CN113838992A - 显示装置 - Google Patents

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金凡镇
延淳昌
李圣贤
李才敏
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Abstract

一种显示装置，包括：第一基底，显示区域和非显示区域被限定在第一基底上；发光元件，在第一基底上并且在显示区域中；第二基底，面对第一基底并且在发光元件上方；滤色器，在第二基底的面对第一基底的表面上并且与发光元件重叠；波长转换图案，在滤色器上；密封构件，在第一基底和第二基底之间并且在非显示区域中；以及热沉图案，在非显示区域中，其中热沉图案当从平面图观看时在密封构件和显示区域之间。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有2020年6月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0069172号的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被并入本文。
技术领域
本公开的一些示例实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置随着多媒体技术的演进而变得更重要。因此，诸如液晶显示装置(LCD)和有机发光二极管显示装置(OLED)的各种显示装置可以被利用在各种电子装置中。
在显示装置当中，自发光显示装置包括自发光元件，例如有机发光元件。自发光元件可以包括两个对置电极和插入在这两个电极之间的发射层。对于作为自发光元件的有机发光元件，从两个电极供应的电子和空穴在发射层中复合以产生激子，所产生的激子从受激状态弛豫至基态且因此可以发射光。
这样的自发光显示装置通常可以不利用诸如背光单元的单独的光源，且因此与可替代的显示装置相比，自发光显示装置可以通常消耗相对较少功率，可以相对轻且薄，并且可以具有诸如相对宽的视角、高亮度和对比度以及相对快的响应速度的高品质特性。因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置正获得关注。
该背景技术部分中所公开的以上信息仅是为了增强对背景技术的理解，且因此该背景技术部分中所讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
根据本公开的一些示例实施例的方面包括一种可以防止或减少静电引入到显示区域中的显示装置。
一旦审阅了以下详细描述和权利要求，根据本公开的实施例的这些和其他方面和特性将对于本领域技术人员变得更明显。
根据本发明的一些示例实施例，一种显示装置包括：第一基底，显示区域和非显示区域被限定在第一基底上；发光元件，在第一基底上并且在显示区域中；第二基底，面对第一基底并且在发光元件上方；滤色器，在第二基底的面对第一基底的表面上并且与发光元件重叠；波长转换图案，在滤色器上；密封构件，在非显示区域中、在第一基底和第二基底之间；以及热沉图案，在非显示区域中，其中当从平面图或顶表面(例如从正交或垂直于显示装置的显示表面的方向)观看时热沉图案在密封构件和显示区域之间。
根据一些示例实施例，一种显示装置包括：第一基底，显示区域和非显示区域被限定在第一基底上；发光元件，在第一基底上并且在显示区域中；第二基底，面对第一基底并且在发光元件上方；密封构件，在第一基底和第二基底之间并且设置在非显示区域中；以及热沉图案，在非显示区域中，其中当从平面图或顶表面观看时热沉图案在密封构件和显示区域之间，其中热沉图案与发光元件电隔离，并且其中热沉图案被配置为感应静电。
根据一些根据本公开的示例实施例，可以能够防止或减少静电引入到显示区域中。
应该注意，根据本公开的实施例的特征不限于以上所述那些，并且根据本公开的实施例的其他特征将从以下描述而对于本领域技术人员更明显。
附图说明
通过参考附图更详细描述本公开一些示例实施例的方面，本公开的以上和其他方面和特征变得更明显。
图1是用于图示根据本公开一些示例实施例的显示装置的堆叠结构的截面图。
图2是根据本公开一些示例实施例的显示装置的平面图。
图3是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，根据一些示例实施例的图2的显示装置中包括的显示基板的平面图。
图4是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，根据一些示例实施例的图2的显示装置中包括的颜色转换基板的平面图。
图5是根据一些示例实施例的图3中所示的示例的修改的平面图。
图6是示出了根据一些示例实施例的图4中所示的示例的修改的平面图。
图7是根据一些示例实施例的图2的部分Q3的放大平面图。
图8是图2的部分Q5的放大平面图。
图9是沿着图3和图4的线X3-X3’截取的、根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
图10是图9的部分Q7的放大截面图。
图11是示出了图10中所示的结构的修改的截面图。
图12是沿着图7的线X3-X3’截取的、根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
图13是沿着图8的线X5-X5’截取的、根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
图14是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的第三滤色器和颜色图案的布局的平面图。
图15是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的挡光构件的布局的平面图。
图16是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的第一滤色器的布局的平面图。
图17是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的第二滤色器的布局的平面图。
图18是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的堤坝图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布局的平面图。
图19是示出了根据本公开一些示例实施例的静电从外部被引入的路径的视图。
图20是根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
图21是根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
本文所公开的本发明实施例的具体结构及功能描述仅出于本发明实施例的说明性目的。在不脱离本发明的精神和重要特征的情况下，本发明可以以许多不同的形式来体现。因此，本发明实施例仅出于说明性目的而被公开，并且不应被解释为对本发明加以限制。即，本发明仅由权利要求的范围来限定。
将会理解，当元件被称为与另一元件相关，例如被“耦接”或“连接”到另一元件时，其可以直接耦接或连接到另一元件，或者可以在它们之间存在中间元件。相反，应当理解，当元件被称为与另一元件直接相关，例如被“直接耦接”或“直接连接”到另一元件时，不存在中间元件。应当以相同的方式来解释诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“邻近”或“直接邻近”的对元件之间的关系进行说明的其他表述。
在整个说明书中，相同的附图标记将指代相同或相似的部分。
将会理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中被用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开。因此，在不脱离本文的教导的情况下，下面所讨论的第一元件、部件、区域、层或区段可以被称为第二元件、部件、区域、层或区段。
本文所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而并不旨在进行限制。如本文所使用的，“一”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数，除非上下文另外明确指出。例如，除非上下文另外明确指出，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制性的“一”。“或”意指“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有的组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”或“包括”和/或其变体指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
此外，诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语可在本文中被用于描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将会理解，除了图中所描绘的定向之外，相对术语还旨在包含装置的不同定向。例如，如果一个图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件随后被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例术语“下”可以包含取决于图的特定定向的“下”和“上”两个定向。类似地，如果一个图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下方”或“之下”的元件随后被定向为在其他元件的“上方”。因此，示例术语“下方”或“之下”可以包含上方和下方两个定向。
考虑到成问题的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，本文所使用的“大约”或“近似”包括所述的值并且意指在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域以及本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度正式的意义来加以解释，除非在本文中明确如此定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图示的截面图示来描述一些示例实施例的方面。因此，可以预期来自例如由于制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。因此，本文所描述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，被图示或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。此外，所示的尖角可以是倒圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，而且不旨在对本权利要求的范围进行限制。
下文中，将参考附图描述本发明的一些示例实施例的方面。
图1是用于图示根据本公开一些示例实施例的显示装置的堆叠结构的截面图。
图1中所示的显示装置可以用在各种电子装置中，包括诸如平板个人计算机、智能电话、车辆导航单元、相机、安装在车辆中的中心信息显示器(CID)、腕式电子装置(例如智能手表)、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和游戏机的中小型电子装置，以及诸如电视机、电子广告牌、监视器、个人计算机和膝上型计算机的大中型电子装置。应该理解，以上列出的电子装置仅是说明性的，并且在不脱离根据本公开的实施例的精神和范围的情况下，显示装置1可以用在各种其他电子装置中。
显示装置1可以包括显示图像的显示区域DA以及不显示图像的非显示区域NDA。根据一些示例实施例，非显示区域NDA可以被设置在显示区域DA周围(例如，显示区域DA的覆盖区之外或在显示区域DA的外围)以围绕显示区域DA。显示在显示区域DA中的图像可以由用户从在第三方向Z上的箭头所指示的侧面观看。
根据一些示例实施例，显示装置1的堆叠结构可以包括显示基板10和与显示基板10对置的颜色转换基板30，并且可以进一步包括用于将显示基板10和颜色转换基板30耦接的密封构件50以及用于填充显示基板10和颜色转换基板30之间的空间或区域的填充剂70，如图1中所示。
显示基板10可以包括用于显示图像的元件和电路，例如，诸如开关元件的像素电路、用于在显示区域DA中限定稍后将描述的发射区域和非发射区域的像素限定层、以及自发光元件。根据一些示例实施例，自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管、无机类微发光二极管(例如微LED)和具有纳米尺寸的无机类纳米发光二极管(例如纳米LED)中的至少一个。在以下描述中，为了便于说明，有机发光二极管将被描述为自发光元件的示例，但是根据本公开的实施例不限于此。
颜色转换基板30可以被设置在显示基板10上并且可以面对显示基板10。根据一些示例实施例，颜色转换基板30可以包括转换入射光的颜色的颜色转换图案。根据一些示例实施例，颜色转换基板30可以包括滤色器和/或波长转换图案作为颜色转换图案。根据一些示例实施例，颜色转换基板30可以包括滤色器和波长转换图案两者。
