CN113780035A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示面板，其中，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的多个感光元件，至少部分所述感光元件配置有对应的调光结构；所述调光结构，位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧，配置为调整经过纹路反射且入射至所述调光结构的入射光的传播方向，并将形成的出射光输出至所述调光结构对应的感光元件，所述出射光的传播方向与所述衬底基板所处平面之间的夹角大于所述入射光的传播方向与所述衬底基板所处平面之间的夹角；所述感光元件，配置为根据接收到的光线生成相应的电信号，以识别纹路图像。本公开还提供了一种显示面板的制备方法和显示装置。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示领域，特别涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
为减小产品厚度，部分厂商提出了将光学指纹识别传感器(感光元件，例 如PIN光电二极管)以内嵌(In-Cell)方式集成于显示面板内部的技术方案； 具体地，在显示面板内分别制备用于画面显示的显示元件(例如，有机发光二 极管)和用于进行指纹识别的感光元件，感光元件接收指纹谷部位置或脊部位 置反射出的光线，并生成相应的电信号；由于谷部位置和脊部位置的反射有差 异，因此生成的电信号也有差异，从而能够实现谷、脊的识别。
然而，在实际应用中发现，指纹谷部位置所反射且能够到达感光元件的光 线数量与指纹脊部位置所反射且能够到达感光元件的光线数量均较少，从而导 致对应于指纹谷部位置的感光元件与对应于指纹脊部位置的感光元件所产生的 电信号差异较小，会影响到最后的识别精准度。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示面 板和显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示面板，其中，包括：衬底基板和 位于所述衬底基板上的多个感光元件，至少部分所述感光元件配置有对应的调 光结构；
所述调光结构，位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧，配置为调整 经过纹路反射且入射至所述调光结构的入射光的传播方向，并将形成的出射光 输出至所述调光结构对应的感光元件，所述出射光的传播方向与所述衬底基板 所处平面之间的夹角大于所述入射光的传播方向与所述衬底基板所处平面之间 的夹角；
所述感光元件，配置为根据接收到的光线生成相应的电信号，以识别纹路 图像。
在一些实施例中，所述调光结构具有入光面和出光面，所述入光面位于所 述调光结构背向所述衬底基板的一侧，所述出光面位于所述调光结构朝向衬底 基板的一侧；
在所述显示面板内，与所述调光结构的入光面相接触的膜层的折射率小于 所述调光结构的折射率，与所述调光结构的出光面相接触的膜层的折射率大于 所述调光结构的折射率。
在一些实施例中，所述调光结构的形状为三棱柱形，且呈三棱柱形的所述 调光结构在与所述衬底基板所处平面垂直的截面上截面形状为三角形；
或者，所述调光结构的形状为平凸透镜形，且呈平凸透镜形的所述调光结 构中的平面表面朝向所述衬底基板。
在一些实施例中，所述感光元件在所述衬底基板上的正投影，位于对应的 所述感光元件在所述衬底基板上的正投影所限定的区域内。
在一些实施例中，其中，所述显示面板还包括：
封装层，位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧；
保护层，位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧；
所述调光结构位于所述保护层和所述封装层之间。
在一些实施例中，其中，所述感光元件包括：第一电极、位于所述第一电 极远离所述衬底基板一侧的感光图形和位于所述感光图形远离所述衬底基板一 侧的第二电极；
所述显示面板还包括：
覆盖层，位于所述感光元件远离所述衬底基板一侧；
信号传输走线，位于所述覆盖层远离所述衬底基板一侧，且与所述感光元 件中的第二电极过孔连接。
