CN113831786A - 硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水及其制备方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水及其制备方法与应用。所述制备方法包括:先使金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体结合,再以具有亲水性官能团的硅烷偶联剂进行表面修饰,形成硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒,之后将其均匀分散于第二有机溶剂中,获得硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水。本发明还提供了一种金属氧化物‑富勒烯衍生物复合材料,其包括硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒以及富勒烯衍生物。藉由该金属氧化物墨水,可以通过旋涂、印刷等方式制成金属氧化物复合薄膜,该薄膜可以作为电极修饰层应用于太阳能电池、发光二极管等光电子器件,以改善电极和有机活性层之间的接触性能,进而提高光电子器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属氧化物材料,具体涉及一种基于硅烷偶联剂表面修饰的纳米金属氧化物墨水、基于该金属氧化物与富勒烯衍生物组成的复合材料、使用该复合材料形成的薄膜,以及其在光电子器件中的应用,属于光电半导体材料与器件技术领域。
背景技术
与传统的无机光电器件相比,采用有机半导体材料的新型光电器件,如:有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、有机电致发光二极管(OLED)等可溶液法加工,具有成本低、材质轻、易大面积卷对卷生产等优势,具有非常广阔的应用前景。这类新型光电转换器件通常具有三明治式多层结构,包括阳极、有源层和阴极。其中,阴极主要是完成电子的注入(电致发光器件)或收集(太阳能电池器件)过程。常见的阴极电极材料包括:氧化铟锡电极(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、金属银栅线网格电极、金属纳米线银线薄膜电极、金属薄膜,如:铝电极、银电极等。在很多情况下,阴极与光电活性层之间功函数并不匹配,直接接触存在较大的界面势垒,影响了电子的注入或收集效率,进而影响了器件性能。通过在阴极与有源层之间引入界面修饰层可以调节电极表面功函数,使得电极与光电活性层之间形成欧姆接触,从而提高电子的注入或收集效率,达到器件性能提升的目的。
目前,常用的阴极修饰材料包括两大类:金属氧化物和聚合物类。聚合物材料具有可溶液化加工,与印刷方法兼容、且成膜性好等优点。但这类聚合物材料的合成制备方法较为复杂,材料成本较高,同时由于聚合物的导电性能较差,在利用聚合物作为电极界面修饰层时,器件性能表现出非常强烈的薄膜厚度依赖性,最优厚度通常在10纳米以下,给器件制备工艺带来了很大的难度。金属氧化物,如:氧化锌、氧化钛、氧化锡等具有导电性能好、材料稳定性高等优点,是一类优良的电极界面修饰材料。常用的金属氧化物薄膜制备多采用溶胶-凝胶法,旋涂前驱体溶液再高温烧结,与基于油墨的印刷方法不兼容。另外一种方法是将金属氧化物的颗粒尺寸下降到纳米尺度,金属氧化物纳米颗粒可以分散在溶剂之中,从而满足溶液法加工制备。例如,有报道利用溶液法制备氧化锌纳米粒子(ZnO)、氧化钛纳米粒子(TiO2)及铯掺杂的氧化钛纳米粒子(TiO2:Cs)作为电极修饰层有效提高了有机太阳能电池的器件效率及器件的稳定性【Adv.Mater.2012,24(38),5267-5272】。但纳米微粒分散液自身的稳定性较差,存储时间较短,同时在印刷制备薄膜过程中容易发生团聚,造成薄膜表面缺陷较多,且刚性易断裂,易导致器件性能下降甚至短路【ACSAppl.Mater.Interfaces 2014,6(20),18172-18179】。此外,溶液法制备的金属氧化物纳米颗粒表面易吸附空气中的水氧,会造成制备的有机太阳能电池器件的光照I-V曲线的“S”形,需要长时间光照或经过紫外处理一定时间后才可以消除,这种“光浴”现象普遍认为是氧化物材料与ITO电极之间的界面导致的【Nat.Photonics2012,6(2),115-120】。
采用硅烷偶联剂对ZnO纳米粒子表面修饰,在以往的报道中多应用于生物方面,使用这样的包覆处理后,不仅可以实现ZnO纳米粒子分散在水醇等绿色溶剂中,同时可以极大的提升荧光特性【Sci Rep.2015,5,8475】,广泛应用于生物成像方面,此外,选用带有特定官能团的偶联剂包覆后,还可以与其他有机物进一步连接【Bull.Mater.Sci.2012,1-7】。同样,在光伏领域,也有研究者使用这类偶联剂材料,一般是作为单分子界面修饰层,来改善无机材料与有机活性层或钙钛矿层的接触,来提升器件性能【Adv.Funct.Mater.2010,20(24),4381-4387】【J.Mater.Chem.A2017,5(4),1658-1666】。但是这类单分子界面修饰层,在实际制备过程中,多数采用旋涂或浸泡再清洗的方式,而且作为单分子层,厚度要求也更为苛刻,这样不仅给器件制备工艺带来了很大的难度,也限制了其应用性的进一步推广。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水及其制备方法,以克服现有技术的不足。
本发明的另一目的还在于提供一种基于金属氧化物与富勒烯衍生物的复合材料。
本发明的另一目的还在于提供所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水的用途,特别是于制备光电子器件中的应用。
为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:
本发明实施例提供了一种硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水的制备方法,其包括:
先使金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体结合,再以具有亲水性官能团的硅烷偶联剂进行表面修饰,形成硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒;所述硅烷偶联剂的结构通式为(R1O)3-Si-R2-R3,其中,R1包括取代或未取代的C1~C4的烷基,R2包括具有取代或未取代的C1~C18的烷基的直链或带支链烷基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个双键的直链或带支链烯基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个三键的直链或带支链炔基、具有取代或未取代的C3-C18的饱和的或至少部分不饱和的环烷基或者不含或至少含有一个-NH-,R3包括-OH、-NH2、乙烯基、丙烯酸酯基团、环氧基团、卤素基团或碱金属基团;
将所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒均匀分散于第二有机溶剂中,获得硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水。
本发明实施例还提供了由前述方法制备的硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水,其包括硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒以及溶剂,所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒包括金属氧化物纳米颗粒、修饰于所述金属氧化物纳米颗粒表面的硅烷偶联剂基团。
本发明实施例还提供了一种金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料,其包括:硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒,以及富勒烯衍生物;所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂化学修饰而获得;
其中,所述硅烷偶联剂的的结构通式为(R1O)3-Si-R2-R3,其中,R1包括取代或未取代的C1~C4的烷基,R2包括具有取代或未取代的C1~C18的烷基的直链或带支链烷基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个双键的直链或带支链烯基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个三键的直链或带支链炔基、具有取代或未取代的C3-C18的饱和的或至少部分不饱和的环烷基或者不含或至少含有一个-NH-,R3包括-OH、-NH2、乙烯基、丙烯酸酯基团、环氧基团、卤素基团或碱金属基团。
本发明实施例还提供了一种金属氧化物复合薄膜,它主要由前述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水或金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料形成。
相应的,本发明实施例还提供了前述金属氧化物复合薄膜的制备方法,其包括:至少采用涂布、印刷中的任一种方式形成所述金属氧化物复合薄膜。
本发明实施例还提供了前述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水、以及金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料的用途,特别是于制备光电子器件中的应用。
本发明实施例还提供了前述金属氧化物复合薄膜于制备光电子器件中的用途。
进一步地,所述光电子器件具有电-光和/或光-电转换特性,并包括太阳能电池器件或电致发光二极管器件等。
例如,本发明实施例还提供了一种光电子器件,包括电极修饰层,所述电极修饰层包括前述金属氧化物复合薄膜。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
1)本发明提供的硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物墨水,原料来源广泛,反应所需时间短,反应要求低,成本低廉;
2)本发明的硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物墨水,具有较好的稳定性,在空气环境下放置8个月后,没有明显粒径变化;同时与富勒烯材料兼容性强,可以形成复合材料,用于有机太阳能电池或者钙钛矿太阳能电池中;