密封构件50可以在非显示区域NDA中被设置在显示基板10和颜色转换基板30之间。密封构件50可以在非显示区域NDA中沿着显示基板10和颜色转换基板30的边缘布置或形成以当从平面图或顶部观看时(例如当观看显示装置1的显示表面时)围绕显示区域DA。显示基板10和颜色转换基板30可以通过密封构件50彼此耦接。
根据一些示例实施例，密封构件50可以由有机材料或任何合适的密封材料制成，用于将颜色转换基板30接合到显示基板10并用于防止或减少水、空气或污染显示基板10或颜色转换基板30的其他污染物的实例。例如，密封构件50可以由环氧树脂制成，但不限于此。
填充剂70可以被设置在由密封构件50围绕的、在显示基板10和颜色转换基板30之间的空间中。填充剂70可以用于填充显示基板10和颜色转换基板30之间的空间。
根据一些示例实施例，填充剂70可以由透射光的材料制成。根据一些示例实施例，填充剂70可以由有机材料制成。例如，填充剂70可以由硅类有机材料、环氧类有机材料或者硅类有机材料、环氧类有机材料等的混合物制成。
根据一些示例实施例，填充剂70可以由具有基本上为零的消光系数的材料制成。折射率与消光系数是相关的，且因此折射率随着消光系数而减小。如果折射率是1.7或更小，消光系数可以收敛至基本上为零。根据一些示例实施例，填充剂70可以由具有1.7或更小折射率的材料制成。因此，可以能够防止或减少由自发光元件提供的光穿过填充剂70并被填充剂70吸收。根据一些示例实施例，填充剂70可以由具有1.4至1.6的折射率的有机材料制成。
图2是根据本公开一些示例实施例的显示装置的平面图。图3是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，图2的显示装置中包括的显示基板的平面图。图4是图2的部分Q1的放大平面图，更具体地，图2的显示装置中包括的颜色转换基板的平面图。图5是示出了图3中所示的示例的修改的平面图。图6是示出了图4中所示的示例的修改的平面图。图7是图2的部分Q3的放大平面图。图8是图2的部分Q5的放大平面图。
结合图1参考图2至图8，根据一些示例实施例，如图2中所示，当从顶部或平面图(例如正交或垂直于表面的方向)观看时，显示装置1可以以矩形形状形成。显示装置1可以包括在第一方向X上延伸的两个边(即，第一边L1和第三边L3)以及在与第一方向X交叉的第二方向Y上延伸的两个边(即，第二边L2和第四边L4)。尽管各边彼此相遇的角部可以形成直角，但是本公开不限于此。根据一些示例实施例，第一边L1和第三边L3的长度可以不同于第二边L2和第四边L4的长度。例如，第一边L1和第三边L3可以比第二边L2和第四边L4长。当从顶部观看时显示装置1的形状不限于附图中所示。显示装置1可以具有圆形形状或其他形状。
根据一些示例实施例，显示装置1可以进一步包括柔性电路板FPC和驱动器芯片IC。
如图3中所示，在显示区域DA中，多个发射区域和非发射区域NLA可以被限定在显示基板10上。
根据一些示例实施例，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以被限定在显示基板10的显示区域DA中。在发射区域LA1、LA2和LA3中，在显示基板10的发光元件中产生的光射出显示基板10。在非发射区域NLA中，没有光射出显示基板10。根据一些示例实施例，非发射区域NLA可以围绕显示区域DA内的第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3。
根据一些示例实施例，射出第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的光可以是第三颜色的光。根据一些示例实施例，第三颜色的光可以是蓝光并且可以具有在近似440nm至480nm范围内的峰值波长。如本文所使用的，峰值波长指代光强度最大处的波长。
根据一些示例实施例，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以形成单个组，多个这样的组可以被限定在显示区域DA中。
在一些实施例中，如图3中所示，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以沿着第一方向X顺序地设置。根据一些示例实施例，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以形成单个组，并且可以沿着第一方向X和第二方向Y重复地布置。
然而，应该理解，本公开不限于此。第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的布置可以以各种方式改变。例如，如图5中所示，第一发射区域LA1和第二发射区域LA2可以沿着第一方向X彼此相邻，而第三发射区域LA3可以沿着第二方向Y被设置在第一发射区域LA1和第二发射区域LA2的一侧。
在以下描述中，将描述第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3如图3中所示布置的示例。
如图4中所示，在显示区域DA中，多个透光区域和挡光区域BA可以被限定在颜色转换基板30中。在透光区域中，从显示基板10射出的光可以透射颜色转换基板30以被提供到显示装置1的外部。在挡光区域BA中，从显示基板10射出的光无法穿过挡光区域BA。
根据一些示例实施例，第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以被限定在颜色转换基板30上。
第一透光区域TA1可以具有等于第一发射区域LA1的尺寸的尺寸，或者可以与第一发射区域LA1重叠。类似地，第二透光区域TA2可以具有等于第二发射区域LA2的尺寸的尺寸，或者可以与第二发射区域LA2重叠，并且第三透光区域TA3可以具有等于第三发射区域LA3的尺寸的尺寸，或者可以与第三发射区域LA3重叠。
根据一些示例实施例，当如图3中所示第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3沿着第一方向X顺序地布置时，第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3也可以如图4中所示沿着第一方向X顺序地布置。
可替代地，当如图5中所示第一发射区域LA1和第二发射区域LA2在第一方向X上彼此相邻而第三发射区域LA3在第二方向Y上被设置在第一发射区域LA1和第二发射区域LA2的一侧时，第一透光区域TA1和第二透光区域TA2在第一方向X上彼此相邻，而第三透光区域TA3可以在第二方向Y上被设置在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2的一侧。
根据一些示例实施例，从显示基板10提供的第三颜色的光可以穿过第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3以射出显示装置1。在以下描述中，通过第一透光区域TA1射出显示装置1的光被称为第一出射光，通过第二透光区域TA2射出显示装置1的光被称为第二出射光，并且通过第三透光区域TA3射出显示装置1的光被称为第三出射光。第一出射光可以是第一颜色的光，第二出射光可以是不同于第一颜色的第二颜色的光，并且第三出射光可以是第三颜色的光。根据一些示例实施例，第三颜色的光可以是如上所述具有在近似440nm至480nm范围内的峰值波长的蓝光，并且第一颜色的光可以是具有在近似610nm至650nm范围内的峰值波长的红光。此外，第二颜色的光可以是具有在近似510nm至550nm范围内的峰值波长的绿光。
挡光区域BA可以被设置在第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3周围的显示区域DA中。根据一些示例实施例，挡光区域BA可以围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。此外，挡光区域BA也可以被设置在显示装置1的非显示区域NDA中。
返回参考图2，堤坝构件DM和密封构件50可以被设置在显示装置1的非显示区域NDA中。
堤坝构件DM可以阻挡在形成被设置在显示区域DA中的封装层的工艺中有机材料(或单体)的溢出，由此防止封装层中的有机材料朝向显示装置1的边缘延伸。
根据一些示例实施例，堤坝构件DM可以形成为当从顶部观看时完全地围绕显示区域DA。
密封构件50可以如上所述将显示基板10与颜色转换基板30耦接。
密封构件50可以被设置在非显示区域NDA中在堤坝构件DM的外侧，并且可以形成为当从顶部观看时完全地围绕堤坝构件DM和显示区域DA。
显示装置1的非显示区域NDA可以包括焊盘区域PDA，并且多个连接焊盘PD可以被设置在焊盘区域PDA中。
根据一些示例实施例，连接焊盘PD可以邻近非显示区域NDA的长边设置并且例如可以在非显示区域NDA中邻近第一边L1设置。连接焊盘PD可以通过连接线等电连接到被设置在显示区域DA中的像素电路等。
根据一些示例实施例，连接焊盘PD可以被设置在密封构件50的外侧。换言之，连接焊盘PD可以被设置为比密封构件50更远离显示区域DA。根据一些示例实施例，连接焊盘PD可以被设置在密封构件50和显示装置1的第一边L1之间。
显示装置1的显示基板10(参见例如图1)可以包括堤坝构件DM和连接焊盘PD。
柔性电路板FPC可以连接到连接焊盘PD。柔性电路板FPC可以将显示基板10(参见例如图1)与提供用于驱动显示装置1的信号、电力等的电路板电连接。例如，恒定电压可以通过连接焊盘PD中的至少一个施加到稍后将描述的电压供应线VSL(参见例如图12)。施加到电压供应线VSL的恒定电压可以是例如近似0V或更低的低电平电压。
驱动器芯片IC可以电连接到电路板等以接收数据和信号。根据一些示例实施例，驱动器芯片IC可以包括数据驱动器芯片，并且可以从电路板接收数据控制信号和图像数据以产生并输出与图像数据相关联的数据电压。
根据一些示例实施例，驱动器芯片IC可以分别被安装在柔性电路板FPC上。例如，驱动器芯片IC可以通过已知的膜上芯片(COF)技术被安装在柔性电路板FPC上。
从驱动器芯片IC供应的数据电压、从电路板供应的供应电压等可以通过柔性电路板FPC和连接焊盘PD被传输到显示基板10(参见例如图1)的像素电路。
下文中，将更详细描述显示装置1的结构。
图9是沿着图3和图4的线X3-X3’截取的、根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。图10是图9的部分Q7的放大截面图。图11是示出了图10中所示的结构的修改的截面图。图12是沿着图7的线X3-X3’截取的、根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。图13是沿着图8的线X5-X5’截取的、根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
结合图1至图8参考图9至图13，显示装置1可以如上所述包括显示基板10和颜色转换基板30，并且可以进一步包括被设置在显示基板10和颜色转换基板30之间的填充剂70。
下文中，将描述显示基板10。
第一基底110可以由透光材料制成。根据一些示例实施例，第一基底110可以是玻璃基板或塑料基板。当第一基底110是塑料基板时，第一基底110可以具有柔性。
根据一些示例实施例，多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA可以在显示区域DA中被限定在第一基底110上，如上所述。
根据一些示例实施例，显示装置1的第一边L1、第二边L2、第三边L3和第四边L4可以分别与第一基底110的四个边相同。即，显示装置1的第一边L1、第二边L2、第三边L3和第四边L4可以分别被称作第一基底110的第一边L1、第二边L2、第三边L3和第四边L4。
缓冲层111可以进一步被设置在第一基底110上。缓冲层111可以在显示区域DA和非显示区域NDA中被设置在第一基底110上。缓冲层111可以阻挡外来物质或湿气穿透第一基底110。例如，缓冲层111可以包括诸如SiO2、SiNx和SiON的无机材料，并且可以由单层或多层构成。
挡光金属层BML可以被设置在缓冲层111上。挡光金属层BML可以阻挡外部光或来自发光元件的光进入稍后将描述的半导体层ACT，由此防止或减小在薄膜晶体管TL中由光产生泄漏电流，稍后将描述。
根据一些示例实施例，挡光金属层BML可以由阻挡光且具有导电性的材料制成。例如，挡光金属层BML可以包括诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钕(Nd)的金属中的单一材料或其合金。根据一些示例实施例，挡光金属层BML可以由单层或多层结构构成。例如，当挡光金属层BML由多层结构构成时，挡光金属层BML可以是但不限于钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铟锡(ITO)的堆叠结构或者钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铝(Al2O3)的堆叠结构。
根据一些示例实施例，多个挡光金属层BML可以被设置。挡光金属层BML的数目可以等于半导体层ACT的数目。挡光金属层BML可以分别与半导体层ACT重叠。根据一些示例实施例，挡光金属层BML的宽度可以大于半导体层ACT的宽度。
根据一些示例实施例，挡光金属层BML可以是数据线、电压供应线、将薄膜晶体管与附图中所示的薄膜晶体管TL电连接的线等的一部分。根据一些示例实施例，与第二导电层或者第二导电层中包括的源电极SE和漏电极DE相比，挡光金属层BML可以由具有较低电阻的材料制成。
