CN113810031A - 一种过压保护的模拟开关电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种过压保护的模拟开关电路，包括传输电路，以及与所述传输电路相连的控制电路和过压保护电路；所述控制电路用于产生控制信号，控制传输电路的导通或截止，用于完成信号通过传输电路进行双向传输；在所述传输电路导通或截止时，所述过压保护电路切断或者限制流经传输电路的电流。本发明能够实现切断或者限制流经传输电路的电流，减小对传输电路的损害，提高开关电路的可靠性。

Description

一种过压保护的模拟开关电路
技术领域
本发明属于过压保护电路技术领域，具体涉及一种过压保护的模拟开关电路。
背景技术
CMOS模拟开关电路由于具有导通电阻低、传输时间快，在信号传输、信号采集等系统中得到广泛应用，其核心开关电路由控制电路和传输电路组成如图1，控制电路由PMOS管P0和NMOS管N0组成，产生控制信号，控制传输电路的导通和截止，从而完成信号的传输。传输电路由PMOS管P1和NMOS管N1并联而成，S/D端互为信号输入、输出端，直接和I/O连接，衬底分别和VCC、VSS相连，其等效电路图如图2，PMOS管P1的S/D端等效为两个二极管D1、D2，共阴极接到衬底电压VCC，NMOS管N1的S/D端等效为两个二极管D3、D4，共阳极接到衬底电压VSS。一般电路对S/D端输入电压范围都有限制，不能超过VCC或者VSS的电压，二极管处于反偏工作状态，确保开关不因过压而损坏，但在工作时由于S/D端直接和I/O的金属丝相连，由于寄生电感相应，在S/D端产生超过VCC或者VSS的电压，使二极管处于正偏工作状态，导致传输电路的损坏，因此，需要对开关电路的S/D端进行过压保护，提高开关电路的可靠性。
发明内容
针对上述问题，本发明提出一种过压保护的模拟开关电路，能够实现切断或者限制流经传输电路的电流，减小对传输电路的损害，提高开关电路的可靠性。
为了实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：
一种过压保护的模拟开关电路，包括传输电路，以及与所述传输电路相连的控制电路和过压保护电路；
所述控制电路用于产生控制信号，控制传输电路的导通或截止，用于完成信号通过传输电路进行双向传输；
在所述传输电路导通或截止时，所述过压保护电路切断或者限制流经传输电路的电流。
可选地，所述控制电路包括P型MOS管P0和N型MOS管N0；
所述P型MOS管P0的源极与正电源相连；
所述N型MOS管N0的源极与负电源相连；
所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的栅极相连，形成第一输出端；
所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的漏极相连，形成第二输出端，所述第二输出端与第一输出端产生互补的控制信号。
可选地，所述传输电路包括P型MOS管P1和N型MOS管N1；
所述P型MOS管P1的源极与N型MOS管N1的漏极相连，形成S端；
所述P型MOS管P1的漏极与N型MOS管N1的源极相连，形成D端；
所述P型MOS管P1的栅极与控制电路的第二输出端相连；
所述N型MOS管N1的栅极与控制电路的第一输出端相连；
所述P型MOS管P1和N型MOS管N1共同形成传输门结构，实现S端与D端的信号传输。
可选地，所述过压保护电路包括P型MOS管P2、N型MOS管N2、第一电阻R1、第二电阻R2和N型MOS管M0；
所述P型MOS管P2的源极与正电源相连，其栅极与所述控制电路的第一输出端相连，其漏极通过第一电阻R1与N型MOS管M0的漏极相连；
所述N型MOS管N2的源极与负电源相连，其栅极与所述控制电路的第二输出端相连，其漏极通过第二电阻R2与N型MOS管M0的源极相连；
所述N型MOS管M0的栅极与所述控制电路的第一输出端相连，其漏极还与所述P型MOS管P1的的栅极相连，其源极与所述N型MOS管N1的栅极相连。
可选地，当S端或D端输入电压为正电压时，通过P型MOS管P2和第一电阻R1对正电源进行保护；当S端或D端输入电压为负电压时，通过N型MOS管N2和第二电阻R2对负电源进行保护，N型MOS管M0在传输电路关闭时使P型MOS管P1和N型MOS管N1的栅极与正电源和负电源断开。
可选地，当控制电路的第一输出端的输出信号为1，第二输出端的输出信号0时，所述P型MOS管P1、N型MOS管N1、N型MOS管M0均导通，使得P型MOS管P1和N型MOS管N1的栅极电压相同，同时，所述P型MOS管P2和N型MOS管N2截止，所述P型MOS管P1和N型MOS管N1与正电源和负电源断开，切断过压流经传输电路的电流。
可选地，当控制电路的第一输出端的输出信号为0，第二输出端的输出信号1时，所述P型MOS管P1、N型MOS管N1、N型MOS管M0均截止，所述P型MOS管P2和N型MOS管N2导通。