3)本发明提供的硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物复合薄膜可以通过旋转涂布、刮刀涂布、喷墨打印等多种常见方式沉积,具有加工工艺简单等优势;
4)本发明的金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料具有良好的成膜性以及导电性,相比于纯的富勒烯衍生物材料,价格更低,在钙钛矿电池中应用提升电池的性能和稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一典型实施方案中一种硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物墨水的制备工艺流程图;
图2是本发明实施例1、实施例2中制备的ZnO@C3、ZnO@C8墨水的红外光谱图;
图3是本发明实施例1、实施例2中制备的ZnO@C3、ZnO@C8墨水在不同的存储时间下的颗粒大小分布统计图;
图4是本发明实施例3中制备的一种太阳能电池器件的结构示意图;
图5是本发明实施例3中分别以ZnO、ZnO@C3、ZnO@C8为阴极修饰层的有机太阳能电池的J-V曲线对比图;
图6a和图6b是本发明实施例4中ZnO@C3与C60富勒烯衍生物(PC61BM)形成的复合薄膜的AFM图。
图7是使用本发明实施例4、实施例5中使用ZnO@C3和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的器件结构示意图。
图8是本发明实施例4、实施例5中使用ZnO@C3/ZnO@C8和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图。
图9是本发明实施例4、实施例5中使用ZnO@C3/ZnO@C8和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的EQE曲线图。
图10a-图10d是本发明实施例4、实施例5中使用ZnO@C3/ZnO@C8和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池持续光照条件下稳定性示意图。
具体实施方式
鉴于现有技术的不足,本案发明人经长期研究和大量实践,得以提出本发明的技术方案,其主要是提供一种基于硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水及其制备方法。所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水,其包含至少一种具有烷基官能团的硅烷偶联剂、金属氧化物纳米颗粒和一种溶剂。其中,硅烷偶联剂优选自甲氧基或乙氧基硅烷、官能团包括一定数量的烷基链以及氨基、且端基为烷基链的硅烷偶联剂。本发明同时还公开了所述基于该金属氧化物的复合材料,其中包含至少一种硅偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒,以及至少一种富勒烯衍生物。藉由该复合材料,可以通过旋涂、印刷等方式制成复合薄膜,该复合薄膜可以作为电极修饰层应用于太阳能电池、发光二极管等光电子器件,以改善电极和有机活性层之间的接触性能,进而提高光电子器件的性能。
下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例的一个方面提供了一种硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水的组合物,其包含:
一种金属氧化物纳米颗粒;
至少一种具有亲水性官能团的硅烷偶联剂(R1O)3-Si-R2-R3;其中,R1为C1-C4烷基(优选甲基,乙基,异丙基,丁基),R2为具有C1-C18的直链或带支链烷基、具有C2-C18的一个或多个双健的直链或带支链烯基、具有C2-C18的一个或多个三健的直链或带支链炔基、具有C3-C18的饱和的、部分或全部不饱和的环烷基,R3为-OH、-NH2、-乙烯基、-丙烯酸酯基团、-环氧基团、-卤素元素、-碱金属等;
至少一种有机溶剂。
本发明实施例的另一个方面提供了一种硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水的制备方法的制备方法,其包括:
先使金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体结合,再以具有亲水性官能团的硅烷偶联剂进行表面修饰,形成硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒;所述硅烷偶联剂的结构通式为(R1O)3-Si-R2-R3,其中,R1包括取代或未取代的C1~C4的烷基,R2包括具有取代或未取代的C1~C18的烷基的直链或带支链烷基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个双键的直链或带支链烯基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个三键的直链或带支链炔基、具有取代或未取代的C3-C18的饱和的或至少部分不饱和的环烷基或者不含或至少含有一个-NH-,R3包括-OH、-NH2、乙烯基、丙烯酸酯基团、环氧基团、卤素基团或碱金属基团;
将所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒均匀分散于第二有机溶剂中,获得硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水。
在一些优选实施例中,所述R1可以优选包括甲基、乙基、异丙基或丁基等,但不限于此。
在一些优选实施例中,R2为具有C1-C18的直链或带支链烷基、具有C2-C18的一个或多个双健的直链或带支链烯基、具有C2-C18的一个或多个三健的直链或带支链炔基、具有C3-C18的饱和的、部分或全部不饱和的环烷基,不含或含有一个或多个-NH-。
进一步地,所述R3为-OH,-NH2,-乙烯基,-丙烯酸酯,-环氧基团,-卤素元素,-碱金属等,优选为-NH2。
在一些更为具体的优选实施例中,所述硅烷偶联剂为具有氨基封端官能团的硅烷偶联剂,例如可以包括3-氨基丙基三甲氧基硅烷(3-aminopropyltrimethoxysilane,APTMS)、N-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane,APTES)、3-[2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基-三甲氧基硅烷(3-[2-(2-Aminoethylamino)ethylamino]propyl-trimethoxysilane,AETPE)等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。
进一步地,所述硅烷偶联剂可以是丙基三甲氧基硅烷(C3)、正辛基三甲氧基硅烷(C8)等,但不限于此。
在一些优选实施例中,所述制备方法具体包括:将金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体均匀混合,并于60~110℃反应2~30min,并将反应物分散于第一有机溶剂中,形成长烷基链有机配体包覆的金属氧化物纳米颗粒的溶液,之后加入硅烷偶联剂和有机碱,并加热至80~100℃反应10~60min,并将反应物分散于第二有机溶剂中,获得硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水。
进一步地,所述制备方法具体包括:将金属氧化物纳米颗粒分散在第一溶剂中,长烷基链有机配体按照纳米粒子分散体系(即金属氧化物纳米颗粒和第一溶剂的组合)体积的0.5-10%均匀混合,亦即,所述长烷基链有机配体与金属氧化物纳米颗粒和第一溶剂的组合的体积比为0.5~10∶100。
在一些优选实施例中,所述金属氧化物纳米颗粒的材质可以选自氧化锌、氧化锡、氧化钛、包含一种以上掺杂元素的氧化锌、氧化锡、氧化钛等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。这些氧化物都具有良好的电子传输性能,适用于阴极界面修饰。除此之外,一些其他元素掺杂的氧化锌或氧化钛或氧化锡,如Al、Cs、Mg掺杂ZnO,In掺杂SnO2等,也可以用于光电子器件阴极的修饰,这些元素的掺杂能够改善金属氧化物的功函、载流子浓度以及载流子迁移率,从而有效改性器件阴极修饰效果。
进一步地,所述金属氧化物纳米颗粒的材质包括氧化锌、氧化锡、氧化钛、铝掺杂氧化锌、铯掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锡等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。
进一步地,为了保证金属氧化物纳米颗粒在有机溶剂中的良好分散性能,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径大小通常为3~50nm,优选为5~15nm。
在一些优选实施例中,所述长烷基链有机配体的封端基团为羧基或氨基,优选包括油酸、油胺和十六胺等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。使金属氧化物纳米粒子进行长烷基链有机配体结合,可以有效的降低金属氧化物纳米颗粒之间发生团聚,同时也有助于金属氧化物纳米颗粒很好的分散在有机溶剂中。其中,所述的有机溶剂为氯仿、甲苯、二甲苯、三甲苯、氯苯、二氯苯等中的任一种或两种以上的组合。
在一些优选实施例中,所述金属氧化物纳米颗粒与硅烷偶联剂的质量比为1∶0.1~1∶0.5,优选为1∶0.1~1∶0.3。过高的硅烷偶联剂将极大的降低金属氧化物纳米颗粒的电学性能,过低的硅烷偶联剂比例则难以实现金属氧化物纳米颗粒生成澄清稳定的墨水,导致无法形成致密的复合薄膜。
进一步地,所述第一有机溶剂包括氯仿、甲苯、二甲苯、三甲苯、氯苯、二氯苯等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。
进一步地,所述第二有机溶剂包括甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙二醇、乙二醇单甲醚等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。
进一步地,所述有机碱包括四甲基氢氧化铵,但不限于此。
进一步地,所述有机碱与金属氧化物纳米颗粒的摩尔比为0.05:1~0.3:1。