第一绝缘层113可以被设置在挡光金属层BML上。根据一些示例实施例，第一绝缘层113可以被设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。第一绝缘层113可以覆盖挡光金属层BML。根据一些示例实施例，第一绝缘层113可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O、HfO2和ZrO2的无机材料。
半导体层ACT可以被设置在第一绝缘层113上。根据一些示例实施例，半导体层ACT可以在显示区域DA中分别被设置在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中。
根据一些示例实施例，半导体层ACT可以包括氧化物半导体。例如，半导体层ACT可以由作为Zn氧化物类材料的Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等制成，并且可以是在ZnO中包含诸如铟(In)和镓(Ga)的金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)半导体。然而，应该理解，本公开不限于此。半导体层ACT可以包括非晶硅或多晶硅。
根据一些示例实施例，半导体层ACT可以被布置以分别与挡光金属层BML重叠，由此抑制半导体层ACT中光电流的产生。
第一导电层可以被设置在半导体层ACT上并且可以包括栅电极GE和第一栅金属WR1。栅电极GE可以被设置在显示区域DA中以与相应的半导体层ACT重叠。如图12中所示，第一栅金属WR1可以包括将连接焊盘PD(参见例如图2)与设置在显示区域DA(参见例如图2)中的元件(例如薄膜晶体管TL和发光元件等)电连接的线的一部分。
考虑到与邻近层的粘附、对于待层叠于其上的层的表面平整度、可加工性等，栅电极GE和第一栅金属WR1可以包括包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的材料中的至少一种，并且可以由单层或多层构成。
在显示区域DA中，栅绝缘层115可以被设置在半导体层ACT与第一导电层之间或在半导体层ACT与栅电极GE之间。根据一些示例实施例，栅电极GE和栅绝缘层115可以用作用于遮蔽半导体层ACT的沟道区的掩模，并且栅电极GE的宽度和栅绝缘层115的宽度可以小于半导体层ACT的宽度。
根据一些示例实施例，栅绝缘层115可以不由形成在第一基底110的整个表面上的单层构成，而是可以以部分图案化的形状形成。根据一些示例实施例，图案化的栅绝缘层115的宽度可以大于栅电极GE或第一导电层的宽度。
根据一些示例实施例，栅绝缘层115可以包括无机材料。例如，栅绝缘层115可以包括作为第一绝缘层113的材料的以上所列的无机材料。
在非显示区域NDA中，栅绝缘层115可以被设置在第一栅金属WR1下方。
覆盖半导体层ACT和栅电极GE的第二绝缘层117可以形成在栅绝缘层115之上。第二绝缘层117可以被设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。根据一些示例实施例，第二绝缘层117可以用作提供平坦表面的平坦化层。
根据一些示例实施例，第二绝缘层117可以包括有机材料。例如，第二绝缘层117可以包括但不限于以下中的至少一种：光丙烯酸(PAC)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、氟聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系树脂、硅氧烷系树脂和硅烷树脂。
第二导电层可以形成在第二绝缘层117上，并且第二导电层可以包括源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL以及连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1。
源电极SE和漏电极DE可以被设置在显示区域DA中并且可以彼此间隔开。
漏电极DE和源电极SE可以穿过第二绝缘层117而连接到半导体层ACT。
根据一些示例实施例，源电极SE可以穿过第一绝缘层113和第二绝缘层117，并且可以连接到挡光金属层BML。如果挡光金属层BML是传输信号或电压的线的一部分，则源电极SE可以与挡光金属层BML连接并电耦接，并且可以接收施加到该线的电压。可替代地，如果挡光金属层BML是浮置图案而不是单独的线，则施加到源电极SE等的电压可以被传输到挡光金属层BML。
可替代地，不同于图9中所示的示例，漏电极DE可以穿过第一绝缘层113和第二绝缘层117，并且可以连接到挡光金属层BML。如果挡光金属层BML不是接收单独的信号的线，则施加到漏电极DE等的电压可以被传输到挡光金属层BML。
半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以形成作为开关元件的薄膜晶体管TL。根据一些示例实施例，薄膜晶体管TL可以被设置在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每一个中。根据一些示例实施例，薄膜晶体管TL的一部分可以被设置在非发射区域NLA中。
电压供应线VSL可以被设置在非显示区域NDA中。施加到阴极电极CE的供应电压(例如低电源电压)可以被供应到电压供应线VSL。
连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以被设置在非显示区域NDA的焊盘区域PDA(参见例如图2)中。根据一些示例实施例，第一焊盘电极PD1可以穿过第二绝缘层117并且可以电连接到第一栅金属WR1。
源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以由多层或单层构成。根据本公开的一些示例实施例，源电极SE、漏电极DE、电压供应线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以由Ti/Al/Ti的多层结构构成。
第三绝缘层130可以被设置在第二绝缘层117上。第三绝缘层130可以在显示区域DA中覆盖薄膜晶体管TL并且可以在非显示区域NDA中暴露电压供应线VSL的一部分。
根据一些示例实施例，第三绝缘层130可以是平坦化层。根据一些示例实施例，第三绝缘层130可以由有机材料制成。例如，第三绝缘层130可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、酯树脂等。根据一些示例实施例，第三绝缘层130可以包括光敏有机材料。
第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以在显示区域DA中被设置在第三绝缘层130上。此外，连接电极CNE和连接焊盘PD的第二焊盘电极PD2可以在非显示区域NDA中被设置在第三绝缘层130上。
第一阳极电极AE1可以与第一发射区域LA1重叠且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA。第二阳极电极AE2可以与第二发射区域LA2重叠且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA，并且第三阳极电极AE3可以与第三发射区域LA3重叠且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA。第一阳极电极AE1可以穿过第三绝缘层130且可以连接到与第一阳极电极AE1相关联的薄膜晶体管TL的漏电极DE。第二阳极电极AE2可以穿过第三绝缘层130且可以连接到与第二阳极电极AE2相关联的薄膜晶体管TL的漏电极DE。第三阳极电极AE3可以穿过第三绝缘层130且可以连接到与第三阳极电极AE3相关联的薄膜晶体管TL的漏电极DE。
根据一些示例实施例，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是反射电极。在这样的情形中，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以是包含诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr的金属的金属层。根据一些示例实施例，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以进一步包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。根据一些示例实施例，第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以具有多层结构，例如，ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg和ITO/MgF2的双层结构，或者ITO/Ag/ITO的三层结构。
连接电极CNE可以在非显示区域NDA中电连接到电压供应线VSL且可以与电压供应线VSL直接接触。
第二焊盘电极PD2可以在非显示区域NDA中被设置在第一焊盘电极PD1上。第二焊盘电极PD2可以与第一焊盘电极PD1直接接触并电连接到第一焊盘电极PD1。
根据一些示例实施例，连接电极CNE和第二焊盘电极PD2可以与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3由相同的材料制成，并且可以与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3一起经由相同制造工艺形成。
像素限定层150可以被设置在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。像素限定层150可以包括用于暴露第一阳极电极AE1的开口、用于暴露第二阳极电极AE2的开口和用于暴露第三阳极电极AE3的开口，并且可以限定第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA。即，第一阳极电极AE1的未被像素限定层150覆盖的暴露部分可以是第一发射区域LA1。类似地，第二阳极电极AE2的未被像素限定层150覆盖的暴露部分可以是第二发射区域LA2。第三阳极电极AE3的未被像素限定层150覆盖的暴露部分可以是第三发射区域LA3。像素限定层150可以被设置在非发射区域NLA中。
根据一些示例实施例，像素限定层150可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
根据一些示例实施例，像素限定层150可以与稍后将描述的颜色图案250和挡光图案260重叠。
此外，根据一些示例实施例，像素限定层150可以与稍后将描述的堤坝图案370重叠。
如图9和图12中所示，发射层OL可以被设置在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。
根据一些示例实施例，发射层OL可以具有遍及多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA而形成的连续膜的形状。尽管发射层OL在附图中仅被设置在显示区域DA中，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些示例实施例，发射层OL的一部分可以进一步被设置在非显示区域NDA中。稍后将更详细描述发射层OL。
阴极电极CE可以被设置在发射层OL上。阴极电极CE的一部分可以进一步被设置在非显示区域NDA中，如图12中所示。阴极电极CE可以在非显示区域NDA中电连接到连接电极CNE并与连接电极CNE接触。施加到电压供应线VSL的供应电压例如电压ELVSS可以经由连接电极CNE被传输到阴极电极CE。应该注意，阴极电极CE如图12中所示在非显示区域NDA的邻近显示装置1的第一边L1的部分中与连接电极CNE接触，但是如图13中所示在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分中不与连接电极CNE接触。
例如，在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处，阴极电极CE可以如图13中所示不连接到连接电极CNE。在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处，阴极电极CE的端部可以被设置在像素限定层150上。在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处，阴极电极CE的端部可以与像素限定层150重叠，并且可以比像素限定层150的面对密封构件50的端部更靠内设置。
应该注意，在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处，阴极电极CE的端部可以被设置在像素限定层150的面对密封构件50的侧表面上，在该情形中阴极电极CE也可以不连接到连接电极CNE。
在根据本公开一些示例实施例的显示基板10和颜色转换基板30通过使用密封构件50而被附接的显示装置1中，在显示装置1的外部产生的静电可以被引入到颜色转换基板30中从而影响布置在显示基板10的显示区域DA中的多个像素电路。
例如，通过颜色转换基板30引入的静电通常带负电。该带负电的静电可以降低在显示区域DA中像素电路的薄膜晶体管TL(例如驱动晶体管)的与发光元件连接的源电极SE处的电压。如果在薄膜晶体管TL(例如驱动晶体管)的与发光元件连接的源电极SE处的电压降低，则意外的泄漏电流可以出现在驱动晶体管中，这可以导致屏幕上暗斑。
