CN113871525A - 一种无焊线360°发光二极管及其封装方法 - Google Patents
一种无焊线360°发光二极管及其封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113871525A CN113871525A CN202111018717.5A CN202111018717A CN113871525A CN 113871525 A CN113871525 A CN 113871525A CN 202111018717 A CN202111018717 A CN 202111018717A CN 113871525 A CN113871525 A CN 113871525A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- die bonding
- bottom plate
- chip
- colloid
- bonding bottom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 7
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种无焊线360°发光二极管及其封装方法，本发明涉及二极管技术领域，PCB板包含一号固晶底板、二号固晶底板、一号贴片焊盘和二号贴片焊盘；所述一号贴片焊盘以及二号贴片焊盘的内侧分别固定有一号固晶底板和二号固晶底板；所述一号固晶底板和二号固晶底板的上部均利用导电物质与数个倒装LED芯片两端的芯片电极连接；所述模制胶体罩设在上述一号固晶底板、二号固晶底板、导电物质、芯片电极以及倒装LED芯片的外部；一号固晶底板和二号固晶底板的底部相邻侧壁均开设有导胶槽；所述模制胶体的下部设置于导胶槽内，且模制胶体的底边缘与导胶槽的下边缘齐平设置。其制备简单，且具有360°的发光角度，提高其适用范围。
Description
技术领域
本发明涉及二极管技术领域，具体涉及一种无焊线360°发光二极管及其封装方法。
背景技术
发光二极管是一种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。发光二极管的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附着在一个支架上，是负极，另一端连接电源的正极，整个芯片被环氧树脂封装起来。发光二极管芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是发光二极光的原理。
发光二极管芯片需要受到保护，以免遭受灰尘，潮湿，静电放电(ESD)和机械破坏，需要建立可靠的欧姆接触，以便对P-N结施加电流，而施加电流时，在P-N内产生的热量需要去除，以防发光二极管芯片过热，为此大家都在通过工艺的不断进步和新材料将发光二极管芯片产生的热量传导出来。
环氧树脂或硅胶通过模制的方法，把环氧树脂或硅胶和金属PCB板模制在一起来保护发光二极管芯片。现有技术的发光二极管封装包括BT-pcb板、固晶部分、焊线部分、绝缘胶、第一焊线、第二焊线、环氧树脂或硅胶；发光二极管是在平面PCB表面模制一层胶体，只有五个面发光，发光角度只有180°，发光角度局限。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供了一种无焊线360°发光二极管及其封装方法，其制备简单，且具有360°的发光角度，提高其适用范围。
为达到上述目的，本发明所述的无焊线360°发光二极管，它包含：PCB板、模制胶体、倒装LED芯片、芯片电极和导电物质；数个倒装LED芯片设置在模制胶体内；
所述PCB板包含一号固晶底板、二号固晶底板、一号贴片焊盘和二号贴片焊盘；所述一号贴片焊盘以及二号贴片焊盘的内侧分别固定有一号固晶底板和二号固晶底板；所述一号固晶底板和二号固晶底板的上部均利用导电物质与数个倒装LED芯片两端的芯片电极连接；所述模制胶体罩设在上述一号固晶底板、二号固晶底板、导电物质、芯片电极以及倒装LED芯片的外部；
所述一号固晶底板和二号固晶底板的底部相邻侧壁均开设有导胶槽；所述模制胶体的下部设置于导胶槽内，且模制胶体的底边缘与导胶槽的下边缘齐平设置。
优选地，所述二号固晶底板上导胶槽分别开设于二号固晶底板的底部前后两侧。
优选地，所述所述一号固晶底板上导胶槽分别开设于一号固晶底板的底部前后两侧。
本发明所述的无焊线360°发光二极管的封装方法，其步骤如下：
步骤一、将一号固晶底板以及二号固晶底板分别焊接于一号贴片焊盘和二号贴片焊盘上，形成PCB板；
步骤二、在所述PCB板的一号固晶底板和二号固晶底板上安装倒装LED芯片，其具体操作步骤为：通过导电物质将倒装LED芯片的芯片电极与一号固晶底板和二号固晶底板的单面粘结在一起，导电物质将倒装LED芯片与PCB板粘结起来，使它们之间形成通路，用于向所述驱动发光二极管芯片发光提供所需的电流；
步骤三、然后用导热且不导电的环氧树脂或硅胶模制在PCB板的单面，此时环氧树脂或硅胶沿着导胶槽流至一号固晶底板和二号固晶底板的底部后，形成模制胶体，最终得到无焊线360°发光二极管。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供了一种无焊线360°发光二极管及其封装方法，其制备简单，且具有360°的发光角度，提高其适用范围。
