CN113852360B - 一种声表面滤波器封装方法及封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种声表面滤波器封装方法及封装结构。所述声表面滤波器封装结构包括第一玻璃盖板、第二玻璃盖板、IDT功能区域封装部件、晶圆主体和晶圆主体载体；所述晶圆主体上表面布设绝缘层，在所述绝缘层上正对IDT功能区域位置设置开口，使IDT功能区域外露；所述IDT功能区域上设置所述IDT功能区域，封装部件；在所述晶圆主体四周扣设上第一玻璃盖板；所述第一玻璃盖板上设有与所述晶圆主体位置对应的主体安装位；在所述第一玻璃盖板上布设黏胶层，并在所述IDT功能区域封装部件上方扣设第二玻璃盖板，并通过黏胶层使第一玻璃盖板和第二玻璃盖板粘合；所述第二玻璃盖板上设有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽。
Description
技术领域
本发明提出了一种声表面滤波器封装方法及封装结构，属于封装技术领域。
背景技术
目前，声表面滤波器主要的封装技术有金属封装、塑料封装、表面贴装、倒装焊等基板类封装或使用器件表面覆膜式封装。现有的这类滤波器封装结构存在以下缺点：器件表面覆膜式封装对腔体尺寸大小敏感，在大腔体尺寸下容易造成覆膜塌陷，影响芯片功能区。
发明内容
本发明提供了一种声表面滤波器封装方法及封装结构，用以解决现有声表面滤波器封装结构覆膜塌陷，对芯片功能区域产生影响的问题：
一种声表面滤波器封装方法，所述声表面滤波器封装方法包括：
步骤1、在第一基体和第二基体上分别设置晶圆主体及以晶圆主体为核心的附属部件；
步骤2、在所述晶圆主体上方布设一层隔离绝缘层，并在所述隔离绝缘层上方标记IDT功能区域位置；
步骤3、在所述IDT功能区域位置对应的隔离绝缘层进行开口，露出IDT功能区域；
步骤4、在所述IDT功能区域位置两侧设置玻璃支撑方柱；所述玻璃支撑方柱与所述IDT功能区域之间保留隔离间隙；所述隔离间隙的尺寸范围为0.25mm-0.45mm；
步骤5、在所述IDT功能区域位置上通过覆膜方式形成一层有机隔离膜层，并且所述有机隔离膜层的两侧搭接在所述玻璃支撑方柱上；
步骤6、在所述有机隔离膜层上覆压上一层玻璃波片，所述玻璃波片两端搭置在所述玻璃支撑方柱上；
步骤7、在所述晶圆主体四周布设第一玻璃盖板，所述第一玻璃盖板的厚度与所述晶圆主体的厚度一致，并在所述第一玻璃盖板上布设黏胶层；
步骤8、在所述黏胶层上方扣设第二玻璃盖板，所述第二玻璃盖板上设置有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽。
进一步地，步骤1所述在第一基体和第二基体上分别设置晶圆主体及以晶圆主体为核心的附属部件，包括：
步骤101、在第一基体正面标记需要放置晶圆主体的位置，在标记处设置晶圆安装槽；在第一基体内设置用于布设第一层导线层体以及用于连接第一层导线层体和第二层导线层体的导线的导线层分布槽；
步骤102、在所述晶圆安装槽底部铺设L型绝缘层，其中，L型绝缘层的竖壁贴合晶圆安装槽的槽体侧壁，并且，所述L型绝缘层的横臂厚度保持一致；
步骤103、在L型绝缘层的横臂上表面设置压电层；所述压电层上表面与L型绝缘层的竖壁的上表面在同一水平面上；
步骤104、对第一基体和第二基体进行开槽处理，获得用于布设金属导线层的槽体，并在所述用于布设金属导线层的槽体内进行各层级金属导线层的布设；
步骤105、在完成各层级金属导线层的布设后，在第二基体背面开设电连部件安装槽，并在电连部件安装槽内设置电连部件；
步骤106、沿第一基体的背面边沿和第二基体的正面边沿处分别对应开设第一斜角和第二斜角；
步骤7、将第一基体与第二基体进行键合安装，完成键合安装后晶圆封装结构的制造。