为了防止通过颜色转换基板30引入的静电流入到显示区域DA中，引导环可以在与密封构件50重叠的部分处或在密封构件50的外侧(例如在密封构件50与显示装置1的边L1至L4之间的区域)用作所引入静电的路径。该引导环可以通过采用使用以上所述的显示基板10的第一导电层和第二导电层的双线(低电阻)而形成。遗憾的是，引导环的第二导电层可能被腐蚀。为了防止引导环的第二导电层的腐蚀，可以预期仅使用第一导电层形成引导环。然而，如果引导环仅使用第一导电层形成，则从颜色转换基板30到引导环的电阻可能由于引导环与颜色转换基板30之间的第二绝缘层117和第三绝缘层130而增大。结果，流入到显示区域DA中的静电的量甚至可能增大。
此外，当用作所引入静电的路径的引导环被设置在密封构件50的外侧(例如在密封构件50与显示装置1的边L1至L4之间)时，非显示区域NDA的面积可以增大，且因此显示装置1的死区可以增大。
图19是示出了根据本公开一些示例实施例的静电从外部被引入的路径的视图。
参考图19，对于根据本公开一些示例实施例的显示装置1，引入到颜色转换基板30中的静电ESD的放电路径可以形成在密封构件50和显示区域DA之间。如上所述，引入到颜色转换基板30中的静电ESD的放电通道可以被设置在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处，并且可以是与阴极电极CE电隔离的连接电极CNE和电压供应线VSL。静电ESD的放电路径可以是热沉图案。热沉图案可以与发光元件电隔离。
作为引入到颜色转换基板30中的静电ESD的放电通道，通过利用被设置在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处且与阴极电极CE电隔离的连接电极CNE和电压供应线VSL，非显示区域NDA的面积可以减小。结果，可以能够减小显示装置1的死区。
此外，通过将与阳极电极AE1至AE3设置在同一层上的连接电极CNE用作放电路径，与仅包括第一导电层的引导环相比，从颜色转换基板30到放电路径的电阻减小。结果，可以能够大大减小流入到显示区域DA中的静电的量。
返回参考图9至图13，根据一些示例实施例，阴极电极CE可以是半透射或透射的。如果阴极电极CE是半透反射的，可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti或其化合物或混合物，例如Ag和Mg的混合物。进一步，如果阴极电极CE的厚度范围从数十至数百埃，则阴极电极CE可以是半透反射的。
当阴极电极CE是透射的时，阴极电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，阴极电极CE可以由氧化钨(WxOx)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌、氧化镁(MgO)等形成。
根据一些示例实施例，阴极电极CE可以完全覆盖发射层OL。根据一些示例实施例，如图12中所示，阴极电极CE的端部可以比发射层OL的端部更靠外设置，并且发射层OL的端部可以由阴极电极CE完全覆盖。
第一阳极电极AE1、发射层OL和阴极电极CE可以形成第一发光二极管ED1，第二阳极电极AE2、发射层OL和阴极电极CE可以形成第二发光二极管ED2，并且第三阳极电极AE3、发射层OL和阴极电极CE可以形成第三发光二极管ED3。第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3中的每一个可以发射出射光LE。
如图10中所示，最终从发射层OL发射的出射光LE可以是形成第一分量LE1和第二分量LE2的混合光。出射光LE的第一分量LE1和第二分量LE2中的每一个可以具有等于或大于440nm且小于480nm的峰值波长。即，出射光LE可以是蓝光。
如图10中所示，根据一些示例实施例，发射层OL可以具有多个发射材料层彼此重叠的结构，例如串联结构。例如，发射层OL可以包括：包含第一发射材料层EML1的第一堆叠ST1；设置在第一堆叠ST1上并包含第二发射材料层EML2的第二堆叠ST2；设置在第二堆叠ST2上并包含第三发射材料层EML3的第三堆叠ST3；设置在第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间的第一电荷产生层CGL1；以及设置在第二堆叠ST2和第三堆叠ST3之间的第二电荷产生层CGL2。第一堆叠ST1、第二堆叠ST2和第三堆叠ST3可以彼此重叠。
第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3可以彼此重叠。
根据一些示例实施例，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3可以全部发射第一颜色的光，例如蓝光。例如，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的每一个可以是蓝色发射材料层且可以包括有机材料。
根据一些示例实施例，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少另一个可以发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二蓝光。例如，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的另外两个可以发射具有第二峰值波长的第二蓝光。例如，最终从发射层OL发射的出射光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合光，并且第一分量LE1可以是具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第二分量LE2可以是具有第二峰值波长的第二蓝光。
根据一些示例实施例，第一峰值波长和第二峰值波长中的一个的范围可以等于或大于440nm并小于460nm，并且第一峰值波长和第二峰值波长中的另一个的范围可以等于或大于460nm且小于480nm。然而，应该理解，第一峰值波长和第二峰值波长的范围不限于此。例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围可以均包括460nm。根据一些示例实施例，第一蓝光和第二蓝光中的一个可以是深蓝色光，而第一蓝光和第二蓝光中的另一个可以是天蓝色光。
根据一些示例实施例，从发射层OL发射的出射光LE是蓝光，并且可以包括长波长分量和短波长分量。因此，最终，发射层OL可以发射具有广阔分布的发射峰值的蓝光作为出射光LE。以该方式，与发射具有尖锐发射峰值的蓝光的可替代发光元件相比，可以在侧面视角处改善颜色可见性。
根据一些示例实施例，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的每一个可以包括基质和掺杂剂。基质的材料在本文中并未特别限制，只要其是通常使用的，并且可以包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯)、PVK(聚(n-乙烯咔唑))、ADN(9,10-二(2-萘基)蒽)、TCTA(4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳)、CBDP(4,4’-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(2-萘基)蒽)等。
发射蓝光的第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的每一个可以包括包含选自由以下组成的组的一种的荧光材料：螺环-DPVBi、螺环-6P、DSB(均二苯乙烯)、DSA(二苯乙烯基亚芳)、PFO(聚芴)聚合物和PPV(聚对苯撑乙烯)聚合物。作为另一示例，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的每一个可以包括包含诸如(4,6-F2ppy)2lripc的有机金属络合物的磷光材料。
如上所述，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少一个可以发射与它们中的至少另一个的波段不同的波段中的蓝光。为了发射不同波长范围内的蓝光，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3可以包括相同材料且可以调节谐振距离。可替代地，为了发射在不同波长范围内的蓝光，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少一个和/或它们中的至少另一个可以包括不同材料。
然而，应该理解，本公开不限于此。由第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的每一个发射的蓝光均可以具有440nm至480nm的峰值波长，并且可以由相同材料制成。
可替代地，根据一些示例实施例，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的另一个可以发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光，并且第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的又一个可以发射具有与第一峰值波长和第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三蓝光。根据一些示例实施例，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的一个的范围可以等于或大于440nm且小于460nm。第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的另一个的范围可以等于或大于460nm且小于470nm。第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的又一个的范围可以等于或大于470nm且小于480nm。
根据一些示例实施例，从发射层OL发射的出射光LE是蓝光，并且可以包括长波长分量、中波长分量和短波长分量。因此，最终，发射层OL可以发射具有广阔分布的发射峰值的蓝光作为出射光LE，并且可以改善在侧面视角处的颜色可见性。
在根据一些示例实施例的显示装置中，与并未采用串联结构的发光元件相比，由于多个发光元件可以彼此堆叠的结构，发光效率可以相对增大且显示装置的寿命也可以相对地提高。
可替代地，根据一些示例实施例，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少一个可以发射第三颜色的光例如蓝光，并且第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少另一个可以发射第二颜色的光例如绿光。在一些其他实施例中，由第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少一个发射的蓝光的峰值波长的范围可以是从440nm至480nm或者从460nm至480nm。由第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的至少另一个发射的绿光可以具有在510nm至550nm范围内的峰值波长。
例如，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的一个可以是发射绿光的绿色发射层，而第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的另外两个可以是发射蓝光的蓝色发射材料层。当第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的另外两个是蓝色发射材料层时，由两个蓝色发射材料层发射的蓝光的峰值波长的范围可以彼此相等或彼此不同。
根据一些示例实施例，从发射层OL发射的出射光LE可以是作为蓝光的第一分量LE1与作为绿光的第二分量LE2的混合光。例如，当第一分量LE1是深蓝光且第二分量LE2是绿光时，出射光LE可以是具有天蓝色的光。根据一些示例实施例，从发射层OL发射的出射光LE是蓝光和绿光的混合光，并且包括长波长分量和短波长分量。因此，最终，发射层OL可以发射具有广泛分布的发射峰值的蓝光作为出射光LE，并且可以改善在侧面视角处的颜色可见性。此外，因为出射光LE的第二分量LE2是绿光，可以补充从显示装置1提供到外部的光的绿光分量，且因此可以提高显示装置1的色域。
根据一些示例实施例，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中的绿色发射材料层可以包括基质和掺杂剂。绿色发射材料层中包括的基质的材料在本文中并未特别限制，只要其是通常使用的，并且可以包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯)、PVK(聚(n-乙烯咔唑))、ADN(9,10-二(2-萘基)蒽)、TCTA(4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳)、CBDP(4,4’-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(2-萘基)蒽)等。
绿色发射材料层中包括的掺杂剂可以包括例如诸如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝(III))的荧光材料，或者诸如Ir(ppy)3(fac3(2-苯基吡啶)铱)、Ir(ppy)2(acac)(二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III))和Ir(mpyp)3(2-苯基-4-甲基-吡啶铱)的磷光材料。
