CN113782460A - 监控晶圆的表面亲水性的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种监控晶圆的表面亲水性的检测方法,包括:将监控晶圆放置于涂胶机台的载片台上,监控晶圆是再生后的监控晶圆;将亲水性溶液涂布在监控晶圆上,旋转监控晶圆;检测监控晶圆表面,当监控晶圆表面的颗粒物不满足要求时,确定监控晶圆的亲水性不满足要求,该颗粒物是由于监控晶圆的亲水性降低从而在涂布亲水性水溶液后产生气泡所导致的产物。本申请通过在监控晶圆再生完成后,在其表面涂布亲水性溶液,旋转监控晶圆,检测其表面的颗粒物,根据颗粒物的检测结果确定监控晶圆的亲水性是否满足要求,解决了监控晶圆由于亲水性的变化影响光阻涂布从而造成膜厚均匀性/颗粒状况发生变化的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种监控晶圆的表面亲水性的检测方法。
背景技术
在半导体制造工艺中,光刻工艺是对于器件图形的形成至关重要,光刻图形的形成需要通过涂胶、曝光和显影。光刻图形是靠涂布在晶圆表面的光阻来形成的,光阻的涂布均匀性直接关系到图形形成的好坏,同时,光阻的颗粒状况也直接影响产品的质量。
相关技术中,光刻涂胶显影机是通过监控晶圆(non-productive wafer,NPW)来监控光阻管路的健康状况。监控晶圆是重复再生使用的,如果再生过程中因为药液/清洗等发生改变,会改变晶圆表面的亲水性,从而影响光阻涂布造成膜厚均匀性/颗粒状况发生变化,使得监控不能真实反映机台光阻管路的健康状况,造成不必要的宕机,从而降低了生产效率。
发明内容
本申请提供了一种监控晶圆的表面亲水性的检测方法,可以解决相关技术中由于监控晶圆在再生中改变亲水性,从而降低了对机台光阻管路的健康状况进行监控的准确性的问题。
一方面,本申请实施例提供了一种监控晶圆的表面亲水性的检测方法,其特征在于,包括:
将监控晶圆放置于涂胶机台的载片台上,所述监控晶圆是再生后的监控晶圆;
将亲水性溶液涂布在所述监控晶圆上,旋转所述监控晶圆;
检测所述监控晶圆表面,当所述监控晶圆表面的颗粒物不满足要求时,确定所述监控晶圆的亲水性不满足要求,所述颗粒物是由于所述监控晶圆的亲水性降低从而在涂布亲水性水溶液后产生气泡所导致的产物。
可选的,所述亲水性溶液包括抗反射涂层(antireflective coating)。
可选的,旋转所述监控晶圆的转速为1000转/分钟至1500转/分钟。
可选的,旋转所述监控晶圆的时间为15秒至30秒。
可选的,所述检测所述监控晶圆表面,包括:
通过光学测试设备统计所述监控晶圆表面的颗粒物;
当确定所述监控晶圆表面的颗粒物的数量大于预设数量时,确定所述监控晶圆表面的颗粒物不满足要求。
可选的,所述检测所述监控晶圆表面,包括:
通过光学测试设备扫描得到所述监控晶圆表面的颗粒物分布图形;
根据所述颗粒物分布图形确定所述监控晶圆表面的颗粒物是否满足要求。
可选的,所述监控晶圆用于检测涂胶机台的光阻管路的健康状况。
本申请技术方案,至少包括如下优点:
通过在监控晶圆再生完成后,在其表面涂布亲水性溶液,旋转监控晶圆,检测其表面的颗粒物,根据颗粒物的检测结果确定监控晶圆的亲水性是否满足要求,解决了监控晶圆由于亲水性的变化影响光阻涂布从而造成膜厚均匀性/颗粒状况发生变化的问题,使对监控晶圆的监控能够真实反映机台光阻管路的健康状况,提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一个示例性实施例提供的监控晶圆的表面亲水性的检测方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电气连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外,下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
参考图1,其示出了本申请一个示例性实施例提供的监控晶圆的表面亲水性的检测方法的流程图,如图1所示,该方法包括:
步骤101,将监控晶圆放置于涂胶机台的载片台上。
其中,监控晶圆是再生后的监控晶圆,可通过化学药液对使用过的监控晶圆进行清洗,对其进行再生。
步骤102,将亲水性溶液涂布在监控晶圆上,旋转监控晶圆。
可选的,本申请实施例中,亲水性溶液包括抗反射涂层。例如,该抗反射涂层可采用是默克公司生产的名为TRAC,型号为AQ8A的抗反射涂层。
可选的,步骤102中,旋转监控晶圆的转速为1000转/分钟至1500转/分钟;可选的,旋转监控晶圆的为15秒至30秒。通过旋转监控晶圆,能够使亲水性溶液均匀分布在监控晶圆表面。
步骤103,检测监控晶圆表面,当监控晶圆表面的颗粒物不满足要求时,确定监控晶圆的亲水性不满足要求。
其中,颗粒物是由于监控晶圆的亲水性降低从而在涂布亲水性水溶液后产生气泡所导致的产物。步骤103中,可通过以下两种方式中的任一种对监控晶圆的表面进行检测:
(1)通过光学测试设备统计监控晶圆表面的颗粒物;当确定监控晶圆表面的颗粒物的数量大于预设数量时(例如,该预设数量为15至20),确定监控晶圆表面的颗粒物不满足要求。
(2)通过光学测试设备扫描得到监控晶圆表面的颗粒物分布图形;根据颗粒物分布图形确定监控晶圆表面的颗粒物是否满足要求。通常,当表面的颗粒物不满足要求时,其会呈现特定的分布图形,可通过判断扫描得到的分布图形是否为特定的分布图形,从而判断表面的颗粒物是否满足要求。
综上所述,本申请实施例中,通过在监控晶圆再生完成后,在其表面涂布亲水性溶液,旋转监控晶圆,检测其表面的颗粒物,根据颗粒物的检测结果确定监控晶圆的亲水性是否满足要求,解决了监控晶圆由于亲水性的变化影响光阻涂布从而造成膜厚均匀性/颗粒状况发生变化的问题,使对监控晶圆的监控能够真实反映机台光阻管路的健康状况,提高了生产效率。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
Claims (7)
1.一种监控晶圆的表面亲水性的检测方法,其特征在于,包括:
将监控晶圆放置于涂胶机台的载片台上,所述监控晶圆是再生后的监控晶圆;
将亲水性溶液涂布在所述监控晶圆上,旋转所述监控晶圆;
检测所述监控晶圆表面,当所述监控晶圆表面的颗粒物不满足要求时,确定所述监控晶圆的亲水性不满足要求,所述颗粒物是由于所述监控晶圆的亲水性降低从而在涂布亲水性水溶液后产生气泡所导致的产物。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述亲水性溶液包括抗反射涂层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,旋转所述监控晶圆的转速为1000转/分钟至1500转/分钟。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,旋转所述监控晶圆的时间为15秒至30秒。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述检测所述监控晶圆表面,包括:
通过光学测试设备统计所述监控晶圆表面的颗粒物;
当确定所述监控晶圆表面的颗粒物的数量大于预设数量时,确定所述监控晶圆表面的颗粒物不满足要求。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述检测所述监控晶圆表面,包括:
通过光学测试设备扫描得到所述监控晶圆表面的颗粒物分布图形;
根据所述颗粒物分布图形确定所述监控晶圆表面的颗粒物是否满足要求。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法,其特征在于,所述监控晶圆用于检测涂胶机台的光阻管路的健康状况。
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Citations (8)
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---|---|---|---|---|
JP2003023052A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの評価方法 |
JP2005214980A (ja) * | 2005-01-31 | 2005-08-11 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置 |
KR100545222B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2006-01-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 웨이퍼 이송장치 및 이 장치를 이용한 리소그라피 공정진행 방법 |
JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN104538286A (zh) * | 2015-01-05 | 2015-04-22 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 降低以及调节薄膜表面能的方法 |
CN106653654A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-05-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法 |
CN112592775A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-04-02 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种控挡片清洗液及清洗方法 |
CN112698553A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-04-23 | 陕西彩虹新材料有限公司 | 一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法 |
-
2021
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003023052A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの評価方法 |
KR100545222B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2006-01-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 웨이퍼 이송장치 및 이 장치를 이용한 리소그라피 공정진행 방법 |
JP2005214980A (ja) * | 2005-01-31 | 2005-08-11 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置 |
JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN104538286A (zh) * | 2015-01-05 | 2015-04-22 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 降低以及调节薄膜表面能的方法 |
CN106653654A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-05-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法 |
CN112592775A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-04-02 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种控挡片清洗液及清洗方法 |
CN112698553A (zh) * | 2021-01-14 | 2021-04-23 | 陕西彩虹新材料有限公司 | 一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法 |
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