进一步地，步骤104所述的对第一基体和第二基体进行开槽处理，获得用于布设金属导线层的槽体，并在所述用于布设金属导线层的槽体内进行各层级金属导线层的布设，包括：
步骤1041、在所述导线层分布槽内布设第一层导线层体，在第一层导线层体上设置晶圆主体；
步骤1042、将第一基体背面标记凸起安装位置，去除第一基体背部的基体部分并且在去除第一基体背部的基体部分的同时，在凸起安装位置处预留出第一基体的凸起；第一基体背部去除后的表面上进行开槽处理，获得用于布设使第二层导线层体的导线布设槽；
步骤1043、将盖板键合在所述第一基体正面；
步骤1044、在第一基体的导线层分布槽内完成第一基体内剩余所有金属导线的布设；
步骤1045、在完成第一基体内所有金属导线的布设后，标记出第二层导线层体和第三层导线层体之间所有需要连接导线的位置和凸起位置，并对标记位置后的第一基体背面进行扫描，获得位置图；
步骤1046、将位置图刻印在第二基体的正面，使第二基体正面形成位置刻印图；
步骤1047、根据位置刻印图在第二基体正面设置凸起和用于布设第三层导线层体以及导线支路的导线布置凹槽，并在导线布置凹槽内布置第三层导线层体以及导线支路。
一种声表面滤波器封装结构，所述声表面滤波器封装结构包括第一玻璃盖板、第二玻璃盖板、IDT功能区域封装部件、晶圆主体和晶圆主体载体；所述晶圆主体上表面布设绝缘层，在所述绝缘层上正对IDT功能区域位置设置开口，使IDT功能区域外露；所述IDT功能区域上设置所述IDT功能区域，封装部件；在所述晶圆主体四周扣设上第一玻璃盖板；所述第一玻璃盖板上设有与所述晶圆主体位置对应的主体安装位；在所述第一玻璃盖板上布设黏胶层，并在所述IDT功能区域封装部件上方扣设第二玻璃盖板，并通过黏胶层使第一玻璃盖板和第二玻璃盖板粘合；所述第二玻璃盖板上设有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽。
进一步地，所述IDT功能区域封装部件包括两个玻璃支撑方柱，所述两个玻璃支撑方柱分别粘合于IDT功能区域两侧的绝缘层上方；所述两个玻璃支撑方柱与所述IDT功能区域之间设置有隔离间隙；所述两个玻璃支撑方柱上设有阶梯搭载结构；所述IDT功能区域位置上方覆压有一层有机隔离膜层；所述有机隔离膜层与所述IDT功能区域贴合，并且，所述有机隔离膜层的两端搭接在所述玻璃支撑方柱的阶梯搭载结构上；所述有机隔离膜层的上表面与所述玻璃支撑方柱的上表面处于同一水平面。
进一步地，所述隔离间隙的尺寸范围为0.25mm-0.45mm。
进一步地，所述玻璃支撑方柱的厚度满足如下关系：
0.47D1≤D≤0.6D1
其中，D表示玻璃支撑方柱的厚度，D1表示第二玻璃盖板厚度。
进一步地，所述晶圆主体载体包括第一基体；所述第一基体正面设有压电层；所述第一基体的背面设有第二基体；所述压电层上方设有晶圆主体；所述晶圆主体上扣设有盖板；所述盖板与所述第一基体键合；所述压电层下方设有绝缘层；所述压电层端连接有金属导线层；所述金属导线层布设于所述第一基体和第二基体内部；所述第二基体背面嵌设有多个电连部件，所述电连部件嵌入第二基体内部的一侧与所述金属导线层电连，所述电连部件外表面附着有一侧钝化膜。
进一步地，所述金属导线层包括第一层导线层体、第二层导线层体和第三层导线层体；所述第一层导线层体与第二层导线层体之间通过金属导线电连接；所述第二层导线层体与第三层导线层体之间通过金属导线电连接，并且，所述第一层导线层体与第二层导线层体设置于第一基体内；所述第三层导线层体设置于第二基体内。
进一步地，所述第一基体的背面边缘设有第一斜角；所述第二基体的正面边缘设有第二斜角；所述第一斜角的角度范围为47°-58°；所述第一斜角的角度范围为59°-74°所述第一斜角和第二斜角的深度相同。
本发明有益效果：