第一电荷产生层CGL1可以被设置在第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间。第一电荷产生层CGL1可以用于将电荷注入到发射材料层中的每一个中。第一电荷产生层CGL1可以控制第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间的电荷平衡。第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12。p型电荷产生层CGL12可以被设置在n型电荷产生层CGL11上且可以在n型电荷产生层CGL11和第二堆叠ST2之间。
第一电荷产生层CGL1可以具有n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12彼此键合的结型结构。n型电荷产生层CGL11比靠近阴极电极CE更靠近阳极电极AE1、AE2和AE3(参见例如图9)设置。与n型电荷产生层CGL11相比，p型电荷产生层CGL12更靠近阴极电极CE设置。n型电荷产生层CGL11将电子供应到邻近阳极电极AE1、AE2和AE3(参见例如图9)的第一发射材料层EML1，并且p型电荷产生层CGL12将空穴供应到第二堆叠ST2中包括的第二发射材料层EML2。通过在第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间设置第一电荷产生层CGL1，电荷被施加到发射材料层中的每一个以提高发光效率并降低供应电压。
第一堆叠ST1可以被设置在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2(参见例如图9)和第三阳极电极AE3(参见例如图9)上，并且可以进一步包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。
第一空穴传输层HTL1可以被设置在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3(参见例如图9)上。第一空穴传输层HTL1可以促进空穴的传输且可以包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括但不限于诸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑的咔唑衍生物，芴衍生物，诸如TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-联苯-[1,1-联苯]-4,4’-二胺)和TCTA(4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺)的三苯胺衍生物，NPB(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺)，TAPC(4-4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺)等。
第一电子阻挡层BIL1可以被设置在第一空穴传输层HTL1上并且可以被设置在第一空穴传输层HTL1和第一发射材料层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可以包括空穴传输材料以及金属或金属化合物以防止在第一发射材料层EML1中产生的电子流入第一空穴传输层HTL1中。根据一些示例实施例，以上所述第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1可以由其中材料被混合的单层构成。
第一电子传输层ETL1可以被设置在第一发射材料层EML1上，并且可以被设置在第一电荷产生层CGL1和第一发射材料层EML1之间。根据一些示例实施例，第一电子传输层ETL1可以包括诸如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑))、NTAZ(4-(1-萘基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(双(苯并喹啉-10-羟基)铍)、ADN(9,10-二(2萘基)蒽)及其混合物的电子传输材料。应该注意，电子传输材料的类型在本文中并未特别限制。第二堆叠ST2可以被设置在第一电荷产生层CGL1上，并且可以进一步包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL2。
第二空穴传输层HTL2可以被设置在第一电荷产生层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可以与第一空穴传输层HTL1由相同的材料制成，并且可以包括选自作为第一空穴传输层HTL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。第二空穴传输层HTL2可以由单层或多层构成。
第二电子阻挡层BIL2可以被设置在第二空穴传输层HTL2上并且可以被设置在第二空穴传输层HTL2和第一发射材料层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可以与第一电子阻挡层BIL1由相同的材料和相同的结构制成，或者可以包括选自作为第一电子阻挡层BIL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。
第二电子传输层ETL2可以被设置在第二发射材料层EML2上，并且可以被设置在第二电荷产生层CGL2和第二发射材料层EML2之间。第二电子传输层ETL2可以与第一电子传输层ETL1由相同的材料和相同的结构制成，或者可以包括选自作为第一电子传输层ETL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。第二电子传输层ETL2可以由单层或多层构成。
第二电荷产生层CGL2可以被设置在第二堆叠ST2上并且可以被设置在第二堆叠ST2和第三堆叠ST3之间。
第二电荷产生层CGL2可以与以上所述的第一电荷产生层CGL1具有相同的结构。例如，第二电荷产生层CGL2可以包括更靠近第二堆叠ST2设置的n型电荷产生层CGL21和更靠近阴极电极CE设置的p型电荷产生层CGL22。p型电荷产生层CGL22可以被设置在n型电荷产生层CGL21上。
第二电荷产生层CGL2可以具有在n型电荷产生层CGL21和p型电荷产生层CGL22之间的结型结构。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2可以由不同材料制成或者可以由相同材料制成。
第三堆叠ST3可以被设置在第二电荷产生层CGL2上并且可以进一步包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。
第三空穴传输层HTL3可以被设置在第二电荷产生层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可以与第一空穴传输层HTL1由相同的材料制成，或者可以包括选自作为第一空穴传输层HTL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。第三空穴传输层HTL3可以由单层或多层构成。当第三空穴传输层HTL3由多层构成时，这些层可以包括不同材料。
第三电子传输层ETL3可以被设置在第三发射材料层EML3上，并且可以被设置在阴极电极CE和第三发射材料层EML3之间。第三电子传输层ETL3可以与第一电子传输层ETL1由相同材料和相同结构制成，或者可以包括选自作为第一电子传输层ETL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。第三电子传输层ETL3可以由单层或多层构成。当第三电子传输层ETL3由多层构成时，这些层可以包括不同材料。
根据一些示例实施例，空穴注入层可以进一步被设置在第一堆叠ST1与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3(参见例如图9)之间，在第二堆叠ST2与第一电荷产生层CGL1之间，和/或在第三堆叠ST3与第二电荷产生层CGL2之间。空穴注入层可以促进空穴注入到第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2和第三发射材料层EML3中。根据一些示例实施例，空穴注入层可以由选自由以下组成的组的至少一种制成但不限于此：CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-乙烯二氧基噻吩)、PANI(聚苯胺)和NPD(N,N-二萘基-N,N’-二苯基联苯胺)。根据一些示例实施例，空穴注入层可以被设置在第一堆叠ST1与第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3(参见例如图9)之间，在第二堆叠ST2与第一电荷产生层CGL1之间，以及在第三堆叠ST3与第二电荷产生层CGL2之间。
根据一些示例实施例，电子注入层可以进一步被设置在第三电子传输层ETL3与阴极电极CE之间，在第二电荷产生层CGL2与第二堆叠ST2之间，和/或在第一电荷产生层CGL1与第一堆叠ST1之间。电子注入层促进电子的注入并且可以由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺环PBD、BAlq或SAlq制成，但不限于此。此外，电子注入层可以是金属卤化物化合物，并且可以是但不限于选自由以下组成的组的至少一种：MgF2、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI和CaF2。此外，电子注入层可以包括诸如Yb、Sm和Eu的镧系元素类材料。可替代地，电子注入层可以包括诸如RbI:Yb和KI:Yb的金属卤化物材料和镧系元素材料。当电子注入层包括金属卤化物材料和镧系元素材料两者时，电子注入层可以由金属卤化物材料和镧系元素材料的共沉积而形成。根据一些示例实施例，电子注入层可以被设置在第三电子传输层ETL3与阴极电极CE之间，在第二电荷产生层CGL2与第二堆叠ST2之间，以及在第一电荷产生层CGL1与第一堆叠ST1之间。
除了上述结构之外，发射层OL的结构可以改变。例如，发射层OL可以修改为类似图11中所示的发射层OLa。不同于图10中所示的结构，图11中所示的发射层OLa可以进一步包括被设置在第三堆叠ST3与第二堆叠ST2之间的第四堆叠ST4，并且可以进一步包括被设置在第三堆叠ST3与第四堆叠ST4之间的第三电荷产生层CGL3。
第四堆叠ST4可以包括第四发射材料层EML4，并且可以进一步包括第四空穴传输层HTL4、第三电子阻挡层BIL3和第四电子传输层ETL4。
发射层OLa中包括的第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2、第三发射材料层EML3和第四发射材料层EML4可以全部发射第三颜色的光，例如蓝光。第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2、第三发射材料层EML3和第四发射材料层EML4中的至少一个和/或它们中的至少另一个可以发射在不同波长范围内的蓝光。
可替代地，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2、第三发射材料层EML3和第四发射材料层EML4中的至少一个可以发射绿光，而它们中的至少另一个可以发射蓝光。例如，第一发射材料层EML1、第二发射材料层EML2、第三发射材料层EML3和第四发射材料层EML4中的一个可以是绿色发射材料层，而它们中的其他三个可以是蓝色发射材料层。
第四空穴传输层HTL4可以被设置在第二电荷产生层CGL2上。第四空穴传输层HTL4可以与第一空穴传输层HTL1由相同的材料制成，或者可以包括选自作为第一空穴传输层HTL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。第四空穴传输层HTL4可以由单层或多层构成。当第四空穴传输层HTL4由多层构成时，这些层可以包括不同材料。
第三电子阻挡层BIL3可以被设置在第四空穴传输层HTL4上，并且可以被设置在第四空穴传输层HTL4与第四发射材料层EML4之间。第三电子阻挡层BIL3可以与第一电子阻挡层BIL1由相同材料和相同结构制成，或者可以包括选自作为第一电子阻挡层BIL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。根据一些示例实施例，第三电子阻挡层BIL3可以被去除。
第四电子传输层ETL4可以被设置在第四发射材料层EML4上，并且可以被设置在第三电荷产生层CGL3与第四发射材料层EML4之间。第四电子传输层ETL4可以与第一电子传输层ETL1由相同材料和相同结构制成，或者可以包括选自作为第一电子传输层ETL1中包括的材料的以上所列材料中的一种或多种材料。第四电子传输层ETL4可以由单层或多层构成。当第四电子传输层ETL4由多层构成时，这些层可以包括不同材料。
第三电荷产生层CGL3可以与以上所述的第一电荷产生层CGL1具有相同的结构。例如，第三电荷产生层CGL3可以包括更靠近第四堆叠ST4设置的n型电荷产生层CGL31和更靠近阴极电极CE设置的p型电荷产生层CGL32。p型电荷产生层CGL32可以被设置在n型电荷产生层CGL31上。
根据一些示例实施例，电子注入层可以进一步被设置在第四堆叠ST4与第三电荷产生层CGL3之间。此外，空穴注入层可以进一步被设置在第四堆叠ST4与第二电荷产生层CGL2之间。
