CN113782411A - 载置台、基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供载置台、基板处理装置以及基板处理方法。在包括载置基板的载置面的载置台中，使该载置面的平坦度提高。一种载置台，其用于载置基板，其中，该载置台具有：静电卡盘，其具有载置基板的载置面；支承构件，其支承所述静电卡盘；以及吸收构件，其配置于所述静电卡盘与所述支承构件之间，该吸收构件的外缘部借助紧固件与所述支承构件紧固，在所述静电卡盘与所述吸收构件之间形成有：连接区域，其位于所述静电卡盘的中央部，通过所述静电卡盘与所述吸收构件相互连接而成；以及分离区域，其位于比所述连接区域靠外缘侧的位置，通过所述静电卡盘与所述吸收构件相互分离而成。

Description

载置台、基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本公开涉及载置台、基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在专利文献1中公开有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：载置台，其用于载置基板；圆环状构件，其以环绕载置于载置台的基板的周围的方式配置；以及电压供给装置，其向载置台供给高频电力，该等离子体处理装置在收容室内对基板实施等离子体处理。另外，专利文献1中记载的等离子体处理装置还包括：观测装置，其对等离子体的分布进行光学观测；电压施加装置，其向圆环状构件施加直流电压；以及控制装置，其基于观测到的等离子体的分布来设定所施加的直流电压的值。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008－227063号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开在包括载置基板的载置面的载置台中使该载置面的平坦度提高。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案为一种载置台，其用于载置基板，其中，该载置台具有：静电卡盘，其具有载置基板的载置面；支承构件，其支承所述静电卡盘；以及吸收构件，其配置于所述静电卡盘与所述支承构件之间，该吸收构件的外缘部借助紧固件与所述支承构件紧固，在所述静电卡盘与所述吸收构件之间形成有：连接区域，其位于所述静电卡盘的中央部，通过所述静电卡盘与所述吸收构件相互连接而成；以及分离区域，其位于比所述连接区域靠外缘侧的位置，通过所述静电卡盘与所述吸收构件相互分离而成。
发明的效果
根据本公开，能够在包括载置基板的载置面的载置台中使该载置面的平坦度提高。
附图说明
图1是表示在以往的载置台产生了凸起变形的情况下的情形的说明图。
图2是示意性表示本实施方式所涉及的等离子体处理系统的结构的概略的纵剖视图。
图3是示意性表示本实施方式所涉及的载置台的结构的概略的纵剖视图。
图4是表示在本实施方式所涉及的载置台产生了凸起变形的情况下的情形的说明图。
图5是示意性表示本实施方式所涉及的载置台的变形例的纵剖视图。
图6是示意性表示本实施方式所涉及的载置台的变形例的纵剖视图。
图7是示意性表示本实施方式所涉及的载置台的变形例的纵剖视图。
具体实施方式
在半导体器件的制造工序中，在等离子体处理装置中，通过激发处理气体从而生成等离子体，利用该等离子体对载置于载置台的半导体基板(以下称作“基板”)进行处理。在载置基板的载置台设有静电卡盘，该静电卡盘利用例如库仑力等将基板吸附保持于载置面。
然而，在如专利文献1所记载的现行的设于载置台的静电卡盘构造中，如图1所示，例如在由螺纹紧固产生的应力σ1、O－ring(O形密封圈)的上推力σ2、由大气空间与处理空间之间的压力差所作用的大气压σ3等的影响下，可能导致静电卡盘300的载置面变形为凸起形状。该载置面的凸起变形由于部件间公差偏差、热膨胀等的影响而难以控制为恒定，该结果，可能难以使载置面和基板W在整个面均匀地接触。而且，在这样无法使载置面与基板W在整个面均匀地接触的情况下，可能导致等离子体处理中的基板温度的面内均匀性的劣化、传热气体G(背面气体)的泄漏量增加等，即可能无法适当地实施等离子体处理。