可选地，当S端和D端产生超过正电源或者负电源的瞬时电压，电流从S端和D端经过传输电路的P型MOS管P1和N型MOS管N1，然后再通过第一电阻R1和第二电阻R2流向正电源和负电源，其中P型MOS管P2、第一电阻R1对S/D端电压为正电压时对正电源的保护，N型MOS管N2、第二电阻R2对S/D端电压为负电压时对负电源的保护，所述第一电阻R1和第二电阻R2的大小用于限制流经P型MOS管P1和N型MOS管N1的电流。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明提出了一种过压保护的的模拟开关电路，包括控制电路、过压保护电路和传输电路；控制电路产生控制信号，控制传输电路的导通和截止，实现信号通过传输电路进行双向传输，同时过压保护电路在传输电路的导通和截止时分别进行保护，切断或者限制流经传输电路的电流，减小对传输电路的损害。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中：
图1为现有技术中的CMOS模拟开关电路；
图2为传输电路的等效电路；
图3为本发明一种实施例的过压保护的模拟开关电路示意图；
图4为图3中模拟开关电路的等效电路示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明的保护范围。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
如图3所示，本发明中提供了一种过压保护的模拟开关电路，包括传输电路，以及与所述传输电路相连的控制电路和过压保护电路；
所述控制电路用于产生控制信号，控制传输电路的导通或截止，用于完成信号通过传输电路进行双向传输；
在所述传输电路导通或截止时，所述过压保护电路切断或者限制流经传输电路的电流。
可见，本发明中的过压保护的的模拟开关电路，包括控制电路、过压保护电路和传输电路；控制电路产生控制信号，控制传输电路的导通和截止，实现信号通过传输电路进行双向传输，同时过压保护电路在传输电路的导通和截止时分别进行保护，切断或者限制流经传输电路的电流，减小对传输电路的损害。本发明的过压保护的的模拟开关电路在满足模拟开关电路的开关功能下，对开关电路进行过压保护，提高了模拟开关电路的过压保护，进而提高了电路的可靠性。
在本发明的一种具体实施例中，所述控制电路包括P型MOS管P0和N型MOS管N0，二者连接成反相器，产生互补的控制信号，控制谢谢传输电路的导通和关闭；具体地，如图3所示，所述P型MOS管P0的源极与正电源VCC相连；所述N型MOS管N0的源极与正电源VSS相连；所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的漏极相连，形成第二输出端；所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的栅极相连，形成第一输出端，所述第二输出端与第一输出端产生互补的控制信号。
在本发明的一种具体实施例中，如图3所示，所述传输电路包括P型MOS管P1和N型MOS管N1，二者形成传输门结构，具体地：所述P型MOS管P1的源极与N型MOS管N1的漏极相连，形成S端；所述P型MOS管P1的漏极与N型MOS管N1的源极相连，形成D端；所述P型MOS管P1的栅极与控制电路的第二输出端相连；所述N型MOS管N1的栅极与控制电路的第一输出端相连；所述P型MOS管P1和N型MOS管N1共同形成传输门结构，实现S端与D端的信号传输，实现S端(D端)输入信号传输到D端(S端)，N型MOS管MO在传输门导通时导通，确保P型MOS管P1和N型MOS管N1有相同的衬底电压。
在本发明的一种具体实施例中，如图3所示，所述过压保护电路包括P型MOS管P2、N型MOS管N2、第一电阻R1、第二电阻R2和N型MOS管M0；所述P型MOS管P2的源极与正电源VCC相连，其栅极与所述控制电路的第一输出端相连，其漏极通过第一电阻R1与N型MOS管M0的漏极相连；所述N型MOS管N2的源极与正电源VSS相连，其栅极与所述控制电路的第二输出端相连，其漏极通过第二电阻R2与N型MOS管M0的源极相连；所述N型MOS管M0的栅极与所述控制电路的第一输出端相连，其漏极还与所述P型MOS管P1的的栅极相连，其源极与所述N型MOS管N1的栅极相连。当S端或D端输入电压为正电压时，通过P型MOS管P2和第一电阻R1对正电源VCC进行保护；当S端或D端输入电压为负电压时，通过N型MOS管N2和第二电阻R2对正电源VSS进行保护，N型MOS管M0在传输电路关闭时使P型MOS管P1和N型MOS管N1的栅极与正电源VCC和正电源VSS断开。
当控制电路的第一输出端的输出信号为1(即C＝1)，第二输出端的输出信号0(即CB＝0)时，即控制信号电平为高电平，所述P型MOS管P1、N型MOS管N1、N型MOS管M0均导通，使得P型MOS管P1和N型MOS管N1的栅极电压相同，同时，所述P型MOS管P2和N型MOS管N2截止，所述P型MOS管P1和N型MOS管N1与正电源VCC和正电源VSS断开，切断过压流经传输电路的电流。
当控制电路的第一输出端的输出信号为0(即C＝0)，第二输出端的输出信号1(即CB＝1)时，即控制信号电平为低电平，所述P型MOS管P1、N型MOS管N1、N型MOS管M0均截止，所述P型MOS管P2和N型MOS管N2导通。