根据一些示例实施例，图10中所示的发射层OL和图11中所示的发射层OLa两者可以不包括红色发光层且因此可以不发射第一颜色的光例如红光。即，出射光LE可以不包括具有在近似610nm至650nm范围内的峰值波长的光学分量，并且出射光LE可以仅包括具有440nm至550nm峰值波长的光学分量。
堤坝构件DM可以比电压供应线VSL更靠外设置。换言之，如图12中所示，电压供应线VSL可以被设置在堤坝构件DM与显示区域DA之间。
根据一些示例实施例，堤坝构件DM的一部分可以与电压供应线VSL重叠。
根据一些示例实施例，堤坝构件DM可以包括多个堤坝。例如，堤坝构件DM可以包括第一堤坝D1和第二堤坝D2。
第一堤坝D1可以与电压供应线VSL部分地重叠，并且可以与第三绝缘层130间隔开而电压供应线VSL插入在第一堤坝D1与第三绝缘层130之间。根据一些示例实施例，第一堤坝D1可以包括被设置在第二绝缘层117上的第一下堤坝图案D11和被设置在第一下堤坝图案D11上的第一上堤坝图案D12。
第二堤坝D2可以被设置在第一堤坝D1的外侧并且可以与第一堤坝D1间隔开。根据一些示例实施例，第二堤坝D2可以包括被设置在第二绝缘层117上的第二下堤坝图案D21和被设置在第二下堤坝图案D21上的第二上堤坝图案D22。
根据一些示例实施例，第一下堤坝图案D11和第二下堤坝图案D21可以与第三绝缘层130由相同材料制成，并且可以与第三绝缘层130一起形成。
根据一些示例实施例，第一上堤坝图案D12和第二上堤坝图案D22可以与像素限定层150由相同材料制成，并且可以与像素限定层150一起形成。
根据一些示例实施例，第一堤坝D1的高度可以不同于第二堤坝D2的高度。例如，第二堤坝D2的高度可以大于第一堤坝D1的高度。即，堤坝构件DM中包括的堤坝的高度可以随着远离显示区域DA而逐渐地增大。因此，可以能够更有效地阻挡在稍后所述的形成由封装层170包括的有机层173的工艺期间有机物质溢出。
如图9、图12和图13中所示，第一封盖层160可以被设置在阴极电极CE上。第一封盖层160可以遍及第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA设置，因而可以改善视角特性并且可以提高出光效率。
第一封盖层160可以包括具有透光特性的无机材料和/或有机材料。即，第一封盖层160可以形成为无机层，或者可以形成为有机层，或者可以形成为包含无机颗粒的有机层。例如，第一封盖层160可以包括三胺衍生物、咔唑联苯衍生物、亚芳基二胺衍生物或喹啉铝络合物(Alq3)。
此外，第一封盖层160可以由高折射率材料和低折射率材料的混合物制成。可替代地，第一封盖层160可以包括具有不同折射率的两层，例如，高折射率层和低折射率层。
根据一些示例实施例，第一封盖层160可以完全地覆盖阴极电极CE。根据一些示例实施例，如图12和图13中所示，第一封盖层160的端部可以比阴极电极CE的端部更靠外设置，并且阴极电极CE的端部可以由第一封盖层160完全地覆盖。
封装层170可以被设置在第一封盖层160上。封装层170保护被设置在封装层170下方的元件(例如发光二极管ED1、ED2和ED3)免受诸如湿气的外来物质的影响。封装层170共同地遍及第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA设置。根据一些示例实施例，封装层170可以直接覆盖阴极电极CE。根据一些示例实施例，覆盖阴极电极CE的封盖层可以进一步被设置在封装层170和阴极电极CE之间，在该情形中封装层170可以直接覆盖封盖层。封装层170可以是薄膜封装层。
根据一些示例实施例，封装层170可以包括顺序地堆叠在第一封盖层160上的下无机层171、有机层173和上无机层175。
根据一些示例实施例，下无机层171可以在显示区域DA中覆盖第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3。下无机层171可以在非显示区域NDA中覆盖堤坝构件DM并且可以延伸到堤坝构件DM的外部。
根据一些示例实施例，下无机层171可以完全地覆盖第一封盖层160。根据一些示例实施例，如图12和图13中所示，下无机层171的端部可以比第一封盖层160的端部更靠外设置，并且第一封盖层160的端部可以由下无机层171完全地覆盖。
有机层173可以布置或形成在下无机层171之上。有机层173可以在显示区域DA中覆盖第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3。根据一些示例实施例，有机层173的一部分可以被设置在非显示区域NDA中但是可以不被设置在堤坝构件DM的外部。尽管有机层173的一部分在图12和图13中比第一堤坝D1更靠内设置，但是本公开不限于此。根据一些示例实施例，有机层173的一部分可以被容纳在第一堤坝D1和第二堤坝D2之间的空间中，并且有机层173的端部可以被设置在第一堤坝D1和第二堤坝D2之间。
上无机层175可以被设置在有机层173上。上无机层175可以覆盖有机层173。根据一些示例实施例，上无机层175可以在非显示区域NDA中与下无机层171直接接触以形成无机/无机结。根据一些示例实施例，上无机层175的端部和下无机层171的端部可以基本上彼此对齐。
下无机层171和上无机层175中的每一个可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂等制成。
根据一些示例实施例，下无机层171和上无机层175中的每一个可以由单层构成，但不限于此。下无机层171和上无机层175中的至少一个可以由其中由无机材料制成的多个层被堆叠的结构(例如多层结构)构成。
根据一些示例实施例，有机层173可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂和二萘嵌苯树脂制成。
应该注意，封装层170的结构不限于以上示例。封装层170的堆叠结构可以以各种方式改变。
下文中，将结合图1至图13参考图14至图18描述颜色转换基板30。
图14是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的第三滤色器和颜色图案的布局的平面图。图15是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的挡光构件的布局的平面图。图16是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的第一滤色器的布局的平面图。图17是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的第二滤色器的布局的平面图。图18是示出了根据本公开一些示例实施例的显示装置的颜色转换基板中的堤坝图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布局的平面图。
图9、图12和图13中所示的第二基底310可以由透光材料制成。
根据一些示例实施例，第二基底310可以是玻璃基板或塑料基板。根据一些示例实施例，第二基底310可以进一步包括被设置在玻璃基板或塑料基板上的单独的层，例如诸如无机膜的绝缘层。
根据一些示例实施例，多个透光区域TA1、TA2和TA3以及挡光区域BA可以被限定在第二基底310上。
如图9、图12和图13中所示，第三滤色器235和颜色图案250可以被设置在第二基底310的面对显示基板10的表面上。
第三滤色器235可以布置为与第三发射区域LA3或第三透光区域TA3重叠。
第三滤色器235可以选择性地透射第三颜色的光(例如蓝光)而阻挡或吸收第一颜色的光(例如红光)和第二颜色的光(例如绿光)。根据一些示例实施例，第三滤色器235可以是蓝色滤色器并且可以包括诸如蓝色染料或蓝色颜料的蓝色着色剂。如本文所使用的，着色剂包含染料或颜料。
颜色图案250可以布置为与非发射区域NLA或挡光区域BA重叠。此外，颜色图案250可以进一步被设置在非显示区域NDA中。
颜色图案250可以吸收从外部引入到显示装置1中的外部光的一部分，由此减少由外部光引起的反射光。大量外部光被反射从而引起显示装置1的色域失真的问题。相反，根据本公开的一些示例实施例，通过在非发射区域NLA和非显示区域NDA中布置颜色图案250，可以能够抑制由外部光引起的颜色失真。
根据一些示例实施例，颜色图案250可以包括诸如蓝色染料或蓝色颜料的蓝色着色剂。根据一些示例实施例，颜色图案250可以与第三滤色器235由相同材料制成，并且可以通过形成第三滤色器235的工艺与第三滤色器235一起形成。当颜色图案250包括蓝色着色剂时，穿过颜色图案250的外部光或反射光可以是蓝光。用户人眼感知的人眼颜色敏感性根据光的颜色而变化。例如，蓝色波段中的光可以比绿色波段中的光和红色波段中的光对用户而言感知更不敏感。因此，由于颜色图案250包括蓝色着色剂，用户可以相对更不敏感地感知反射光。
根据一些示例实施例，如图14中所示，颜色图案250可以遍及挡光区域BA而形成。此外，根据一些示例实施例，如图14中所示，颜色图案250可以连接到第三滤色器235。
如图9、图12和图13中所示，挡光图案260可以被设置在第二基底310的面对显示基板10的表面上。挡光图案260可以布置为与挡光区域BA重叠以阻挡光透射。根据一些示例实施例，挡光图案260可以如图15中所示当从顶部观看时(例如当从正交或垂直于显示装置1的显示表面的方向观看时)以基本上网格形式布置。
根据一些示例实施例，挡光图案260可以包括有机挡光材料并且可以通过涂覆并曝光有机挡光材料的工艺而形成。
如前所述，外部光可以引起显示装置1的色域失真的问题。相反，根据本公开一些示例实施例，通过在第二基底310之上布置挡光图案260，外部光的至少一部分被挡光图案260吸收。通过这样，可以能够减少由于外部光的反射而引起的颜色失真。根据一些示例实施例，挡光图案260可以防止或减少当光引入到邻近的透光区域中时可能出现的混色，由此进一步提高色域。
根据一些示例实施例，挡光图案260可以被设置在颜色图案250上。换言之，挡光图案260可以被设置在第二基底310的对侧而颜色图案250插入在挡光图案260与第二基底310之间。
由于颜色图案250被设置在挡光图案260和第二基底310之间，根据一些示例实施例，挡光图案260可以不与第二基底310接触。
根据一些示例实施例，挡光图案260可以被去除。
如图9中所示，第一滤色器231和第二滤色器233可以被设置在第二基底310的面对显示基板10的表面上。
第一滤色器231可以布置为与第一发射区域LA1或第一透光区域TA1重叠，并且第二滤色器233可以布置为与第二发射区域LA2或第二透光区域TA2重叠。
根据一些示例实施例，第一滤色器231可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如蓝光)。即，第一滤色器231可以用作用于阻挡蓝光的挡蓝光过滤器。根据一些示例实施例，第一滤色器231可以选择性地透射第一颜色的光(例如红光)而阻挡或吸收第三颜色的光(例如蓝光)和第二颜色的光(例如绿光)。例如，第一滤色器231可以是红色滤色器，并且可以包括红色着色剂。
第二滤色器233可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如蓝光)。即，第二滤色器233也可以用作挡蓝光过滤器。根据一些示例实施例，第二滤色器233可以选择性地透射第二颜色的光(例如绿光)而阻挡或吸收第三颜色的光(例如蓝光)和第一颜色的光(例如红光)。例如，第二滤色器233可以是绿色滤色器并且可以包括绿色着色剂。
如图9和图16中所示，根据一些示例实施例，第一滤色器231的一部分可以进一步被设置在挡光区域BA内，并且如图9和图17中所示，第二滤色器233的一部分也可以被设置在挡光区域BA内。
根据一些示例实施例，第一滤色器231的一部分可以进一步被设置在挡光区域BA的在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的部分以及在第一透光区域TA1和第三透光区域TA3之间的部分处。
根据一些示例实施例，第二滤色器233的一部分可以进一步被设置在挡光区域BA的在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的部分以及在第二透光区域TA2和第三透光区域TA3之间的部分处。
尽管第一滤色器231和第二滤色器233在附图中并未彼此重叠，但是第一滤色器231和第二滤色器233可以在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的挡光区域BA中彼此重叠。在挡光区域BA中彼此重叠的第一滤色器231的部分和第二滤色器233的部分可以用作阻挡光透射的挡光构件。
可替代地，根据一些示例实施例，第一滤色器231和第二滤色器233可以遍及整个挡光区域BA设置，并且第一滤色器231和第二滤色器233可以在整个挡光区域BA中彼此重叠。
根据一些示例实施例，第一滤色器231和第二滤色器233可以在挡光区域BA中与颜色图案250重叠。例如，颜色图案250可以在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的挡光区域BA的部分中与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。此外，颜色图案250可以在第二透光区域TA2和第三透光区域TA3之间的挡光区域BA中与第二滤色器233重叠。此外，颜色图案250可以在第三透光区域TA3和第一透光区域TA1之间的挡光区域BA中与第一滤色器231重叠。