在一些实施例中，所述信号传输走线包括：位于所述感光元件所处区域内 的第一部分和位于所述感光元件所处区域外的第二部分；
所述第一部分，与所述第二电极过孔连接，包括：第一透明导电图形；
所述第二部分，包括：沿远离所述衬底基板方向层叠设置的第二透明导电 图形、第一金属导电图形和第三透明导电图形，所述第二透明导电图形与所述 第一透明导电图形同层设置且连接。
在一些实施例中，所述的显示面板还包括：像素界定层和多个显示元件；
所述像素界定层，位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧，具有多个 像素容纳孔，多个所述像素容纳孔与多个所述显示元件一一对应；
所述显示元件，位于对应的像素容纳孔内，所述显示元件在所述衬底基板 上的正投影与所述感光元件在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：
薄膜晶体管阵列，位于所述感光元件朝向所述衬底基板的一侧，包括：多 个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管对应1个所述感光元件或1个所述显示元 件，所述薄膜晶体管与对应的所述感光元件或所述显示元件电连接。
在一些实施例中，所述像素界定层的材料包括色阻材料，所述色阻材料的 透光波长包括380nm-600nm，吸收波长大于600nm。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：
平坦化层，位于所述感光元件和所述像素界定层之间。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，其中，包括：如上述第 一方面提供的所述显示面板。
附图说明
图1为相关技术中涉及的显示面板进行指纹识别的原理示意图；
图2为本公开实施例提供的一种显示面板的部分区域的截面示意图；
图3为本公开实施例中利用感光元件进行指纹识别的光路示意图；
图4a为本公开实施例中调光结构的一种结构示意图；
图4b为图4a中A-A’向的截面示意图；
图5a为本公开实施例中调光结构的一种结构示意图；
图5b为图5a中A-A’向的截面示意图；
图6为本公开实施例中显示元件与感光元件的排布示意图；
图7为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图8为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图9A～图9N采用图8所示制备方法制备显示面板的中间产品的截面示意 图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本 公开提供的一种显示面板及其制备方法和显示装置进行详细描述。
图1为相关技术中涉及的显示面板进行指纹识别的原理示意图，如图1所 示，显示面板内存在点光源，点光源发出的各方向的光线独立传播互不干扰， 点光源发出的光线会到达盖板1。当指纹按压盖板1时，指纹脊部与盖板1表面 接触，指纹谷部与盖板1之间为空气。
当光线照射至盖板1上与指纹脊部相接触的位置时，由于手指与盖板1之 间的折射率差异较小，因此到达该位置的大部分光线会在指纹脊部与盖板1之 间的界面发生透射，少部分光线会发生反射。当光线照射至盖板1上正对指纹 谷部的位置时，由于指纹谷部与盖板1之间为空气，空气与盖板1之间的折射 率差异较大(空气为光疏截止，盖板1为光密截止)，因此到达该位置的大部分 光线会在空气与盖板1之间的界面发生反射，少部分光线会发生透射。即，盖 板1上与指纹谷部相对应位置处的反射光数量会大于盖板1上与指纹脊部相对 应位置处的反射光数量。
反射光会射向对应位置处的感光元件2，感光元件2根据接收到的光线产生 相应电信号。具体地，对应于指纹谷部的感光元件2所产生电信号的电流大于 对应于指纹脊部的感光元件2所产生电信号的电流。
然而，在实际应用中发现，从盖板1表面射出的反射光线在射向感光元件2 的过程中，大部分反射光线会在感光元件2与盖板1之间的膜层分界面发生反 射，最终能够透射至反光元件处的光线数量较少，从而导致对应于指纹谷部位 置的感光元件2与对应于指纹脊部位置的感光元件2所产生的电信号差异较小， 不利于指纹谷脊的识别。
