CN113851302A - 一种差模-共模一体磁芯结构及其制作方法与应用 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 22
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 22
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 15
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
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- H01F17/062—Toroidal core with turns of coil around it
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/24—Magnetic cores
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
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Abstract
本发明公开了一种差模‑共模一体磁芯结构及其制作方法与应用。所述磁芯结构包括第一磁芯和至少两个第二磁芯，所述第一磁芯和第二磁芯均具有由带材卷绕制成的封闭环形结构，且至少两个所述第二磁芯均嵌设于第一磁芯的内环中，且各相邻磁芯之间相互紧密贴合。采用本发明的差模‑共模一体磁芯结构制备而成的器件电感漏感低、电磁兼容性好、工艺简单、结构紧凑稳固、更易小型化、节约成本。
Description
技术领域
本发明属于电子磁元件集成领域，具体涉及一种差模-共模一体磁芯结构及其制作方法与应用。
背景技术
随着各种电力电子设备的广泛应用，不同设备之间的电磁干扰会带来噪音、功能紊乱、控制失灵等问题。为减少和消除电磁干扰带来的不良影响，常常采用各种滤波器件，其中共模电感和差模电感已被广泛用来去除电路中的共模噪声和差模噪声。
传统的电路中，为实现共模噪声和差模噪声的滤除，通常需要至少一个共模电感和至少一个差模电感。由于器件小型化的发展趋势，差模-共模一体电感由于能够使用一个电感来实现滤除共模和差模噪声的效果，该器件的集成能大大减少器件的尺寸，与此同时能大大减少配套耗材的使用，该方案逐渐得到较多的应用。
目前的差模-共模一体电感，通常采用铁氧体材料制备，为增强差模电感的抗饱和特性，结构上需要对差模电感磁芯开气隙，此类方案涉及到磁芯的切割、打磨、后续安装等工艺过程，工艺过程比较复杂，且该方案由于有气隙的存在，必然有较多漏磁，存在引入辐射电磁干扰的缺点，不利于提高EMC效果。也有一些技术采用非晶纳米晶等材料制备差模-共模一体电感，然后同样面临需要对差模磁芯开气隙所带来的复杂的工艺流程和EMC效果差等问题。
所以设计一种结构简单，容易制备且漏磁较小的差模-共模一体电感，对于降低电磁干扰、增强电磁兼容性能显得尤为重要。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种差模-共模一体磁芯结构及其制作方法与应用，以克服现有技术的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例的一个方面提供了一种差模-共模一体磁芯结构，其包括第一磁芯和至少两个第二磁芯，所述第一磁芯和第二磁芯均具有由带材卷绕制成的封闭环形结构，且至少两个所述第二磁芯均嵌设于第一磁芯的内环中；其中，所述第一磁芯、第二磁芯分别用于形成共模电感、差模电感。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种电感，其包括上述的磁芯结构以及绕设于所述差模-共模一体磁芯结构的线圈。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种差模-共模一体磁芯结构的制作方法，其包括：
提供分别具有高磁导率的第一条带和低磁导率的第二条带；
分别以所述第一条带、第二条带卷绕形成具有封闭环形结构的第一磁芯、第二磁芯；
将至少两个所述第二磁芯挤压嵌入所述第一磁芯的内环中。
进一步的，所述第一条带采用非晶条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在(第一晶化起始温度-100℃)～(第一晶化起始温度-80℃)范围内热处理1～3h；