在挡光区域BA中彼此重叠的第一滤色器231的部分和颜色图案250的部分以及在挡光区域BA中彼此重叠的第二滤色器233的部分和颜色图案250的部分可以用作挡光构件。在挡光区域BA中彼此重叠的第一滤色器231的部分和颜色图案250的部分以及在挡光区域BA中彼此重叠的第二滤色器233的部分和颜色图案250的部分可以吸收外部光的至少一部分以减少由于外部光的反射引起的颜色失真。此外，可以能够防止或减少出射到外部的光侵入邻近的发射区域中而引起色混，且因此可以进一步提高显示装置1的色域。
根据一些示例实施例，第一滤色器231和第二滤色器233中的至少一个可以进一步被设置在非显示区域NDA中。例如，如图12和图13中所示，第一滤色器231可以进一步被设置在非显示区域NDA中并且可以在非显示区域NDA中与颜色图案250重叠。彼此重叠的颜色图案250和第一滤色器231可以在非显示区域NDA中用作挡光构件。当去除挡光构件260时，第一滤色器231可以在非显示区域NDA中直接被设置在颜色图案250上。
如图9、图12和图13中所示，覆盖挡光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233以及第三滤色器235的第二封盖层391可以被设置在第二基底310的一个表面上。根据一些示例实施例，第二封盖层391可以与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235直接接触。此外，根据一些示例实施例，第二封盖层391可以与挡光图案260直接接触。
第二封盖层391可以防止或减少挡光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235被从外部引入的诸如湿气和空气的杂质损伤或污染的情形。此外，第二封盖层391可以防止或减少在第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中包含的着色剂扩散到其他元件例如第一波长转换图案340、第二波长转换图案350等中的情形。根据一些示例实施例，第二封盖层391可以由无机材料制成。例如，第二封盖层391可以由包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅等的材料制成。
根据一些示例实施例，第二封盖层391可以在非显示区域NDA中覆盖颜色图案250、挡光图案260和第一滤色器231的侧表面。此外，根据一些示例实施例，第二封盖层391可以在非显示区域NDA中与第二基底310直接接触。
堤坝图案370可以布置在第二封盖层391的面对显示基板10的表面上。根据一些示例实施例，堤坝图案370可以直接被设置在第二封盖层391的表面上并且可以与第二封盖层391直接接触。
根据一些示例实施例，堤坝图案370可以布置为与非发射区域NLA或挡光区域BA重叠。根据一些示例实施例，堤坝图案370可以如图18中所示当从顶部观看时围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。堤坝图案370可以限定形成第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330中的每一个的空间。
根据一些示例实施例，堤坝图案370可以实施为如图18中所示的为单块的单个图案，但是本公开不限于此。根据一些示例实施例，堤坝图案370的围绕第一透光区域TA1的部分、堤坝图案370的围绕第二透光区域TA2的部分以及堤坝图案370的围绕第三透光区域TA3的部分可以形成为彼此间隔开的单独的图案。
当第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330通过使用喷嘴等喷射油墨组合物即通过喷墨印刷形成时，堤坝图案370可以用作引导件以将所喷射的油墨组合物稳定地定位在期望的位置处。换言之，堤坝图案370可以用作分隔壁。
根据一些示例实施例，堤坝图案370可以与像素限定层150重叠。
如图12和图13中所示，根据一些示例实施例，堤坝图案370可以进一步被设置在非显示区域NDA中。堤坝图案370可以在非显示区域NDA中与颜色图案250和第一滤色器231重叠。
根据一些示例实施例，堤坝图案370可以包括光可固化的有机材料。此外，根据一些示例实施例，堤坝图案370可以包括光可固化的有机材料并包含挡光材料。当堤坝图案370具有挡光特性时，可以能够防止或减少光侵入显示区域DA中邻近的发射区域中的情形。例如，堤坝图案370可以防止或减少从第二发光二极管ED2发射的出射光LE进入与第一发射区域LA1重叠的第一波长转换图案340的情形。此外，堤坝图案370可以阻挡或抑制外部光侵入在非发射区域NLA和非显示区域NDA中布置在堤坝图案370之下的元件中。
如图9、图12和图13中所示，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以被设置在第二封盖层391上。根据一些示例实施例，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以被设置在显示区域DA中。
透光图案330可以与第三发射区域LA3或第三发光二极管ED3重叠。透光图案330可以在第三透光区域TA3中被设置在由堤坝图案370限定的空间中。
根据一些示例实施例，透光图案330可以如图18中所示以岛形图案形成。尽管附图中透光图案330并未与挡光区域BA重叠，但这仅是说明性的。根据一些示例实施例，透光图案330的一部分可以与挡光区域BA重叠。
透光图案330可以透射入射光。从第三发光二极管ED3提供的出射光LE可以是如上所述的蓝光。作为蓝光的出射光LE穿过透光图案330和第三滤色器235并出射到显示装置1的外部。即，从第三发射区域LA3发射到显示装置1的外部的第三光L3可以是蓝光。
根据一些示例实施例，透光图案330可以包括第一基质树脂331并且可以进一步包括分散在第一基质树脂331中的第一散射体333。
第一基质树脂331可以由具有高透光率的材料制成。根据一些示例实施例，第一基质树脂331可以由有机材料制成。例如，第一基质树脂331可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂或酰亚胺树脂的有机材料。
第一散射体333可以具有与第一基质树脂331的折射率不同的折射率并且可以与第一基质树脂331形成光学界面。例如，第一散射体333可以是光散射颗粒。第一散射体333的材料并未特别地限制，只要它们可以散射透射的光的至少一部分。例如，第一散射体333可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、聚氨基甲酸酯树脂等。第一散射体333可以在不基本上改变透过透光图案330的光的波长的情况下在随机方向上散射光而不论入射光的射入方向。
根据一些示例实施例，透光图案330可以与第二封盖层391和堤坝图案370直接接触。
第一波长转换图案340可以被设置在第二封盖层391上并且可以与第一发射区域LA1、第一发光二极管ED1或第一透光区域TA1重叠。
根据一些示例实施例，第一波长转换图案340可以在第一透光区域TA1中被设置在由堤坝图案370限定的空间中。
根据一些示例实施例，第一波长转换图案340可以如图18中所示以岛形图案形成。尽管在附图中第一波长转换图案340并未与挡光区域BA重叠，但是本公开不限于此。根据一些示例实施例，第一波长转换图案340的一部分可以与挡光区域BA重叠。
根据一些示例实施例，第一波长转换图案340可以与第二封盖层391和堤坝图案370直接接触。
第一波长转换图案340可以将入射光的峰值波长转换或偏移为另一峰值波长并发射光。根据一些示例实施例，第一波长转换图案340可以将从第一发光二极管ED1提供的出射光LE转换为具有在610至650nm范围内的峰值波长的红光。
根据一些示例实施例，第一波长转换图案340可以包括第二基质树脂341和分散在第二基质树脂341中的第一波长偏移体345，并且可以进一步包括分散在第二基质树脂341中的第二散射体343。
第二基质树脂341可以由具有高透光率的材料制成。根据一些示例实施例，第二基质树脂341可以由有机材料制成。根据一些示例实施例，第二基质树脂341可以与第一基质树脂331由相同材料制成，或者可以包括作为第一基质树脂331的构成材料示例的以上所列材料中的至少一种。
第一波长偏移体345可以将入射光的峰值波长转换或偏移为另一峰值波长。根据一些示例实施例，第一波长偏移体345可以将作为从第一发光二极管ED1提供的蓝光的第三颜色的出射光LE转换为具有在610nm至650nm范围内的单一峰值波长的红光。
第一波长偏移体345的示例可以包括量子点、量子棒或荧光体。例如，量子点可以是随着电子从导带跃迁到价带而发射颜色的颗粒物质。
量子点可以是半导体纳米晶材料。量子点取决于它们的成分和尺寸而具有特定的带隙，并且可以吸收光并发射具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶的示例可以包括IV族化合物纳米晶、II-VI族化合物纳米晶、III-V族化合物纳米晶、IV-VI族化合物纳米晶或其组合。
II-VI族化合物可以选自由以下组成的组：选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组的二元化合物；选自由InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组的四元化合物。
III-V族化合物可以选由以下组成的组：选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组的二元化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组的四元化合物。
IV-VI族化合物可以选自由以下组成的组：选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组的二元化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组的四元化合物。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀浓度存在于颗粒中，或者可以以部分地不同的浓度存在于相同颗粒中。此外，它们可以具有一个量子点围绕另一个量子点的核-壳结构。在核和壳之间的界面处，壳中原子浓度的梯度可以朝向中心降低。
根据一些示例实施例，量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括包含纳米晶的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止或减少核化学变性的情况而维持半导体特性的保护层，和/或用作用于将电泳特性赋予给量子点的充电层。壳可以是单层或多层。在核和壳之间的界面处，壳中原子浓度的梯度可以朝向中心降低。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物、其组合等。
例如，金属或非金属氧化物的示例可以包括但不限于诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO的二元化合物，或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4的三元化合物。
半导体化合物的示例可以包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。
从第一波长偏移体345输出的光可以具有近似45nm或更小、近似40nm或更小、或者近似30nm或更小的发射波长谱的半最大值全宽度(FWHM)。以该方式，由显示装置1显示的颜色的色纯度和色域可以进一步提高。此外，从第一波长偏移体345输出的光可以在不同方向上传播而不论入射光的入射方向。以该方式，在第一透光区域TA中显示的第一颜色的侧面可见性可以提高。
从第一发光二极管ED1提供的出射光LE的一部分可以不被第一波长偏移体345转换为红光，而是可以穿过第一波长转换图案340。出射光LE的并未被第一波长转换图案340转换而是入射在第一滤色器231上的分量可以被第一滤色器231阻挡。另一方面，由第一波长转换图案340从出射光LE转换的红光穿过第一滤色器231以出射到外部。即，通过第一透光区域TA1出射到显示装置1的外部的第一光L1可以是红光。
第二散射体343可以具有与第二基质树脂341的折射率不同的折射率并且可以与第二基质树脂341形成光学界面。例如，第二散射体343可以是光散射颗粒。第二散射体343基本上与以上所述的第一散射体333相同，且因此，将省略冗余描述。
第二波长转换图案350可以在第二透光区域TA2中被设置在由堤坝图案370限定的空间中。
根据一些示例实施例，第二波长转换图案350可以如图18中所示以岛形图案形成。根据一些示例实施例，第二波长转换图案350的一部分可以与挡光区域BA重叠，不同于附图中所示。
根据一些示例实施例，第二波长转换图案350可以与第二封盖层391和堤坝图案370直接接触。
第二波长转换图案350可以将入射光的峰值波长转换或偏移为另一峰值波长并发射光。根据一些示例实施例，第二波长转换图案350可以将从第二发光二极管ED2提供的出射光LE转换为在近似510nm至550nm范围内的绿光。
根据一些示例实施例，第二波长转换图案350可以包括第三基质树脂351和分散在第三基质树脂351中的第二波长偏移体355，并且可以进一步包括分散在第三基质树脂351中的第三散射体353。
第三基质树脂351可以由具有高透光率的材料制成。根据一些示例实施例，第三基质树脂351可以由有机材料制成。根据一些示例实施例，第三基质树脂351可以与第一基质树脂331由相同材料制成，或者可以包括作为第一基质树脂331的构成材料的示例的以上所列材料中的至少一种。
