

本申请实施例中底板的中间区域和边缘区域中，发光芯片的数量关系和发光芯片的排布密度的关系可以有多种组合方式，进而可以得到多种激光器。在每种组合方式中，发光芯片的排布方式可以规律地行列排布，或者边缘区域和中间区域中的发光芯片也可以交错排布。

在第一种组合方式中，底板的中间区域中发光芯片的数量可以少于边缘区域中发光芯片的数量，且中间区域中发光芯片的排布密度可以等于边缘区域中发光芯片的排布密度。示例地，该第一种组合方式下的激光器可以为图2或图3所示的激光器。如图2和图3所示，该种组合方式下的激光器中发光芯片可以呈规律的行列排布。如图7和图8所示，该种组合方式下的激光器中，底板的中间区域和边缘区域的发光芯片也可以交错排布。

在第二种组合方式中，底板的中间区域中发光芯片的数量可以等于边缘区域中发光芯片的数量，且中间区域中发光芯片的排布密度可以小于边缘区域中发光芯片的排布密度。示例地，该第二种组合方式下的激光器可以为图4所示的激光器。且如图4所示，该种组合方式下的激光器中，底板的中间区域和边缘区域的发光芯片可以交错排布。该种组合方式下，激光器中的各个发光芯片也可以呈规律地行列排布，该种激光器中底板的中间区域中发光芯片的排布长度大于边缘区域中发光芯片的排布长度，本申请实施例中未对此种激光器进行示意。

在第三种组合方式中，中间区域中发光芯片的数量可以少于边缘区域中发光芯片的数量，且中间区域中发光芯片的排布密度可以小于边缘区域中发光芯片的排布密度。该第三种组合方式下的激光器可以如图5和图6所示。如图5和图6所示，该种组合方式下的激光器中发光芯片可以呈矩形排布。其中，如图5所示，底板的中间区域中的发光芯片与边缘区域中的发光芯片可以部分在列方向上交错排布，部分在列方向上对齐。如图6所示，底板的中间区域中的发光芯片与边缘区域中的发光芯片均在列方向上对齐。该种组合方式下，底板的中间区域的发光芯片和边缘区域中的发光芯片也可以在列方向上均交错排布，本申请实施例中未对此种激光器进行示意。

本申请实施例中激光器可以仅包括一种类型的发光芯片，激光器中的各个发光芯片的工作参数均相同。如激光器可以为单色激光器，各个发光芯片发出的激光的颜色均相同。此时该激光器中的发光芯片可以仅按照上述排布方式排布。可选地，激光器也可以包括多种类型的发光芯片，不同类型的发光芯片具有的工作参数可能不同，需满足的发光要求也可能不同。而不同的工作参数以及发光要求，会导致不同发光芯片发出激光时，产生的热量不同。此时，还可以基于激光器中各个发光芯片的工作参数和发光要求，确定各个发光芯片产生的热量大小关系，进而来相应地排布各个发光芯片。

本申请实施例中可以基于各个发光芯片产生的热量的高低，将产生热量高的发光芯片设置在产生热量低的发光芯片的外侧。如将产生热量高的发光芯片优先设置在底板的边缘区域，将产生热量低的发光芯片设置在底板的中间区域。假设激光器中每行发光芯片可以仅包括一种类型的发光芯片。此时对于任一类型的发光芯片，可以仅基于该种类型的发光芯片产生的热量高低，确定将该种类型的发光芯片设置在边缘区域还是中间区域。示例地，激光器包括三种类型的发光芯片，可以先将产生的热量最高的发光芯片排布在边缘区域，若边缘区域还有空余，则在该空余区域排布产生的热量次高的发光芯片。若边缘区域不足以排布所有热量次高的发光芯片，则将剩余未排布在边缘区域的发光芯片排布在中间区域，且将产生的热量最低的发光芯片排布在中间区域。可选地，激光器中一行发光芯片也可以包括多种类型的发光芯片。此时，该多种类型的发光芯片中，产生的热量较低的发光芯片可以排布在该行的中间部分，产生的热量较高的发光芯片可以排布在该行的两端。