其中,在一些较为具体的实施例中,制备所述硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物墨水的方法包括:将金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体结合,分散于有机溶剂中,在通过配体交换,使用一定量的硅烷偶联剂进行表面修饰,最后分散在有机醇中,形成所述金属氧化物墨水。
其中,在一些更为具体的实施方案中,所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水的制备方法可以包括如下步骤:
(a)将所述金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体均匀混合,加热搅拌反应,离心清洗后溶解于第一有机溶剂中,形成澄清溶液(即长烷基链有机配体包覆的金属氧化物纳米颗粒的溶液);
(b)将澄清溶液中加入一定量的硅烷偶联剂,加热反应,离心清洗后超声分散于第二有机溶剂中,形成硅烷偶联剂包覆的金属氧化物纳米颗粒的复合墨水。
其中,所述第一有机溶剂为氯仿、甲苯、二甲苯、三甲苯、氯苯、二氯苯等中的任一种或两种以上的组合,所述第二有机溶剂至少选自于甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙二醇、乙二醇单甲醚等中的任一种或两种以上的组合。
本发明实施例的另一个方面还提供了由前述方法制备的硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水,其包括硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒以及溶剂,所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒包括金属氧化物纳米颗粒、修饰于所述金属氧化物纳米颗粒表面的硅烷偶联剂基团。
在一些优选实施例中,所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水中硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒的浓度(重量/体积浓度)为0.5~60mg/ml。更低的固含量使得复合墨水加工制备薄膜过程中复合物沉积量不足,更高的固含量浓度容易导致固体析出。
本发明的硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物墨水,具有较好的稳定性,在空气环境下放置8个月后,没有明显粒径变化。
本发明的基于硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米材料具有良好的墨水稳定性,同时与富勒烯材料兼容性强,可以形成复合材料,用于有机太阳能电池或者钙钛矿太阳能电池中。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种金属氧化物薄膜,它主要由前述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水形成。
进一步地,所述金属氧化物薄膜的厚度为10~100nm,并且其厚度可以根据墨水的浓度进行调节。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料,其包括硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒,以及富勒烯衍生物;所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂化学修饰而获得;
其中,所述硅烷偶联剂的的结构通式为(R1O)3-Si-R2-R3,其中,R1包括取代或未取代的C1~C4的烷基,R2包括具有取代或未取代的C1~C18的烷基的直链或带支链烷基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个双键的直链或带支链烯基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个三键的直链或带支链炔基、具有取代或未取代的C3-C18的饱和的或至少部分不饱和的环烷基或者不含或至少含有一个-NH-,R3包括-OH、-NH2、乙烯基、丙烯酸酯基团、环氧基团、卤素基团或碱金属基团。
亦即,本发明的金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料包括:
至少一种金属氧化物纳米颗粒,
至少一种具有亲水性官能团的硅烷偶联剂(R1O)3-Si-R2-R3,其中,R1包括取代或未取代的C1~C4的烷基,R2包括具有取代或未取代的C1~C18的烷基的直链或带支链烷基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个双键的直链或带支链烯基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个三键的直链或带支链炔基、具有取代或未取代的C3-C18的饱和的或至少部分不饱和的环烷基或者不含或至少含有一个-NH-,R3包括-OH、-NH2、乙烯基、丙烯酸酯基团、环氧基团、卤素基团或碱金属基团;
以及一种富勒烯衍生物。
在一些优选实施例中,所述金属氧化物纳米颗粒的材质可以选自氧化锌、氧化锡、氧化钛、包含一种以上掺杂元素的氧化锌、氧化锡、氧化钛等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。这些氧化物都具有良好的电子传输性能,适用于阴极界面修饰。除此之外,一些其他元素掺杂的氧化锌或氧化钛或氧化锡,如Al、Cs、Mg掺杂ZnO,In掺杂SnO2等,也可以用于光电子器件阴极的修饰,这些元素的掺杂能够改善金属氧化物的功函、载流子浓度以及载流子迁移率,从而有效改性器件阴极修饰效果。
进一步地,所述金属氧化物纳米颗粒的材质包括氧化锌、氧化锡、氧化钛、铝掺杂氧化锌、铯掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锡等中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。
进一步地,为了保证金属氧化物纳米颗粒在有机溶剂中的良好分散性能,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径大小通常为3~50nm,优选为5~15nm。
在一些优选实施例中,所述富勒烯衍生物包括C60衍生物、C70衍生物等中的任意一种或两种的组合,但不限于此。
在一些优选实施例中,所述复合材料中硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒与富勒烯衍生物的质量比为0.1∶1~1∶1。
本发明中基于硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米材料具有良好的墨水稳定性,同时与富勒烯材料兼容性强,可以形成复合材料,用于有机太阳能电池或者钙钛矿太阳能电池中。
本发明的金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料具有良好的成膜性以及导电性,相比于纯的富勒烯衍生物材料,价格更低,在钙钛矿电池中应用提升电池的性能和稳定性。
本发明实施例的另一个方面还提供了一种金属氧化物复合薄膜,它主要由前述金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料形成。
相应的,本发明实施例的另一个方面还提供了前述金属氧化物薄膜或金属氧化物复合薄膜的制备方法,其包括:至少采用涂布、印刷中的任一种方式形成所述金属氧化物薄膜或金属氧化物复合薄膜。
在一些实施例中,采用的成膜方式包括涂布或印刷方式,所述涂布方式可以包括但不限于旋转涂膜、刮刀涂布、狭缝涂布等方法中的至少任一种,所述印刷方式可以包括但不限于喷墨印刷、丝网印刷、凹版印刷、柔版印刷、柔版转印等方法中的至少任一种。
本发明的金属氧化物薄膜可以通过旋转涂布、刮刀涂布、喷墨打印等多种常见方式沉积,具有加工工艺简单等优势。
本发明实施例的另一个方面还提供了前述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水、金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料、前述金属氧化物薄膜(由硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水形成的薄膜)或金属氧化物复合薄膜(由金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料形成的复合薄膜)的用途,特别是于制备光电子器件中的用途。
进一步地,所述光电子器件具有电-光和/或光-电转换特性,并包括太阳能电池器件或电致发光二极管器件等,但不限于此。
进一步地,所述太阳能电池器件包括有机太阳能电池或钙钛矿太阳能电池等,但不限于此。
在本发明的墨水中,溶剂可以根据器件的使用要求来选用,例如在钙钛矿太阳能电池中用于修饰富勒烯层,可以以丁醇或者异丙醇为溶剂;在有机太阳能电池中沉积在ITO电极上,可以选用有机醇或者氯苯等作为溶剂,来制备薄膜。这些功能薄膜包括有机电致发光器件中的发光层或电子传输层、有机太阳能电池中的活性层或电子传输层、或钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿层或电子传输层。将本发明所提供的复合薄膜沉积在上述的功能薄膜表面可以制备传统的正置有机光电子器件,也可以用于制备叠层有机光电子器件,如叠层OLED,叠层有机太阳能电池等。
其中,本发明的复合薄膜通过沉积在电极层上,可以有效调节电极的表面功函,改善电极与光电活性层之间的界面接触性能。因此,本发明的复合薄膜可以用于具有光电转换特性的电子器件中,典型的光电子器件,是指那些具有电-光或光-电转换特性的光电子器件,例如,太阳能电池器件和电致发光二极管器件等。
例如,本发明实施例的另一个方面还提供了一种光电子器件,包括电极修饰层,所述电极修饰层包括前述金属氧化物薄膜(由硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水形成的薄膜)或金属氧化物复合薄膜(由金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料形成的复合薄膜)。
进一步地,所述光电子器件具有电-光和/或光-电转换特性,并包括太阳能电池器件或电致发光二极管器件等,但不限于此。