为解决该技术问题，本公开实施例提供了相应的解决方案，下面将结合附 图进行详细描述。
图2为本公开实施例提供的一种显示面板的部分区域的截面示意图，如图2 所示，该显示面板包括：衬底基板3和位于衬底基板3上的多个感光元件2，至 少部分感光元件2配置有对应的调光结构4。其中，调光结构4位于感光元件2 远离衬底基板3的一侧，配置为调整经纹路反射且入射至调光结构4的入射光 传播方向，并将形成的出射光输出至调光结构4对应的感光元件2，出射光的传 播方向与衬底基板3所处平面之间的夹角大于入射光的传播方向与衬底基板3 所处平面之间的夹角；感光元件2配置为根据接收到的光线生成相应的电信号。
需要说明的是，本公开实施例中的“纹路”包括但不限于指纹纹路、掌纹 纹路。
另外，在实际应用中，在同一时刻经纹路反射且入射到调光结构4的所有 入射光的传播方向不完全相同(由所有入射光所构成的整体光束的传播方向呈 四散)；本公开实施例中“出射光的传播方向与衬底基板3所处平面之间的夹角 大于入射光的传播方向与衬底基板3所处平面之间的夹角”，具体是指，针对传 播方向确定的任一入射光，调光结构可对该入射光的传播方向进行调整，并使 得对该入射光进行调整后所形的出射光的传播方向与衬底基板3所处平面之间 的夹角更大。对于入射到调光结构4的整体光束而言，出光整体光束的扩散角 度小于入光整体光束的扩散角度。
在一些实施例中，显示面板还包括用于进行画面显示的多个显示元件10， 显示元件10在衬底基板3上的正投影与感光元件2在衬底基板3上的正投影不 存在交叠。
在一些实施例中，显示面板内的最外侧设置有盖板1，用于实现对显示面板 的整体封装和保护。
在本公开实施例中，以显示元件10为有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，简称OLED)，感光元件2为PIN光电二极管为例进行示 例描述。另外，附图1中仅示例性画出了1个显示元件10、1个感光元件2和1 个调光结构4，其不会对本公开的技术方案产生限制。
图3为本公开实施例中利用感光元件进行指纹识别的光路示意图，如图3 所示，在本公开实施中，在进行指纹识别时，将用于进行画面显示的显示元件 10复用为点光源。当点光源所发出的光线照射至盖板1上时，部分光线会发生 透射而射出显示面板，另一部分光线会发生反射，反射光指向衬底基板3。
反射光到达调光结构4的入光面时，该反射光作为入射光射入至调光结构4 内，经过调光结构4的调光作用后，调光结构4输出出射光。其中，出射光的 传播方向与衬底基板3所处平面之间的夹角大于入射光的传播方向与衬底基板3 所处平面之间的夹角。
为方便描述，引入“基准线”的概念，其中基准线为虚拟的线，其与衬底 基板3所处平面垂直。入射光与基准线之间的夹角记为α，出射光与基准线之 间的夹角记为β，β＜α。
在本公开实施例中，通过设置调光结构4，可使得出射光在射向感光元件2 的过程中，其与各膜层分界面之间形成的入射角减小。根据菲涅尔反射原理可 知，在入射光光强一定的情况下，光线入射到折射率不同的两个媒质分界面时， 入射角越小，则反射光的光强越小，折射光的光强越大。即，在入射光数量一 定的情况下，入射角越小，在膜层分界面发生反射的光线数量越少，透过膜层 分界面的光线数量越多。因此，相较于相关技术中的技术方案，本公开实施例 提供的技术方案，可减少在射向感光元件2的过程中在膜层分界面发生反射的 光线数量，使得最终到达感光元件2的光线数量增多。相应地，对应于指纹谷部位置的感光元件2所产生的电信号与对应于指纹脊部位置的感光元件2所产 生的电信号的差异增大(电流大小由明显差异)，有利于提升指纹识别精准度。
在一些实施例中，调光结构4具有入光面和出光面，入光面位于调光结构4 背向衬底基板3的一侧，出光面位于调光结构4朝向衬底基板3的一侧；在显 示面板内，与调光结构4的入光面相接触的膜层的折射率小于调光结构4的折 射率，与调光结构4的出光面相接触的膜层的折射率大于调光结构4的折射率。 其中，与调光结构4的入光面相接触的膜层的折射率小于调光结构4的折射率 的设计，是为了使得入射光在通过入光面射入至调光结构4内时发生折射，且 折射光与基准线之间的夹角小于入射光与基准线之间的夹角；与调光结构4的 出光面相接触的膜层的折射率大于调光结构4的折射率的设计，是为了减小在 出光面发生反射的光线数量，增加从出光面射出的出射光线数量。