或者，所述第一条带采用纳米晶条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过多段热处理的，其中第一段热处理是在第一晶化峰和第二晶化峰之间热处理1～3h，第二段热处理是在410℃±30℃的温度下横磁处理1～3h，其中磁场强度为500～2000Oe；
或者，所述第一条带采用坡莫合金条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在1100～1200℃的温度下进行再结晶热处理1～5h。
进一步的，所述第二条带采用非晶条带，并且所述第二条带或第二磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在(第一晶化起始温度-80℃)～(第一晶化起始温度-40℃)范围内热处理1～3h；
或者，所述第二条带采用纳米晶条带，并且所述第二条带或第二磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在100～300MPa的恒张应力下于540～650℃热处理0.1～3min，或者，所述的热处理是在磁场强度为2000～5000Oe、温度为400～440℃的条件下热处理0.5～5h。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
(1)提供的差模-共模一体电感，内部磁芯采用带材卷绕制成的封闭环形结构，可降低漏感和对外的辐射电磁干扰，电磁兼容性好。
(2)提供的差模-共模一体磁芯结构，具有良好的差模噪声和共模噪声滤除性能，可广泛应用于电磁干扰滤波领域。
(3)提供的差模-共模一体磁芯结构及电感的制备工艺简单，节省成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种应用于两相电路的差模-共模一体电感结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种应用于三相电路的差模-共模一体磁芯结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种应用于四相电路的差模-共模一体磁芯结构示意图；
图5是本发明实施例提供的差模-共模一体磁芯结构及电感的一种制作工艺流程图；
图6是本发明实施例提供的差模-共模一体磁芯结构及电感的另一种制作工艺流程图；
图7是本发明实施例提供的差模-共模一体磁芯结构及电感的第三种制作工艺流程图。
具体实施方式
鉴于现有技术的缺陷，本案发明人经长期研究和大量实践，提出了一种制作过程简单，综合滤波性能优异的条带卷绕差模电感和共模电感集成结构，能在保证差模和共模滤波效果的同时，达到简化制作工艺流程、减少器件和配件用料以及减小滤波电感器件的体积等效果。下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明实施例的一个方面提供了一种差模-共模一体磁芯结构，其包括第一磁芯和至少两个第二磁芯，所述第一磁芯和第二磁芯均具有由带材卷绕制成的封闭环形结构，且至少两个所述第二磁芯均嵌设于第一磁芯的内环中。
其中，所述第一磁芯、第二磁芯分别用于形成共模电感、差模电感，由于形成所述第一磁芯和第二磁芯的带材具有高柔韧性而易变形的特点，因此能够容易地将所述至少两个第二磁芯挤压进入第一磁芯的内环中，且使各相邻磁芯之间相互紧密贴合。
此磁芯结构与传统差模-共模一体磁芯相比，不采用开气隙的方案，因此漏磁问题大大降低，不会引入新的干扰信号，有利于提高整体的EMC效果，同时具有良好的差模噪声和共模噪声滤除性能。
进一步的，所述第一磁芯、第二磁芯分别由第一条带、第二条带卷绕形成，所述第一条带的磁导率高于所述第二条带的磁导率。
进一步的，所述第一条带、第二条带的材质包括非晶、纳米晶、坡莫合金中的任意一种或多种的组合，且不限于此。
进一步的，所述第一条带的相对磁导率为10000～120000，能够实现共模电感所要求的高电感量，所述第二条带的相对磁导率为50～2000，能够实现差模电感所要求的低电感量和高抗饱和性能。
进一步的，所有第二磁芯的外径面积之和占所述第一磁芯的内径面积的比例x为0.8～0.98。
较为优选的，0.92≤x≤0.98。
其中，当0.8≤x≤0.995时，所述一个以上第二磁芯即能够嵌套进第一磁芯内部，且留有足够的空隙用来进行后期绕线；当0.92≤x≤0.98时，第二磁芯与第一磁芯之间，以及不同的第二磁芯之间均能实现稳固装配，装配完成后不易相互移动，性能稳定。
进一步的，所述差模-共模一体磁芯结构具有由一个第一磁芯和两个第二磁芯组成的θ型结构。