可选地，发光芯片的工作参数可以包括热光转换效率和功率中的至少一种。发光芯片与底板的中间区域的距离，可以负相关于发光芯片的热光转换效率和功率中的至少一种。热光转换效率指的是发光芯片在发光时光能转换成热能的效率，可以指示发光芯片发出的热量高低，该热光转换效率越高发光芯片在发光时产生的热量就越高。发光芯片的功率越高，该发光芯片发出的激光的亮度可以越高，发光时产生的热量也越高。可选地，底板的中间区域中存在发光芯片的热光转换效率小于边缘区域中发光芯片的热光转换效率。如中间区域中部分或全部发光芯片满足：热光转换效率小于边缘区域中至少部分发光芯片的热光转换效率。可选地，底板的中间区域中存在发光芯片的功率小于边缘区域中发光芯片的功率。如中间区域中部分或全部发光芯片满足：功率小于边缘区域中至少部分发光芯片的功率。

可选地，本申请实施例中激光器可以为多色激光器，激光器可以包括多类发光芯片，不同类发光芯片可以发出不同波长的激光，不同波长的激光的颜色不同。该多类发光芯片可以与多种颜色一一对应，每类发光芯片用于发出对应颜色的激光。激光器中发光芯片的排布还可以与发光芯片发出的激光的波长有关。如底板的中间区域中存在发光芯片发出的激光的波长小于边缘区域中发光芯片发出的激光的波长。

在一示例中，激光器为三色激光器，激光器中的多类发光芯片包括第一类发光芯片、第二类发光芯片和第三类发光芯片，该三类发光芯片发出的激光的波长依次递减。如第一类发光芯片用于发出红色激光，第二类发光芯片用于发出绿色激光，第三类发光芯片用于发出蓝色激光。在一可选排布方式中，第三类发光芯片位于最中间，第二类发光芯片包围第一类发光芯片，第一类发光芯片包围第二类发光芯片。如第一类发光芯片和第二类发光芯片均包括至少两行发光芯片。第二类发光芯片分别位于第三类发光芯片的两侧，第一类发光芯片分别位于第二类发光芯片和第三类发光芯片的两侧。该种可选排布方式中，第一类发光芯片所在的区域为边缘区域，第二类发光芯片和第三类发光芯片所在的区域为中间区域；或者，第一类发光芯片和第二类发光芯片所在的区域为边缘区域，第三类发光芯片所在的区域为中间区域。在另一可选排布方式中，第一类发光芯片和第二类发光芯片分别位于第三类发光芯片的两侧。第一类发光芯片和第二类发光芯片所在的区域为边缘区域，第三类发光芯片所在的区域为中间区域。

在另一示例中，激光器为双色激光器，激光器中的多类发光芯片包括第一类发光芯片和第二类发光芯片，第一类发光芯片发出的激光的波长大于第二类发光芯片发出的激光的波长。此时，第一类发光芯片包围第二类发光芯片，如第一类发光芯片位于第二类发光芯片的两侧。第一类发光芯片所在的区域为底板的边缘区域，第二类发光芯片所在的区域为底板的中间区域。

可选地，激光器可以被用于特定场景，该特定场景可以要求激光器中多类发光芯片分别发出的多种颜色的激光可以混合成目标颜色的激光。示例地，该多种颜色的激光需分别基于对应的比例混光，以得到目标颜色的激光。混光时各类发光芯片对应的比例要求，可以为各类发光芯片需满足的发光要求。可以基于混光时该发光芯片对应的比例，进行激光器中各类发光芯片的排布。由于发光芯片发出的激光在混光时所占的比例越高，则该发光芯片便需发出越多激光，进而该发光芯片产生的热量就越多。故可以使发光芯片与底板的中间区域的距离，负相关于混光得到目标颜色的激光时该发光芯片发出的激光对应的比例。如此可以使产生热量较多的发光芯片靠近底板的边缘区域排布，更利于热量的散发。