第二波长偏移体355可以将入射光的峰值波长转换或偏移为另一峰值波长。根据一些示例实施例，第二波长偏移体355可以将具有在440nm至480nm范围内的峰值波长的蓝光转换为具有在510nm至550nm范围内的峰值波长的绿光。
第二波长偏移体355的示例可以包括量子点、量子棒或荧光体。第二波长偏移体355基本上与第一波长偏移体345相同，且因此，将省略冗余描述。
根据一些示例实施例，第一波长偏移体345和第二波长偏移体355可以全部由量子点构成。在该情形中，形成第二波长偏移体355的量子点的颗粒尺寸可以小于形成第一波长偏移体345的量子点的颗粒尺寸。
第三散射体353可以具有与第三基质树脂351的折射率不同的折射率并且可以与第三基质树脂351形成光学界面。例如，第三散射体353可以是光散射颗粒。第三散射体353基本上与以上所述的第二散射体343相同，且因此，将省略冗余描述。
从第二发光二极管ED2发射的出射光LE可以被提供到第二波长转换图案350。第二波长偏移体355可以将从第二发光二极管ED2提供的出射光LE转换为具有在近似510至550nm范围内的峰值波长的绿光。
作为蓝光的出射光LE的一部分可能并未被第二波长偏移体355转换为绿光，而是可以穿过第二波长转换图案350，该一部分可以被第二滤色器233阻挡。另一方面，由第二波长转换图案350从出射光LE转换的绿光穿过第二滤色器233以出射到外部。因此，从第二透光区域TA2出射到显示装置1的外部的第二光L2可以是绿光。
第三封盖层393可以被设置在堤坝图案370、透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。第三封盖层393可以覆盖透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。根据一些示例实施例，第三封盖层393也可以被设置在非显示区域NDA中。在非显示区域NDA(参见例如图1)中，第三封盖层393可以与第二封盖层391直接接触，并且可以密封透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。因此，可以能够防止或减少诸如湿气和空气的杂质从外部渗透从而损伤或污染透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350的情形。
根据一些示例实施例，第三封盖层393可以在非显示区域NDA中覆盖堤坝图案370的外表面。此外，第三封盖层393可以在非显示区域NDA中与第二封盖层391直接接触。
根据一些示例实施例，第三封盖层393可以由无机材料制成。根据一些示例实施例，第三封盖层393可以与第二封盖层391由相同材料制成，或者可以包括作为第二封盖层391的材料的以上所列那些中的至少一种。当第二封盖层391和第三封盖层393两者由无机材料制成时，在非显示区域NDA中，第二封盖层391和第三封盖层393可以彼此直接接触以形成无机/无机结。
如上所述，在非显示区域NDA中，密封构件50可以被设置在颜色转换基板30和显示基板10之间。
密封构件50可以与封装层170重叠。例如，密封构件50可以与下无机层171和上无机层175重叠，并且可以与有机层173不重叠。根据一些示例实施例，密封构件50可以与封装层170直接接触。例如，密封构件50可以直接被设置在上无机层175上，并且可以与上无机层175直接接触。
根据一些示例实施例，布置在密封构件50之下的上无机层175和下无机层171可以延伸到密封构件50的外部。
密封构件50可以在非显示区域NDA中与颜色图案250、第一滤色器231和堤坝图案370重叠。根据一些示例实施例，密封构件50可以与覆盖堤坝图案370的第三封盖层393直接接触。
如上所述，填充剂70可以被设置在由颜色转换基板30、显示基板10和密封构件50限定的空间中。根据一些示例实施例，填充剂70可以与第三封盖层393以及封装层170的上无机层175直接接触，如图9、图12和图13中所示。
在根据一些示例实施例的显示装置1中，用于被引入到颜色转换基板30中的静电ESD的放电路径可以形成在密封构件50和显示区域DA之间。如上所述，被引入到颜色转换基板30中的静电ESD的放电通道可以被设置在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处，并且可以是与阴极电极CE电隔离的连接电极CNE和电压供应线VSL。
作为被引入到颜色转换基板30中的静电ESD的放电通道，通过利用被设置在非显示区域NDA的、邻近显示装置1的除了第一边L1之外的第二边L2至第四边L4中的至少一个的部分处并与阴极电极CE电隔离的连接电极CNE和电压供应线VSL，非显示区域NDA的面积可以减小。结果，可以能够减小显示装置1的死区。
此外，与仅包括第一导电层的引导环相比，通过利用与阳极电极AE1至AE3布置在同一层上的连接电极CNE作为放电路径，从颜色转换基板30到放电路径的电阻被减小。结果，可以能够大大减小流入到显示区域DA中的静电量。
下文中，将描述根据本公开一些示例实施例的显示装置。在以下描述中，相同或相似元件将由相同或相似附图标记表示，并且冗余描述将被省略或简要地描述。
图20是根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
根据图20的一些示例实施例的显示装置2与图13中所示的显示装置1的不同之处在于，显示装置2进一步包括静电感应图案EIP。
例如，在根据一些示例实施例的显示装置2中，显示装置2进一步包括静电感应图案EIP。
根据一些示例实施例的显示装置2可以进一步包括当从顶部观看时被设置在密封构件50和显示区域DA之间的静电感应图案EIP。显示基板10可以进一步包括静电感应图案EIP。静电感应图案EIP可以是第一热沉图案。
静电感应图案EIP可以与电压供应线VSL被设置在同一层上。
静电感应图案EIP可以在厚度方向上与堤坝构件DM重叠。例如，静电感应图案EIP可以在厚度方向上与第二堤坝D2部分地重叠。当静电感应图案EIP在厚度方向上与第二堤坝D2部分地重叠时，静电感应图案EIP可以直接被设置在第二绝缘层117的上表面上，并且第二下堤坝图案D21可以与静电感应图案EIP的更靠近显示区域DA的上表面和侧表面直接接触。此外，下无机层171和上无机层175可以布置为与静电感应图案EIP的上表面的剩余部分重叠。下无机层171可以与静电感应图案EIP的剩余上表面和侧表面直接接触。
静电感应图案EIP可以用作被引入到颜色转换基板30中的静电的放电路径。
根据一些示例实施例，静电感应图案EIP当从顶部观看时进一步布置在密封构件50和显示区域DA之间，以便非显示区域NDA的面积可以减小，由此减小死区。
图21是根据本公开一些示例实施例的显示装置的截面图。
根据图21中所示的一些示例实施例的显示装置3的颜色转换基板30与图20的显示装置2的颜色转换基板30的不同之处在于，前者进一步包括布置在第三封盖层393和填充剂70之间的静电感应图案EIP_1。
例如，根据一些示例实施例的显示装置3的颜色转换基板30进一步包括布置在第三封盖层393和填充剂70之间的静电感应图案EIP_1。静电感应图案EIP_1可以是第二热沉图案。
静电感应图案EIP_1可以在厚度方向上与显示基板10的静电感应图案EIP重叠。
被引入到颜色转换基板30中的静电可以被引导(或感应)到静电感应图案EIP_1中，并且被感应到颜色转换基板30的静电感应图案EIP_1中的静电可以被感应(或引导)到显示基板10的在厚度方向上与其重叠的静电感应图案EIP中，以便静电可以被放电到外部。
根据一些示例实施例，静电感应图案EIP_1当从顶部观看时进一步布置在密封构件50和显示区域DA之间，以便非显示区域NDA的面积可以减小，由此减小死区。
虽然本发明的实施例是为了说明性目的而公开的，但是本领域技术人员将会认识到，在不脱离所附权利要求所公开的本发明的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、添加以及替换。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一基底，显示区域和非显示区域被限定在所述第一基底上；
发光元件，在所述第一基底上并且在所述显示区域中；
第二基底，面对所述第一基底并且在所述发光元件上方；
滤色器，在所述第二基底的面对所述第一基底的表面上并且与所述发光元件重叠；
波长转换图案，在所述滤色器上；
密封构件，在所述非显示区域中、在所述第一基底和所述第二基底之间；以及
热沉图案，在所述非显示区域中，
其中当从平面图观看时所述热沉图案在所述密封构件和所述显示区域之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述热沉图案与所述发光元件电隔离。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光元件包括：
阳极电极，在所述第一基底上；
阴极电极，面对所述阳极电极；以及
发射层，在所述阳极电极和所述阴极电极之间，
其中所述热沉图案与所述阴极电极电隔离。
4.根据权利要求3所述的显示装置，进一步包括：
第一导电层，在所述第一基底和所述发光元件之间，
其中所述热沉图案在所述第一导电层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述热沉图案包括电压供应线，并且
其中所述电压供应线电连接到所述非显示区域中的连接焊盘。
6.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括第一绝缘层和像素限定层，所述第一绝缘层在所述第一导电层和所述阳极电极之间，所述像素限定层在所述阳极电极上以部分地暴露所述阳极电极，
其中所述第一绝缘层暴露所述热沉图案的上表面的一部分。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述阴极电极的端部被设置在所述像素限定层的端部的内侧。
8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
连接图案，连接到所述热沉图案，
其中所述连接图案与所述阳极电极在同一层上并与所述热沉图案直接接触，并且
其中所述连接图案与所述阳极电极隔离。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的显示装置，进一步包括：
封装层，在所述发光元件之上，其中所述封装层包括在所述发光元件上的下无机层、在所述下无机层上的有机层和在所述有机层上的上无机层，
其中所述密封构件在所述非显示区域中在所述上无机层上，并且
其中所述密封构件与所述下无机层和所述上无机层重叠。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述密封构件与所述上无机层直接接触。
11.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括：
堤坝构件，在所述第一基底上并在所述密封构件和所述显示区域之间，
其中所述堤坝构件围绕所述显示区域，并且
其中所述下无机层和所述上无机层覆盖所述堤坝构件。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述热沉图案包括在厚度方向上与所述堤坝构件重叠的第一热沉图案。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一热沉图案在所述第一基底和所述发光元件之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述热沉图案进一步包括在所述第二基底的面对所述第一基底的所述表面上的第二热沉图案，并且
其中所述第二热沉图案在所述厚度方向上与所述第一热沉图案重叠。
15.根据权利要求1-8中任一项所述的显示装置，进一步包括：
第一封盖层，在所述滤色器和所述波长转换图案之间；以及
第二封盖层，在所述波长转换图案上，
其中所述第一封盖层和所述第二封盖层在所述非显示区域中彼此接触，并且
其中所述密封构件与所述第二封盖层接触。
16.根据权利要求15所述的显示装置，进一步包括：
封装层，在所述发光元件上；以及
填充剂，设置在所述第二封盖层和所述封装层之间，
其中所述填充剂与所述第二封盖层、所述封装层和所述密封构件接触。
17.一种显示装置，包括：
第一基底，显示区域和非显示区域被限定在所述第一基底上；
发光元件，在所述第一基底上并且在所述显示区域中；
第二基底，面对所述第一基底并且在所述发光元件上方；
密封构件，在所述第一基底和所述第二基底之间并且设置在所述非显示区域中；以及
热沉图案，在所述非显示区域中，其中所述热沉图案当从平面图观看时在所述密封构件和所述显示区域之间，
其中所述热沉图案与所述发光元件电隔离，并且
其中所述热沉图案被配置为感应静电。
18.根据权利要求17所述的显示装置，进一步包括：
滤色器，在所述第二基底的面对所述第一基底的表面上并且与所述发光元件重叠；以及
波长转换图案，在所述滤色器上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述发光元件包括在所述第一基底上的阳极电极、面对所述阳极电极的阴极电极以及在所述阳极电极和所述阴极电极之间的发射层，
其中所述热沉图案与所述阴极电极电隔离并且包括电压供应线，并且
其中所述电压供应线电连接到所述非显示区域中的连接焊盘。
20.根据权利要求19所述的显示装置，进一步包括：
连接图案，连接到所述热沉图案，
其中所述连接图案与所述阳极电极在同一层上并与所述热沉图案直接接触，并且
其中所述连接图案与所述阳极电极隔离。
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