进一步的，所述至少两个第二磁芯的材质、尺寸、形状可以相同，也可以不同。
本发明实施例的另一个方面提供了一种差模-共模一体电感，其包括上述的磁芯结构以及绕设于所述差模-共模一体磁芯结构的线圈。
进一步的，所述电感的感值能够根据所述磁芯结构的材质、尺寸及热处理工艺进行调节。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种差模-共模一体磁芯结构及电感的制作方法，通过选用不同的材料，如非晶、纳米晶或坡莫合金等，或者通过改变磁环结构的尺寸，如外径、内径和高度等，或者使用不同的热处理工艺，如应力退火、晶化退火或再结晶退火等，或者改变绕线的匝数，实现不同部位的不同性能要求。
具体的，所述制作方法包括：
提供分别具有高磁导率的第一条带和低磁导率的第二条带；
分别以所述第一条带、第二条带卷绕形成具有封闭环形结构的第一磁芯、第二磁芯；
将至少两个所述第二磁芯挤压嵌入所述第一磁芯的内环中。
其中，所述第一条带采用非晶条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在(第一晶化起始温度-100℃)～(第一晶化起始温度-80℃)范围内热处理1～3h；或者，所述第一条带采用纳米晶条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过多段热处理的，其中第一段热处理是在第一晶化峰和第二晶化峰之间热处理1～3h，第二段热处理是在410℃±30℃的温度下横磁处理1～3h，其中磁场强度为500～2000Oe；或者，所述第一条带采用坡莫合金条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在1100～1200℃的温度下进行再结晶热处理1～5h。
其中，所述第二条带采用非晶条带，并且所述第二条带或第二磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在(第一晶化起始温度-80℃)～(第一晶化起始温度-40℃)范围内热处理1～3h；或者，所述第二条带采用纳米晶条带，并且所述第二条带或第二磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在100～300MPa的恒张应力下于540～650℃热处理0.1～3min，或者，所述的热处理是在磁场强度为2000～5000Oe、温度为400～440℃的条件下热处理0.5～5h。
需要说明的是，由于各部分磁芯结构所采用的材料或者热处理工艺不尽相同，为满足整体差模-共模一体磁芯结构的各部分磁性能，可以将磁芯结构进行热处理后组装得到最后的性能，也可以先预处理组装后，综合考虑热处理条件，选取恰当的热处理工艺，来满足优异的差模和共模性能。
本发明中的磁芯结构采用完整的条带卷绕形成封闭的磁环，环上没有横向的开口气隙，所产生的漏感大大降低，对外的辐射电磁干扰也会相应地大大降低。同时本发明中的加工工艺非常简单，与传统的铁氧体差模-共模结构相比，不需要成型后开气隙、打磨等工序，与卷绕带材磁芯开气隙相比，无需先固化定型之后再切割、打磨等工序，大大简化了加工和制作过程，组合过程非常方便，利用带材柔韧性高的特点，稍加变形即可完成组装。
下面结合若干优选实施例及附图对本发明的技术方案做进一步详细说明，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参阅图1，一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构，其包括一个第一磁芯1和两个第二磁芯2，两个第二磁芯2嵌入在第一磁芯1的内环中，且两个第二磁芯2的外径面积之和占第一磁芯1的内径面积的比例x为0.92～0.98之间。
其中，第一磁芯1由纳米晶条带、非晶条带、坡莫合金条带中的一种卷绕而成，两个第二磁芯2由纳米晶条带、非晶条带中的一种卷绕而成。
实施例2
请参阅图2，一种应用于三相电路的差模-共模一体磁芯结构，其包括一个第一磁芯1和三个第二磁芯2，三个第二磁芯2嵌入在第一磁芯1的内环中，且三个第二磁芯2的外径面积之和占第一磁芯1的内径面积的比例x为0.92～0.98之间。
其中，第一磁芯1由纳米晶条带、非晶条带、坡莫合金条带中的一种卷绕而成，两个第二磁芯2由纳米晶条带、非晶条带中的一种卷绕而成。
实施例3
请参阅图3，一种应用于四相电路的差模-共模一体磁芯结构，其包括一个第一磁芯1和四个第二磁芯2，四个第二磁芯2嵌入在第一磁芯1的内环中，且四个第二磁芯2的外径面积之和占第一磁芯1的内径面积的比例x为0.92～0.98之间。
