CN113831027A - 一种Low-E玻璃薄膜及其制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及薄膜技术领域,特别是涉及一种Low‑E玻璃薄膜及其制备工艺。本发明提供了一种Low‑E玻璃薄膜,包括薄膜基材,内保护层,介质膜,反射层和外保护层。本发明还提供了一种上述Low‑E玻璃薄膜的制备工艺。本发明膜层结构少,生产成本相对较低,利用内、外保护层保护薄膜,采用SiO2和/或多孔硅作为介质膜,采用纳米级的TiO2、SnO2、WO3、In2O3等粒子,并掺杂能够反射中远红外辐射、减少屋内热量散失的金属粒子,能够反射室外的红外光,减少热量的直接传递,有效改善Low‑E玻璃薄膜的低辐射性能。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜技术领域,特别是涉及一种Low-E玻璃薄膜及其制备工艺。
背景技术
Low-E玻璃(Low Emissivity Glass)又称低辐射镀膜玻璃,是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品,普通玻璃的表面辐射率在0.84左右,而Low-E玻璃的表面辐射率一般在0.25以下。这类低辐射膜层对远红外热辐射的反射率很高,能将80%以上的远红外辐射反射回去,所以Low-E玻璃具有良好的阻隔热辐射透过的作用,在任何气候环境下使用均能够达到控制阳光、节约能源、热量控制调节及改善环境的作用,适用于节能建筑。
目前市场上使用的Low-E玻璃薄膜成本过高,回收成本时间过长,在旧建筑改造中施工不便,且市面上部分Low-E玻璃薄膜并非是反射薄膜,其工作原理是将热量吸收,不能达到真正节能的目的。
公开号为CN102490408A的专利公开了一种可钢化三银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺,包括“第一电介质组合层、第一阻挡保护层、第一电介质层、第一银层、第二阻挡保护层、第一间隔电介质组合层、第三阻挡保护层、第二电介质层、第二银层、第四阻挡保护层、第二间隔电介质组合层、第五阻挡保护层、第三电介质层、第三银层、第六阻挡保护层、第二电介质组合层”,该申请主要是通过多个银层降低辐射,采用的是真空磁控溅射镀膜,需要一直控制镀膜装置内的气压,制备过程繁琐。
公开号为CN102757185B的专利公开了一种可热处理的低辐射镀膜玻璃及其夹层玻璃制品,公开了“玻璃基板和在所述玻璃基板表面向外设置的多个介质层及至少两个红外反射层,每个红外反射层位于两个介质层之间,多个介质层中至少有一层包括ZnSnMgOx膜层或ZnSnNiOx膜层”,该申请中是在介质层中引入ZnSnMgOx膜层或ZnSnNiOx膜层,构建的双银或三银低辐射薄膜,膜层的构建方式较为复杂。
公开号为CN205416573U的专利公开了一种可热弯的红外热阻挡节能镀膜玻璃,包括“20层薄膜,20层薄膜在玻璃基板上的依次叠加构成顺序为第1层为玻璃基板、第2-3层为电介质干涉层,第4层为电介质抗氧化层,第5层为金属低辐射层,第6层为电介质抗氧化层,第7-8层为电介质干涉层,第9层为电介质抗氧化层,第10层为金属低辐射层,第11层为合金光吸收层,第12层为电介质抗氧化层,第13-14层为电介质干涉层,第15层为电介质抗氧化层,第16层为金属低辐射层,第17层为合金光吸收层,第18层为电介质抗氧化层,第19-21层为复合介质保护层”,该申请中膜层数量较多,膜的厚度较大,制备工艺复杂的同时膜层容易脱离。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Low-E玻璃薄膜及其制备工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
本发明是通过以下技术方案实现的:
本发明提供了一种Low-E玻璃薄膜,包括有薄膜基材和薄膜本体,所述薄膜本体包括介质膜和金属膜,具体结构如下:
薄膜基材,薄膜基材设置在玻璃基板的表面,用于支撑薄膜本体;