附图说明：
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明的俯视图。
图3是本发明中一号固晶底板的截面图。
附图标记说明：
一号固晶底板1、二号固晶底板2、一号贴片焊盘3、二号贴片焊盘4、模制胶体5、倒装LED芯片6、芯片电极7、导电物质8、导胶槽9。
具体实施方式：
下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，以描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-图3所示，本具体实施方式所述的无焊线360°发光二极管，它包含：PCB板、模制胶体5、倒装LED芯片6、芯片电极7和导电物质8；数个倒装LED芯片6设置在模制胶体5内；
所述PCB板包含一号固晶底板1、二号固晶底板2、一号贴片焊盘3和二号贴片焊盘4；所述一号贴片焊盘3以及二号贴片焊盘4的内侧分别固定有一号固晶底板1和二号固晶底板2；所述一号固晶底板1和二号固晶底板2的上部均利用导电物质8与三个倒装LED芯片6两端的芯片电极7连接；所述模制胶体5罩设在上述一号固晶底板1、二号固晶底板2、导电物质8、芯片电极7以及倒装LED芯片6的外部；
所述一号固晶底板1和二号固晶底板2的底部相邻侧壁均开设有导胶槽9；所述模制胶体5的下部设置于导胶槽9内，且模制胶体5的底边缘与导胶槽9的下边缘齐平设置。
作为优选方案，更进一步地，所述二号固晶底板2上导胶槽9分别开设于二号固晶底板2的底部前后两侧。
作为优选方案，更进一步地，所述所述一号固晶底板1上导胶槽9分别开设于一号固晶底板1的底部前后两侧。
本具体实施方式所述的无焊线360°发光二极管的封装方法，其步骤如下：
步骤一、将一号固晶底板1以及二号固晶底板2分别焊接于一号贴片焊盘3和二号贴片焊盘4上，形成PCB板；
步骤二、在所述PCB板的一号固晶底板1和二号固晶底板2上安装倒装LED芯片6，其具体操作步骤为：通过导电物质8将倒装LED芯片6的芯片电极7与一号固晶底板1和二号固晶底板2的单面粘结在一起，导电物质8将倒装LED芯片6与PCB板粘结起来，使它们之间形成通路，用于向所述驱动发光二极管芯片发光提供所需的电流；
步骤三、然后用导热且不导电的环氧树脂或硅胶模制在PCB板的单面，此时环氧树脂或硅胶沿着导胶槽9流至一号固晶底板1和二号固晶底板2的底部后，形成模制胶体5，该模制胶体5的长宽高分别为5mm、4mm、3mm，最终得到无焊线360°发光二极管,模制胶体5为一个可见六面胶的胶柱体，用于对所述发光二极管芯片发出的光进行360°导光反射。
与现有技术相比，本具体实施方式的有益效果是：本具体实施方式提供了一种无焊线360°发光二极管及其封装方法，其制备简单，且具有360°的发光角度，提高其适用范围。
对于本领域的技术人员来说，其可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改、部分技术特征的等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种无焊线360°发光二极管，其特征在于：它包含：PCB板、模制胶体(5)、倒装LED芯片(6)、芯片电极(7)和导电物质(8)；数个倒装LED芯片(6)设置在模制胶体(5)内；
所述PCB板包含一号固晶底板(1)、二号固晶底板(2)、一号贴片焊盘(3)和二号贴片焊盘(4)；所述一号贴片焊盘(3)以及二号贴片焊盘(4)的内侧分别固定有一号固晶底板(1)和二号固晶底板(2)；所述一号固晶底板(1)和二号固晶底板(2)的上部均利用导电物质(8)与数个倒装LED芯片(6)两端的芯片电极(7)连接；所述模制胶体(5)罩设在上述一号固晶底板(1)、二号固晶底板(2)、导电物质(8)、芯片电极(7)以及倒装LED芯片(6)的外部；
所述一号固晶底板(1)和二号固晶底板(2)的底部相邻侧壁均开设有导胶槽(9)；所述模制胶体(5)的下部设置于导胶槽(9)内，且模制胶体(5)的底边缘与导胶槽(9)的下边缘齐平设置。
2.根据权利要求1所述的一种无焊线360°发光二极管，其特征在于：所述二号固晶底板(2)上导胶槽(9)分别开设于二号固晶底板(2)的底部前后两侧。
3.根据权利要求1所述的一种无焊线360°发光二极管，其特征在于：所述所述一号固晶底板(1)上导胶槽(9)分别开设于一号固晶底板(1)的底部前后两侧。
4.一种无焊线360°发光二极管的封装方法，其特征在于：其步骤如下：
步骤(一)、将一号固晶底板(1)以及二号固晶底板(2)分别焊接于一号贴片焊盘(3)和二号贴片焊盘(4)上，形成PCB板；
步骤(二)、在所述PCB板的一号固晶底板(1)和二号固晶底板(2)上安装倒装LED芯片(6)，其具体操作步骤为：通过导电物质(8)将倒装LED芯片(6)的芯片电极(7)与一号固晶底板(1)和二号固晶底板(2)的单面粘结在一起，导电物质(8)将倒装LED芯片(6)与PCB板粘结起来，使它们之间形成通路，用于向所述驱动发光二极管芯片发光提供所需的电流；