进一步地,所述太阳能电池器件包括有机太阳能电池或钙钛矿太阳能电池等,但不限于此。
进一步地,所述有机太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极(如ITO透明电极)、作为电极修饰层的金属氧化物薄膜、有机光活性层、空穴传输层(如MoO3空穴传输层)及金属顶电极。
最后,本发明还提供一种基于金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料为界面层的钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法。
进一步地,所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极(如ITO透明电极)、空穴传输层(如PEDOT:PSS)、钙钛矿光活性层、作为电极修饰层的金属氧化物-富勒烯衍生物复合薄膜及金属顶电极。
综上所述,本发明提供的一种硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物复合墨水,与未经过修饰的墨水相比,能够有效减少表面吸附的水氧,制备的有机太阳能电池器件可以避免“光浴”效应,而使用未经修饰的氧化物墨水制备的器件,需要经过一定时间的紫外光照射才可以消除。此外,经过修饰后的纳米颗粒,颗粒之间存在修饰材料,极大降低了颗粒之间直接接触的几率,因而可以大大降低因颗粒团聚造成的墨水浑浊,甚至沉淀的现象。测试表明,经过修饰后的金属氧化物纳米颗粒分散液,在室温环境下可以保持12个月形状不改变,制备的太阳能电池器件性能并未出现明显的降低,而未修饰的墨水,在放置约3个月后就呈现明显的沉降,同时制备的太阳能电池器件性能也严重衰减。
其中,进一步地,请参阅图1所示,在本发明的一典型实施方案之中,本发明的技术路线可以概括为:
1.金属氧化物纳米颗粒合成(以氧化锌为例):
以ZnO纳米颗粒的合成为例:以锌盐作为原料,溶解于无水甲醇中,加热至60~65℃,加以搅拌,逐滴加入KOH的甲醇溶液,60℃恒温加热搅拌2h,得到ZnO纳米颗粒。
2.金属氧化物纳米颗粒修饰:
反应所得到的金属氧化物纳米颗粒经过静置沉淀、溶剂清洗、离心分离、以及超声分散于乙醇后,加入油酸70μl/100mg,加热至60~110℃保持搅拌2~30min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,得到油酸包覆的ZnO纳米颗粒。之后,加入硅烷偶联剂和有机碱,加热至80~100℃保持搅拌10~60min后,停止反应,冷却至室温,离心后超声分散在乙醇中,获得硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水。
3.基于硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物阴极修饰层的制备:
该硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水,可以通过旋涂、刮涂等方法在ITO电极或有机光活性层表面沉积得到阴极修饰层。一些实例中在倒置结构有机光电器件中在阴极表面旋涂沉积复合阴极修饰层。
由本发明工艺制备的硅烷偶联剂修饰的纳米金属氧化物复合薄膜作为有机光电器件的阴极修饰层,与传统阴极修饰层材料对比,有更好的成膜性和更高的稳定性,且操作简单,实验重复性好,在工艺上可以更好的结合印刷制备有机光电器件,用于光电器件可以实现器件性能以及长时间稳定性的提升。
下为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及若干优选实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,但其中的实验条件和设定参数不应视为对本发明基本技术方案的局限。并且本发明的保护范围不限于下述的实施例。此外,下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
对照例1
1.ZnO纳米颗粒的制备:取2.950g二水合醋酸锌,溶于125ml无水甲醇中,加热搅拌至60℃。取1.480g氢氧化钾,溶于65ml无水甲醇,超声溶解,将氢氧化钾的甲醇溶液逐滴快速加入醋酸锌溶液中,在60~65℃加热条件下,600rpm磁力搅拌2h。反应过程中,溶液先是由无色,然后出现白色沉淀至沉淀逐渐消失,溶液变为浅蓝色,约2h后出现白色沉淀,继续加热0.5h,停止加热,反应完成,并分散于乙醇中形成墨水。
2.将该墨水用于有机太阳能电池中,具体流程如下:以ZnO为阴极修饰层的倒置太阳能电池器件的制备:倒置器件的结构包括ITO阴极,ZnO为阴极修饰层,PTB7-TH:PC71BM光活性层,MoO3阳极修饰层,Al阳极。器件结构为ITO/ZnO/PTB7-TH:PC71BM/MoO3/A1。ZnO复合阴极修饰层均采用旋涂2000rpm,1min,空气中124℃退火10min,获得ZnO为阴极修饰层的倒置太阳能电池器件,其有机太阳能电池的J-V曲线图可参阅图5,器件性能参数可参见表1。
实施例1:ZnO@C3材料的制备
其中C3是丙基三甲氧基硅烷
本实施例的具体操作工艺如下:
1.ZnO纳米颗粒的制备:取2.950g二水合醋酸锌,溶于125ml无水甲醇中,加热搅拌至60℃。取1.480g氢氧化钾,溶于65ml无水甲醇,超声溶解,将氢氧化钾的甲醇溶液逐滴快速加入醋酸锌溶液中,在60~65℃加热条件下,600rpm磁力搅拌2h。反应过程中,溶液先是由无色,然后出现白色沉淀至沉淀逐渐消失,溶液变为浅蓝色,约2h后出现白色沉淀,继续加热0.5h,停止加热,反应完成。
2.ZnO乙醇分散液的制备:ZnO纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为ZnO纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的ZnO纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.ZnO@油酸复合墨水的制备:得到ZnO乙醇分散液后,基于ZnO的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至70℃保持搅拌10min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的ZnO纳米颗粒。
4.ZnO@C3复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的ZnO@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的C3甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,ZnO纳米颗粒与C3的质量比为1∶0.1,四甲基氢氧化铵与ZnO纳米颗粒的摩尔比为0.05∶1,加热至85℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至85℃,保持搅拌30min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的ZnO@C3纳米材料复合墨水。
经测试,本发明实施例所制备的ZnO@C3墨水的红外光谱图请参阅图2,该ZnO@C3墨水在不同的存储时间下的颗粒大小分布统计图请参阅图3所示。
实施例2:ZnO@C8材料的制备
其中C8是正辛基三甲氧基硅烷
本实施例的具体操作工艺如下:
1.ZnO纳米颗粒的制备:取2.950g二水合醋酸锌,溶于125ml无水甲醇中,加热搅拌至60℃。取1.480g氢氧化钾,溶于65ml无水甲醇,超声溶解,将氢氧化钾的甲醇溶液逐滴快速加入醋酸锌溶液中,在60~65℃加热条件下,600rpm磁力搅拌2h。反应过程中,溶液先是由无色,然后出现白色沉淀至沉淀逐渐消失,溶液变为浅蓝色,约2h后出现白色沉淀,继续加热0.5h,停止加热,反应完成。
2.ZnO乙醇分散液的制备:ZnO纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为ZnO纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的ZnO纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.ZnO@油酸复合墨水的制备:得到ZnO乙醇分散液后,基于ZnO的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至80℃保持搅拌20min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的ZnO纳米颗粒。
4.ZnO@C8复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的ZnO@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的C8甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,ZnO纳米颗粒与C8的质量比为1∶0.3,四甲基氢氧化铵与ZnO纳米颗粒的摩尔比为0.08∶1,加热至80℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至80℃,保持搅拌40min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的ZnO@C8纳米材料复合墨水。
经测试,本发明实施例所制备的ZnO@C8墨水的红外光谱图请参阅图2,该ZnO@C8墨水在不同的存储时间下的颗粒大小分布统计图请参阅图3所示。
实施例3:ZnO@C3、ZnO@C8在有机太阳能电池中的应用
以ZnO和ZnO@C3为阴极修饰层的倒置太阳能电池器件的制备:倒置器件的结构包括ITO阴极,ZnO或ZnO@C3为阴极修饰层,PTB7-TH:PC71BM光活性层,MoO3阳极修饰层,Al阳极。器件结构为ITO/ZnO(ZnO@C3、ZnO@C8)/PDBD-T:ITIC/MoO3/Al,结构如图4所示。ZnO和ZnO@C3和ZnO@C8作为电子传输层,均采用旋涂2000rpm,1min,空气中124℃退火10min。本实施例中分别以ZnO@C3、ZnO@C8为阴极修饰层的有机太阳能电池的J-V曲线对比图请参阅图5所示,根据图5的J-V曲线可知,采用ZnO@C3和ZnO@C8为电子传输层的器件,性能基本与ZnO为电子传输层的相当。本实施例所获ZnO@C3、ZnO@C8为阴极修饰层的有机太阳能电池的器件性能参数可参见表1。
实施例4:ZnO@C3:PCBM复合薄膜的制备及光伏应用