内保护层,内保护层涂覆在所述薄膜基材的上表面,用于保护薄膜基材;
介质膜,包括SiO2和/或多孔硅,介质膜设置在所述内保护层的上表面,用于提高透光率、降低表面辐射率;
反射层,所述反射层设置为金属膜或金属掺杂膜,用于增加光学表面的反射率、降低光学表面的辐射率;
外保护层,外保护层涂覆在所述薄膜本体的上表面,用于耐磨、防老化、保护薄膜本体。
优选的,所述介质膜设置在所述反射膜的下表面或表面,表面为上表面和下表面。
优选的,所述金属膜选自铝膜、金膜、铜膜、银膜中的一种或多种的混合。
优选的,所述金属掺杂膜的主体材料选自TiO2、SnO2、WO3、In2O3中的一种或多种的混合,所述TiO2、SnO2、WO3、In2O3均设置为纳米级。
优选的,所述金属掺杂膜中掺杂有Cs+、Fe3+、Al3+、Cu2+、Ag+、Co2+、Pt2+、Nb5+中的一种或多种的混合。
本发明还提供了一种上述Low-E玻璃薄膜的制备工艺,包括如下步骤:
S1、依次用超纯水、乙醇清洁薄膜基材,通过溶胶-凝胶法在烘干后的薄膜基材表面涂覆用于保护薄膜基材的内保护层,得到预处理后的薄膜基材;
S2、将步骤S1得到的薄膜基材送入镀膜装置内,维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入氧源和硅源,采用溅射镀膜法在内保护层的上表面镀上用于提高透光率、降低表面辐射率的介质膜,得到表面镀有SiO2和/或多孔硅的薄膜;
S3、维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入对应的金属源,在S2得到的薄膜表面再次利用溅射法进行镀膜处理,在介质膜的上表面镀上用于增加光学表面的反射率、降低辐射率的反射膜,所述反射膜为金属膜,得到表面镀有金属膜的薄膜;
S4、镀膜结束后,从镀膜装置内取出S3得到的薄膜,通过溶胶-凝胶法在所得薄膜的上表面涂覆用于保护薄膜本体的外保护层,制得目标Low-E玻璃薄膜。
优选的,对步骤S3得到的反射膜重复进行步骤S2,在所得反射膜的上表面通过溅射法镀上如步骤S2所述的介质膜。
优选的,所述金属膜包括铝膜、金膜、铜膜、银膜中的一种或多种的混合。
本发明还提供了一种上述Low-E玻璃薄膜的制备工艺,包括如下步骤:
S1、依次用超纯水、乙醇清洁薄膜基材,通过溶胶-凝胶法在烘干后的薄膜基材表面涂覆用于保护薄膜基材的内保护层,得到预处理后的薄膜;
S2、将步骤S1得到的薄膜基材送入镀膜装置内,维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入氧源和硅源,采用溅射镀膜法在内保护层的上表面镀上用于提高透光率、降低表面辐射率的介质膜,得到表面镀有SiO2和/或多孔硅的薄膜;
S3、维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入氧源和对应的金属粒子,在S2得到的薄膜基材表面再次利用溅射法进行镀膜处理,在介质膜的上表面镀上用于增加光学表面的反射率、降低辐射率的反射膜,所述反射膜为金属掺杂膜,得到表面镀有金属掺杂膜的薄膜;
S4、镀膜结束后,从镀膜装置内取出S3得到的薄膜,通过溶胶-凝胶法在所得薄膜的上表面涂覆用于保护薄膜本体的外保护层,制得目标Low-E玻璃薄膜。
优选的,对步骤S3得到的反射膜重复进行步骤S2,在所得反射膜的上表面通过溅射法镀上如步骤S2所述的介质膜。
优选的,所述金属掺杂膜的主体材料选自TiO2、SnO2、WO3、In2O3中的一种或多种的混合,所述TiO2、SnO2、WO3、In2O3均设置为纳米级。
优选的,所述金属掺杂膜中掺杂有Cs+、Fe3+、Al3+、Cu2+、Ag+、Co2+、Pt2+、Nb5+中的一种或多种的混合。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1.本发明利用内、外保护层保护薄膜,能够提高薄膜的使用寿命,扩大在建筑或交通工具玻璃中的应用程度。
2.本发明采用SiO2和/或多孔硅作为介质膜,能够反射室外的红外光,具有优异的隔热效果,能够减少热量的直接传递。
3.本发明采用纳米级的TiO2、SnO2、WO3、In2O3等粒子,并掺杂能够反射中远红外辐射、减少屋内热量散失的金属粒子,有效改善Low-E玻璃薄膜的低辐射性能。
4.本发明的制备工艺步骤简单,操作方便,生产成本相对较低。膜层结构少,可见光的透光性能好、反射率低,能够有效降低能耗。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而非全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1:
本实施例提供了一种Low-E玻璃薄膜的制备工艺,具体制备工艺如下:
S1、依次用超纯水、乙醇清洁薄膜基材,通过溶胶-凝胶法在烘干后的薄膜基材表面涂覆用于保护薄膜基材的内保护层,得到预处理后的薄膜基材;
S2、将步骤S1得到的薄膜基材送入镀膜装置内,维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入氧源和硅源,硅源为有机单晶硅,采用溅射镀膜法在内保护层的上表面镀上用于提高透光率、降低表面辐射率的介质膜,得到表面镀有SiO2的薄膜;
S3、由于铝膜、金膜、铜膜、银膜在650nm处的反射率依次增大,且均高于90%,本实施例采用反射率最高的银作为金属源。维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入对应的银源,在S2得到的薄膜表面再次利用溅射法进行镀膜处理,在介质膜的上表面镀上用于增加光学表面的反射率、降低辐射率的反射膜,得到表面镀有银膜的薄膜;
S4、镀膜结束后,从镀膜装置内取出S3得到的薄膜,通过溶胶-凝胶法在所得薄膜的上表面涂覆用于保护薄膜本体的外保护层,制得目标Low-E玻璃薄膜。
本实施例还提供了一种由上述制备工艺制备出的Low-E玻璃薄膜。
实施例2:
本实施例提供了一种Low-E玻璃薄膜的制备工艺,与实施例1的不同之处在于,对步骤S3得到的反射膜重复进行步骤S2,在银膜的上表面通过溅射法镀上如步骤S2所述的SiO2介质膜,再进行步骤S4,本实施例在银膜的上、下表面均镀有SiO2介质膜,其余均与实施例1相同。
本实施例还提供了一种由上述制备工艺制备出的Low-E玻璃薄膜。
实施例3:
本实施例提供了一种Low-E玻璃薄膜的制备工艺,与实施例1的不同之处在于,步骤S2中的硅源设为有机多孔硅,得到表面镀有多孔硅的薄膜;步骤S3中,向镀膜装置内通入氧源和掺杂有Cs+的钛源,在多孔硅介质膜的上表面镀上掺杂有Cs+的纳米级TiO2薄膜,得到表面镀有金属掺杂膜的薄膜,纳米级TiO2的粒径小、活性大,在吸收紫外线的同时能够反射、散射紫外线,紫外阻隔能力强,其余均与实施例1相同。
本实施例还提供了一种由上述制备工艺制备出的Low-E玻璃薄膜。
实施例4:
本实施例提供了一种Low-E玻璃薄膜的制备工艺,与实施例3的不同之处在于,对步骤S3得到的反射膜重复进行步骤S2,在掺杂有Cs+的纳米级TiO2薄膜的上表面通过溅射法镀上如步骤S2所述的多孔硅介质膜,再进行步骤S4,本实施例在金属掺杂膜的上、下表面均镀有多孔硅介质膜,其余均与实施例3相同。
本实施例还提供了一种由上述制备工艺制备出的Low-E玻璃薄膜。
按照上述实施例1-4制备出对应的Low-E玻璃薄膜,厚度均为120nm~500nm,将薄膜分别铺设在同一标准的普通玻璃上,按照行业标准测试,利用可见光透射率测试仪测试Low-E玻璃的透射率,利用傅立叶红外光谱设备测试玻璃的辐射率,空白对照组为不铺设薄膜的普通玻璃。
表1.实施例1-4制备出的薄膜的光学性能测试结果
测试结果如表1所示,本申请制备出的Low-E玻璃的可见光透光率均在90%以上,红外辐射率均低于行业要求的15%,优于同等条件下空白对照组普通玻璃的光学性能。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种Low-E玻璃薄膜,其特征在于,包括有薄膜基材和薄膜本体,所述薄膜本体包括介质膜和金属膜,具体结构如下:
薄膜基材,薄膜基材设置在玻璃基板的表面,用于支撑薄膜本体;