本发明提出了一种声表面滤波器封装方法及封装结构，通过第一玻璃盖板、第二玻璃盖板、覆膜结构以及玻璃支撑方柱的结构设计能够有效保证在给芯片功能区域（即IDT区域）仅在左右两侧预留少量空间，顶部通过覆膜不预留空间的封装结构方式，既能够保证不会因为上方未留空间进而对IDT区域产生功能性影响，同时又能够保证不会因为覆膜坍塌对IDT区域产生性能影响。同时，通过上述封装结构的设计，能够有效降低第二玻璃盖板的厚度，极大程度上降低了上层玻璃盖板重量和所占空间，进而有效降低玻璃盖板重量对IDT区域所产生的压力对所述IDT区域性能造成的影响。
附图说明
图1为本发明所述方法流程图；
图2为本发明所述封装结构示意图；
图3为本发明所述玻璃盖板的结构示意图；
（1，第一基体；2，第二基体；3，晶圆主体；4，压电层；5、绝缘层；7，焊球；8，金属导线层；9，玻璃盖板；10，绝缘隔膜；11，IDT功能区域；12，有机隔离膜层；13，玻璃波片；14，玻璃支撑方柱；81，第一层导线层体；82，第二层导线层体；83，第三层导线层体；84，导线支路；a，第一斜角；b，第二斜角；91，第二玻璃盖板；92，第一玻璃盖板）。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提出了一种声表面滤波器封装方法，如图1所示，所述声表面滤波器封装方法包括：
步骤1、在第一基体和第二基体上分别设置晶圆主体及以晶圆主体为核心的附属部件；
步骤2、在所述晶圆主体上方布设一层隔离绝缘层，并在所述隔离绝缘层上方标记IDT功能区域位置；
步骤3、在所述IDT功能区域位置对应的隔离绝缘层进行开口，露出所述IDT功能区域；
步骤4、在所述IDT功能区域位置两侧设置玻璃支撑方柱；所述玻璃支撑方柱与所述IDT功能区域之间保留隔离间隙；所述隔离间隙的尺寸范围为0.25mm-0.45mm；
步骤5、在所述IDT功能区域位置上通过覆膜方式形成一层有机隔离膜层，并且所述有机隔离膜层的两侧搭接在所述玻璃支撑方柱上；
步骤6、在所述有机隔离膜层上覆压上一层玻璃波片，所述玻璃波片两端搭置在所述玻璃支撑方柱上；
步骤7、在所述晶圆主体四周布设第一玻璃盖板，所述第一玻璃盖板的厚度与所述晶圆主体的厚度一致，并在所述第一玻璃盖板上布设黏胶层；
步骤8、在所述黏胶层上方扣设第二玻璃盖板，所述第二玻璃盖板上设置有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽。
上述技术方案的工作原理为：首先，在第一基体和第二基体上分别设置晶圆主体及以晶圆主体为核心的附属部件；然后，在所述晶圆主体上方布设一层隔离绝缘层，并在所述隔离绝缘层上方标记IDT功能区域位置；之后，在所述IDT功能区域位置对应的隔离绝缘层进行开口，露出所述IDT功能区域；然后，在所述IDT功能区域位置两侧设置玻璃支撑方柱；所述玻璃支撑方柱与所述IDT功能区域之间保留隔离间隙；所述隔离间隙的尺寸范围为0.25mm-0.45mm；随后，在所述IDT功能区域位置上通过覆膜方式形成一层有机隔离膜层，并且所述有机隔离膜层的两侧搭接在所述玻璃支撑方柱上；然后，在所述有机隔离膜层上覆压上一层玻璃波片，所述玻璃波片两端搭置在所述玻璃支撑方柱上；之后，在所述晶圆主体四周布设第一玻璃盖板，所述第一玻璃盖板的厚度与所述晶圆主体的厚度一致，并在所述第一玻璃盖板上布设黏胶层；最后，在所述黏胶层上方扣设第二玻璃盖板，所述第二玻璃盖板上设置有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽。
上述技术方案的效果为：本实施例提出了一种声表面滤波器封装方法，其产生的封装结构通过第一玻璃盖板、第二玻璃盖板、覆膜结构以及玻璃支撑方柱的结构设计能够有效保证在给芯片功能区域（即IDT区域）仅在左右两侧预留少量空间，顶部通过覆膜不预留空间的封装结构方式，既能够保证不会因为上方未留空间进而对IDT区域产生功能性影响，同时又能够保证不会因为覆膜坍塌对IDT区域产生性能影响。同时，通过上述封装结构的设计，能够有效降低第二玻璃盖板的厚度，极大程度上降低了上层玻璃盖板重量和所占空间，进而有效降低玻璃盖板重量对IDT区域所产生的压力对所述IDT区域性能造成的影响。