需要说明的是，与调光结构4的入光面相接触的膜层的折射率小于调光结 构4的折射率，与调光结构4的出光面相接触的膜层的折射率大于调光结构4 的折射率，该设计仅为本公开实施例中的一种优选实施方案，用于尽可能提升 出射光的光强，该设计不会本公开的技术方案产生限制。
图4a为本公开实施例中调光结构的一种结构示意图，图4b为图4a中A-A’ 向的截面示意图，如图4a和图4b所示，作为一种可选实施方案，调光结构4 的形状为三棱柱形，且呈三棱柱形的调光结构4在与衬底基板3所处平面垂直 的截面上截面形状为三角形。
其中，三棱柱的至少一个侧面可作为入光面，入光面与衬底基板3所处平 面之间的夹角可根据点光源发射光的有效角度来设定。
在一些实施例中，点光源的发射光的有效角度决定了α范围为50°～70°， 此时，可设置入光面与衬底基板3所处平面的夹角i在0～50°，出射光与衬底 基板3所处平面的夹角β处于33°～45°。
图5a为本公开实施例中调光结构的一种结构示意图，图5b为图5a中A-A’ 向的截面示意图，如图5a和图5b所示，作为另一种可选实施方案，调光结构4 的形状为平凸透镜形，且呈平凸透镜形的调光结构4中的平面表面朝向衬底基 板3。
需要说明的是，本公开图4a和图5a所示的调光结构4仅起到示例性作用， 其不会对本公开的技术方案产生限制。图2中也仅示例性给出了调光结构4为 三棱柱形时的情况。
继续参见图2所示，在一些实施例中，显示面板还包括：封装层5和保护 层6；其中，封装层5位于感光元件2远离衬底基板3的一侧，保护层6位于封 装层5远离衬底基板3的一侧；调光结构4位于保护层6和封装层5之间。
在一些实施例中封装层5，其中封装层5可以为单层结构，也可以为多层层 叠结构。在实际应用中可根据实际需要来设计封装层5的膜层结构。可选地， 封装层5包括交替设置的有机封装薄膜502和无机封装薄膜501、503。
附图2中仅示例性画出了2层无机封装薄膜501、503和1层有机封装薄膜 502的情况；此时，与调光结构4的入光面相接触的膜层为保护层6，与调光结 构4的入光面相接触的膜层为无机封装薄膜503，调光结构4的折射率大于保护 层6的折射率且小于无机封装薄膜503的折射率。在一些实施例中，保护层6 的材料包括光学透明胶(Optically ClearAdhesive，也称为OC胶)，无机封 装薄膜的材料包括氮化硅(化学式SiNx)，OC胶的折射率大约为1.5，SiNx的 折射率大约为2.0，因此调光结构4可选用折射率处于1.5～2.0材料进行制备； 示例性地，调光结构4可采用折射率处于1.5～2.0的树脂材料。
继续参见图2所示，在一些实施例中，感光元件2包括：第一电极201、位 于第一电极201远离衬底基板3一侧的感光图形202和位于感光图形202远离 衬底基板3一侧的第二电极203；感光图形202包括第一半导体图形202a、第 二半导体图形202c和本征图形202b，其中第一半导体图形202a和第二半导体 图形202c中一者由P型半导体材料构成(例如，P型的非晶硅)，另一个为N型 半导体材料构成(例如，N型的非晶硅)。
显示面板还包括：覆盖层7和信号传输走线8；覆盖层7位于感光元件2远 离衬底基板3一侧，覆盖层7起到绝缘作用；信号传输走线8位于覆盖层7远 离衬底基板3一侧，且与感光元件2中的第二电极203过孔连接。
在一些实施例中，信号传输走线8包括位于感光元件2所处区域内的第一 部分801和位于感光元件2所处区域外的第二部分802；其中，第一部分801与 第二电极203过孔连接，包括：第一透明导电图形801a；第二部分802包括： 沿远离衬底基板3方向层叠设置的第二透明导电图形802a、第一金属导电图形 802b和第三透明导电图形802c，第二透明导电图形802a与第一透明导电图形 801a同层设置且连接。
在本公开实施例中，第一部分801呈透明，以使得更多的光线能够射入至 感光元件2。第二部分802为多个导电膜层层叠结构，使得第二部分802的整体 等效电阻降低，以提升信号传输质量。
在一些实施例中，显示面板还包括：像素界定层9；像素界定层9位于感光 元件2远离衬底基板3的一侧，具有多个像素容纳孔，多个像素容纳孔与多个 显示元件10一一对应；显示元件10位于对应的像素容纳孔内，显示元件10在 衬底基板3上的正投影与感光元件2在衬底基板3上的正投影不存在交叠。