内保护层,内保护层涂覆在所述薄膜基材的上表面,用于保护薄膜基材;
介质膜,包括SiO2和/或多孔硅,介质膜设置在所述内保护层的上表面,用于提高透光率、降低表面辐射率;
反射层,所述反射层设置为金属膜或金属掺杂膜,用于增加光学表面的反射率、降低光学表面的辐射率;
外保护层,外保护层涂覆在所述薄膜本体的上表面,用于耐磨、防老化、保护薄膜本体。
2.根据权利要求1所述的Low-E玻璃薄膜,其特征在于,所述介质膜设置在所述反射膜的下表面或表面。
3.根据权利要求1所述的Low-E玻璃薄膜,其特征在于,所述金属膜选自铝膜、金膜、铜膜、银膜中的一种或多种的混合。
4.根据权利要求1所述的Low-E玻璃薄膜,其特征在于,所述金属掺杂膜的主体材料选自TiO2、SnO2、WO3、In2O3中的一种或多种的混合。
5.根据权利要求4所述的Low-E玻璃薄膜,其特征在于,所述金属掺杂膜中掺杂有Cs+、Fe3+、Al3+、Cu2+、Ag+、Co2+、Pt2+、Nb5+中的一种或多种的混合。
6.一种如权利要求1-5中任意一项所述Low-E玻璃薄膜的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
S1、依次用超纯水、乙醇清洁薄膜基材,通过溶胶-凝胶法在烘干后的薄膜基材表面涂覆用于保护薄膜基材的内保护层,得到预处理后的薄膜基材;
S2、将步骤S1得到的薄膜基材送入镀膜装置内,维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入氧源和硅源,采用溅射镀膜法在内保护层的上表面镀上用于提高透光率、降低表面辐射率的介质膜,得到表面镀有SiO2和/或多孔硅的薄膜;
S3、维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入对应的金属源,在S2得到的薄膜表面再次利用溅射法进行镀膜处理,在介质膜的上表面镀上用于增加光学表面的反射率、降低辐射率的反射膜,所述反射膜为金属膜,得到表面镀有金属膜的薄膜;
S4、镀膜结束后,从镀膜装置内取出S3得到的薄膜,通过溶胶-凝胶法在所得薄膜的上表面涂覆用于保护薄膜本体的外保护层,制得目标Low-E玻璃薄膜;
或者,所述Low-E玻璃薄膜的制备工艺包括如下步骤:
S1、依次用超纯水、乙醇清洁薄膜基材,通过溶胶-凝胶法在烘干后的薄膜基材表面涂覆用于保护薄膜基材的内保护层,得到预处理后的薄膜;
S2、将步骤S1得到的薄膜基材送入镀膜装置内,维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入氧源和硅源,采用溅射镀膜法在内保护层的上表面镀上用于提高透光率、降低表面辐射率的介质膜,得到表面镀有SiO2和/或多孔硅的薄膜;
S3、维持镀膜装置内环境稳定,向镀膜装置内通入氧源和对应的金属粒子,在S2得到的薄膜基材表面再次利用溅射法进行镀膜处理,在介质膜的上表面镀上用于增加光学表面的反射率、降低辐射率的反射膜,所述反射膜为金属掺杂膜,得到表面镀有金属掺杂膜的薄膜;
S4、镀膜结束后,从镀膜装置内取出S3得到的薄膜,通过溶胶-凝胶法在所得薄膜的上表面涂覆用于保护薄膜本体的外保护层,制得目标Low-E玻璃薄膜。
7.根据权利要求6所述的制备工艺,其特征在于,对步骤S3得到的反射膜重复进行步骤S2,在所得反射膜的上表面通过溅射法镀上如步骤S2所述的介质膜。
8.根据权利要求6~7中任意一项所述的制备工艺,其特征在于,步骤S3中,所述金属膜包括铝膜、金膜、铜膜、银膜中的一种或多种的混合。
9.根据权利要求6~7中任意一项所述的制备工艺,其特征在于,步骤S3中,所述金属掺杂膜的主体材料选自TiO2、SnO2、WO3、In2O3中的一种或多种的混合。
10.根据权利要求6~7中任意一项所述的制备工艺,其特征在于,步骤S3中,所述金属粒子中掺杂有Cs+、Fe3+、Al3+、Cu2+、Ag+、Co2+、Pt2+、Nb5+中的一种或多种的混合。
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