以往，作为该问题点的改善方法，提案有预先将静电卡盘的载置面磨削而加工成凹陷形状的方法、通过增加吸附电压从而提高基板的相对于载置面的吸附追随性的方法等。然而，在这些以往的方法中，残留有静电卡盘的RF施加时的耐电压余量下降、由部件间公差、螺纹紧固扭矩的偏差导致载置面的平坦度变化这样的课题。即，具有以往的静电卡盘构造的载置台存在改善的余地。
本公开所涉及的技术即是鉴于上述情况而做成的，在包括载置基板的载置面的载置台中，适当地抑制该载置面的平坦度的劣化。以下，参照附图，说明包括一实施方式所涉及的载置台的作为基板处理装置的等离子体处理系统。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素，标注相同的附图标记，从而省略重复的说明。
＜等离子体处理系统＞
首先，说明本实施方式所涉及的作为基板处理装置的等离子体处理系统。图2是表示等离子体处理系统1的结构的概略的纵剖视图。等离子体处理系统1具有电容耦合型的等离子体处理装置，对作为处理对象的基板W进行例如蚀刻、成膜、扩散等等离子体处理。
在一实施方式中，等离子体处理系统1包含等离子体处理装置1a和控制部1b。等离子体处理装置1a包含等离子体处理腔室10、气体供给部20、RF(Radio Frequency：射频)电力供给部30以及排气系统40。另外，等离子体处理装置1a包含本实施方式所涉及的载置台11和上部电极喷头12。载置台11配置于等离子体处理腔室10内的等离子体处理空间10s的下部区域。上部电极喷头12配置于载置台11的上方，能够作为等离子体处理腔室10的顶部(ceiling：顶板)的一部分发挥功能。
载置台11具有：静电卡盘111，其具有载置基板W的载置面；吸收板112，其吸收在载置台11产生的凸起变形；以及支承板113，其隔着该吸收板112支承静电卡盘111。载置台11借助载置基台114固定于等离子体处理腔室10的地面。此外，后述说明载置台11的详细的结构。
另外，在静电卡盘111的载置基板W的载置面的周围设有以俯视时包围该载置面的方式形成为圆环状的边缘环13(也被称作“聚焦环”。)。设置边缘环13用以提高等离子体处理的均匀性。此外，边缘环13由根据应执行的等离子体处理而适当选择的材料构成，例如能够由硅或石英构成。
上部电极喷头12构成为将来自气体供给部20的一种或一种以上的处理气体向等离子体处理空间10s供给。在一实施方式中，上部电极喷头12具有气体入口12a、气体扩散室12b以及多个气体出口12c。气体入口12a与气体供给部20以及气体扩散室12b流体连通。多个气体出口12c与气体扩散室12b以及等离子体处理空间10s流体连通。在一实施方式中，上部电极喷头12构成为将一种或一种以上的处理气体自气体入口12a经由气体扩散室12b和多个气体出口12c向等离子体处理空间10s供给。
气体供给部20也可以包含一个或一个以上的气体源21和一个或一个以上的流量控制器22。在一实施方式中，气体供给部20构成为将一种或一种以上的处理气体自分别对应的气体源21经由分别对应的流量控制器22向气体入口12a供给。各流量控制器22例如也可以包含质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。而且，气体供给部20还可以包含对一种或一种以上的处理气体的流量进行调制或使其脉冲化的一个或一个以上的流量调制器件。
RF电力供给部30构成为向作为下部电极发挥作用的支承板113、上部电极喷头12、或者支承板113和上部电极喷头12这两者这样一个或一个以上的电极供给RF电力，例如一个或一个以上的RF信号。由此，由供给到等离子体处理空间10s的一种或一种以上的处理气体生成等离子体。因而，RF电力供给部30能够作为等离子体生成部的至少局部发挥功能，该等离子体生成部构成为在等离子体处理腔室10中由一种或一种以上的处理气体生成等离子体。在一实施方式中，RF电力供给部30包含两个RF生成部31a、31b和两个匹配电路32a、32b。在一实施方式中，RF电力供给部30构成为自第1RF生成部31a经由第1匹配电路32a向支承板113供给第1RF信号。例如，第1RF信号也可以具有27MHz～100MHz的范围内的频率。
另外，在一实施方式中，RF电力供给部30构成为自第2RF生成部31b经由第2匹配电路32b向支承板113供给第2RF信号。例如，第2RF信号也可以具有400kHz～13.56MHz的范围内的频率。相代替地，也可以代替第2RF生成部31b而使用DC(Direct Current：直流)脉冲生成部。