图6为本公开实施例中显示元件与感光元件的排布示意图，如图6所示， 感光元件2可设置得相邻显示元件10之间的间隔区域内；感光元件2和显示元 件10在衬底基板3上的正投影不存在交叠，可保证感光元件2的设置不会对显 示元件10的正常显示造产生影响。
在一些实施例中，调光结构4在衬底基板3上的正投影，位于对应的感光 元件2在衬底基板3上的正投影所限定的区域内。进一步地，调光结构4在衬 底基板3上的正投影与对应的感光元件2在衬底基板3上的正投影所限定的区 域完全重合。
在实际应用中，调光结构4的整体尺寸越大，则调光结构4的入光面尺寸 越大，接收到的入射光越多，输出至对应感光元件2的出射光越多，有利于进 行纹路识别。然而，若调光尺寸过大，则会覆盖至显示元件10所处区域，从而 导致像素开口率下降，影响显示品质。为此，本公开实施例中将调光结构4设 置于对应的所述感光元件2所处区域内；优选地，调光结构4在衬底基板3上 的正投影与对应的感光元件2在衬底基板3上的正投影所限定的区域完全重合， 此时可在保证输出至对应感光元件2的出射光尽可能多的情况下，不会影响显 示元件10的正常显示。
在一些实施例中，像素界定层9的材料包括色阻材料，色阻材料的透光波 长包括380nm-600nm，吸收波长大于600nm。即该色阻材料允许可见光通过，但 阻止波长大于600nm的光通过。这样，可以避免环境光中波长大于600nm的光 波透过手指进入感光元件2产生噪声；换句换说，将像素界定层9设置为上述 色阻材料，可以提高感光元件2的信噪比，从而提高指纹成像的清晰度。
在一些实施例中，显示面板还包括：平坦化层11，平坦化层11位于感光元 件2和像素界定层9之间。通过设置平坦化层11，可在制备显示元件10之前提 供一个平坦化表面，从而能提升后续制备显示元件10过程中的成膜质量，有利 于提升产品的良品率。
在一些实施例中，显示面板还包括：薄膜晶体管阵列；薄膜晶体管阵列位 于感光元件2朝向衬底基板3的一侧，薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管14， 每个薄膜晶体管14对应1个感光元件2或1个显示元件10，薄膜晶体管14与 对应的感光元件2或显示元件10电连接。
在一些实施例中，在薄膜晶体管阵列远离衬底基板3的一侧设置有钝化层 17，感光元件2中的第一电极201通过钝化层17上的过孔与对应的薄膜晶体管 14(具体为薄膜晶体管14的源极15或漏极16)连接。
显示元件10包括第三电极1001、第四电极1003以及位于第三电极1001和 第四电极1003之间的有机发光层1002。显示面板还包括与第一电极201同层设 置的搭接电极12，搭接电极12通过钝化层17上的过孔与对应的薄膜晶体管14 (体为薄膜晶体管14的源极15或漏极16)的连接，第三电极1001通过平坦化 层11、覆盖层7上的过孔与搭接电极12连接，从而实现第三电极1001与对应 的薄膜晶体管14电连接。
当然，在一些实施例中，也可以不设置上述钝化层17和搭接电极12，此时 第三电极1001通过平坦化层11、覆盖层7上的过孔与对应的薄膜晶体管14连 接，第一电极201与薄膜晶体管14的源/漏极16同层设置且与源极15或漏极 16直接连接，此种情况未给出相应附图。
本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板，该显示 面板采用上述实施例提供的显示面板，具体内容可参见前面实施例中的描述， 此处不再赘述。
图7为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图，如图7所 示，该制备方法用于制备上述实施例提供的显示面板，该制备方法包括：
步骤Sa、在衬底基板上形成多个感光元件。
步骤Sb、在感光元件远离衬底基板的一侧形成调光结构。
对于感光元件和调光结构的具体描述，可参见前面实施例中相应内容，此 处不再赘述。
图8为本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图，图9A～图 9N采用图8所示制备方法制备显示面板的中间产品的截面示意图，如图8～图 9N所示，该制备方法可用于制备图2中所示的显示面板，该制备方法包括：
步骤S101、在衬底基板上形成有源层图形。
参见图9A所示，首先在衬底基板3上沉积有源材料薄膜，然后对有源材料 薄膜进行图案化(Photo)工艺，以得到有源层图形18。其中，有源材料薄膜的 材料可以包括非晶硅、金属氧化物等半导体材料。