ZnO@C3材料的制备如实施例1
将ZnO@C3分散于甲苯溶剂中形成重量浓度为10mg/mL的墨水,同时将PCBM溶解在氯苯中形成浓度为20mg/mL的墨水。取ZnO@C3和PCBM墨水,按照ZnO@C3和PCBM重量比为0.1∶1的情况取适量体积的墨水混合,形成复合墨水材料,搅拌5小时。
以ZnO@C3:PCBM复合材料为钙钛矿太阳能电池的电子传输层:器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/ZnO@C3:PCBM/Al,制备步骤如下:
以ITO为底电极,采用旋涂方法依次沉积PEDOT:PSS、PVSK、ZnO@C3:PCBM层,以及采用真空蒸镀的方法制备Al电极。其中PEDOT:PSS的制备,使用PEDOT:PSS(4083)为墨水,利用3500rpm旋涂制备厚度约为30nm的薄膜。其后,将浓度为1.35mol/L的钙钛矿前驱体墨水滴加在PEDOT:PSS薄膜层上,利用5000rpm速度,旋涂获得厚度约为300nm的光活性层。其后,将ZnO@C3:PCBM复合墨水滴加到PVSK薄膜上,利用2000rpm的速度旋涂获得厚度约为40nm的电子传输层。最后,蒸镀获得厚度约为120nm金属Al作为顶电极,完成整个器件的制备。
本实施例中ZnO@C3与C60富勒烯衍生物(PC61BM)形成的复合薄膜的AFM图请参阅图6a和图6b所示。本实施例制备的ZnO@C3和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的器件结构可参阅图7所示,J-V曲线图可参阅图8所示,EQE曲线图可参阅图9所示,器件持续光照条件下稳定性示意图可参阅图10a-图10d所示。本实施例中使用ZnO@C3和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的性能参数可参见表2。
实施例5:ZnO@C8:PCBM复合薄膜的制备及光伏应用
将ZnO@C8分散于甲苯溶剂中形成重量浓度为10mg/mL的墨水,同时将PCBM溶解在氯苯中形成浓度为20mg/mL的墨水。取ZnO@C8和PCBM墨水,按照体积比为1∶5混合,形成复合墨水材料,搅拌5小时。
以ZnO@C8:PCBM复合材料为钙钛矿太阳能电池的电子传输层:器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/ZnO@C8:PCBM/A1,制备步骤如下:
以ITO为底电极,采用旋涂方法依次沉积PEDOT:PSS、PVSK、ZnO@C8:PCBM层,以及采用真空蒸镀的方法制备Al电极。其中PEDOT:PSS的制备,使用PEDOT:PSS(4083)为墨水,利用3500rpm旋涂制备厚度约为30nm的薄膜。其后,将浓度为1.35mol/L的钙钛矿前驱体墨水滴加在PEDOT:PSS薄膜层上,利用5000rpm速度,旋涂获得厚度约为300nm的光活性层。其后,将ZnO@C8:PCBM复合墨水滴加到PVSK薄膜上,利用2000rpm的速度旋涂获得厚度约为40nm的电子传输层。最后,蒸镀获得厚度约为120nm金属Al作为顶电极,完成整个器件的制备。
本实施例制备的ZnO@C8和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的器件结构可参阅图7所示,J-V曲线图可参阅图8所示,EQE曲线图可参阅图9所示,器件持续光照条件下稳定性示意图可参阅图10a-图10d所示。本实施例中使用ZnO@C8和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的性能参数可参见表2。
从图8、图9和表1中看出,使用了ZnO@C3:PCBM以及ZnO@C8:PCBM复合材料为电子传输层时,相比于单独使用PCBM为电子传输层,器件性能提升明显。
而且从图10,器件的持续光照稳定性数据也可以看出,含有ZnO@C8:PCBM和ZnO@C3:PCBM复合材料为界面层的器件,稳定性也有明显的改善。
可以看出,基于金属氧化物与富勒烯衍生物的复合材料用于钙钛矿太阳能电池中取代常规的PCBM界面层材料,在器件性能和稳定性上都呈现出优势。而且由于富勒烯衍生物的价格昂贵,而金属氧化物的成本低廉,所以利用复合材料在材料成本上由存在着明显优势。
实施例6:ZnO@C3:PCBM中金属氧化物与富勒烯衍生物比例调整在钙钛矿太阳能电池中的应用
按照实施例4的方法制备ZnO@C3:PCBM复合薄膜。通过调整ZnO@C3和PCBM的比例为0.1∶1、0.2∶1、0.3∶1、0.5∶1和1∶1,制备结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/ZnO@C3:PCBM/Al的器件,器件性能参数如下表2所示。可见当ZnO@C3:PCBM与PCBM之间的比例在20%以内,器件性能优异。
表1使用以ZnO、ZnO@C3、ZnO@C8为阴极修饰层的有机太阳能电池的器件性能参数
表2本发明实施例4、实施例6中使用ZnO@C3和PCBM复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的性能参数
实施例7:Sn02@C3:PCBM复合薄膜的制备及光伏应用
1.SnO2纳米颗粒的制备:采用水热法合成SnO2纳米颗粒,具体如下:将0.35gSnCl4·5H2O与8mL四羟基基氢氧化铵(TMAH)依次加入到3mL乙醇中,持续超声搅拌10分钟溶解,然后加热至100℃,保持12小时,获得SnO2的溶胶;随后将获得溶胶转移至混水热反应釜中,在200℃保持12小时。所得的产物经过高速离心,用去离子水清洗数次之后,便获得所得的纳米颗粒。
2.SnO2乙醇分散液的制备:SnO2纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为SnO2纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的SnO2纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.SnO2@油酸复合墨水的制备:得到SnO2乙醇分散液后,基于SnO2的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至80℃保持搅拌30min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的SnO2纳米颗粒。
4.SnO2@C3复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的SnO2@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的C3甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,SnO2纳米颗粒与C3的质量比为1∶0.2,四甲基氢氧化铵与SnO2纳米颗粒的摩尔比为0.05∶1,加热至85℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至85℃,保持搅拌30min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的SnO2@C3纳米材料复合墨水。
5.将SnO2@C3分散于甲苯溶剂中形成重量浓度为10mg/mL的墨水,同时将PCBM溶解在氯苯中形成浓度为20mg/mL的墨水。取SnO2@C3和PCBM墨水,两者的重量比为0.5∶1,形成复合墨水材料,搅拌5小时。
以SnO2@C3:PCBM复合材料为钙钛矿太阳能电池的电子传输层:器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/SnO2@C3:PCBM/A1,制备步骤如下:
以ITO为底电极,采用旋涂方法依次沉积PEDOT:PSS、PVSK、SnO2@C3:PCBM层,以及采用真空蒸镀的方法制备Al电极。其中PEDOT:PSS的制备,使用PEDOT:PSS(4083)为墨水,利用3500rpm旋涂制备厚度约为30nm的薄膜。其后,将浓度为1.35mol/L的钙钛矿前驱体墨水滴加在PEDOT:PSS薄膜层上,利用5000rpm速度,旋涂获得厚度约为300nm的光活性层。其后,将SnO2@C3:PCBM复合墨水滴加到PVSK薄膜上,利用2000rpm的速度旋涂获得厚度约为40nm的电子传输层。最后,蒸镀获得厚度约为120nm金属Al作为顶电极,完成整个器件的制备。
实施例8:AZO@C8:PCBM复合薄膜的制备及光伏应用
1.AZO纳米颗粒的制备:将2g硝酸铝(Al(NO3)3-9H2O,16g醋酸锌(ZnOAc2-2H2O)溶解于甲醇中搅拌15分钟,随后干燥,在400℃下烧结2小时,获得AZO纳米颗粒。
2.AZO乙醇分散液的制备:AZO纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为AZO纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的AZO纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.AZO@油酸复合墨水的制备:得到AZO乙醇分散液后,基于AZO的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至80℃保持搅拌20min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的AZO纳米颗粒。
4.AZO@C8复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的AZO@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的C8甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,AZO纳米颗粒与C3的质量比为1∶0.1,四甲基氢氧化铵与AZO纳米颗粒的摩尔比为0.05∶1,加热至85℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至85℃,保持搅拌30min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的AZO@C8纳米材料复合墨水。
5.将AZO@C8分散于甲苯溶剂中形成重量浓度为10mg/mL的墨水,同时将PCBM溶解在氯苯中形成浓度为20mg/mL的墨水。取AZO@C8和PCBM墨水,两者的重量比为1:1,形成复合墨水材料,搅拌5小时。以AZO@C8:PCBM复合材料为钙钛矿太阳能电池的电子传输层:器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/AZO@C8:PCBM/Al,制备步骤如下:
