CN113851595B - 有机电致发光器件和显示装置 - Google Patents

有机电致发光器件和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了有机电致发光器件和显示装置。该有机电致发光器件包括依次排列设置的阳极、红光发光层、激子调控层、蓝光发光层、绿光发光层和阴极，其中，所述有机电致发光器件满足以下条件至少之一：所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级的差值≤0.1eV；所述绿光发光层的主体材料的HOMO能级比所述蓝光发光层的主体材料的HOMO能级大，且差值≤1eV。由此，本申请的有机电致发光器件的激子复合区域的具体位置随驱动电压的变化而变化较小，可改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性，而且本申请有机电致发光器件的制备不会增加蒸镀设备的投资成本。

Description

有机电致发光器件和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及有机电致发光器件和显示装置。
背景技术
白光有机发光二极管，即White Organic Lighting Emitting Diode(WOLED)，是有机发光二级管中的一种重要应用，通常需要两种互补色或者三基色来形成白光。目前WOLED结合彩膜方式实现全彩的路线成为TV以及微显示方向的主流方法。其中，WOLED采用非串联的结构，可以有效节约成本以及改善产品的串扰问题。考虑到产品寿命等问题，非串联结构通常采用全荧光发光层方案，但此方案存在器件激子复合区域随电压变化而变化，导致WOLED器件在高低亮度时的颜色不一致，存在较严重的稳定性问题。
因此，关于有机电致发光器件的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件的激子复合区域的具体位置随驱动电压的变化而变化较小，可改善显示产品高低灰阶下色偏，提高有机电致发光器件的色偏稳定性。
在本发明的一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件。根据本发明的实施例，该有机电致发光器件包括依次排列设置的阳极、红光发光层、激子调控层、蓝光发光层、绿光发光层和阴极，其中，所述有机电致发光器件满足以下条件至少之一：所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级的差值≤0.1eV；所述绿光发光层的主体材料的HOMO能级比所述蓝光发光层的主体材料的HOMO能级大，且差值≤1eV。由此，本申请的有机电致发光器件的激子复合区域的具体位置随驱动电压的变化而变化较小，可改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性，而且本申请有机电致发光器件的制备不会增加蒸镀设备的投资成本。
根据本发明的实施例，所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级相同。
根据本发明的实施例，所述激子调控层的LUMO能级比所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级高，且差值≥0.4eV。
根据本发明的实施例，所述有机电致发光器件还包括设置在所述绿光发光层和所述阴极之间的空穴阻挡层和电子传输层，所述有机电致发光器件还满足以下条件至少之一：所述激子调控层的三线态能级T1均比所述红光发光层和蓝光发光层的主体材料的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV；所述空穴阻挡层的三线态能级T1均比绿光发光层的主体材料和电子传输层的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV。
根据本发明的实施例，所述有机电致发光器件还包括设置在所述阳极和所述红光发光层之间的空穴传输层，所述激子调控层的空穴迁移率小于所述空穴传输层的空穴迁移率。
根据本发明的实施例，所述激子调控层的空穴迁移率的数量级和所述空穴传输层的空穴迁移率的数量级相同。
根据本发明的实施例，所述激子调控层的空穴传输迁移率大于所述激子调控层的电子传输迁移率。
根据本发明的实施例，所述红光发光层满足以下条件至少之一：基于所述红光发光层，按照质量百分数算，所述红光发光层中客体材料的质量含量为0.1％～3％，优选为0.8％～1.2％；所述红光发光层的厚度为1nm～10nm，优选为2nm～5nm。
根据本发明的实施例，所述蓝光发光层满足以下条件至少之一：基于所述蓝光发光层，按照质量百分数算，所述蓝光发光层中客体材料的质量含量为1％～8％，优选为4％～6％；所述蓝光发光层的厚度为1nm～20nm，优选为10nm～15nm。
根据本发明的实施例，所述绿光发光层满足以下条件至少之一：基于所述绿光发光层，按照质量百分数算，所述绿光发光层中客体材料的质量含量为3％～15％，优选为7％～9％；所述绿光发光层的厚度为1nm～20nm，优选为2nm～10nm。
根据本发明的实施例，所述激子阻挡层的厚度为1nm～10nm，优选为3nm～5nm。