本发明的一个实施例，步骤1所述在第一基体和第二基体上分别设置晶圆主体及以晶圆主体为核心的附属部件，包括：
步骤101、在第一基体正面标记需要放置晶圆主体的位置，在标记处设置晶圆安装槽；在第一基体内设置用于布设第一层导线层体以及用于连接第一层导线层体和第二层导线层体的导线的导线层分布槽；
步骤102、在所述晶圆安装槽底部铺设L型绝缘层，其中，L型绝缘层的竖壁贴合晶圆安装槽的槽体侧壁，并且，所述L型绝缘层的横臂厚度保持一致；
步骤103、在L型绝缘层的横臂上表面设置压电层；所述压电层上表面与L型绝缘层的竖壁的上表面在同一水平面上；
步骤104、对第一基体和第二基体进行开槽处理，获得用于布设金属导线层的槽体，并在所述用于布设金属导线层的槽体内进行各层级金属导线层的布设；
步骤105、在完成各层级金属导线层的布设后，在第二基体背面开设电连部件安装槽，并在电连部件安装槽内设置电连部件；
步骤106、沿第一基体的背面边沿和第二基体的正面边沿处分别对应开设第一斜角和第二斜角；所述第一斜角的角度范围为47°-58°，优选为54°；所述第一斜角的角度范围为59°-74°，优选为66°；所述第一斜角和第二斜角的深度相同；将第一基体与第二基体进行键合安装，完成键合安装后晶圆封装结构的制造。
步骤107、将第一基体与第二基体进行键合安装，完成键合安装后晶圆封装结构的制造。
其中，步骤104所述的对第一基体和第二基体进行开槽处理，获得用于布设金属导线层的槽体，并在所述用于布设金属导线层的槽体内进行各层级金属导线层的布设，包括：
步骤1041、在所述导线层分布槽内布设第一层导线层体，在第一层导线层体上设置晶圆主体；
步骤1042、将第一基体背面标记凸起安装位置，去除第一基体背部的基体部分并且在去除第一基体背部的基体部分的同时，在凸起安装位置处预留出第一基体的凸起；第一基体背部去除后的表面上进行开槽处理，获得用于布设使第二层导线层体的导线布设槽；
步骤1043、将盖板键合在所述第一基体正面；
步骤1044、在第一基体的导线层分布槽内完成第一基体内剩余所有金属导线的布设；
步骤1045、在完成第一基体内所有金属导线的布设后，标记出第二层导线层体和第三层导线层体之间所有需要连接导线的位置和凸起位置，并对标记位置后的第一基体背面进行扫描，获得位置图；
步骤1046、将位置图刻印在第二基体的正面，使第二基体正面形成位置刻印图；
步骤1047、根据位置刻印图在第二基体正面设置凸起和用于布设第三层导线层体以及导线支路的导线布置凹槽，并在导线布置凹槽内布置第三层导线层体以及导线支路。
上述技术方案的效果为：通过上述制造方法能够有效提高晶圆封装结构的制造效率和成品率，同时，制造完成的晶圆封装结构通过多层金属导线层的设置，能够有效提高器件的导电性能，尤其在生产加工环境恶劣导致生产加工易对金属导电层产生不良影响的情况下，增加多层金属导线层，能够有效降低金属导电不良情况的发生。另一方面，通过第一基体和第二基体的分离式基体结构，在多层金属导线层设置的情况下，可以在加工过程中，无需在一个基体内处理形成多层金属导线层的安装槽，只需要在第一基体正面和背面，以及第二基体正面开设槽体，有效降低开槽难度，并提高晶圆封装结构的加工效率。同时，通过第一基体和第二基体的分离式基体结构的设置，能够晶圆封装结构再利用时，只需要拆开封装结构，根据再利用尺寸对第二基体的正面部分进行消磨处理或增层处理即可达到新尺寸，有效提高封装结构再利用和资源循环利用率，降低成本。另一方面，通过上述斜角及其尺寸角度的设置能够有效提高第一基体和第二基体安装的方便程度，同时，开角设置的位置和角度，能够在封装结构再利用时，提供有效的拆卸着力点，使拆装过程中，第一基体和第二基体能够适应用于进行第一基体和第二基体拆卸的抓取工件的抓取，同时，开角能够有效提高再利用过程中拆卸安全性，由于良好的着力点设置能够有效降低拆装过程中对封装结构的损坏，提高拆卸成品率和封装结构再利用率。所述晶圆封装结构通过多层金属导线层的设置，能够有效提高器件的导电性能，尤其在生产加工环境恶劣导致生产加工易对金属导电层产生不良影响的情况下，增加多层金属导线层，能够有效降低金属导电不良情况的发生。