示例地，上述激光器应用的特定场景可以为激光显示场景，该激光器可以被用作激光显示设备的光源。如该目标颜色可以为白色，该多种颜色可以包括红色、绿色和蓝色，激光器中的多类发光芯片可以包括：第一类发光芯片、第二类发光芯片和第三类发光芯片。第一类发光芯片用于发出红色激光，第二类发光芯片用于发出绿色激光，第三类发光芯片用于发出蓝色激光。为了便于理解，下面将第一类发光芯片、第二类发光芯片和第三类发光芯片分别称为绿色发光芯片、红色发光芯片和蓝色发光芯片。绿色发光芯片、红色发光芯片和蓝色发光芯片的热光转换效率以及功率也依次递减。

在混光得到目标颜色的激光时，绿色激光的占比大于红色激光的占比，且红色激光的占比大于蓝色激光的占比。绿色发光芯片、红色发光芯片和蓝色发光芯片与底板的中间区域的距离可以依次增大。可选地，底板的边缘区域可以排布有绿色发光芯片和红色发光芯片，底板的中间区域可以排布有蓝色发光芯片。如请继续参考图2至图8，激光器包括四行发光芯片，第一行和第四行发光芯片所在的区域为边缘区域，第二行和第三行发光芯片所在的区域为中间区域。该四行发光芯片可以分别包括一行绿色发光芯片，两行红色发光芯片和一行蓝色发光芯片。第一行和第四行分别为一行绿色发光芯片和一行红色芯片，第二行和第三行分别为一行蓝色芯片和一行红色芯片。该两行红色芯片可以相邻，以简化线路的布置。

可选地，激光器中的多类发光芯片可以分时发光，以实现该多类发光芯片分别发出的多种颜色的激光的混光。每类发光芯片的发光时长与混光时该类发光芯片所发激光的占比正相关。如该多类发光芯片按照一定地时序依次循环发光，该多类发光芯片的一次循环发光的总时长可以小于人眼能够分别事物变化的最短时长。如此人眼无法分辨看到的激光的颜色的变化，人眼可以看到该多种颜色的激光混光后的目标颜色的激光，实现了混光效果。示例地，绿色发光芯片的发光时长可以大于红色发光芯片的发光时长，其红色发光芯片的发光时长可以大于蓝色发光芯片的发光时长。在一次循环发光时段中，可以有50％的时间由绿色发光芯片发光，30％的时间由红色发光芯片发光，20％的时间由蓝色发光芯片发光。发光芯片的发光时长越长，则该发光芯片产生的热量就越多，可以将发光时长较长的发光芯片设置在底板的边缘区域，将发光时长较短的发光芯片设置在底板的中间区域。

请继续参考图2至图8，激光器10还可以包括多个热沉103和多个反射棱镜104。每个发光芯片102可以对应一个热沉103和一个反射棱镜104。热沉103可以设置在底板1011上，每个发光芯片102可以设置在对应的热沉103上。该热沉103用于辅助发光芯片102散热，以便于发光芯片102产生的热量更快地传导至底板，进而散发至激光器10外部。反射棱镜104可以位于对应的发光芯片102的出光侧，发光芯片102发出的激光可以射向反射棱镜104，进而在反射棱镜104上反射后朝远离底板1011的方向出射。侧壁1012的相对两侧可以具有多个开孔，激光器10还可以包括：多个导电引脚108，该多个导电引脚108可以分别穿过侧壁1012中的开孔伸向管壳101的容置空间内，进而与侧壁1012固定。导电引脚108可以与发光芯片102的电极电连接，以将外部电源传输至发光芯片102，进而激发发光芯片102发出激光。

图9是本申请另一实施例提供的又一种激光器的结构示意图，图9可以为图2至图8中任一激光器的截面b-b’的示意图。如图9所示，激光器10还可以包括密封盖板105、透光密封层106以及准直镜组107。该密封盖板105呈环状，密封盖板105的外边缘可以与侧壁1012远离底板1011的表面固定。透光密封层106覆盖密封盖板105的开口，透光密封层106的边缘与密封盖板105的内边缘远离底板1011的一侧固定。准直镜组107位于密封盖板105远离底板1011的一侧，准直镜组107可以包括排成多行的多个准直透镜T，该多个准直透镜T与该多个发光芯片102一一对应。每个发光芯片102发出的激光可以射向对应的反射棱镜104，该激光在反射棱镜104上反射后穿过透光密封层106，射向发光芯片102对应的准直透镜T。该准直透镜T将射入的激光进行准直后射出，进而完成激光器的发光。

需要说明的是，密封盖板和透光密封层组成的结构可以称为上盖组件，上盖组件用于封住管壳的开口，以使管壳的容置空间为一个密闭空间。发光芯片位于该密闭空间中可以防止外部的水氧对该发光芯片的侵蚀，进而可以延长发光芯片的使用寿命，保证发光芯片的发光效果。可选地，本申请实施例中管壳的材质可以为铜，如无氧铜，该透光密封层的材质可以为玻璃，该密封盖板的材质可以为不锈钢。需要说明的是，铜的导热系数较大，本申请实施例中管壳的材质为铜，如此可以保证管壳的底板上设置的发光芯片在工作时产生的热量可以快速地通过管壳进行传导，进而较快地散发，避免热量聚集对发光芯片的损伤。可选地，管壳的材质也可以为铝、氮化铝和碳化硅中的一种或多种。本申请实施例中密封盖板的材质也可以为其他可伐材料，如铁镍钴合金或其他合金。透光密封层的材质也可以为其他透光且可靠性较强的材质，如树脂材料等。

可选地，激光器10中准直镜组107中各个准直透镜T的排布方式可以与发光芯片102的排布方式相对应。如准直镜组107的中间区域中准直透镜T的数量少于边缘区域中准直透镜T的数量；和/或，准直镜组107的中间区域中同行且相邻的任两个准直透镜T的中心间距，大于准直镜组107的边缘区域中同行且相邻的任两个准直透镜T的中心间距。需要说明的是，中心间距指板面上两物体的中心之间的距离。准直镜组中每个准直透镜T具有凸弧面，该凸弧面起到对射入的激光进行准直的作用。准直透镜的凸弧面中最凸的顶点可以与准直透镜的中心点对齐。两个准直透镜T的中心间距也可以指该两个准直透镜的凸弧面中最凸的顶点之间的距离。

示例地，准直镜组107中准直透镜T的排布方式与底板1011上发光芯片102的排布方式相同。如此保证发光芯片102发出的激光可以通过对应的准直透镜T进行正常准直，保证激光器的正常工作性能。图10是本申请再一实施例提供的一种激光器的结构示意图，图10可以为图9所示的激光器的俯视图，图9可以为图10所示的激光器的截面b-b’的示意图。图10示出了与图2所示的发光芯片排布方式对应的准直透镜的排布方式。如图10所示，准直镜组107包括四行准直透镜T，其中第一行和第四行准直透镜T位于边缘区域，第二行和第三行准直透镜T位于中间区域。第一行和第四行均包括七个准直透镜T，第二行和第三行均包括五个准直透镜T。中间区域中准直透镜T的数量少于边缘区域中准直透镜T的数量。

可选地，准直镜组107的中间区域中同行且相邻的任两个准直透镜T的中心间距，等于边缘区域中同行且相邻的任两个准直透镜T的中心间距。也即是在行方向(如x方向)上相邻的任两个准直透镜T的中心间距均相等。示例地，准直镜组107中任两个准直透镜T在底板上的正投影的形状和大小可以均相同。如图10中示出的所有胶囊形可以均全等。可选地，也可以存在部分准直透镜T的形状和大小存在差别。例如在行方向上每行准直透镜中，位于两端的准直透镜的宽度可以大于位于中间的准直透镜的宽度。

图11是本申请再一实施例提供的另一种激光器的结构示意图，图11可以为图9所示的激光器的俯视图，图9可以为图11所示的激光器的截面b-b’的示意图。图11示出了与图5所示的发光芯片排布方式对应的准直透镜的排布方式。图11中准直镜组107的边缘区域和中间区域的划分请参考对于图10的介绍，本申请实施例不再赘述。如图11所示，准直镜组107的中间区域中准直透镜T的数量少于边缘区域中准直透镜T的数量。可选地，准直镜组107中的多个准直透镜T可以呈矩形排布，关于矩形排布的介绍请参考图5中发光芯片呈矩形排布的相关介绍。

图11所示的准直镜组107中，中间区域中同行且相邻的任两个准直透镜T的中心间距，可以大于边缘区域中同行且相邻的任两个准直透镜T的中心间距。如图11所示，同行中相邻的准直透镜T的边缘可以相接触，在行方向上，中间区域中每个准直透镜T的宽度大于边缘区域中每个准直透镜T的宽度。可选地，准直镜组107中各个准直透镜T的长度可以均相等。可选地，图12是本申请再一实施例提供的再一种激光器的结构示意图。如图12所示，准直镜组107中各个准直透镜T在底板1011上的正投影的形状和大小也可以均相同，此时中间区域中同行且相邻的准直透镜T之间可以存在间隙。

可选地，如图10和11所示，准直镜组107中每个准直透镜T在底板1011上的正投影可以呈胶囊形。该胶囊形由相对且平行的两条直边和相对的两条弧边围成。该胶囊形相当于沿椭圆形的长轴方向，将椭圆形的两端分别切去一部分所得的形状；或者相当于沿圆形的直径方向，将该圆形的两端分别切去一部分所得的形状。可选地，准直透镜在底板上的正投影的形状也可以呈椭圆形或者其他扁长的形状，本申请实施例不做限定。

需要说明的是，本申请实施例中仅对图2和图5的芯片排布方式对应的准直透镜的排布方式进行示意。对于发光芯片的其他排布方式对应的准直透镜的排布方式均可以进行类推，本申请实施例不再示意。发光芯片的其他排布方式对应的准直透镜的排布方式中，准直透镜的形状和大小可以参考图10至图12中的相关介绍。准直镜组的中间区域和边缘区域中准直透镜的中心间距的其他可选关系，可以参考底板的中间区域和边缘区域中发光芯片的排布密度关系；准直透镜也可以行列排布或者交错排布，具体也可以参考上述发光芯片行列排布以及交错排布的相关介绍，本申请实施例不再赘述。

准直镜组107中各个准直透镜T的曲率可以均相同，该曲率可以反映准直透镜T中凸弧面的弯曲程度。可选地，准直镜组107中不同准直透镜T的曲率也可以不同，各个准直透镜T的曲率可以基于对应的发光芯片发出的激光的发散角度来确定。若射向某准直透镜的激光的发散角度越大，则该准直透镜的曲率越大，该准直透镜的曲率半径越小。需要说明的是，透镜的曲率半径为曲率的倒数，曲率越大透镜的弯曲程度越大，对激光的作用越大。准直透镜的曲率越大对射入的激光的发散角度的缩小程度越大。如此可以保证针对不同发散角度的激光适应性地准直，保证对激光器中所有发光芯片发出的激光的准直效果都较好，激光器的整体发光效果较好。

示例地，激光器中底板的中间区域中存在发光芯片发出的激光的波长大于底板的边缘区域中发光芯片发出的激光的波长，则准直镜组的中间区域中存在准直透镜的曲率半径小于准直镜组的边缘区域的准直透镜的曲率半径。准直透镜的中间区域中曲率半径较小的准直透镜对应底板的中间区域中发出较长波长的激光的发光芯片，准直透镜的边缘区域中曲率半径较小的准直透镜对应底板的边缘区域中发出较短波长的激光的发光芯片。由于波长较长的激光的发散角度较大，如此通过准直透镜对该激光的发散程度进行较大程度的缩小，保证对激光的准直效果。如红色发光芯片对应的准直透镜的曲率半径小于绿色发光芯片和蓝色发光芯片对应的准直透镜的曲率半径。

可选地，本申请实施例中在组装激光器时，可以先将各个环状密封绝缘子套在各个导电引脚上，之后将套有环状密封绝缘子的导电引脚穿入侧壁的开孔，且使环状密封绝缘子位于该开孔中。之后将侧壁放置在底板上，且在侧壁和底板之间放置环状的焊料(如银铜焊料)，接着将该底板、侧壁和导电引脚的结构放入高温炉中进行密封烧结，待密封烧结并固化后底板、侧壁、导电引脚以及焊料即可为一个整体(也即底座组件)，且实现了侧壁的开孔处的气密。还可以通过密封材料将透光密封层与密封盖板进行固定，得到上盖组件。接着可以将热沉、发光芯片以及反射棱镜焊接在底板上的对应位置，继而采用平行封焊技术将上盖组件焊接在侧壁远离底板的表面上。最后对准直镜组的位置进行对准后，将准直镜组通过环氧胶固定在上盖组件远离底板的一侧，至此完成激光器的组装。需要说明的是，上述组装过程仅为本申请实施例提供的一种示例性的过程，其中的各个步骤中采用的焊接工艺也可以采用其他工艺代替，各个步骤的先后顺序也可以适应调整，本申请实施例对此不做限定。

需要说明的是，本申请以上实施例均以管壳的底板与侧壁为需要组装的两个单独的结构为例进行说明。可选地，底板与侧壁也可以一体成型。如此可以避免底板与侧壁在高温焊接时由于底板与侧壁的热膨胀系数不同导致的底板产生褶皱，进而可以保证底板的平坦度，保证发光芯片在底板上的设置可靠性，且保证发光芯片发出的光线按照预定的发光角度出射，提高激光器的发光效果。

综上所述，本申请实施例提供的激光器中，底板上中间区域中发光芯片的数量少于边缘区域中发光芯片的数量，和/或，中间区域中发光芯片的排布密度小于边缘区域中发光芯片的排布密度。由于发光芯片在发光时会产生热量，且底板上发光芯片的设置区域中，边缘区域的发光芯片产生的热量可以直接向底板中该设置区域外的区域传导，每个发光芯片的散热面积较大；而中间区域每个发光芯片的散热面积较小，中间区域发光芯片散发的热量更容易聚集。使中间区域中发光芯片满足数量较少，可以减少中间区域的发光芯片发出的热量；使中间区域中发光芯片的排布密度较小，可以增大中间区域的发光芯片的散热面积。进而，可以提高中间区域的发光芯片的散热效果，减小中间区域的发光芯片由于热量聚集而受损的风险，提高了激光器的可靠性。

需要指出的是，在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”和“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“至少一个”指的是一个或多个。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。本申请中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

“大致”和“近似”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所需解决的技术问题，基本达到所需达到的技术效果。在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括：底板、环状的侧壁以及多个发光芯片；

所述侧壁与所述多个发光芯片均位于所述底板上，且所述侧壁包围所述多个发光芯片；所述多个发光芯片包括多行发光芯片，所述底板上被所述侧壁包围的区域中，边缘区域的发光芯片包括：所述多行发光芯片中在列方向上处于两端的至少两行发光芯片，中间区域的发光芯片包括：所述至少两行发光芯片之间的发光芯片；