其中，第一磁芯1由纳米晶条带、非晶条带、坡莫合金条带中的一种卷绕而成，两个第二磁芯2由纳米晶条带、非晶条带中的一种卷绕而成。
实施例4
请参阅图5，为本实施例中的一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构及电感的制作工艺流程图，其包括：
步骤一、选用1k107纳米晶条带，通过自动卷绕方式获得第一磁芯1；
步骤二、将1k107高Si含量的纳米晶条带在100MPa的恒张应力下以及580℃的温度下连续热处理1min，并将热处理后的纳米晶条带卷绕成两个第二磁芯2，其中两个第二磁芯2的尺寸相同，且两个第二磁芯2的外径面积之和占第一磁芯1的内径面积的比例x为0.95；
步骤三、将第一磁芯1先在575℃的温度下热处理1h，之后在420℃的温度下以及1500Oe的磁场强度下热处理2h，使其基本达到共模电感的要求；
步骤四、将两个第二磁芯2挤压嵌入第一磁芯1的内环中，从而装配成如图1所示的θ型差模-共模一体电感磁芯结构；
步骤五、对装配后的θ型差模-共模一体电感磁芯结构进行喷漆和绕线等处理，获得如图2所示的差模-共模一体电感。
以本实施例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感磁芯结构，磁环的完整度高，且最终加工形成的差模-共模一体电感的共模电感感量高，差模电感的抗饱和能力强。
本实施例中，两个第二磁芯2的材质、尺寸、形状及热处理工艺均相同，但在一些实施方式中，两个第二磁芯2的材质、尺寸和形状也可以不同，并依据不同的材质，进行相应的热处理工艺。同样，以下的各实施例均是如此，当然对于应用于三相电路和四相电路的磁芯结构亦是如此。此实施方式对本领域的技术人员应该是习知的，在此不进行赘述。
实施例5
请参阅图6，为本实施例中的一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构及电感的制作工艺流程图，其包括：
步骤一、选用1k107纳米晶条带，通过自动卷绕方式获得第一磁芯1；
步骤二、选用1k101非晶条带，通过自动卷绕方式获得两个第二磁芯2，其中两个第二磁芯2的尺寸相同，且两个第二磁芯2的外径面积之和占第一磁芯1的内径面积的比例x为0.96；
步骤三、将第一磁芯1在565℃的温度下热处理2h；
步骤四、将两个第二磁芯2先在450℃的温度下晶化热处理1h；
步骤五、将两个第二磁芯2挤压嵌入第一磁芯1的内环中，从而装配成如图1所示的θ型差模-共模一体电感磁芯结构；
步骤六、之后在400℃的温度下以及1500Oe的磁场强度下热处理3h，使其外部和内部基本达到共模电感和差模电感的要求；
步骤七、对装配后的θ型差模-共模一体电感磁芯结构进行喷漆和绕线等处理，获得如图2所示的差模-共模一体电感。
以本实施例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感磁芯结构，磁环的完整度高，且最终加工形成的差模-共模一体电感的共模电感感量高，差模电感的抗饱和能力强。
实施例6
请参阅图7，为本实施例中的一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构及电感的制作工艺流程图，其包括：
步骤一、选用1k107纳米晶条带，通过自动卷绕方式获得第一磁芯1；
步骤二、选用HB1M非晶条带，通过自动卷绕方式获得两个第二磁芯2，其中两个第二磁芯2的尺寸相同，且两个第二磁芯2的外径面积之和占第一磁芯1的内径面积的比例x为0.98；
步骤三、将第一磁芯1在555℃的温度下热处理3h；
步骤四、将两个第二磁芯2挤压嵌入第一磁芯1的内环中，从而装配成如图1所示的θ型差模-共模一体电感磁芯结构；
步骤五、之后在440℃的温度下以及1500Oe的磁场强度下热处理1h，使其外部和内部基本达到共模电感和差模电感的要求；
步骤六、对装配后的θ型差模-共模一体电感磁芯结构进行喷漆和绕线等处理，获得如图2所示的差模-共模一体电感。
以本实施例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感磁芯结构，磁环的完整度高，且最终加工形成的差模-共模一体电感的共模电感感量高，差模电感的抗饱和能力强。
实施例7
请参阅图5，为本实施例中的一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构及电感的制作工艺流程图，其包括：
步骤一、选用坡莫合金条带，通过自动卷绕方式获得第一磁芯1；