本发明实施例提出了一种声表面滤波器封装结构，如图2和图3所示，所述声表面滤波器封装结构包括第一玻璃盖板92、第二玻璃盖板91、IDT功能区域封装部件、晶圆主体3和晶圆主体载体；所述晶圆主体上表面布设绝缘层5，在所述绝缘层5上正对IDT功能区域位置设置开口，使IDT功能区域11外露；所述IDT功能区域上设置所述IDT功能区域封装部件；在所述晶圆主体3四周扣设上第一玻璃盖板92；所述第一玻璃盖板92上设有与所述晶圆主体3位置对应的主体安装位；在所述第一玻璃盖板92上布设黏胶层，并在所述IDT功能区域封装部件上方扣设第二玻璃盖板91，并通过黏胶层使第一玻璃盖板和第二玻璃盖板粘合；所述第二玻璃盖板91上设有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽。
其中，所述IDT功能区域11封装部件包括两个玻璃支撑方柱14，所述两个玻璃支撑方柱14分别粘合于IDT功能区域11两侧的绝缘层上方；所述两个玻璃支撑方柱14与所述IDT功能区域11之间设置有隔离间隙；所述两个玻璃支撑方柱14上设有阶梯搭载结构；所述IDT功能区域11位置上方覆压有一层有机隔离膜层12；所述有机隔离膜层12与所述IDT功能区域11贴合，并且，所述有机隔离膜层12的两端搭接在所述玻璃支撑方柱14的阶梯搭载结构上；所述有机隔离膜层12的上表面与所述玻璃支撑方柱14的上表面处于同一水平面。
上述技术方案的工作原理及效果为：通过第一玻璃盖板、第二玻璃盖板、覆膜结构以及玻璃支撑方柱14的结构设计能够有效保证在给芯片功能区域（即IDT区域）仅在左右两侧预留少量空间，顶部通过覆膜不预留空间的封装结构方式，既能够保证不会因为上方未留空间进而对IDT区域产生功能性影响，同时又能够保证不会因为覆膜坍塌对IDT区域产生性能影响。同时，通过上述封装结构的设计，能够有效降低第二玻璃盖板的厚度，极大程度上降低了上层玻璃盖板重量和所占空间，进而有效降低玻璃盖板重量对IDT区域所产生的压力对所述IDT区域性能造成的影响。
本发明的一个实施例，所述隔离间隙的尺寸范围为0.25mm-0.45mm。所述玻璃支撑方柱14的厚度满足如下关系：
0.47D1≤D≤0.6D1
其中，D表示玻璃支撑方柱14的厚度，D1表示第二玻璃盖板厚度。
上述技术方案的工作原理及效果为：通过上述隔离间隙尺寸范围的设计，既能够保证玻璃支撑方柱14与IDT区域之间存在一定间隔，使所述玻璃方柱不会因为向中心挤压对IDT区域造成影响，同时，通过上述隔离间隙尺寸范围刚好能够在极大程度缩小第二玻璃盖板开槽空间的同时，能够保证即使玻璃方柱因为粘合剂的固化粘合力产生位移也不会触碰IDT区域。另一方面，由于第二玻璃盖板需要尽量打磨轻薄来减轻其重量和所占空间，这就导致其开槽空间不易过大，防止其产生开裂，因此，通过上述玻璃支撑方柱14横向厚度的尺寸范围设计，能够在第一玻璃盖板设计至足够轻薄的同时，有效减小玻璃支撑方柱14所占空间，进而有效减少第二玻璃盖板的开槽尺寸，进而降低所述第二玻璃盖板的碎裂概率，同时能够保证玻璃支撑方柱14的质量足够小来保证其不会因为质量过大而对芯片产生挤压变形。另一方面，由于玻璃的脆性较高，其厚度过薄会导致通过上述厚度尺寸的设计，能够保证玻璃支撑方柱14厚度可以保证玻璃支撑柱的支撑方向上的硬度，使其不会因为过薄而产生碎裂。
本发明的一个实施例，所述晶圆主体载体包括第一基体1；所述第一基体1正面设有压电层4；所述第一基体1的背面设有第二基体2；所述压电层4上方设有晶圆主体；所述晶圆主体上扣设有盖板；所述盖板与所述第一基体1键合；所述压电层4下方设有绝缘层；所述压电层4端连接有金属导线层8；所述金属导线层8布设于所述第一基体1和第二基体2内部；所述第二基体2背面嵌设有多个电连部件，所述电连部件嵌入第二基体2内部的一侧与所述金属导线层8电连，所述电连部件外表面附着有一侧钝化膜。
其中，所述金属导线层8包括第一层导线层体81、第二层导线层体82和第三层导线层体83；所述第一层导线层体81与第二层导线层体82之间通过金属导线电连接；所述第二层导线层体82与第三层导线层体83之间通过金属导线电连接，并且，所述第一层导线层体81与第二层导线层体82设置于第一基体1内；所述第三层导线层体83设置于第二基体2内。所述第一层导线层提与所述绝缘层位于同一水平层面，并且，所述绝缘层与所述第一层导线层体81的厚度一致；所述第二层导线层体82布设于所述第一基体1的背面位置；所述第二层导线层体82内嵌于所述第一基体1内部，并且，所述第二层导线层体82未嵌入第一基体1内部的一侧表面与所述第一基体1的背面处于同一水平面。所述第二层导线层体82和第三层导线层体83之间设有多条第三层导线层体83；所述多条第三层导线层体83内嵌于所述第二基体2内部。所述第一基体1背面未布设第一层导线层体81的位置处设有多个凸起；所述第二基体2正面设有与所述凸起个数和位置对应的凹槽；所述第一基体1和第二基体2通过通过所述多个凸起和凹槽进行键合固定，并且，所述第一基体1和第二基体2贴合处，以及，所述第二基体2与第二层导线层体82贴合处均设有绝缘隔膜。
其中，所述第一基体1的背面边缘设有第一斜角a；所述第二基体2的正面边缘设有第二斜角b；所述第一斜角a的角度范围为47°-58°；所述第一斜角a的角度范围为59°-74°所述第一斜角a和第二斜角b的深度相同。为了提高第一斜角a和第二斜角b之间抓取工件插入时，降低抓取工件之间的相互干扰，进而降低对第一基体1和第二基体2的损坏，并且保证有足够强的抓取着力点，需要保证第一斜角a比第二斜角b之间的差值范围如下：7°<C≤13°。
上述技术方案的工作原理和效果为：通过第一基体1和第二基体2的分离式基体结构，在多层金属导线层8设置的情况下，可以在加工过程中，无需在一个基体内处理形成多层金属导线层8的安装槽，只需要在第一基体1正面和背面，以及第二基体2正面开设槽体，有效降低开槽难度，并提高晶圆封装结构的加工效率。同时，通过第一基体1和第二基体2的分离式基体结构的设置，能够晶圆封装结构再利用时，只需要拆开封装结构，根据再利用尺寸对第二基体2的正面部分进行消磨处理或增层处理即可达到新尺寸，有效提高封装结构再利用和资源循环利用率，降低成本。
通过上述斜角及其尺寸角度的设置能够有效提高第一基体1和第二基体2安装的方便程度，同时，开角设置的位置和角度，能够在封装结构再利用时，提供有效的拆卸着力点，使拆装过程中，第一基体1和第二基体2能够适应大部分常规抓取工件的抓取，同时，开角能够有效提高再利用过程中拆卸安全性，由于良好的着力点设置能够有效降低拆装过程中对封装结构的损坏，提高拆卸成品率和封装结构再利用率。
晶圆封装结构通过多层金属导线层8的设置，能够有效提高器件的导电性能，尤其在生产加工环境恶劣导致生产加工易对金属导电层产生不良影响的情况下，增加多层金属导线层8，能够有效降低金属导电不良情况的发生。另一方面，通过第一基体1和第二基体2的分离式基体结构，在多层金属导线层8设置的情况下，可以在加工过程中，无需在一个基体内处理形成多层金属导线层8的安装槽，只需要在第一基体1正面和背面，以及第二基体2正面开设槽体，有效降低开槽难度，并提高晶圆封装结构的加工效率。同时，通过第一基体1和第二基体2的分离式基体结构的设置，能够晶圆封装结构再利用时，只需要拆开封装结构，根据再利用尺寸对第二基体2的正面部分进行消磨处理或增层处理即可达到新尺寸，有效提高封装结构再利用和资源循环利用率，降低成本。