所述中间区域中存在发光芯片发出的激光的波长小于所述边缘区域中发光芯片发出的激光的波长；

所述中间区域中存在至少一行发光芯片的数量少于边缘区域中每行发光芯片的数量，且所述中间区域中发光芯片的排布密度不大于所述边缘区域中发光芯片的排布密度；或，所述中间区域中存在至少一行发光芯片的数量不大于边缘区域中每行发光芯片的数量，且所述中间区域中发光芯片的排布密度小于所述边缘区域中发光芯片的排布密度。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述中间区域中发光芯片的数量少于所述边缘区域中发光芯片的数量，且所述中间区域中发光芯片的排布密度等于所述边缘区域中发光芯片的排布密度。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述中间区域中发光芯片的数量少于所述边缘区域中发光芯片的数量，所述中间区域中发光芯片的排布密度小于所述边缘区域中发光芯片的排布密度，且所述中间区域的发光芯片与所述边缘区域的发光芯片呈矩形排布。

4.根据权利要求1至3任一所述的激光器，其特征在于，在行方向上，所述中间区域的两端的发光芯片的距离小于所述边缘区域的两端的发光芯片的距离。

5.根据权利要求1至3任一所述的激光器，其特征在于，所述中间区域中存在至少一行发光芯片与所述边缘区域中的至少一行发光芯片交错排布。

6.根据权利要求1至3任一所述的激光器，其特征在于，所述多个发光芯片满足以下条件中的至少一种：

所述中间区域中存在发光芯片的热光转换效率小于所述边缘区域中发光芯片的热光转换效率；

以及，所述中间区域中存在发光芯片的功率小于所述边缘区域中发光芯片的功率。

7.根据权利要求1至3任一所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括密封盖板、透光密封层以及准直镜组，所述密封盖板呈环状，所述密封盖板的外边缘与所述侧壁远离所述底板的表面固定，所述透光密封层的边缘与所述密封盖板的内边缘固定，所述准直镜组位于所述密封盖板远离所述底板的一侧；

所述准直镜组包括排成多行的多个准直透镜，所述多个准直透镜与所述多个发光芯片一一对应，每个所述发光芯片发出的激光穿过所述透光密封层，射向对应的准直透镜并经所述准直透镜准直后射出；

所述准直镜组的中间区域中准直透镜的数量少于所述准直镜组的边缘区域中准直透镜的数量，且所述准直镜组的中间区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距，不小于所述准直镜组的边缘区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距；或，所述准直镜组的中间区域中准直透镜的数量不大于所述准直镜组的边缘区域中准直透镜的数量，且所述准直镜组的中间区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距，大于所述准直镜组的边缘区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距。

8.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述准直镜组的中间区域中准直透镜的数量少于所述准直镜组的边缘区域中准直透镜的数量；

所述准直镜组的中间区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距，等于所述准直镜组的边缘区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距。

9.根据权利要求8所述的激光器，其特征在于，所述准直镜组中任两个准直透镜在所述底板上的正投影的形状和大小均相同。

10.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述准直镜组的中间区域中准直透镜的数量少于所述准直镜组的边缘区域中准直透镜的数量；

所述多个准直透镜呈矩形排布；所述准直镜组的中间区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距，大于所述准直镜组的边缘区域中同行且相邻的任两个准直透镜的中心间距。

11.根据权利要求10所述的激光器，其特征在于，在行方向上，所述中间区域中每个准直透镜的宽度大于所述边缘区域中每个准直透镜的宽度。

12.根据权利要求7所述的激光器，其特征在于，所述底板的中间区域中存在发光芯片发出的激光的波长大于所述底板的边缘区域中发光芯片发出的激光的波长，所述准直镜组的中间区域中存在准直透镜的曲率半径小于所述准直镜组的边缘区域的准直透镜的曲率半径。

Images