根据本发明的实施例，所述有机电致发光器件还包括：电荷产生层，所述电荷产生层相对两个表面分别设置在有第一有机电致发光子件和第二有机电致发光子件，在靠近所述电荷产生层的方向上，所述第一有机电致发光子件包括依次排列设置的所述阳极、所述红光发光层、所述激子调控层、所述蓝光发光层、所述绿光发光层；在远离所述电荷产生层的方向上，所述第二有机电致发光子件均包括依次排列设置的所述红光发光层、所述激子调控层、所述蓝光发光层、所述绿光发光层和所述阴极。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，显示装置包括前面所述的有机电致发光器件。由此，该显示装置具有较佳的色偏稳定性。本领域技术人员可以理解，该有机电致发光显示装置具有前面所述的有机电致发光器件的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
附图说明
图1是本发明一个实施例中有机电致发光器件的结构示意图。
图2是本发明另一个实施例中有机电致发光器件的结构示意图。
图3为实施例1中有机电致发光器件层结构的能级图。
图4为实施例1中有机电致发光器件的颜色(CIE)随电流效率的变化曲线图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明的一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件。根据本发明的实施例，参照图1，该有机电致发光器件包括依次排列设置的阳极10、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80和阴极120，其中，所述有机电致发光器件满足以下条件至少之一：所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级的差值≤0.1eV(比如蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级的差值为0.1eV、0.09eV、0.08eV、0.07eV、0.06eV、0.05eV、0.04eV、0.03eV、0.02eV、0.01eV或0eV)；所述绿光发光层的主体材料的HOMO能级比所述蓝光发光层的主体材料的HOMO能级大，且差值≤1eV(比如绿光发光层的主体材料的HOMO能级比所述蓝光发光层的主体材料的HOMO能级大1eV、0.9eV、0.8eV、0.7eV、0.6eV、0.5eV、0.4eV、0.3eV、0.2eV、0.1eV或绿光发光层的主体材料的HOMO能级与所述蓝光发光层的主体材料的HOMO能级相同)。由此，本申请的有机电致发光器件的激子复合区域的具体位置随驱动电压的变化而变化较小，可改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性，而且本申请有机电致发光器件的制备不会增加蒸镀设备的投资成本。
需要说明的是，激子复合是指空穴和电子的复合过程，激子复合区域是指空穴和电子复合的位置，大部分激子复合是在蓝光发光层中完成，少数的激子复合是在红光发光层和绿光发光层中完成的。还有，上述“依次排列设置”是指在某一方向上阳极10、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80和阴极120依次排列，可以是在某一方向上阳极10、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80和阴极120依次层叠设置，也可以是上述几种结构仅仅是按照先后顺序排列即可，在其中两种结构之间还可以设置有其他结构。另外，本发明的有机电致发光器件可以为WOLED器件。
根据本发明的实施例，参照图1，该有机电致发光器件还包括：空穴注入层(HIL)20、空穴传输层(HTL)30、电子阻挡层(EBL)40、空穴阻挡层(HBL)90、电子传输层(ETL)100、电子注入层(EIL)110，具体的：有机电致发光器件包括依次层叠排列设置的阳极10、空穴注入层(HIL)20、空穴传输层(HTL)30、电子阻挡层(EBL)40、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80、空穴阻挡层(HBL)90、电子传输层(ETL)100、电子注入层(EIL)110和阴极120。
红光发光层包括主体材料和客体材料，在一些实施例中，红光发光层的主体材料为CBP(4,4-二(9-咔唑)联苯)和mCBP(3,3′-二(9H-咔唑-9-基)-1,1′-联苯)中的至少一种，红光发光层的客体材料可以为DCJTB(4-(二氰乙烯基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久落尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃)。进一步的，根据本发明的实施例，所述红光发光层满足以下条件至少之一：基于所述红光发光层，按照质量百分数算，所述红光发光层中客体材料的质量含量为0.1％～3％(比如为0.1％、0.5％、0.8％、1.0％、1.2％、1.5％、1.8％、2.0％、2.5％、2.8％、3.0％),在一些优选实施例中，红光发光层中客体材料的质量含量为0.8％～1.2％(比如为0.8％、0.9％、1.0％、1.1％、1.2％)；所述红光发光层的厚度为1nm～10nm(比如为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm)，在一些优选实施例中，红光发光层的厚度为2nm～5nm。在上述条件下，既可以满足红光发光层较优的发光要求，而且可以进一步的改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性。
蓝光发光层包括主体材料和客体材料，在一些实施例中，蓝光发光层的主体材料可以为MAND(2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)和MCP(2,6-二甲氧基苯酚:2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈)中的至少一种，而且蓝光发光层的客体材料可以为DSA-Ph(1-4-di-[4-(N,N-diphenyl)amino]styryl-benzene)。进一步的，根据本发明的实施例，蓝光发光层满足以下条件至少之一：基于蓝光发光层，按照质量百分数算，蓝光发光层中客体材料的质量含量为1％～8％(比如为1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、6.0％、6.5％、7％、7.5％、8.0％)，在一些优选实施例中，蓝光发光层中客体材料的质量含量为4％～6％(比如为4％、4.5％、5.0％、5.5％、6％)；蓝光发光层的厚度为1nm～20nm(比如为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm)，在一些优选实施例中，蓝光发光层的厚度为10nm～15nm。在上述条件下，既可以满足蓝光发光层较优的发光要求，而且可以进一步的改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性。
绿光发光层包括主体材料和客体材料，在一些实施例中，绿光发光层的主体材料可以为MAND(2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene，2-甲基-9,10-二(2-萘基)蒽)和MCP(2,6-二甲氧基苯酚:2,4,5,6-四(9-咔唑基)-间苯二腈)中的至少一种，而且绿光发光层的客体材料可以为Alq3(8-羟基喹啉铝)。进一步的，根据本发明的实施例，绿光发光层满足以下条件至少之一：基于所述绿光发光层，按照质量百分数算，绿光发光层中客体材料的质量含量为3％～15％(比如为3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、6.0％、6.5％、7％、7.5％、8.0％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％)，在一些优选实施例中，蓝光发光层中客体材料的质量含量，优选为7％～9％；绿光发光层的厚度为1nm～20nm(比如为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm)，优选为2nm～10nm。在上述条件下，既可以满足绿光发光层较优的发光要求，而且可以进一步的改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性。
根据本发明的实施例，阳极的材料包括但不限于ITO、IZO等透明材料；阴极的材料包括但不限于银、铝等金属材料，厚度为10nm；空穴注入层(HIL)的材料可以为HATCN(Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)，厚度为10nm；空穴传输层(HTL)的材料可以为(N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine)，厚度为15nm；电子阻挡层(EBL)的材料可以为Ir(ppz)3(Tris(phenylpyrazole)iridium，即(OC-6-21)-三[2-(1H-吡唑-1-基)苯基]铱)，厚度为5nm；激子调控层的材料可以为DBTPB(N4,N4'-bis(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)-N4,N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diaMine)，厚度为1～10nm，比如为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm，在一些优选实施例中，激子调控层的厚度为3nm～5nm；空穴阻挡层(HBL)的材料可以为Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲罗啉)，厚度为5nm；电子传输层(ETL)的材料可以为nBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉)，厚度为25nm；电子注入层(EIL)的材料可以为LiQ(8-羟基喹啉-锂)，厚度为1nm。
根据本发明的实施例，所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级相同，即是说，蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级的差值为0，或者说，蓝光发光层的主体材料与所述绿光发光层的主体材料相同。由此，可以更好的改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性。
根据本发明的实施例，激子调控层的LUMO能级比蓝光发光层主体材料的LUMO能级高，且差值≥0.4eV，比如激子调控层的LUMO能级比蓝光发光层的LUMO能级高0.4eV、0.5eV、0.6eV、0.7eV、0.8eV、0.9eV、1.0eV、1.2eV、1.3eV、1.4eV、1.5eV、1.6eV、1.7eV、1.8eV、1.9eV、2.0eV等。由此，可以更好的改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性。
根据本发明的实施例，所述有机电致发光器件还满足以下条件至少之一：
1、激子调控层的三线态能级T1均比红光发光层和蓝光发光层的主体材料的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV(激子调控层的三线态能级T1均比红光发光层和蓝光发光层的主体材料的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV、0.4eV、0.5eV、0.6eV、0.7eV、0.8eV、0.9eV、1.0eV、1.2eV、1.4eV、1.5eV、1.6eV、1.7eV、1.8eV、1.9eV、2.0eV)，即是说，激子调控层的三线态能级T1比红光发光层的主体材料的三线态能级T1至少高0.3eV，同时激子调控层的三线态能级T1比蓝光发光层的主体材料的三线态能级T1至少高0.3eV，也就是说，激子调控层的三线态能级T1比与其相邻层结构的三线态能级T1至少高0.3eV；
2、空穴阻挡层的三线态能级T1均比绿光发光层和电子传输层的主体材料的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV(空穴阻挡层的三线态能级T1均比绿光发光层的主体材料和电子传输层的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV、0.4eV、0.5eV、0.6eV、0.7eV、0.8eV、0.9eV、1.0eV、1.2eV、1.4eV、1.5eV、1.6eV、1.7eV、1.8eV、1.9eV、2.0eV)，即是说，空穴阻挡层的三线态能级T1比绿光发光层的主体材料的三线态能级T1至少高0.3eV，同时，空穴阻挡层的三线态能级T1比电子传输层的三线态能级T1至少高0.3eV。
在本发明的实施例中，当有机电致发光器件满足以上两个条件中的至少之一时，可以更好的改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性。
根据本发明的实施例，激子调控层的空穴迁移率小于空穴传输层的空穴迁移率。更进一步的，在本发明的实施例中，激子调控层的空穴迁移率的数量级和空穴传输层的空穴迁移率的数量级相同。由此，一方面，空穴传输层的空穴迁移率较大，可以更多空穴注入到器件中；激子调控层迁移率略小，可以更好的控制空穴在红光发光层、绿光发光层和蓝发光层中的分布，用于稳定激子复合区域。
根据本发明的实施例，所述激子调控层的空穴传输迁移率大于所述激子调控层的电子传输迁移率。由此，可以确保空穴达到绿光发光层和蓝发光层的数量较多，同时阻挡更多电子传输至红光发光层，将电子阻挡在绿光发光层和蓝发光层中，如此有利于激子的形成，同样还可以稳定器件中空穴电子的分布，提高器件的稳定性。
根据本发明的实施例。参照图2，有机电致发光器件还包括：电荷产生层130，电荷产生层130相对两个表面分别设置在有第一有机电致发光子件1和第二有机电致发光子件2，在靠近电荷产生层130的方向上，第一有机电致发光子件1包括依次排列设置的阳极10红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80；在远离所述电荷产生层130的方向上，所述第二有机电致发光子件均包括依次排列设置的红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80和阴极120。在一些具体实施例中，如图2所示，在靠近电荷产生层130的方向上，第一有机电致发光子件1包括依次层叠设置的阳极10、空穴注入层(HIL)20、空穴传输层(HTL)30、电子阻挡层(EBL)40、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80、空穴阻挡层(HBL)90、电子传输层(ETL)100和电子注入层(EIL)110；在远离所述电荷产生层130的方向上，所述第二有机电致发光子件均包括依次层叠设置的空穴注入层(HIL)20、空穴传输层(HTL)30、电子阻挡层(EBL)40、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton controllayer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80、空穴阻挡层(HBL)90、电子传输层(ETL)100、电子注入层(EIL)110和阴极120。由此，将第一有机电致发光子件1和第二有机电致发光子件2串联起来，形成层叠有机电致发光器件，如此，依然可以很有效的改善使用该有机电致发光器件的显示装置高低灰阶下色偏现象，明显提高显示装置的色偏稳定性。
当然，本领域技术人员可以理解，第一有机电致发光子件1和第二有机电致发光子件2中的空穴注入层(HIL)20、空穴传输层(HTL)30、电子阻挡层(EBL)40、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80、空穴阻挡层(HBL)90、电子传输层(ETL)100和电子注入层(EIL)110均是需要满足前面上述的对空穴注入层(HIL)20、空穴传输层(HTL)30、电子阻挡层(EBL)40、红光发光层(REBM)50、激子调控层(exciton control layer)60、蓝光发光层(BEBM)70、绿光发光层(GEBM)80、空穴阻挡层(HBL)90、电子传输层(ETL)100和电子注入层(EIL)110的要求。
根据本发明的实施例，本申请的上述有机电致发光器件可以为低发射有机电致发光器件。
在本发明的又一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的有机电致发光器件。由此，该显示装置具有较佳的色偏稳定性。本领域技术人员可以理解，该有机电致发光显示装置具有前面所述的有机电致发光器件的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。
根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择。在一些实施例中，上述显示装置的具体种类包括但不限于手机、iPad、kindle、笔记本、游戏机等一切具有显示功能的显示装置。
本领域技术人员可以理解，上述显示装置除了包括前面所述的器件，还包括常规显示装置所必备的结构和部件，以手机为例，还包括显示背板、彩膜基板、玻璃盖板、壳体、触控面板、音频模组、照相模组、CPU等必备的结构和部件。
实施例
实施例1
WOLED器件结构为：
阳极10，材料为ITO；
空穴注入层(HIL)20，材料为HATCN，厚度为10nm；
空穴传输层(HTL)30，材料为NPB，厚度为15nm；
电子阻挡层(EBL)40，材料为Ir(ppz)3，厚度为5nm；
红光发光层(REBM)50，主体材料为CBP，客体材料为DCJTB，且基于红光发光层，按照质量百分数算，红光发光层中DCJTB的质量含量为1％，红光发光层的厚度为5nm；
激子调控层(exciton control layer)60，材料为DBTPB，厚度为4nm；
蓝光发光层(BEBM)70，主体材料为MAND，客体材料为DSA-Ph，且基于蓝光发光层，按照质量百分数算，蓝光发光层中DSA-Ph的质量含量为5％，蓝光发光层的厚度为10nm；
绿光发光层(GEBM)80，主体材料为MAND，客体材料为Alq3，且基于绿光发光层，按照质量百分数算，绿光发光层中Alq3的质量含量为8％，绿光发光层的厚度为10nm；
空穴阻挡层(HBL)90，材料为Bphen，厚度为5nm；
电子传输层(ETL)100，材料为nBphen，厚度为25nm；
电子注入层(EIL)110，材料为LiQ，厚度为1nm；
阴极120，材料为银，厚度为10nm。
在该实施例中WOLED器件层结构的能级图可参照图3(图3中上面的能级值是LUMO，下面的能级值是HOMO)，蓝光发光层的主体材料与所述绿光发光层的主体材料相同，即蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级的差值为0；绿光发光层的主体材料的HOMO能级比蓝光发光层的主体材料的HOMO能级大0eV；激子调控层的LUMO能级比蓝光发光层主体材料的LUMO能级高0.4eV；激子调控层的三线态能级T1(2.8eV)比红光发光层的主体材料(3.4eV)的三线态能级T1高0.6eV，激子调控层的三线态能级T1(2.8eV)比蓝光发光层的主体材料(3.2eV)的三线态能级T1高0.4eV；空穴阻挡层的三线态能级T1(3.1eV)比绿光发光层的主体材料(3.2eV)的三线态能级T1高0.1eV，空穴阻挡层的三线态能级T1(3.1eV)比电子传输层的主体材料(3.4eV)的三线态能级T1高0.3eV；激子调控层的空穴迁移率小于空穴传输层的空穴迁移率；激子调控层的空穴传输迁移率大于激子调控层的电子传输迁移率。
在该实施例中WOLED器件的颜色(CIE)随电流效率的变化曲线图可参照图4(图4中上面的曲线为CIE y随电流效率的变化曲线，下面的曲线为CIE x随电流效率的变化曲线)，由该曲线图可以看出，该实施例中WOLED的发光颜色的稳定性很好，即说明使用该WOLED器件的显示装置的高低灰阶下色偏的稳定性较优。
实施例2
WOLED器件结构为：
阳极10，材料为ITO；
空穴注入层(HIL)20，材料为HATCN，厚度为10nm；
空穴传输层(HTL)30，材料为NPB，厚度为15nm；
电子阻挡层(EBL)40，材料为Ir(ppz)3，厚度为5nm；
红光发光层(REBM)50，主体材料为CBP，客体材料为DCJTB，且基于红光发光层，按照质量百分数算，红光发光层中DCJTB的质量含量为1％，红光发光层的厚度为5nm；
激子调控层(exciton control layer)60，材料为DBTPB，厚度为4nm；
蓝光发光层(BEBM)70，主体材料为MCP，客体材料为DSA-Ph，且基于蓝光发光层，按照质量百分数算，蓝光发光层中DSA-Ph的质量含量为5％，蓝光发光层的厚度为10nm；
绿光发光层(GEBM)80，主体材料为MAND，客体材料为Alq3，且基于绿光发光层，按照质量百分数算，绿光发光层中Alq3的质量含量为8％，绿光发光层的厚度为10nm；
空穴阻挡层(HBL)90，材料为Bphen，厚度为5nm；
电子传输层(ETL)100，材料为nBphen，厚度为25nm；
电子注入层(EIL)110，材料为LiQ，厚度为1nm；
阴极120，材料为银，厚度为10nm。
在该实施例中，蓝光发光层的主体材料与所述绿光发光层的主体材料不相同，蓝光发光层的主体材料的LUMO能级(2.8eV)与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级(2.9eV)的差值为0.1eV；绿光发光层的主体材料的HOMO能级(6.4eV)比蓝光发光层的主体材料的HOMO能级(6.0eV)大0.4eV；激子调控层的三线态能级T1(2.8eV)比红光发光层的主体材料(3.4eV)的三线态能级T1高0.6eV，激子调控层的三线态能级T1(2.8eV)比蓝光发光层的主体材料(3.2eV)的三线态能级T1高0.4eV；空穴阻挡层的三线态能级T1(3.1eV)比绿光发光层的主体材料(3.2eV)的三线态能级T1高0.1eV，空穴阻挡层的三线态能级T1(3.1eV)比电子传输层的主体材料(3.4eV)的三线态能级T1高0.3eV；激子调控层的空穴迁移率小于空穴传输层的空穴迁移率；激子调控层的空穴传输迁移率大于激子调控层的电子传输迁移率。