步骤(三)、然后用导热且不导电的环氧树脂或硅胶模制在PCB板的单面，此时环氧树脂或硅胶沿着导胶槽(9)流至一号固晶底板(1)和二号固晶底板(2)的底部后，形成模制胶体(5)，最终得到无焊线360°发光二极管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111018717.5A CN113871525A (zh) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 一种无焊线360°发光二极管及其封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111018717.5A CN113871525A (zh) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 一种无焊线360°发光二极管及其封装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113871525A true CN113871525A (zh) | 2021-12-31 |
Family
ID=78989021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111018717.5A Pending CN113871525A (zh) | 2021-09-01 | 2021-09-01 | 一种无焊线360°发光二极管及其封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113871525A (zh) |
-
2021
- 2021-09-01 CN CN202111018717.5A patent/CN113871525A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6060729A (en) | Light-emitting device | |
| KR100981214B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
| US20120181555A1 (en) | Light-emitting device package and method of manufacturing the same | |
| KR101488451B1 (ko) | 멀티칩 ｌｅｄ 패키지 | |
| US9184358B2 (en) | Lead frame and light emitting diode package having the same | |
| KR20130046175A (ko) | 멀티칩형 엘이디 패키지 | |
| KR101192816B1 (ko) | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 | |
| TW201409763A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| TW201407748A (zh) | 發光二極體燈條 | |
| CN113871525A (zh) | 一种无焊线360°发光二极管及其封装方法 | |
| KR20110123945A (ko) | 발광다이오드 방열 패키지 및 그 제조방법 | |
| TWI531096B (zh) | 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| KR100634317B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| CN113871523A (zh) | 一种无焊线发光二极管的封装结构及其封装方法 | |
| KR20110080548A (ko) | 발광 장치 | |
| KR100878398B1 (ko) | 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR100862531B1 (ko) | 멀티 캐비티 발광다이오드 패키지 | |
| CN212412079U (zh) | 可侧发光的发光二极管封装结构 | |
| KR101719816B1 (ko) | 발광다이오드 어레이 | |
| KR101858387B1 (ko) | 발광다이오드 어레이 | |
| CN114068787A (zh) | 可侧发光的发光二极管封装结构 | |
| KR101237520B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
| CN113972307A (zh) | 具有双面胶体的发光二极管封装结构 | |
| US20210135073A1 (en) | Package structure of light-emitting diode and method for packaging light-emitting diode | |
| TW202207493A (zh) | 可側發光的發光二極體封裝結構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication |