CN113809999B - 功率放大模块 - Google Patents

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Abstract

提供一种功率放大模块，能够抑制电源电路所产生的噪声的影响。具备：第一功率放大器，其放大输入信号并输出第一发送信号；第一开关电路，其被输入所述第一发送信号，切换多个信号路径中的所述第一发送信号通过的信号路径；以及第二开关电路，其被输入通过由所述第一开关电路切换后的信号路径而从所述第一开关电路输出的所述第一发送信号，切换针对天线端子的信号路径，所述第二开关电路包括向所述第一开关电路及所述第二开关电路供给基准电压的电源电路。

Description

功率放大模块
技术领域
本公开涉及功率放大模块。
背景技术
在便携电话等移动通信终端中，使用将向基站发送的RF(Radio Frequency，无线电频率)信号放大的功率放大模块。功率放大模块具备将RF信号放大的功率放大电路、对高频信号的信号路径、向天线的连接状态进行切换的开关电路等。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-171438号公报
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1所记载的开关系统通过将串行数据转换成并行数据来生成控制信号从而实现小型化。但是，在该开关系统中，在多个开关中的远离天线的开关搭载有向多个开关供给基准电压的电源电路。换言之，在接近未图示的功率放大电路的开关搭载有电源电路。因此，在近来被集成化的模块中，由于电源电路的导通截止而产生的噪声可能通过电磁感应、静电感应等被输入到功率放大电路，该噪声被放大。
对此，本公开的目的在于，提供一种能够抑制电源电路所产生的噪声的影响的功率放大模块。
用于解决课题的手段
本发明的一方面的功率放大模块具备：第一功率放大器，其放大输入信号并输出第一发送信号；第一开关电路，其被输入所述第一发送信号，切换多个信号路径中的所述第一发送信号通过的信号路径；以及第二开关电路，其被输入通过由所述第一开关电路切换后的信号路径而从所述第一开关电路输出的所述第一发送信号，切换针对天线的信号路径，所述第二开关电路包括电源电路，该电源电路向所述第一开关电路及所述第二开关电路供给基准电压。
发明效果
根据本公开，可提供能够抑制电源电路所产生的噪声的影响的功率放大模块。
附图说明
图1是示出本实施方式的功率放大模块的结构的一例的图。
图2是示出第一开关的电路的一例的图。
图3是示出第二开关的电路的一例的图。
图4A是示出模块基板与各构成要素的位置关系的一例的图。
图4B是示出模块基板与各构成要素的位置关系的一例的图。
图5A是示出模块基板与各构成要素的位置关系的一例的图。
图5B是示出模块基板与各构成要素的位置关系的一例的图。
图6是示出第二实施方式的功率放大模块的结构的一例的图。
图7是示出第三实施方式的功率放大模块的结构的一例的图。
图8是示出第四实施方式的功率放大模块的结构的一例的图。
图9是示出第五实施方式的功率放大模块的结构的一例的图。
图10是示出第六实施方式的功率放大模块的结构的一例的图。
图11是示出通常的功率放大模块的结构的一例的图。
附图标记说明
100～600...功率放大模块，110～610...功率放大电路，480、580...低噪声放大电路，120～620...控制电路，130～630...匹配电路，140～640...第一开关电路，150～650...信号路径，160～660...双工器，170～670...第二开关电路，173～673...电源电路。
具体实施方式
以下，参照各图对本公开的各实施方式进行说明。这里，相同标记的电路元件表示相同电路元件，省略重复的说明。
＝＝＝功率放大模块100的结构＝＝＝
图1是示出本实施方式的功率放大模块100的结构的一例的图。功率放大模块100例如搭载于便携电话等移动体通信机，将输入信号RFin的功率放大至向基站发送所需的等级，并将其作为放大信号RFout而输出。输入信号RFin例如是通过RFIC(Radio FrequencyIntegrated Circuit，射频集成电路)等根据规定的通信方式进行调制后的无线电频率(RF：Radio Frequency)信号。输入信号RFin的通信标准例如包括2G(第二代移动通信系统)、3G(第三代移动通信系统)、4G(第四代移动通信系统)、5G(第五代移动通信系统)、LTE(Long Term Evolution，长期演进)-FDD(Frequency Division Duplex，频分双工)、LTE-TDD(Time Division Duplex，时分双工)、LTE-Advanced或者LTE-Advanced Pro等，频率例如是数百MHz～数十GHz程度。需要说明的是，输入信号RFin的通信标准及频率不限于此。
如图1所示，功率放大模块100例如包括功率放大电路110、控制电路120、匹配电路130、第一开关电路140、多个信号路径150、双工器160、第二开关电路170。各构成要素例如由IC芯片形成。该IC芯片例如通过GaAs、SiGe或SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上硅)的工艺而形成。
在功率放大模块100中，输入信号RFin依次通过功率放大电路110、匹配电路130、第一开关电路140、一个信号路径150、双工器160、第二开关电路170而从天线端子Ant被发送。
功率放大电路110例如包括放大器111、偏置电路112。
放大器111例如将从发送机Tx输入的输入信号RFin放大并输出放大信号RFout。初级(驱动级)的放大器111a将从输入端子(未图示)经由匹配电路(未图示)输入的输入信号RFin放大，输出放大信号RF(未图示)。后级(功率级)的放大器111b将从放大器111a经由匹配电路(未图示)供给的放大信号RF放大，输出放大信号RFout。放大信号RFout经由匹配电路130向第一开关电路140输入。
这里，放大器111例如由异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)等晶体管构成。需要说明的是，代替HBT，放大器111也可以由场效应晶体管(MOSFET：Metal-oxide-semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)构成。
偏置电路112向放大器111供给偏置电流或偏置电压。
控制电路120例如包括偏置调整电路121、解码器122。
解码器122例如对从其他电路(未图示)输入的控制信号Cont10进行解码，生成用于控制第一开关电路140及第二开关电路170的开关动作的控制信号Cont11(Cont11a、Cont11b)。需要说明的是，也可以代替解码器122而从其他电路输入控制信号。
偏置调整电路121基于来自解码器122的控制信号等，调整从偏置电路112向放大器111供给的偏置电流或偏置电压。
匹配电路(MN：Matching Network，匹配网络)130例如使放大器111b的输出阻抗与第一开关142的被输入放大信号RFout的RF共同端口RFcom的阻抗匹配。匹配电路130例如构成为包括电感器及电容器。
第一开关电路140例如包括第一控制部141、第一开关142。
第一控制部141例如使用由后述的电源电路173生成的基准电压，对从解码器122输出的控制信号Cont11a进行电平移位，生成控制信号Cont12。
具体而言，第一控制部141例如通过对控制信号Cont11a进行电平转换，生成表示规定的正电位Vp的控制信号Cont121及表示规定的负电位Vn的控制信号Cont122的两个电压作为控制信号Cont12。
第一开关142例如基于控制信号Cont12，切换与被输入放大信号RFout的RF共同端口RFcom连接的端口。
具体而言，第一开关142例如是SPnT(Single-Pole n-Throw，单刀多掷)开关。第一开关142基于控制信号Contl2，使多个高频信号端口RF1、RF2、……RFn(以下称为“高次谐波信号端口RFn”)中的一个端口与RF共同端口RFcom连接。需要说明的是，在图1中，为了方便说明，仅示出RF1、RF2、RF3。高频信号端口RFn通过信号路径150而与后述的双工器160连接。
参照图2，对第一开关142的电路结构的一例进行说明。图2是示出第一开关142的电路的一例的图。如图2所示，第一开关142例如在RF共同端口RFcom与多个高次谐波信号端口RFn的各个高次谐波信号端口之间具有直通开关142a和分路开关142b。
直通开关142a例如一方(例如漏极)与RF共同端口RFcom连接，另一方(例如源极)与高次谐波信号端口RFn连接。直通开关142a例如包括串联连接的多个半导体元件MOSFET、以及与其栅极连接的电阻器。在使放大信号RFout通过的直通开关142a中，通过该电阻器向直通开关142a的栅极输入控制信号Cont121(正电位Vp)。
分路开关142b例如一方(例如漏极)与高次谐波信号端口RFn连接，另一方(例如源极)与接地连接。分路开关142b例如包括串联连接的多个半导体元件MOSFET、以及与其栅极连接的电阻器。在与使放大信号RFout通过的直通开关142a对应的分路开关142b中，通过该电阻器向分路开关142b的栅极输入控制信号Cont122(负电位Vn)。
多个信号路径150例如是通过双工器160使第一开关电路140与第二开关电路170电连接的路径。
双工器(DPX：Duplexer)160是例如滤波器电路。双工器160例如在发送频率与接收频率不同的情况下，将各个信号分离及合成。在图1中，发送频率信号从第一开关电路140通过信号路径150并通过双工器160被送至第二开关电路170，但接收频率信号从第二开关电路170通过双工器160被送至接收机Rx。
第二开关电路170包括第二控制部171、第二开关172、电源电路173。
第二控制部171例如使用由电源电路173生成的基准电压，对从解码器122输出的控制信号Cont11b进行电平移位，由此，生成控制第二开关172的控制信号Cont13。
具体而言，第二控制部171例如对控制信号Cont11b进行电平转换，由此，生成表示规定的正电位Vp的控制信号Cont131及表示规定的负电位Vn的控制信号Cont132的两个电压作为控制信号Cont13。
第二开关172例如基于控制信号Cont13，使天线端子Ant与多个高频信号端口RF11、RF12、……RF1n中的一个端口连接。
参照图3，对第二开关172的电路结构的一例进行说明。图3是示出第二开关172的电路的一例的图。如图3所示，第二开关172例如具有第一RF系统1721和第二RF系统1722。
第一RF系统1721例如包括第一RF端口1721a、第一RF直通开关1721b、第一RF分路开关1721c。
第一RF端口1721a例如通过与第一开关142同样的开关(未图示)而与多个信号路径150中的任意一个信号路径连接。
第一RF直通开关1721b例如一方(例如漏极)与天线端子Ant连接，另一方(例如源极)与第一RF端口1721a连接。第一RF直通开关1721b例如包括串联连接的一个以上的半导体元件MOSFET、以及与其栅极连接的电阻器。例如，在使第一RF信号通过的第一RF直通开关172a中，通过该电阻器向第一RF直通开关1721b的栅极输入控制信号Cont131(正电位Vp)。
第一RF分路开关1721c例如一方(例如漏极)与第一RF端口1721a连接，另一方(例如源极)与接地连接。第一RF分路开关1721c例如包括串联连接的一个以上的半导体元件MOSFET、以及与其栅极连接的电阻器。例如，在与使第一RF信号通过的第一RF直通开关172a对应的第一RF分路开关1721c中，通过该电阻器向第一RF分路开关1721c的栅极输入控制信号Cont132(负电位Vn)。
第二RF系统1722例如包括第二RF端口1722a、第二RF直通开关1722b、第二RF分路开关1722c。第二RF端口1722a与第一RF端口1721a同样地与多个信号路径150中的任意一个信号路径连接。第二RF直通开关1722b及第二RF分路开关1722c与第一RF直通开关1721b及第一RF分路开关1721c相同，因此省略其说明。
这里，参照图3对第二开关172的动作进行说明。图3示出第一RF模式中的第二开关的状态。如图3所示，在第一RF模式中，在第一RF分路开关1721c的栅极施加有控制信号Cont132(负电位Vn)。这里，在第一RF分路开关1721c的栅极/漏极间及栅极/源极间产生寄生电容。此时，例如在向第一RF端口1721a施加36dBm的RF信号时，向截止状态的第一RF分路开关1721c的漏极/源极间施加约14V的高频电压。该高频电压通过寄生电容也在栅极产生。在第二开关172中，当在栅极产生的高频电压超过用于将第一RF分路开关1721c保持为截止状态的阈值时，第一RF分路开关1721c以伪方式导通。为了不使第一RF分路开关1721c以伪方式导通，在第二开关172中，需要充分地增大向第一RF分路开关1721c的栅极施加的控制信号Cont132的负电位Vn的绝对值。或者，在第二开关172中，也可以通过使第一RF分路开关1721c多级化，对漏极/源极间的电压进行分压。
需要说明的是，在图2、图3中，示出了各种开关由MOSFET构成，但不限于此，也可以由二极管等其他半导体元件构成。
电源电路173例如是电荷泵电路。电源电路173生成上述的正电位Vp及负电位Vn，并将它们向搭载于功率放大模块100的第一控制部141及第二控制部171供给。
电源电路173例如搭载于与开关电路相同的IC芯片，该开关电路是功率放大模块100的多个开关电路中的与最接近功率放大电路110的开关电路不同的开关电路。在本实施方式中，第一开关电路140比第二开关电路170更接近功率放大电路110，因此，搭载于第二开关电路170。
图11是示出通常的功率放大模块的结构的一例的图。如图11所示，通常的功率放大模块1000按照每个开关电路1040、1070分别具备电源电路1043和1073。这里，产生如下问题：接近功率放大电路1010的开关电路1040的电源电路1043的导通截止所产生的噪声通过电磁感应、静电感应等被输入到功率放大电路1010而被放大。
本实施方式的功率放大模块100在配置在距功率放大电路110更远的位置的第二开关电路170设置有电源电路173，因此，能够抑制向功率放大电路110输入该噪声。