该实施例中WOLED的发光颜色的稳定性很好，说明使用该WOLED器件的显示装置的高低灰阶下色偏的稳定性较优。
文中术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (15)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次排列设置的阳极、红光发光层、激子调控层、蓝光发光层、绿光发光层、阴极以及设置在所述绿光发光层和所述阴极之间的空穴阻挡层和电子传输层，其中，所述有机电致发光器件满足以下条件：
所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级的差值≤0.1eV；
所述绿光发光层的主体材料的HOMO能级比所述蓝光发光层的主体材料的HOMO能级大，且差值≤1eV；
所述激子调控层的LUMO能级比所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级高，且差值≥0.4eV；
所述激子调控层的三线态能级T1均比所述红光发光层和所述蓝光发光层的主体材料的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV；
所述空穴阻挡层的三线态能级T1均比所述绿光发光层的主体材料和所述电子传输层的三线态能级T1高，且差值≥0.3eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光发光层的主体材料的LUMO能级与所述绿光发光层的主体材料的LUMO能级相同。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括设置在所述阳极和所述红光发光层之间的空穴传输层，所述激子调控层的空穴迁移率小于所述空穴传输层的空穴迁移率。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述激子调控层的空穴迁移率的数量级和所述空穴传输层的空穴迁移率的数量级相同。
5.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述激子调控层的空穴传输迁移率大于所述激子调控层的电子传输迁移率。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述红光发光层满足以下条件至少之一：
基于所述红光发光层，按照质量百分数算，所述红光发光层中客体材料的质量含量为0.1%~3%；
所述红光发光层的厚度为1nm~10nm。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述红光发光层满足以下条件至少之一：
基于所述红光发光层，按照质量百分数算，所述红光发光层中客体材料的质量含量为0.8%~1.2%；
所述红光发光层的厚度为2nm~5nm。
8.根据权利要求1~5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光发光层满足以下条件至少之一：
基于所述蓝光发光层，按照质量百分数算，所述蓝光发光层中客体材料的质量含量为1%~8%；
所述蓝光发光层的厚度为1nm~20nm。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光发光层满足以下条件至少之一：
基于所述蓝光发光层，按照质量百分数算，所述蓝光发光层中客体材料的质量含量为4%~6%；
所述蓝光发光层的厚度为10nm~15nm。
10.根据权利要求1~5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述绿光发光层满足以下条件至少之一：
基于所述绿光发光层，按照质量百分数算，所述绿光发光层中客体材料的质量含量为3%~15%；
所述绿光发光层的厚度为1nm~20nm。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述绿光发光层满足以下条件至少之一：
基于所述绿光发光层，按照质量百分数算，所述绿光发光层中客体材料的质量含量为7%~9%；
所述绿光发光层的厚度为2nm~10nm。
12.根据权利要求1~5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述激子调控层的厚度为1nm~10nm。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述激子调控层的厚度为3nm~5nm。
14.根据权利要求1~5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括：
电荷产生层，所述电荷产生层相对两个表面分别设置在有第一有机电致发光子件和第二有机电致发光子件，在靠近所述电荷产生层的方向上，所述第一有机电致发光子件包括依次排列设置的所述阳极、所述红光发光层、所述激子调控层、所述蓝光发光层、所述绿光发光层；在远离所述电荷产生层的方向上，所述第二有机电致发光子件包括依次排列设置的所述红光发光层、所述激子调控层、所述蓝光发光层、所述绿光发光层和所述阴极。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1~14中任一项所述的有机电致发光器件。
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