而且，虽省略图示，但在本公开中考虑有其他的实施方式。例如，在替代实施方式中，RF电力供给部30也可以构成为自RF生成部向支承板113供给第1RF信号，自另一RF生成部向支承板113供给第2RF信号，自又一RF生成部向支承板113供给第3RF信号。此外，在其他的替代实施方式中，也可以对上部电极喷头12施加DC电压。
此外，在各种实施方式中，也可以对一个或一个以上的RF信号(即第1RF信号、第2RF信号等)的振幅进行脉冲化或调制。振幅调制也可以包含在接通状态与断开状态之间、或者在两个或两个以上的不同的接通状态之间使RF信号振幅脉冲化的情况。
排气系统40例如能够与设于等离子体处理腔室10的底部的排气口10e连接。排气系统40也可以包含压力阀和真空泵。真空泵也可以包含涡轮分子泵、粗抽泵或它们的组合。
在一实施方式中，控制部1b对使等离子体处理装置1a执行本公开中说明的各种工序的计算机可执行的命令进行处理。控制部1b能够构成为控制等离子体处理装置1a的各要素以执行在此说明的各种工序。在一实施方式中，控制部1b的局部或整体也可以包含在等离子体处理装置1a中。控制部1b例如也可以包括计算机51。计算机51例如也可以包括处理部(CPU：Central Processing Unit，中央处理单元)511、存储部512以及通信接口513。处理部511能够构成为基于存储于存储部512的程序进行各种控制动作。存储部512也可以包括RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态驱动器)或它们的组合。通信接口513也可以借助LAN(Local Area Network：局域网)等通信线路与等离子体处理装置1a之间进行通信。
＜载置台＞
接着，说明上述的载置台11的详细的结构。图3是示意性地表示载置台11的结构的概略的纵剖视图。
如图3所示，本实施方式所涉及的载置台11具有静电卡盘111、吸收板112、支承板113从上方起依次呈同心状层叠而成的结构。
静电卡盘111具有：载置部111a，其在上表面具有用于静电吸附并载置基板W的载置面；以及基体部111b，其自下方支承载置部111a。载置部111a例如由陶瓷等构成。另外，基体部111b例如由铝等构成。另外，载置部111a和基体部111b分别形成为例如与基板W的直径大致相同、或小于基板W的直径的大致圆板形状。
在载置部111a的内部设有电极115a。在电极115a例如借助开关连接有直流电源(未图示)。于是，在载置部111a，能够利用通过向电极115a施加来自直流电源的直流电压而产生的库仑力将基板W吸附保持于载置面。
另外，在电极115a的下方设有作为加热元件的加热器115b。在加热器115b连接有加热器电源(未图示)，利用该加热器电源施加电压，从而将载置台11和载置于载置台11的基板W加热至期望的温度。另外，在本实施方式中，在载置台11的中央区域R1和包围该中央区域R1的同心状的多个环状区域R2、R3、R4分别延伸设置有共计4个加热器115b，该4个加热器115b构成为能够分别独立地控制各区域R1～R4的温度。
此外，利用多个加热器115b独立地加热的区域的个数、形状并不限定于本实施方式，而能够任意地设定。
在基体部111b的内部且是加热器115b的下方形成有制冷剂流路115c。在制冷剂流路115c连接有冷却单元(未图示)，使自该冷却单元供给的制冷剂(例如冷却水)在内部循环，从而将载置台11和载置于载置台11的基板W冷却至期望的温度。
另外，在载置台11形成有用于向载置于载置面的基板W的背面供给氦气等传热气体(背面气体)的气体流路115d。在气体流路115d连接有气体供给源(未图示)。利用来自该气体供给源的传热气体，能够将载置于载置台11的基板W控制在期望的温度。此外，在图3的例子中，仅图示了气体流路115d的局部、即基体部111b中的气体流路115d。
作为吸收构件的吸收板112具有大致圆板形状，该大致圆板形状具有大于静电卡盘111的直径的直径。吸收板112例如由铝等构成。此外，在以下的说明中，有时将吸收板112的俯视时自静电卡盘111暴露的环状区域、即吸收板112的直径大于静电卡盘111的直径的部分的区域称作吸收板112的外缘部。
在静电卡盘111与吸收板112之间的界面形成有连接区域Ac和分离区域Ae，该连接区域Ac位于中央部，通过静电卡盘111与吸收板112相互连接而成，该分离区域Ae位于比该连接区域Ac靠外缘侧的位置，通过静电卡盘111与吸收板112相互分离而成。
例如，使螺栓、螺纹件等紧固件116a自吸收板112侧朝向静电卡盘111侧螺纹结合于通过静电卡盘111的基体部111b的下表面中央部突出而形成的凸部，从而形成连接区域Ac。即，静电卡盘111和吸收板112在该连接区域Ac相互接触并紧固。
在此，形成于静电卡盘111与吸收板112之间的界面的连接区域Ac的大小优选为例如静电卡盘111的大小的20％～50％。换言之，在像本实施方式那样静电卡盘111和吸收板112构成为大致圆板形状的情况下，形成于静电卡盘111的下表面的凸部的半径r1(静电卡盘111与吸收板112之间的接触面半径)优选为静电卡盘111的半径r2的20％～50％。当半径r1小于半径r2的20％时，连接区域Ac过小，因此可能会在静电卡盘111的自重的作用下，静电卡盘111的外周部向下方挠曲，导致载置面成为凸起形状。另外，当半径r1超过半径r2的50％时，连接区域Ac过大，因此可能导致吸收板112无法发挥后述的功能。更具体而言，如本实施方式所示，在吸收板112由铝圆板构成的情况下，期望连接区域Ac的半径为静电卡盘111的半径的1/3的大小。只要连接区域Ac在这样的范围内，就能够抑制由静电卡盘111的自重导致的变形，并且吸收板112能够充分地发挥其功能。
此外，在本实施方式中，如上所述，在静电卡盘111的下表面形成有凸部，在该凸部螺纹结合紧固件116a，从而形成了连接区域Ac，但连接区域Ac的形成方法并不限定于此。例如，在上述例子中，在静电卡盘111的下表面形成有凸部，但也可以在吸收板112的上表面形成凸部。另外，例如，在上述例子中，像这样在静电卡盘111或吸收板112形成有凸部，但也可以将连接区域形成用的板设于界面来代替形成凸部。此外，例如，在上述例子中，使用紧固件116a紧固了静电卡盘111和吸收板112，但也可以利用粘接剂等将静电卡盘111和吸收板112相互固定。
在形成连接区域Ac的凸部的外缘侧，静电卡盘111和吸收板112相互分离，从而形成了分离区域Ae。换言之，通过将形成连接区域Ac的凸部设于静电卡盘111与吸收板112之间的界面，从而在该凸部的外缘侧，静电卡盘111与吸收板112不接触而形成有间隙，由此形成分离区域Ae。
在分离区域Ae，像这样在静电卡盘111与吸收板112之间的界面形成有间隙，从而将静电卡盘111与吸收板112断开。由此，例如即使在吸收板112、后述的支承板113产生了凸起变形的情况下，也能够抑制该凸起变形产生于静电卡盘111。即，产生于载置台11的凸起变形被吸收板112吸收。
此外，还可以在形成分离区域Ae的间隙填充作为填充材料的弹性体117(例如硅、橡胶等)。
另外，吸收板112的外缘部的上表面形成为用于载置边缘环13的边缘环载置部112e。边缘环13以与静电卡盘111同轴的方式隔着间隔构件S载置于边缘环载置部112e上。
作为支承构件的支承板113具有大致圆板形状，该大致圆板形状具有与吸收板112大致相同的直径。支承板113例如由铝、陶瓷等构成，具有作为等离子体处理系统1中的下部电极的功能。通过在吸收板112的外缘部使螺栓、螺纹件等紧固件116b自吸收板112侧朝向支承板113侧螺纹结合，从而吸收板112和支承板113相互连接。
另外，自吸收板112侧朝向支承板113侧螺纹结合的紧固件116b贯穿支承板113，并与配置于该支承板113的下方的大致圆筒形状的载置基台114螺纹结合。由此，支承板113(载置台11)借助载置基台114固定于等离子体处理腔室10的地面。
此外，紧固有载置台11的载置基台114的内部、即载置台11的下部被设定为常压气氛。于是，优选在载置台11的内部、例如吸收板112与支承板113之间的界面，如图3所示地配置用于确保支承板113的下方的常压气氛与等离子体处理空间10s之间的气密的O形密封圈118等。
以上，对各种例示性的实施方式进行了说明，但并不限定于上述的例示性的实施方式，还可以进行各种各样的追加、省略、置换以及变更。另外，能够通过组合不同的实施方式中的要素来形成其他的实施方式。
＜本实施方式所涉及的载置台的作用效果＞
根据本实施方式所涉及的载置台11，在静电卡盘111与吸收板112之间的界面形成有分离区域Ae，该静电卡盘111与该吸收板112被断开。由此，即使在例如图1所示的由紧固件116b的紧固产生的应力、O形密封圈118的上推力、或来自载置台11的下部的常压气氛的大气压等的作用下，在载置台11产生了凸起变形的情况下，该凸起变形也会被吸收板112吸收。具体而言，如图4所示，即使在吸收板112和支承板113产生了凸起变形的情况下，也能够抑制利用分离区域Ae与吸收板112断开了的静电卡盘111产生凸起变形，该结果，能够利用静电卡盘111的整个载置面均匀地吸附保持基板W。
而且，由于能够如此利用静电卡盘111的整个面均匀地吸附保持基板W，因而能够提高等离子体处理中的基板W的面内温度的均匀性，并且能够降低向基板W的背面供给的传热气体(背面气体)的泄漏量。即，能够对基板W适当地实施等离子体处理。
另外，根据本实施方式，利用设于静电卡盘111与支承板113之间的吸收板112，还能够吸收载置台11的部件间公差。因此，能够抑制等离子体处理中的载置台11的因个体差异引起的温度的偏差，能够更适当地对基板W进行等离子体处理。
而且，根据本实施方式，由于像这样吸收板112吸收在载置台11产生的凸起变形，因而不需要像以往那样预先对静电卡盘111的载置面实施凹陷加工。如此，不施加凹陷加工就能够使基板W与静电卡盘111的载置面均匀地接触，因而能够适当地抑制静电卡盘111的RF施加时的耐电压余量的下降。
此外，根据本实施方式，不需要像以往那样通过增加吸附电压来提高基板W的相对于载置面的吸附追随性。因此，能够抑制由基板W与静电卡盘111的载置面之间的摩擦引起的微粒的产生，从而更适当地进行基板W的等离子体处理。
此外，在以上的实施方式中，如图3所示，在分离区域Ae填充硅、橡胶等弹性体，将静电卡盘111与吸收板112之间断开，并且抑制载置台11中的异常放电的产生。然而，填充于分离区域Ae的填充材料并不限定于弹性体，如图5所示，还可以在分离区域Ae连接能够供给非活性气体的气体供给源215，并利用该非活性气体作为填充材料。如此，在利用非活性气体作为填充材料的情况下，也能够实现静电卡盘111与吸收板112之间的断开和对载置台11中的异常放电的产生的抑制。
另外，如此，在向分离区域Ae供给非活性气体作为填充材料的情况下，如图6所示，也可以设置将分离区域Ae分割成多个分区Z(图示的例子为沿径向的3个分区Z1～Z3)的分区构件215a，并构成为能够向每个该分区Z独立地供给非活性气体。该情况下，期望还设有用于分别独立地控制该分区Z的压力的调压单元215b。作为分区构件215a，能够使用能够在各分区Z彼此之间确保气密的构件，例如O形密封圈、X形密封圈，但更优选选择相对于静电卡盘111、吸收板112的反作用力较小的构件，例如X形密封圈等。
如此，将分离区域Ae分割成多个分区Z，并构成为能够向每个该分区Z供给非活性气体，从而能够针对每个分区Z控制静电卡盘111的载置面的表面轮廓。换言之，例如，在载置台11和载置于该载置台11的基板W的平坦度因各种各样的条件而劣化了的情况下，也能够通过针对每个分区Z控制非活性气体的供给压力，从而调节载置面和载置着的基板W的平坦度。于是，由此，能够容易地使基板W与静电卡盘111的载置面均匀地接触，更适当地对基板W进行等离子体处理。
此外，每个该分区Z的非活性气体的供给量的控制例如能够基于在等离子体处理中利用位移计等检测到的载置台11的载置面或载置着的基板W的平坦度的变化量来进行控制。然而，该非活性气体的供给量的控制方法并不限定于此，能够利用任意的方法来进行控制。具体而言，例如也可以测量载置于载置台11上的基板W的面内温度分布，并基于该温度分布来控制非活性气体的供给量(载置面的表面轮廓)。另外，例如，也可以检测向载置于载置台11上的基板W的背面供给的传热气体(背面气体)的泄漏量，并基于该泄漏量的分布来控制非活性气体的供给量(载置面的表面轮廓)。
另外，利用分区构件215a形成的分区Z的个数、形状能够任意设定，通过适当地设定该分区Z的个数、形状，能够更适当地改善载置面的表面轮廓(平坦度)。此时，通过将分区Z的个数、形状设为与利用加热器115b独立地进行温度控制的区域(本实施方式中的环状区域R2～R4)相同的数量、相同的形状，能够针对每个分区Z(每个区域R)调整温度和平坦度，能够更适当地对基板W进行等离子体处理。
此外，在上述实施方式中，在形成于吸收板112的外缘部的边缘环载置部112e隔着间隔构件S设置有边缘环13，但边缘环载置部112e的形成位置并不限定于本实施方式。例如，如图7所示，还可以将静电卡盘111的基体部111b的半径形成得大于载置部111a的半径，将该基体部111b的外缘部构成为边缘环载置部111e。
应该认为，此次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离附加的权利要求书及其主旨的范围内，以各种各样的形态进行省略、置换、变更。
例如，以上的实施方式的等离子体处理系统具有电容耦合型的等离子体处理装置，但本公开所适用的等离子体处理系统并不限定于此。例如，等离子体处理系统也可以具有电感耦合型的等离子体处理装置。无论等离子体处理系统具有哪种系统结构，只要使用本实施方式的载置台，就能够享受上述的效果。
另外，例如，在以上的实施方式中，将本公开的技术所涉及的载置台设于等离子体处理装置的内部，但设置该载置台的基板处理装置的种类也并不限定于此。例如，本公开的技术所涉及的载置台能够适当地应用于在该载置台、载置着的基板可能会产生凸起变形的任意的基板处理装置，例如真空处理装置、磨削加工装置等。

Claims (13)

1.一种载置台，其用于载置基板，其中，
该载置台具有：
静电卡盘，其具有载置基板的载置面；
支承构件，其支承所述静电卡盘；以及
吸收构件，其配置于所述静电卡盘与所述支承构件之间，该吸收构件的外缘部借助紧固件与所述支承构件紧固，
在所述静电卡盘与所述吸收构件之间形成有：
连接区域，其位于所述静电卡盘的中央部，通过所述静电卡盘与所述吸收构件相互连接而成；以及
分离区域，其位于比所述连接区域靠外缘侧的位置，通过所述静电卡盘与所述吸收构件相互分离而成。
2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
所述静电卡盘和所述吸收构件具有圆筒形状，
所述连接区域形成为俯视时与所述静电卡盘同心的圆形状，
形成该连接区域的圆形状的半径为所述静电卡盘的半径的20％～50％的大小。
3.根据权利要求2所述的载置台，其中，
所述吸收构件由铝形成，
形成所述连接区域的圆形状的半径为所述静电卡盘的半径的1/3的大小。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，
在所述分离区域填充有弹性体。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，
该载置台具有非活性气体供给部，该非活性气体供给部向所述分离区域供给非活性气体。
6.根据权利要求5所述的载置台，其中，
在所述分离区域设有分区构件，该分区构件将该分离区域分割成多个分区，
所述非活性气体供给部构成为能够分别独立地向多个所述分区供给非活性气体。
7.根据权利要求6所述的载置台，其中，
所述非活性气体供给部包括调压单元，该调压单元能够分别独立地对向多个所述分区供给的非活性气体的供给压力进行调压。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的载置台，其中，
该载置台具有在载置于所述载置面的基板的周围配置的边缘环的载置部。
9.一种基板处理装置，其用于处理基板，其中，
该基板处理装置包括：
处理腔室，在该处理腔室的内部处理所述基板；以及
载置台，其为权利要求1～8中任一项所述的载置台，配置于所述处理腔室的内部。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括传热气体供给单元，该传热气体供给单元向所述载置台的载置面与载置于该载置台的基板之间的间隙供给传热气体。
11.一种基板处理方法，其为基板处理装置中的基板的处理方法，其中，
所述基板处理装置具有：
处理腔室，在该处理腔室的内部处理所述基板；以及
载置台，其配置于所述处理腔室的内部，用于载置所述基板，
所述载置台包括：
静电卡盘，其具有载置基板的载置面；
支承构件，其支承所述静电卡盘；
吸收构件，其位于所述静电卡盘与所述支承构件之间，该吸收构件的中央部与所述静电卡盘相互连接，该吸收构件的外缘部借助紧固件与所述支承构件紧固；
弹性体，其位于所述静电卡盘与吸收构件之间的连接部的外缘侧，将通过所述静电卡盘与所述吸收构件相互分离而形成的分离区域分割成多个分区；
非活性气体供给部，其能够向多个所述分区独立地供给非活性气体；以及
调压单元，其能够分别独立地对向多个所述分区供给的非活性气体的供给压力进行调压，
所述基板的处理方法根据载置于所述载置面的基板表面的平坦度的变化，分别对多个所述分区调节非活性气体的供给压力，使所述载置面的平坦度变化。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，
基于载置于所述载置面的基板的表面温度分布，分别对多个所述分区调节非活性气体的供给压力。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置包括传热气体供给单元，该传热气体供给单元向所述载置台的载置面与载置于该载置台的基板之间的间隙供给传热气体，
基于来自所述间隙的所述传热气体的泄漏量，分别对多个所述分区调节非活性气体的供给压力。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024100752A1 (ja) * 2022-11-08 2024-05-16 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
WO2024190541A1 (ja) * 2023-03-14 2024-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板支持アセンブリ及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5978202A (en) * 1997-06-27 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a thermal transfer regulator pad
JP4833890B2 (ja) 2007-03-12 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ分布補正方法
JP5331580B2 (ja) * 2008-07-02 2013-10-30 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びそれに用いる部品
EP2321846A4 (en) * 2008-08-12 2012-03-14 Applied Materials Inc ELECTROSTATIC FODDER ASSEMBLY
JP5207996B2 (ja) 2009-01-20 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置
JP5434636B2 (ja) 2010-01-29 2014-03-05 住友電気工業株式会社 静電チャックを備えた基板保持体
JP6080571B2 (ja) * 2013-01-31 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US9623503B2 (en) 2013-10-31 2017-04-18 Semes Co., Ltd. Support unit and substrate treating device including the same
JP6532806B2 (ja) 2015-11-13 2019-06-19 日本特殊陶業株式会社 基板支持装置
JP6449802B2 (ja) 2016-03-16 2019-01-09 日本特殊陶業株式会社 半導体製造用部品
JP6626753B2 (ja) * 2016-03-22 2019-12-25 東京エレクトロン株式会社 被加工物の処理装置
CN116581081A (zh) * 2017-09-29 2023-08-11 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
JP7090465B2 (ja) * 2018-05-10 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置

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