本公开实施例中的图案化工艺一般是指包括光刻胶涂覆、曝光、显影、薄 膜刻蚀、光刻胶剥离等工艺。其中，当待图案化薄膜的材料为光刻胶材料时， 则可以仅通过曝光、显影的步骤实现对光刻胶材料薄膜的图案化。
步骤S102、在有缘层图形远离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层。
参见图9B所示，在有源层图形18远离衬底基板3的一侧沉积栅绝缘材料 薄膜19a。其中，绝栅缘材料薄膜19a可以为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或由氧化 硅薄膜与氮化硅薄膜所构成的层叠结构。
步骤S103、在栅极绝缘层远离衬底基板的一侧形成栅极。
参见图9C所示，首先在栅栅极绝缘层19a远离衬底基板3的一侧沉积栅极 材料薄膜，然后对材料薄膜进行图案化工艺，以得到栅极20图形。其中，栅极 材料薄膜的材料可以采用金属材料，例如钼、钛、铝等。
步骤S104、在栅极远离衬底基板的一侧形成层间介质层。
参见图9D所示，首先在栅极20远离衬底基板3的一侧沉积层间介质材料 薄膜，然后层间介质材料薄膜和绝缘材料薄膜一起进行图案化工艺，形成连通 至有源层图形18的过孔，从而得到栅极绝缘层19和层间介质层21的图形。其 中，层间介质材料薄膜可以为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或由氧化硅薄膜与氮化 硅薄膜所构成的层叠结构。
步骤S105、在层间介质层远离衬底基板的一侧形成源极和漏极。
参见图9E所示，首先在层间介质层21远离衬底基板3的一侧沉积源漏材 料薄膜，然后对源漏材料薄膜进行图案化，以得到源极15和漏极16的图形， 源极15和漏极16分别通过对应的过孔与有源层图形18连接。其中，源漏材料 薄膜的材料可以采用金属材料，例如钼、钛、铝等；源漏材料薄膜可以为单层 薄膜结构或多层薄膜层叠结构。
步骤S106、在源极和漏极远离衬底基板的一侧形成钝化层。
参见图9F所示，首先在源极15和漏极16远离衬底基板3的一侧沉积钝化 材料薄膜，然后对钝化材料薄膜进行图案化工艺，形成连通至源极15或漏极16 的过孔；附图中示例性画出了钝化层17上的过孔连通漏极16的情况。其中， 钝化材料薄膜可以为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或由氧化硅薄膜与氮化硅薄膜所 构成的层叠结构。
步骤S107、在钝化层远离衬底基板的一侧形成搭接电极和第一电极。
参见图9G所示，首先在钝化层17远离衬底基板3的一侧沉积第一电极材 料薄膜，然后对第一电极材料薄膜进行图案化，以得到搭接电极12和第一电极 201的图形，搭接电极12和第一电极201分别通过过孔与对应漏极16连接。其 中，第一电极材料薄膜的材料可以采用金属材料，例如钼、钛、铝等；第一电 极材料薄膜可以为单层薄膜结构或多层薄膜层叠结构。
步骤S108、在第一电极远离衬底基板的一侧形成感光图形和第二电极。
参见图9H所示，首先在第一电极远离衬底基板3的一侧依次沉积感光材料 薄膜和第二电极材料薄膜，然后对第二电极材料薄膜进行图案化，以得到第二 电极203的初始图形，接着以第二电极203的初始图形作为掩膜，对感光材料 薄膜进行图案化，以得到感光图形202，再接着对第二电极203的初始图形进行 图案化，以得到第二电极203的最终图形，感光图形202在衬底基板3上的正 投影完全覆盖第二电极203的最终图形在衬底基板3上的正投影。其中，感光 材料薄膜包括沿远离衬底基板3的方向层叠设置的N型半导体材料薄膜(例如， N型非晶硅薄膜)、本征材料薄膜(例如，非晶硅薄膜)和P型半导体材料薄膜 (例如，P型非晶硅薄膜)。第二电极薄膜包括透明导电材料薄膜(保证光线能 够射入至感光图形)，例如氧化铟锡材料薄膜。此时，感光图形202包括第一半 导体图形202a、第二半导体图形202c和本征图形202b。
在以第二电极203的初始图形作为掩膜对感光材料薄膜进行图案化时，由 于刻蚀过程中会存在一定量的横向刻蚀，从而导致第二电极203的初始图形的 尺寸是略大于感光图形202的尺寸，此时感光图形202的表面会形成不稳定的 电流，导致感光元件2所输出电信号的噪声较大，因此在完成感光图形202的 图案化后，还需要对第二电极203进行第二次图案化处理，以使得第二电极203 的尺寸减小。
步骤S109、在第二电极远离衬底基板的一侧形成覆盖层和平坦化层。
参见图9I所示，首先在第二电极远离衬底基板3的一侧沉积覆盖材料薄膜， 然后在覆盖材料薄膜一侧涂覆平坦化材料薄膜，接着对平坦化材料薄膜进行图 案化，形成连通至覆盖材料薄膜的过孔，以得到平坦化层11的图形，再接着以 平坦化层11作为掩膜对覆盖材料薄膜进行图案化，形成连通至第二电极203和 搭接电极12的过孔，以得到覆盖层7的图形。其中，平坦化材料薄膜为树脂材 料薄膜，覆盖材料薄膜可以为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或由氧化硅薄膜与氮化 硅薄膜所构成的层叠结构。
步骤S110、在平坦化层远离衬底基板的一侧形成第三电极和信号传输走线。
参见图9J所示，首先在覆盖层7远离衬底基板3的一侧依次沉积第一透明 导电材料薄膜、金属导电材料薄膜和第二透明导电材料薄膜；然后对第一透明 导电材料薄膜、金属导电材料薄膜和第二透明导电材料薄膜进行图案化工艺， 以得到第三电极1001的图形和信号传输走线8的初始图形；其中传输走线8的 初始图形包括位于感光元件2所处区域内的第一部分801和位于感光元件2所 处区域外的第二部分802，此时的第一部分801包括：沿远离衬底基板3的方向 层叠设置的第一透明导电图形801a、第二金属导电图形(未示出)和第四透明 导电图形(未示出)，第二部分802包括：沿远离衬底基板3的方向层叠设置的 第二透明导电图形802a、第一金属导电图形802b和第三透明导电图形802c； 接着，通过两次刻蚀工艺依次去除第四透明导电图形和第二金属导电图形，以 得到信号传输走线8的最终图形。
在一些实施例中，第一透明导电材料薄膜和第二透明导电材料薄膜均为氧 化铟锡材料薄膜，金属导电材料薄膜为银薄膜。
需要说明的是，信号传输走线8的第二部分802以及第三电极1001采用三 层导电薄膜层叠结构的情况仅为本公开中的一种优选实施方案，其可以使得信 号传输走线8的第二部分802和第三电极1001的整体电阻减小，有利于信号的 传输。
另外，为保证仅包含第一透明导电图形的第一部分801能够正常传输信号， 需要使得第一透明导电图形801a的具有一定的厚度，以减小第一部分801的整 体电阻，使得第一部分801能够正常传输信号(第一部分一般用于提供负偏压)。 在一些实施例中，第一透明导电图形801a的厚度大于或等于
Figure BDA0002531422950000141
步骤S111、在第三电极远离衬底基板的一侧形成像素界定层和隔离图形。
参见图9K所示，首先在第三电极远离衬底基板3的一侧形成色阻材料薄膜， 然后对色阻材料薄膜进行图案化，以形成像素容纳孔，像素容纳孔连通至第三 电极，接着在像素界定层9远离衬底基板3的一侧形成隔离材料薄膜，并对隔 离材料薄膜进行图案化，以得到隔离图形22，隔离图形22设置在相邻像素容纳 孔之间，以防止后续通过蒸镀工艺在像素容纳孔内沉积有机发光层出现混色的 问题。
其中，色阻材料薄膜的透光波长包括380nm-600nm，吸收波长大于600nm。
步骤S112、在像素容纳孔内形成有机发光层。
参见图9L所示，通过蒸镀工艺在各像素容纳孔内形成对应的有机发光层 1002。
步骤S113、在有机发光层背向衬底基板的一侧形成第四电极、封装层。
参见图9M所示，在有机发光层1002背向衬底基板3的一侧沉积透明导电 材料薄膜，以得到第四电极1003；在第四电极1003背向衬底基板3的一侧沉积 封装材料薄膜，以得到封装层5。其中，封装材料薄膜包括交替设置的有机封装 薄膜502(例如树脂材料薄膜)和无机封装薄膜501、503(例如氧化硅薄膜、 氮化硅薄膜或由氧化硅薄膜与氮化硅薄膜所构成的层叠结构)。附图中示例性画 出2层无机封装薄膜501、503和1层有机封装薄膜502的情况。
步骤S114、在封装层远离衬底基板的一侧形成调光结构。
参见图9N所示，在一些实施例中，调光结构4的形状为三棱柱形，形成调 光结构4的步骤包括：首先在感光元件2远离衬底基板3的一侧形成预设光刻 胶材料膜层，并对光刻胶膜层进行图案化工艺，以在待形成调光结构4的区域 得到调光结构4的初始图形；然后对调光结构4的初始图形进行多次图案化工 艺，以使得调光结构4的初始图形远离衬底基板3的一侧表面具有台阶形貌； 接着对调光结构4的初始图形进行烘烤工艺，构成台阶形貌的光刻胶材料受热 熔化并产生流动，形成倾斜面，得到调光结构4的最终图形。