以ITO为底电极,采用旋涂方法依次沉积PEDOT:PSS、PVSK、AZO@C8:PCBM层,以及采用真空蒸镀的方法制备Al电极。其中PEDOT:PSS的制备,使用PEDOT:PSS(4083)为墨水,利用3500rpm旋涂制备厚度约为30nm的薄膜。其后,将浓度为1.35mol/L的钙钛矿前驱体墨水滴加在PEDOT:PSS薄膜层上,利用5000rpm速度,旋涂获得厚度约为300nm的光活性层。其后,将AZO@C8:PCBM复合墨水滴加到PVSK薄膜上,利用2000rpm的速度旋涂获得厚度约为40nm的电子传输层。最后,蒸镀获得厚度约为120nm金属Al作为顶电极,完成整个器件的制备。
实施例9:ZnO@C8材料的制备(C8与ZnO的比例为0.5:1)
其中C8是正辛基三甲氧基硅烷
本实施例的具体操作工艺如下:
1.ZnO纳米颗粒的制备:取2.950g二水合醋酸锌,溶于125ml无水甲醇中,加热搅拌至60℃。取1.480g氢氧化钾,溶于65ml无水甲醇,超声溶解,将氢氧化钾的甲醇溶液逐滴快速加入醋酸锌溶液中,在60~65℃加热条件下,600rpm磁力搅拌2h。反应过程中,溶液先是由无色,然后出现白色沉淀至沉淀逐渐消失,溶液变为浅蓝色,约2h后出现白色沉淀,继续加热0.5h,停止加热,反应完成。
2.ZnO乙醇分散液的制备:ZnO纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为ZnO纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的ZnO纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.ZnO@油酸复合墨水的制备:得到ZnO乙醇分散液后,基于ZnO的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至90℃保持搅拌20min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的ZnO纳米颗粒。
4.ZnO@C8复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的ZnO@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的C8甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,ZnO纳米颗粒与C8的质量比为1∶0.5,四甲基氢氧化铵与ZnO纳米颗粒的摩尔比为0.08∶1,加热至80℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至80℃,保持搅拌40min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的ZnO@C8纳米材料复合墨水。
实施例10:AZO@C8:PCBM复合薄膜的制备AZO@C8与PCBM的重量比例为0.5:1
其中C8是正辛基三甲氧基硅烷
AZO@C8的制备如实施例8。
将AZO@C8分散于甲苯溶剂中形成重量浓度为10mg/mL的墨水,同时将PCBM溶解在氯苯中形成浓度为20mg/mL的墨水。取AZO@C8和PCBM墨水,按照AZO@C8与PCBM重量比0.5∶1的取适量体积的墨水混合,搅拌5小时。AZO@C8:PCBM复合材料为钙钛矿太阳能电池的电子传输层:器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/AZO@C8:PCBM/Al,制备步骤如下实施例8。
实施例11:TiO2@C3:PCBM复合薄膜的制备及光伏应用
1.TiO2纳米颗粒的制备:首先,水解(Ti(OCH(CH3)2)4获得TiO2溶胶;然后,将0.4mL浓度为0.2mol/L的盐酸稀释到18mL乙醇中;随后,将TiO2和盐酸溶液混合,在冰浴中搅拌5小时,获得透明的TiO2溶胶。然后将溶胶稀释十倍,在高压釜中160℃条件下处理16小时,获得TiO2纳米颗粒。
2.TiO2乙醇分散液的制备:TiO2纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为TiO2纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的TiO2纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.TiO2@油酸复合墨水的制备:得到TiO2乙醇分散液后,基于TiO2的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至100℃保持搅拌20min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的TiO2纳米颗粒。
4.TiO2@C3复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的TiO2@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的C3甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,TiO2纳米颗粒与C3的质量比为1∶0.2,四甲基氢氧化铵与TiO2纳米颗粒的摩尔比为0.1∶1,加热至85℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至85℃,保持搅拌40min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的TiO2@C3纳米材料复合墨水。
5.将TiO2@C3分散于甲苯溶剂中形成重量浓度为10mg/mL的墨水,同时将PCBM溶解在氯苯中形成浓度为20mg/mL的墨水。取TiO2@C3和PCBM墨水,两者的重量比为0.5:1,形成复合墨水材料,搅拌5小时。
以TiO2@C3:PCBM复合材料为钙钛矿太阳能电池的电子传输层:器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/TiO2@C3:PCBM/Al,制备步骤如下:
以ITO为底电极,采用旋涂方法依次沉积PEDOT:PSS、PVSK、TiO2@C3:PCBM层,以及采用真空蒸镀的方法制备Al电极。其中PEDOT:PSS的制备,使用PEDOT:PSS(4083)为墨水,利用3500rpm旋涂制备厚度约为30nm的薄膜。其后,将浓度为1.35mol/L的钙钛矿前驱体墨水滴加在PEDOT:PSS薄膜层上,利用5000rpm速度,旋涂获得厚度约为300nm的光活性层。其后,将TiO2@C3:PCBM复合墨水滴加到PVSK薄膜上,利用2000rpm的速度旋涂获得厚度约为40nm的电子传输层。最后,蒸镀获得厚度约为120nm金属Al作为顶电极,完成整个器件的制备。
实施例12:ITO@C8:PCBM复合薄膜的制备及光伏应用
1.ITO纳米颗粒的制备:首先,水解(Ti(OCH(CH3)2)4获得TiO2溶胶;然后,将0.4mL浓度为0.2mol/L的盐酸稀释到18mL乙醇中;随后,将TiO2和盐酸溶液混合,在冰浴中搅拌5小时,获得透明的TiO2溶胶。然后将溶胶稀释十倍,在高压釜中160℃条件下处理16小时,获得ITO纳米颗粒。
2.ITO乙醇分散液的制备:ITO纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为ITO纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的ITO纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.ITO@油酸复合墨水的制备:得到ITO乙醇分散液后,基于ITO的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至100℃保持搅拌20min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的ITO纳米颗粒。
4.ITO@C8复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的ITO@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的C8甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,ITO纳米颗粒与C8的质量比为1∶0.4,四甲基氢氧化铵与ITO纳米颗粒的摩尔比为0.10∶1,加热至80℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至80℃,保持搅拌40min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的ITO@C8纳米材料复合墨水。
以ITO@C8:PCBM复合材料为钙钛矿太阳能电池的电子传输层:器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVSK/ITO@C8:PCBM/A1,制备步骤与实施例8基本一致。
实施例13:TiO2@3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)复合墨水的制备
1.TiO2纳米粒子的制备如实施例11。
2.TiO2乙醇分散液的制备:TiO2纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为TiO2纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的TiO2纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.TiO2@油酸复合墨水的制备:得到TiO2乙醇分散液后,基于TiO2的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至70℃保持搅拌10min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的TiO2纳米颗粒。