步骤二、将1k107高Si含量的纳米晶条带在200MPa的恒张应力下以及560℃的温度下连续热处理3min，并将热处理后的纳米晶条带卷绕成两个第二磁芯2，其中两个第二磁芯2的尺寸相同，且两个第二磁芯2外径面积之和占第一磁芯1内径面积的比例x为0.95；
步骤三、将第一磁芯1先在1120℃的温度下热处理3h，使其基本达到共模电感的要求；
步骤四、将两个第二磁芯2挤压嵌入第一磁芯1的内环中，从而装配成如图1所示的θ型差模-共模一体电感磁芯结构；
步骤五、对装配后的θ型差模-共模一体电感磁芯结构进行喷漆和绕线等处理，获得如图2所示的差模-共模一体电感。
以本实施例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感磁芯结构，磁环的完整度高，且最终加工形成的差模-共模一体电感的共模电感感量高，差模电感的抗饱和能力强。
实施例8
请参阅图6，为本实施例中的一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构及电感的制作工艺流程图，其包括：
步骤一、选用坡莫合金条带，通过自动卷绕方式获得第一磁芯1；
步骤二、选用1k101非晶条带，通过自动卷绕方式获得两个第二磁芯2，其中两个第二磁芯2的尺寸相同，且两个第二磁芯2外径面积之和占第一磁芯1内径面积的比例x为0.96；
步骤三、将第一磁芯1先在1140℃的温度下热处理2h；
步骤四、将两个第二磁芯2在430℃的温度下晶化热处理3h；
步骤五、将两个第二磁芯2挤压嵌入第一磁芯1的内环中，从而装配成如图1所示的θ型差模-共模一体电感磁芯结构；
步骤六、之后在420℃的温度下热处理2h，使其外部和内部基本达到共模电感和差模电感的要求；
步骤七、对装配后的θ型差模-共模一体电感磁芯结构进行喷漆和绕线等处理，获得如图2所示的差模-共模一体电感。
以本实施例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感磁芯结构，磁环的完整度高，且最终加工形成的差模-共模一体电感的共模电感感量高，差模电感的抗饱和能力强。
实施例9
请参阅图7，为本实施例中的一种应用于两相电路的差模-共模一体磁芯结构及电感的制作工艺流程图，其包括：
步骤一、选用坡莫合金条带，通过自动卷绕方式获得第一磁芯1；
步骤二、选用HB1M非晶条带，通过自动卷绕方式获得两个第二磁芯2，其中两个第二磁芯2的尺寸相同，且两个第二磁芯2外径面积之和占第一磁芯1内径面积的比例x为0.97；
步骤三、将第一磁芯1先在1160℃的温度下热处理1h；
步骤四、将两个第二磁芯2挤压嵌入第一磁芯1的内环中，从而装配成如图1所示的θ型差模-共模一体电感磁芯结构；
步骤五、之后在430℃的温度下以及1500Oe的磁场强度下热处理1h，使其外部和内部基本达到共模电感和差模电感的要求；
步骤六、对装配后的θ型差模-共模一体电感磁芯结构进行喷漆和绕线等处理，获得如图2所示的差模-共模一体电感。
以本实施例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感磁芯结构，磁环的完整度高，且最终加工形成的差模-共模一体电感的共模电感感量高，差模电感的抗饱和能力强。
对比例1
本对比例与实施例7中的制作方法相似，区别之一在于，对第一磁芯1的热处理过程为在1160℃的温度下热处理1h，区别之二在于，对第二磁芯2的热处理过程为将1k107高Si含量的纳米晶条带在50MPa的恒张应力下以及530℃的温度下连续热处理1min，并将热处理后的纳米晶条带卷绕成两个第二磁芯2，之后对两个第二磁芯2在575℃的温度下热处理1h。
以本对比例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感与实施例4中制作形成的差模-共模一体电感相比，差模电感的抗饱和性能较差。
对比例2
本对比例与实施例5中的制作方法相似，区别之一在于，对于第一磁芯1的热处理条件为在600℃的温度下热处理4h；另一个区别之处在于，对两个第二磁芯2的热处理条件为在450℃的温度下晶化热处理4h；第三个区别之处在于，对装配后的θ型差模-共模一体电感磁芯结构的热处理条件为在410℃的温度下以及1500Oe的磁场强度下热处理2h。
以本对比例中的制作工艺制作的差模-共模一体电感磁芯结构，与实施例2中制作形成的差模-共模一体电感磁芯结构相比，磁环的完整度较差，且最终加工形成的差模-共模一体电感的共模电感感量较实施例2低30％以上，差模电感抗饱和能力较实施例2低20％以上。