如图4所示为本发明中模拟开关电路的等效电路示意图，正电源通过第一电阻R1与P型MOS管P1等效的二极管(D1、D2)相连，负电源通过第二电阻R2与N型MOS管N1等效的二极管(D3、D4)相连。由于模拟开关的IO端(S端和D端)都直接与压焊金属丝相连，金属丝存在寄生电感，电路工作时由于电感的自感效应，在模拟开关工作时S端、D端产生超过正电源VCC或者负电源VSS的瞬时电压，使二极管(D1、D2、D3、D4)处于正偏工作状态，电流从S端和D端经过二极管(D1、D2、D3、D4)再通过电阻流向正电源VCC和负电源VSS，其中P型MOS管P2、第一电阻R1对S/D端电压为正电压时对正电源VCC的保护，N型MOS管N2、第二电阻R2对S/D端电压为负电压时对负电源VSS的保护，通过设置第一电阻R1和第二电阻R2的大小可以限制流经二极管的电流，从而减小过压对MOS管P1、N1的损害。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1.一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：包括传输电路，以及与所述传输电路相连的控制电路和过压保护电路；
所述控制电路用于产生控制信号，控制传输电路的导通或截止，用于完成信号通过传输电路进行双向传输；
在所述传输电路导通或截止时，所述过压保护电路切断或者限制流经传输电路的电流。
2.根据权利要求1所述的一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：所述控制电路包括P型MOS管P0和N型MOS管N0；
所述P型MOS管P0的源极与正电源相连；
所述N型MOS管N0的源极与负电源相连；
所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的栅极相连，形成第一输出端；
所述P型MOS管P0和N型MOS管N0的漏极相连，形成第二输出端，所述第二输出端与第一输出端产生互补的控制信号。
3.根据权利要求1所述的一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：所述传输电路包括P型MOS管P1和N型MOS管N1；
所述P型MOS管P1的源极与N型MOS管N1的漏极相连，形成S端；
所述P型MOS管P1的漏极与N型MOS管N1的源极相连，形成D端；
所述P型MOS管P1的栅极与控制电路的第二输出端相连；
所述N型MOS管N1的栅极与控制电路的第一输出端相连；
所述P型MOS管P1和N型MOS管N1共同形成传输门结构，实现S端与D端的信号传输。
4.根据权利要求3所述的一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：所述过压保护电路包括P型MOS管P2、N型MOS管N2、第一电阻R1、第二电阻R2和N型MOS管M0；
所述P型MOS管P2的源极与正电源相连，其栅极与所述控制电路的第一输出端相连，其漏极通过第一电阻R1与N型MOS管M0的漏极相连；
所述N型MOS管N2的源极与负电源相连，其栅极与所述控制电路的第二输出端相连，其漏极通过第二电阻R2与N型MOS管M0的源极相连；
所述N型MOS管M0的栅极与所述控制电路的第一输出端相连，其漏极还与所述P型MOS管P1的的栅极相连，其源极与所述N型MOS管N1的栅极相连。
5.根据权利要求4所述的一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：当S端或D端输入电压为正电压时，通过P型MOS管P2和第一电阻R1对正电源进行保护；当S端或D端输入电压为负电压时，通过N型MOS管N2和第二电阻R2对负电源进行保护，N型MOS管M0在传输电路关闭时使P型MOS管P1和N型MOS管N1的栅极与正电源和负电源断开。
6.根据权利要求4所述的一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：当控制电路的第一输出端的输出信号为1，第二输出端的输出信号0时，所述P型MOS管P1、N型MOS管N1、N型MOS管M0均导通，使得P型MOS管P1和N型MOS管N1的栅极电压相同，同时，所述P型MOS管P2和N型MOS管N2截止，所述P型MOS管P1和N型MOS管N1与正电源和负电源断开，切断过压流经传输电路的电流。
7.根据权利要求4所述的一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：当控制电路的第一输出端的输出信号为0，第二输出端的输出信号1时，所述P型MOS管P1、N型MOS管N1、N型MOS管M0均截止，所述P型MOS管P2和N型MOS管N2导通。
8.根据权利要求4所述的一种过压保护的模拟开关电路，其特征在于：当S端和D端产生超过正电源或者负电源的瞬时电压，电流从S端和D端经过传输电路的P型MOS管P1和N型MOS管N1，然后再通过第一电阻R1和第二电阻R2流向正电源和负电源，其中P型MOS管P2、第一电阻R1对S/D端电压为正电压时对正电源的保护，N型MOS管N2、第二电阻R2对S/D端电压为负电压时对负电源的保护，所述第一电阻R1和第二电阻R2的大小用于限制流经P型MOS管P1和N型MOS管N1的电流。
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