4.TiO2@APTMS复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的TiO2@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的APTMS甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,TiO2纳米颗粒与APTMS的质量比为1∶0.1,四甲基氢氧化铵与TiO2纳米颗粒的摩尔比为0.2∶1,加热至85℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至85℃,保持搅拌30min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的TiO2@APTMS复合墨水。
实施例14:ZnO@乙炔基三甲氧基硅烷(VTMS)复合墨水的制备
1.ZnO纳米粒子的制备如实施例1。
2.ZnO乙醇分散液的制备:ZnO纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为ZnO纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的ZnO纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.ZnO@油酸复合墨水的制备:得到ZnO乙醇分散液后,基于ZnO的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至110℃保持搅拌2min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的ZnO纳米颗粒。
4.ZnO@VTMS复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的ZnO@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的APTMS甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,ZnO纳米颗粒与APTMS的质量比为1∶0.3,四甲基氢氧化铵与ZnO纳米颗粒的摩尔比为0.3∶1,加热至110℃产生大量白色沉淀,保持搅拌5min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至95℃,保持搅拌30min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的ZnO@VTMS复合墨水。
实施例15:SnO2@环氧硅烷偶联剂(ESCA)复合墨水的制备
1.SnO2纳米粒子的制备如实施例7。
2.SnO2乙醇分散液的制备:SnO2纳米颗粒制备完成后,反应液静置3h,移去上层清液,加入50ml无水甲醇,600rpm搅拌10min后静置过夜;上层清液和白色沉淀完全分层后移去上层清液,加入50mL无水甲醇,600rpm搅拌10min,然后4000rpm离心10min,保留沉淀即为SnO2纳米颗粒。在白色沉淀中加入无水乙醇,超声分散获得浅蓝色透明的SnO2纳米颗粒的分散液,稀释后配制得到浓度为10mg/ml。
3.SnO2@油酸复合墨水的制备:得到SnO2乙醇分散液后,基于SnO2的质量,以70μl/100mg的比例加入油酸,超声10min后,加热至60℃保持搅拌30min后,停止反应,冷却至室温,离心后溶解在甲苯中,配制得到浓度为10mg/ml,得到油酸包覆的SnO2纳米颗粒。
4.SnO2@ESCA复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的SnO2@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的APTMS甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,加热至85℃产生大量白色沉淀,保持搅拌15min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至80℃,保持搅拌60min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的SnO2@ESCA复合墨水。
实施例16:ZnO@巯丙基三甲氧硅烷偶联剂(MTSE)复合墨水的制备
1.ZnO纳米粒子的制备如实施例1。
2.ZnO乙醇分散液的制备:如实施例1。
3.ZnO@油酸复合墨水的制备:如实施例1。
4.ZnO@MTSE复合墨水的制备:取浓度为10mg/ml的ZnO@油酸墨水15ml,加入2ml浓度为0.1mol/L的APTMS甲苯溶液,以及2ml浓度为0.1mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)乙醇溶液,其中,ZnO纳米颗粒与APTMS的质量比为1∶0.3,四甲基氢氧化铵与ZnO纳米颗粒的摩尔比为0.15∶1,加热至110℃产生大量白色沉淀,保持搅拌2min后停止反应,冷却至室温,用甲苯溶液清洗2-3次,去除多余的油酸后,再次溶解于15ml甲苯中,并加入2ml浓度为0.1mol/L的TMAH乙醇溶液,加热至100℃,保持搅拌10min后停止反应,冷却至室温,离心去除溶剂后,加入15ml乙醇,超声处理后得到浓度约为10mg/ml的ZnO@MTSE复合墨水。
此外,本案发明人还参照前述实施例,以本说明书述及的其它原料、工艺操作、工艺条件进行了试验,并均获得了较为理想的结果。
本发明的各方面、实施例、特征及实例应视为在所有方面为说明性的且不打算限制本发明,本发明的范围仅由权利要求书界定。在不背离所主张的本发明的精神及范围的情况下,所属领域的技术人员将明了其它实施例、修改及使用。
在本发明案中标题及章节的使用不意味着限制本发明;每一章节可应用于本发明的任何方面、实施例或特征。
在本发明案通篇中,在将组合物描述为具有、包含或包括特定组份之处或者在将过程描述为具有、包含或包括特定过程步骤之处,预期本发明教示的组合物也基本上由所叙述组份组成或由所叙述组份组成,且本发明教示的过程也基本上由所叙述过程步骤组成或由所叙述过程步骤组组成。
应理解,各步骤的次序或执行特定动作的次序并非十分重要,只要本发明教示保持可操作即可。此外,可同时进行两个或两个以上步骤或动作。
尽管已参考说明性实施例描述了本发明,但所属领域的技术人员将理解,在不背离本发明的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外,可在不背离本发明的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本发明的教示。因此,本文并不打算将本发明限制于用于执行本发明的所揭示特定实施例,而是打算使本发明将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外,除非具体陈述,否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性,而是使用术语第一、第二等来区分一个元素与另一元素。
Claims (18)
1.一种硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水的制备方法,其特征在于包括:
先使金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体结合,再以具有亲水性官能团的硅烷偶联剂进行表面修饰,形成硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒;所述硅烷偶联剂的结构通式为(R1O)3-Si-R2-R3,其中,R1包括取代或未取代的C1~C4的烷基,R2包括具有取代或未取代的C1~C18的烷基的直链或带支链烷基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个双键的直链或带支链烯基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个三键的直链或带支链炔基、具有取代或未取代的C3-C18的饱和的或至少部分不饱和的环烷基或者不含或至少含有一个-NH-,R3包括-OH、-NH2、乙烯基、丙烯酸酯基团、环氧基团、卤素基团或碱金属基团;
将所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒均匀分散于第二有机溶剂中,获得硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述R1包括甲基、乙基、异丙基或丁基;和/或,所述R3包括-NH2。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述硅烷偶联剂包括3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、3-[2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基-三甲氧基硅烷中的任意一种或两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于包括:将金属氧化物纳米颗粒与长烷基链有机配体均匀混合,并于60~110℃反应2~30min,并将反应物分散于第一有机溶剂中,形成长烷基链有机配体包覆的金属氧化物纳米颗粒的溶液,之后加入硅烷偶联剂和有机碱,并加热至80~100℃反应10~60min,并将反应物分散于第二有机溶剂中,获得硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于:所述金属氧化物纳米颗粒的材质包括氧化锌、氧化锡、氧化钛、包含一种以上掺杂元素的氧化锌、氧化锡、氧化钛中的任意一种或两种以上的组合;优选的,所述金属氧化物纳米颗粒的材质包括氧化锌、氧化锡、氧化钛、铝掺杂氧化锌、铯掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锡中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为3~50nm,优选为5~15nm。
6.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于:所述长烷基链有机配体的封端基团为羧基或氨基,优选包括油酸、油胺和十六胺中的任意一种或两种以上的组合;
和/或,所述长烷基链有机配体与金属氧化物纳米颗粒和第一溶剂的组合的体积比为0.5~10∶100。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:所述金属氧化物纳米颗粒与硅烷偶联剂的质量比为1∶0.1~1∶0.5,优选为1∶0.1~1∶0.3。