另一方面，通过上述斜角及其尺寸角度的设置能够有效提高第一基体1和第二基体2安装的方便程度，同时，开角设置的位置和角度，能够在封装结构再利用时，提供有效的拆卸着力点，使拆装过程中，第一基体1和第二基体2能够适应用于进行第一基体1和第二基体2拆卸的抓取工件的抓取，同时，开角能够有效提高再利用过程中拆卸安全性，由于良好的着力点设置能够有效降低拆装过程中对封装结构的损坏，提高拆卸成品率和封装结构再利用率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种声表面滤波器封装方法，其特征在于，所述声表面滤波器封装方法包括：
步骤1、在第一基体和第二基体上分别设置晶圆主体及以晶圆主体为核心的附属部件；
步骤2、在所述晶圆主体上方布设一层隔离绝缘层，并在所述隔离绝缘层上方标记IDT功能区域位置；
步骤3、在所述IDT功能区域位置对应的隔离绝缘层进行开口，露出IDT功能区域；
步骤4、在所述IDT功能区域位置两侧设置玻璃支撑方柱；所述玻璃支撑方柱与所述IDT功能区域之间保留隔离间隙；所述隔离间隙的尺寸范围为0.25mm-0.45mm；
步骤5、在所述IDT功能区域位置上通过覆膜方式形成一层有机隔离膜层，并且所述有机隔离膜层的两侧搭接在所述玻璃支撑方柱上；
步骤6、在所述有机隔离膜层上覆压上一层玻璃波片，所述玻璃波片两端搭置在所述玻璃支撑方柱上；
步骤7、在所述晶圆主体四周布设第一玻璃盖板，所述第一玻璃盖板的厚度与所述晶圆主体的厚度一致，并在所述第一玻璃盖板上布设黏胶层；
步骤8、在所述黏胶层上方扣设第二玻璃盖板，所述第二玻璃盖板上设置有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽。
2.根据权利要求1所述声表面滤波器封装方法，其特征在于，步骤1所述在第一基体和第二基体上分别设置晶圆主体及以晶圆主体为核心的附属部件，包括：
步骤101、在第一基体正面标记需要放置晶圆主体的位置，在标记处设置晶圆安装槽；在第一基体内设置用于布设第一层导线层体以及用于连接第一层导线层体和第二层导线层体的导线的导线层分布槽；
步骤102、在所述晶圆安装槽底部铺设L型绝缘层，其中，L型绝缘层的竖壁贴合晶圆安装槽的槽体侧壁，并且，所述L型绝缘层的横臂厚度保持一致；
步骤103、在L型绝缘层的横臂上表面设置压电层；所述压电层上表面与L型绝缘层的竖壁的上表面在同一水平面上；
步骤104、对第一基体和第二基体进行开槽处理，获得用于布设金属导线层的槽体，并在所述用于布设金属导线层的槽体内进行各层级金属导线层的布设；
步骤105、在完成各层级金属导线层的布设后，在第二基体背面开设电连部件安装槽，并在电连部件安装槽内设置电连部件；
步骤106、沿第一基体的背面边沿和第二基体的正面边沿处分别对应开设第一斜角和第二斜角；
步骤107、将第一基体与第二基体进行键合安装，完成键合安装后晶圆封装结构的制造。
3.根据权利要求2所述声表面滤波器封装方法，其特征在于，步骤104所述的对第一基体和第二基体进行开槽处理，获得用于布设金属导线层的槽体，并在所述用于布设金属导线层的槽体内进行各层级金属导线层的布设，包括：
步骤1041、在所述导线层分布槽内布设第一层导线层体，在第一层导线层体上设置晶圆主体；
步骤1042、将第一基体背面标记凸起安装位置，去除第一基体背部的基体部分并且在去除第一基体背部的基体部分的同时，在凸起安装位置处预留出第一基体的凸起；第一基体背部去除后的表面上进行开槽处理，获得用于布设使第二层导线层体的导线布设槽；
步骤1043、将盖板键合在所述第一基体正面；