应当理解，本发明的技术方案不限于上述具体实施案例的限制，凡是在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，根据本发明的技术方案做出的技术变形，均落于本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种差模-共模一体磁芯结构，其特征在于包括第一磁芯和至少两个第二磁芯，所述第一磁芯和第二磁芯均具有由带材卷绕制成的封闭环形结构，且至少两个所述第二磁芯均嵌设于第一磁芯的内环中。
2.根据权利要求1所述的差模-共模一体磁芯结构，其特征在于，所述第一磁芯、第二磁芯分别用于形成共模电感、差模电感。
3.根据权利要求2所述的差模-共模一体磁芯结构，其特征在于，所述第一磁芯、第二磁芯分别由第一条带、第二条带卷绕形成，所述第一条带的磁导率高于所述第二条带的磁导率。
4.根据权利要求3所述的差模-共模一体磁芯结构，其特征在于，所述第一条带、第二条带的材质包括非晶、纳米晶、坡莫合金中的任意一种或多种的组合；和/或，所述第一条带的相对磁导率为10000～120000，所述第二条带的相对磁导率为50～2000。
5.根据权利要求1所述的差模-共模一体磁芯结构，其特征在于，所有第二磁芯的外径面积之和占所述第一磁芯的内径面积的比例x为0.8～0.98；优选的，0.92≤x≤0.98；和/或，所述差模-共模一体磁芯结构具有由一个第一磁芯和两个第二磁芯组成的θ型结构；和/或，所述至少两个第二磁芯的材质、尺寸、形状相同或不同。
6.一种电感，其特征在于包括：
权利要求1-5中任一项所述的差模-共模一体磁芯结构；以及绕设于所述差模-共模一体磁芯结构的线圈。
7.一种差模-共模一体磁芯结构的制作方法，其特征在于包括：
提供分别具有高磁导率的第一条带和低磁导率的第二条带；
分别以所述第一条带、第二条带卷绕形成具有封闭环形结构的第一磁芯、第二磁芯；
将至少两个所述第二磁芯挤压嵌入所述第一磁芯的内环中。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于包括：
所述第一条带采用非晶条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在(第一晶化起始温度-100℃)～(第一晶化起始温度-80℃)范围内热处理1～3h；
或者，所述第一条带采用纳米晶条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过多段热处理的，其中第一段热处理是在第一晶化峰和第二晶化峰之间热处理1～3h，第二段热处理是在410℃±30℃的温度下横磁处理1～3h，其中磁场强度为500～2000Oe；
或者，所述第一条带采用坡莫合金条带，并且所述第一条带或第一磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在1100～1200℃的温度下进行再结晶热处理1～5h。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于包括：
所述第二条带采用非晶条带，并且所述第二条带或第二磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在(第一晶化起始温度-80℃)～(第一晶化起始温度-40℃)范围内热处理1～3h；
或者，所述第二条带采用纳米晶条带，并且所述第二条带或第二磁芯是经过热处理的，所述的热处理是在100～300MPa的恒张应力下于540～650℃热处理0.1～3min，或者，所述的热处理是在磁场强度为2000～5000Oe、温度为400～440℃的条件下热处理0.5～5h。
10.根据权利要求7-9所述的制作方法，其特征在于包括：
所有第二磁芯的外径面积之和占所述第一磁芯的内径面积的比例x为0.8～0.98；优选的，0.92≤x≤0.98；和/或，所述差模-共模一体磁芯结构具有由一个第一磁芯和两个第二磁芯组成的θ型结构；和/或，所述至少两个第二磁芯的材质、尺寸、形状相同或不同；和/或，所述第一条带的相对磁导率为10000～120000，所述第二条带的相对磁导率为50～2000。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN113851302A true CN113851302A (zh) | 2021-12-28 |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN113851302B (zh) |
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