8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:所述第一有机溶剂包括氯仿、甲苯、二甲苯、三甲苯、氯苯、二氯苯中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述第二有机溶剂包括甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙二醇、乙二醇单甲醚中的任意一种或两种以上的组合。
9.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:所述有机碱包括四甲基氢氧化铵;和/或,所述有机碱与金属氧化物纳米颗粒的摩尔比为0.05∶1~0.3∶1。
10.由权利要求1-9中任一项所述方法制备的硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水,其包括硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒以及溶剂,所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒包括金属氧化物纳米颗粒、修饰于所述金属氧化物纳米颗粒表面的硅烷偶联剂基团;优选的,所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水的浓度为0.5~60mg/ml。
11.一种金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料,其特征在于包括硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒,以及富勒烯衍生物;所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂化学修饰而获得;
其中,所述硅烷偶联剂的的结构通式为(R1O)3-Si-R2-R3,其中,R1包括取代或未取代的C1~C4的烷基,R2包括具有取代或未取代的C1~C18的烷基的直链或带支链烷基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个双键的直链或带支链烯基、具有取代或未取代的C2-C18的且至少一个三键的直链或带支链炔基、具有取代或未取代的C3-C18的饱和的或至少部分不饱和的环烷基或者不含或至少含有一个-NH-,R3包括-OH、-NH2、乙烯基、丙烯酸酯基团、环氧基团、卤素基团或碱金属基团。
12.根据权利要求11所述的金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料,其特征在于:所述金属氧化物纳米颗粒的材质包括氧化锌、氧化锡、氧化钛、包含一种以上掺杂元素的氧化锌、氧化锡、氧化钛中的任意一种或两种以上的组合;优选的,所述金属氧化物纳米颗粒的材质包括氧化锌、氧化锡、氧化钛、铝掺杂氧化锌、铯掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锡中的任意一种或两种以上的组合;和/或,所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为3~50nm,优选为5~15nm。
13.根据权利要求11所述的金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料,其特征在于:所述富勒烯衍生物包括C60衍生物和/或C70衍生物;和/或,所述复合材料中硅烷偶联剂修饰的金属氧化物纳米颗粒与富勒烯衍生物的质量比为0.1∶1~1∶1。
14.一种金属氧化物复合薄膜,其特征在于它主要由权利要求10所述硅烷偶联剂修饰的金属氧化物墨水或权利要求11-13中任一项所述金属氧化物-富勒烯衍生物复合材料形成;优选的,所述金属氧化物复合薄膜的厚度为10~100nm。
15.如权利要求14所述的金属氧化物复合薄膜的制备方法,其特征在于包括:至少采用涂布、印刷中的任一种方式形成所述金属氧化物复合薄膜,优选的,所述涂布方式包括旋转涂膜、刮刀涂布、狭缝涂布中的至少任一种,所述印刷方式包括喷墨印刷、丝网印刷、凹版印刷、柔版印刷、柔版转印中的至少任一种。
16.权利要求14所述的金属氧化物复合薄膜于制备光电子器件中的用途;优选的,所述光电子器件具有电-光和/或光-电转换特性,并包括太阳能电池器件或电致发光二极管器件;尤其优选的,所述太阳能电池器件包括有机太阳能电池或钙钛矿太阳能电池。
17.一种光电子器件,包括电极修饰层,其特征在于:所述电极修饰层包括权利要求14所述的金属氧化物复合薄膜;优选的,所述光电子器件具有电-光和/或光-电转换特性,并包括太阳能电池器件或电致发光二极管器件;尤其优选的,所述太阳能电池器件包括有机太阳能电池或钙钛矿太阳能电池。
18.根据权利要求17所述的光电子器件,其特征在于:所述有机太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、作为电极修饰层的金属氧化物复合薄膜、有机光活性层、空穴传输层及顶电极;和/或,所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层、作为电极修饰层的金属氧化物复合薄膜及顶电极。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023005665A1 (zh) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子传输材料、电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120081778A1 (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Qin Liu | Pigment-based ink |
JP2012216832A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子、太陽電池、太陽電池モジュール及びインク |
CN103855307A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-11 | 国家纳米科学中心 | 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
CN106256029A (zh) * | 2014-04-29 | 2016-12-21 | 株式会社Lg化学 | 有机太阳能电池及其制造方法 |
JP2017126676A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 住友化学株式会社 | 光電変換素子 |
CN108165085A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-06-15 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种环保抗菌水性油墨的制备方法 |
CN109616576A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-04-12 | 南昌大学 | 一种富勒烯包覆氧化物纳米粒子及在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
-
2020
- 2020-06-08 CN CN202010515508.0A patent/CN113831786A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120081778A1 (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Qin Liu | Pigment-based ink |
JP2012216832A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子、太陽電池、太陽電池モジュール及びインク |
CN103855307A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-11 | 国家纳米科学中心 | 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
CN106256029A (zh) * | 2014-04-29 | 2016-12-21 | 株式会社Lg化学 | 有机太阳能电池及其制造方法 |
JP2017126676A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 住友化学株式会社 | 光電変換素子 |
CN108165085A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-06-15 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种环保抗菌水性油墨的制备方法 |
CN109616576A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-04-12 | 南昌大学 | 一种富勒烯包覆氧化物纳米粒子及在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JUNFENG WEI ETC: "Silane-Capped ZnO Nanoparticles for Use as the Electron Transport Layer in Inverted Organic Solar Cells", 《ACS NANO》, vol. 12, no. 6, 8 June 2018 (2018-06-08), pages 5518 - 5529 * |
魏俊峰等: "Silane-Capped ZnO Nanoparticles for Use as the Electron Transport Layer in Inverted Organic Solar Cells", 《ACS NANO》 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023005665A1 (zh) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子传输材料、电致发光器件及其制备方法、显示装置 |
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