步骤1044、在第一基体的导线层分布槽内完成第一基体内剩余所有金属导线的布设；
步骤1045、在完成第一基体内所有金属导线的布设后，标记出第二层导线层体和第三层导线层体之间所有需要连接导线的位置和凸起位置，并对标记位置后的第一基体背面进行扫描，获得位置图；
步骤1046、将位置图刻印在第二基体的正面，使第二基体正面形成位置刻印图；
步骤1047、根据位置刻印图在第二基体正面设置凸起和用于布设第三层导线层体以及导线支路的导线布置凹槽，并在导线布置凹槽内布置第三层导线层体以及导线支路。
4.一种声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述声表面滤波器封装结构包括第一玻璃盖板、第二玻璃盖板、IDT功能区域封装部件、晶圆主体和晶圆主体载体；所述晶圆主体上表面布设绝缘层，在所述绝缘层上正对IDT功能区域位置设置开口，使IDT功能区域外露；所述IDT功能区域上设置所述IDT功能区域，封装部件；在所述晶圆主体四周扣设上第一玻璃盖板；所述第一玻璃盖板上设有与所述晶圆主体位置对应的主体安装位；在所述第一玻璃盖板上布设黏胶层，并在所述IDT功能区域封装部件上方扣设第二玻璃盖板，并通过黏胶层使第一玻璃盖板和第二玻璃盖板粘合；所述第二玻璃盖板上设有与所述IDT功能区域位置对应的凹槽；所述IDT功能区域封装部件包括两个玻璃支撑方柱，所述两个玻璃支撑方柱分别粘合于IDT功能区域两侧的绝缘层上方；所述两个玻璃支撑方柱与所述IDT功能区域之间设置有隔离间隙；所述两个玻璃支撑方柱上设有阶梯搭载结构；所述IDT功能区域位置上方覆压有一层有机隔离膜层；所述有机隔离膜层与所述IDT功能区域贴合，并且，所述有机隔离膜层的两端搭接在所述玻璃支撑方柱的阶梯搭载结构上；所述有机隔离膜层的上表面与所述玻璃支撑方柱的上表面处于同一水平面。
5.根据权利要求4所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述隔离间隙的尺寸范围为0.25mm-0.45mm。
6.根据权利要求4所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述玻璃支撑方柱的厚度满足如下关系：
0.47D1≤D≤0.6D1
其中，D表示玻璃支撑方柱的厚度，D1表示第二玻璃盖板厚度。
7.根据权利要求4所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述晶圆主体载体包括第一基体；所述第一基体正面设有压电层；所述第一基体的背面设有第二基体；所述压电层上方设有晶圆主体；所述晶圆主体上扣设有盖板；所述盖板与所述第一基体键合；所述压电层下方设有绝缘层；所述压电层端连接有金属导线层；所述金属导线层布设于所述第一基体和第二基体内部；所述第二基体背面嵌设有多个电连部件，所述电连部件嵌入第二基体内部的一侧与所述金属导线层电连；所述电连部件外表面附着有一侧钝化膜。
8.根据权利要求7所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述金属导线层包括第一层导线层体、第二层导线层体和第三层导线层体；所述第一层导线层体与第二层导线层体之间通过金属导线电连接；所述第二层导线层体与第三层导线层体之间通过金属导线电连接，并且，所述第一层导线层体与第二层导线层体设置于第一基体内；所述第三层导线层体设置于第二基体内。
9.根据权利要求7所述声表面滤波器封装结构，其特征在于，所述第一基体的背面边缘设有第一斜角；所述第二基体的正面边缘设有第二斜角；所述第一斜角的角度范围为47°-58°；所述第二斜角的角度范围为59°-74°，所述第一斜角和第二斜角的深度相同。
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