另外，功率放大模块100在第二开关电路170与天线端子Ant之间不具备滤波器电路。因此，第二开关电路170被要求比第一开关电路140低的失真。另外，由于第二开关电路170也与接收系统连接，因此，被要求低损耗。而且，第二开关电路170与第一开关电路140相比，输入功率低，另一方面，受到天线端子Ant的负载变动，因此，被要求比第一开关电路140高的承受功率。
因此，第二开关电路170在具备串联连接的FET的数量比第一开关电路140多的分路开关1721c、1722c或者想要避免伴随着使FET多级化的尺寸增大的情况下，在功率放大模块100中，需要使从电源电路173向第二开关电路170供给的电压大于向第一开关电路140供给的电压。
本实施方式的功率放大模块100将电源电路173汇集设置于需要供给与向第一开关电路140供给的基准电压同等或者更高的基准电压的第二开关电路170，因此，能够向各开关电路140、170供给必要充分的电压。此外，由于功率放大模块100在第一开关电路140未设置电源电路173，因此，能够减小第一开关电路140的尺寸。
需要说明的是，也可以在第二开关电路170的电源端子(未图示)设置旁路电容器。该旁路电容器可以设置于形成第二开关电路170的IC芯片，也可以设置在搭载有IC芯片的模块基板上。
参照图4A、图4B、图5A、图5B，对模块基板与各构成要素的位置关系的一例进行说明。图4A、图4B、图5A、图5B是示出模块基板与各构成要素的位置关系的一例的图。在图4A、图4B、图5A、图5B中，将沿着矩形的模块基板的一个端边的方向设为X方向，将与X方向正交的方向设为Y方向、将与X方向及Y方向正交的方向设为Z方向。
如图4B所示，第一开关电路140例如也可以配置为，在与功率放大电路110垂直的方向(Y方向)上与模块基板的最宽的面重叠。如图4A所示，第二开关电路170例如也可以在模块基板中的与第一开关电路140同一侧的面上配置为，与功率放大电路110的距离比功率放大电路110与第一开关电路140的距离远。由此，能够实现抑制向功率放大电路110输入的噪声这样的IC芯片的立体安装，并且，能够实现功率放大模块100的小型化。
如图5B所示，第一开关电路140例如也可以在配置于模块基板的最宽的面的功率放大电路110上重叠地配置。如图5A所示，第二开关电路170例如也可以在模块基板中的与第一开关电路140同一侧的面上隔着双工器160而配置为，与功率放大电路110的距离大于功率放大电路110与第一开关电路140的距离。由此，能够实现抑制向功率放大电路110输入的噪声这样的IC芯片的立体安装，并且，能够实现功率放大模块100的小型化。
＝＝＝第二实施方式的功率放大模块200＝＝＝
参照图6，对第二实施方式的功率放大模块200进行说明。图6是示出第二实施方式的功率放大模块200的结构的一例的图。
如图6所示，第二实施方式的功率放大模块200与第一实施方式的功率放大模块100相比，将控制电路220汇集在第一开关电路240的IC芯片上。
通过使多个构成要素集成于一个IC芯片，能够使功率放大模块200小型化。另外，通过使电源电路273汇集于与功率放大电路210不同的其他的IC芯片(第二开关电路270)，能够抑制噪声对功率放大电路210的影响。
＝＝＝第三实施方式的功率放大模块300＝＝＝
参照图7对第三实施方式的功率放大模块300进行说明。图7是示出第三实施方式的功率放大模块300的结构的一例的图。
如图7所示，第三实施方式的功率放大模块300与第一实施方式的功率放大模块100相比，将功率放大电路310、控制电路320及匹配电路330汇集在第一开关电路340的IC芯片上。
功率放大模块300通过使不包括电源电路373的构成要素集成于一个IC芯片，能够抑制噪声对功率放大电路310的影响，并且，实现进一步小型化。
需要说明的是，匹配电路330例如也可以单独地配置在IC芯片外。另外，在针对包括电源电路373的第二开关电路370的控制线的根数变多的情况下，也可以按照每个IC芯片而设置解码器322。即，解码器322可以汇集于一个IC芯片，也可以按照每个IC芯片而设置解码器322。
＝＝＝第四实施方式的功率放大模块400＝＝＝
参照图8对第四实施方式的功率放大模块400进行说明。图8是示出第四实施方式的功率放大模块400的结构的一例的图。
如图8所示，第四实施方式的功率放大模块400与第一实施方式的功率放大模块100相比，具备将由天线端子Ant接收的接收信号放大的低噪声放大电路480。
低噪声放大电路480例如包括放大器481、偏置电路(未图示)、偏置调整电路482、解码器483、第三控制部484、开关485、开关486。放大器481、偏置电路(未图示)、偏置调整电路482、解码器483、第三控制部484、开关485、开关486与第一实施方式的功率放大模块100中的放大器111、偏置电路112、偏置调整电路121、解码器122、第一控制部141、第二控制部171、第一开关142相同，因此，省略其说明。这里，开关485及开关486是所谓的频段切换开关。
搭载于第二开关电路470的电源电路473向第三控制部484供给基准电压。第三控制部484使用电源电路473生成的基准电压，对从解码器483输出的控制信号Cont21进行电平移位，由此，生成控制开关485及开关486的控制信号Cont22。
功率放大模块400通过将电源电路473汇集于一个IC芯片，从而即便在更加复杂的模块的结构中，也能够抑制向功率放大电路410输入的噪声，并且能够抑制向低噪声放大电路480输入的噪声，同时实现小型化。
另外，如图8所示，功率放大模块400也可以具备能够将来自多个发送机的RF信号与功率放大电路410连接这样的开关490。也可以通过从电源电路473供给基准电压的控制部(未图示)来控制开关490。
另外，双工器460最好构成为针对接收频带信号，能够抑制由电源电路473产生的频带的噪声。由此，这是因为如果在第二开关电路470拾取到由电源电路473产生的噪声的情况下，也能够从送至低噪声放大电路480的接收频带信号中去除该噪声。
＝＝＝第五实施方式的功率放大模块500＝＝＝
参照图9对第五实施方式的功率放大模块500进行说明。图9是示出第五实施方式的功率放大模块500的结构的图。
如图9所示，第五实施方式的功率放大模块500与第四实施方式的功率放大模块400相比，具备功率放大电路590a、匹配电路590b、开关电路590c、双工器590d。第五实施方式的功率放大模块500相对于第一实施方式的功率放大模块100，也可以是发送系统为双系统的结构。
功率放大电路590a、匹配电路590b、开关电路590c、双工器590d与第四实施方式的功率放大模块400中的功率放大电路410、匹配电路430、第一开关电路440、双工器460相同，因此，省略其说明。
搭载于第二开关电路570的电源电路573向第四控制部593c供给基准电压。第四控制部593c使用电源电路573生成的基准电压，对从解码器592c输出的控制信号Cont11c进行电平移位，由此，生成控制开关594c的控制信号Cont14。
由此，在功率放大模块500中，使电源电路573汇集于一个IC芯片，因此，即便在更加复杂的模块的结构中，也能够抑制向功率放大电路510及590a输入的噪声，并且，能够使功率放大模块500小型化。
需要说明的是，功率放大模块500的电源电路573也可以构成为不向第三控制部584供给基准电压。
＝＝＝第六实施方式的功率放大模块600＝＝＝
参照图10，对第六实施方式的功率放大模块600进行说明。图10是示出第六实施方式的功率放大模块600的结构的图。
如图10所示，第六实施方式的功率放大模块600与第一实施方式的功率放大模块100相比，将电源电路673汇集在控制电路620的IC芯片上。
由此，在与最接近功率放大电路610的第一开关电路640不同的IC芯片上设置有电源电路673，因此，能够使功率放大模块600小型化，并且能够抑制功率放大电路610中的噪声的影响。
＝＝＝总结＝＝＝
本公开的例示的实施方式的功率放大模块100～500具备：功率放大电路110～510(第一功率放大器)，其将输入信号放大，输出发送信号(第一发送信号)；第一开关电路140～540，其被输入发送信号(第一发送信号)，切换多个信号路径150中的发送信号(第一发送信号)通过的信号路径150；以及第二开关电路170～570，其被输入通过由第一开关电路140～540切换后的信号路径150而从第一开关电路140～540输出的发送信号(第一发送信号)，切换针对天线端子Ant的信号路径，第二开关电路170～570包括向第一开关电路140～540及第二开关电路170～570供给基准电压的电源电路173～573。由此，功率放大模块100在距功率放大电路110更远的位置设置有电源电路173，因此，能够抑制来自电源电路173的噪声向功率放大电路110输入。另外，功率放大模块100能够减小第一开关电路140的尺寸。
另外，功率放大模块200的第一开关电路240包括控制电路220，该控制电路220生成用于控制第一开关电路240的第一控制信号和用于控制第二开关电路270的第二控制信号。由此，能够使功率放大模块200小型化，并且，能够抑制噪声对功率放大电路210的影响。
另外，功率放大模块300的第一开关电路340包括功率放大电路310(第一功率放大器)。由此，能够使功率放大模块300小型化，并且，能够抑制噪声对功率放大电路310的影响。
另外，功率放大模块100～500还具备分别设置于多个信号路径150～550的双工器160～560，从第一开关电路140～540输出的发送信号(第一发送信号)通过双工器160～560向第二开关电路170～570输入。由此，第一开关电路140～540与第二开关电路170～570的距离变大，因此，能够增大功率放大电路110～510与第二开关电路170～570的距离，能够抑制向功率放大电路110～510输入的噪声。
另外，功率放大模块400还具备低噪声放大电路480，该低噪声放大电路480将通过滤波器电路输入的由天线端子Ant接收的接收信号放大，低噪声放大电路480具有切换接收信号的路径的开关485、486(第三开关电路)，电源电路473向开关485、486(第三开关电路)供给基准电压。由此，即便在更加复杂的模块的结构中，也能够抑制向功率放大电路410及低噪声放大电路480输入的噪声，并且，能够使功率放大模块400小型化。
另外，功率放大模块500还具备发送系统(发送电路)，该发送系统(发送电路)具备输出发送信号(第二发送信号)的功率放大电路590a(第二功率放大器)、以及切换被输出的发送信号(第二发送信号)的信号路径的开关电路590c(第四开关电路)，电源电路573向开关电路590c(第四开关电路)供给基准电压。由此，即便在更加复杂的模块的结构中，也能够抑制噪声，并且，能够使功率放大模块500小型化。
另外，功率放大模块100～500的第二开关电路170～570也可以具有切换从天线端子Ant对发送信号进行发送的发送模式和从天线端子Ant对接收信号进行接收的接收模式的功能。由此，能够通过一个功率放大模块100～500来对应频分双工和时分双工这两者。
另外，功率放大模块100～500的电源电路173～573是供给基准电压的电荷泵电路。由此，能够适当地供给正电压及负电压，因此，能够使第一开关电路140～540、第二开关电路170～570适当地动作。
以上说明的实施方式为了容易理解本公开，并不用于限定地解释本公开。本公开在不脱离其主旨的范围内能够进行变更或改良，并且，在本公开中也包括其等效物。即，本领域技术人员对实施方式适当加以设计变更而得到的方式只要具备本公开的特征，则也包含在本公开的范围内。实施方式所具备的元件及其配置等并非限定于例示的情况，能够适当变更。

Claims (8)

1.一种功率放大模块，具备：
第一功率放大器，其放大输入信号并输出第一发送信号；
第一开关电路，其被输入所述第一发送信号，切换多个信号路径中的所述第一发送信号通过的信号路径；以及
第二开关电路，其被输入通过由所述第一开关电路切换后的所述信号路径而从所述第一开关电路输出的所述第一发送信号，切换针对天线端子的信号路径，
所述第二开关电路包括电源电路，该电源电路向所述第一开关电路及所述第二开关电路供给基准电压。
2.根据权利要求1所述的功率放大模块，其中，
所述第一开关电路包括控制电路，该控制电路生成用于控制所述第一开关电路的第一控制信号和用于控制所述第二开关电路的第二控制信号。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大模块，其中，
所述第一开关电路包括所述第一功率放大器。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率放大模块，其中，
所述功率放大模块还具备分别设置于所述多个信号路径的双工器，
从所述第一开关电路输出的所述第一发送信号通过所述双工器向所述第二开关电路输入。
5.根据权利要求4所述的功率放大模块，其中，
所述功率放大模块还具备低噪声放大电路，该低噪声放大电路将通过所述双工器输入的由所述天线端子接收的接收信号放大，
所述低噪声放大电路具有切换所述接收信号的路径的第三开关电路，
所述电源电路向所述第三开关电路供给基准电压。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的功率放大模块，其中，
所述功率放大模块还具备发送电路，该发送电路具备输出第二发送信号的第二功率放大器以及切换被输出的所述第二发送信号的信号路径的第四开关电路，
所述电源电路向所述第四开关电路供给基准电压。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率放大模块，其中，
所述第二开关电路还具有如下功能：切换从所述天线端子对发送信号进行发送的发送模式和从所述天线端子对接收信号进行接收的接收模式。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的功率放大模块，其中，
所述电源电路是供给基准电压的电荷泵电路。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237735A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Sharp Corp 無線送受信モジュール及びそれを用いた無線通信装置
JP2004127270A (ja) * 2003-08-25 2004-04-22 Toshiba Corp 無線通信装置
JP2004214939A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Maspro Denkoh Corp Ｔｖ受信用増幅装置
KR20070031484A (ko) * 2005-09-14 2007-03-20 엘지이노텍 주식회사 프론트앤드모듈
CN101438505A (zh) * 2006-05-08 2009-05-20 日立金属株式会社 高频电路、高频部件及通信装置
KR20120027759A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 세영정보통신(주) 양방향 무선통신모듈
JP2015133623A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 アルプス電気株式会社 無線通信モジュール
JP2016171438A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体スイッチ及びスイッチシステム
CN108233952A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 株式会社村田制作所 通信模块
KR20190104874A (ko) * 2018-03-01 2019-09-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 프론트 엔드 회로 및 그것을 포함하는 통신 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4811317U (zh) * 1971-06-19 1973-02-08
US6804502B2 (en) * 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US10643962B1 (en) * 2013-02-20 2020-05-05 Micro Mobio Corporation World band radio frequency front end module, system and method of power sensing thereof
US20150236798A1 (en) * 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Methods for Increasing RF Throughput Via Usage of Tunable Filters
WO2014199507A1 (ja) * 2013-06-14 2014-12-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 通信制御装置及び実装基板

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237735A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Sharp Corp 無線送受信モジュール及びそれを用いた無線通信装置
JP2004214939A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Maspro Denkoh Corp Ｔｖ受信用増幅装置
JP2004127270A (ja) * 2003-08-25 2004-04-22 Toshiba Corp 無線通信装置
KR20070031484A (ko) * 2005-09-14 2007-03-20 엘지이노텍 주식회사 프론트앤드모듈
CN101438505A (zh) * 2006-05-08 2009-05-20 日立金属株式会社 高频电路、高频部件及通信装置
KR20120027759A (ko) * 2010-09-13 2012-03-22 세영정보통신(주) 양방향 무선통신모듈
JP2015133623A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 アルプス電気株式会社 無線通信モジュール
JP2016171438A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体スイッチ及びスイッチシステム
CN108233952A (zh) * 2016-12-09 2018-06-29 株式会社村田制作所 通信模块
KR20190104874A (ko) * 2018-03-01 2019-09-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 프론트 엔드 회로 및 그것을 포함하는 통신 장치

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