在一些实施例中，调光结构4的形状为平凸透镜形，形成调光结构4的步 骤包括：首先在感光元件2远离衬底基板3的一侧形成预设光刻胶材料膜层， 并对光刻胶膜层进行一次图案化工艺，以在待形成调光结构4的区域得到调光 结构4的初始图形；接着对调光结构4的初始图形进行烘烤工艺，位于调光结 构4的初始图形外表面的光刻胶材料受热熔化并产生流动，形成曲面，得到调 光结构4的最终图形。
在一些实施例中，调光结构4的折射率大于后续待形成的保护层6的折射 率且小于无机封装薄膜503的折射率。
步骤S115、在调光结构远离衬底基板的一侧形成保护层和盖板。
参见图2所示，首先在调光结构4远离衬底基板3的一侧覆盖OC胶，以得 到保护层6，保护层6远离衬底基板3的一侧表面为平面，接着在保护层6远离 衬底基板3的一侧设置盖板1，得到图2所示的显示面板。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例 性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言， 在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型 和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (12)

1.一种显示面板，其中，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的多个感光元件，至少部分所述感光元件配置有对应的调光结构；
所述调光结构，位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧，配置为调整经过纹路反射且入射至所述调光结构的入射光的传播方向，并将形成的出射光输出至所述调光结构对应的感光元件，所述出射光的传播方向与所述衬底基板所处平面之间的夹角大于所述入射光的传播方向与所述衬底基板所处平面之间的夹角；
所述感光元件，配置为根据接收到的光线生成相应的电信号，以识别纹路图像。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述调光结构具有入光面和出光面，所述入光面位于所述调光结构背向所述衬底基板的一侧，所述出光面位于所述调光结构朝向衬底基板的一侧；
在所述显示面板内，与所述调光结构的入光面相接触的膜层的折射率小于所述调光结构的折射率，与所述调光结构的出光面相接触的膜层的折射率大于所述调光结构的折射率。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述调光结构的形状为三棱柱形，且呈三棱柱形的所述调光结构在与所述衬底基板所处平面垂直的截面上截面形状为三角形；
或者，所述调光结构的形状为平凸透镜形，且呈平凸透镜形的所述调光结构中的平面表面朝向所述衬底基板。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述调光结构在所述衬底基板上的正投影，位于对应的所述感光元件在所述衬底基板上的正投影所限定的区域内。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，还包括：
封装层，位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧；
保护层，位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧；
所述调光结构位于所述保护层和所述封装层之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述感光元件包括：第一电极、位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的感光图形和位于所述感光图形远离所述衬底基板一侧的第二电极；
所述显示面板还包括：
覆盖层，位于所述感光元件远离所述衬底基板一侧；
信号传输走线，位于所述覆盖层远离所述衬底基板一侧，且与所述感光元件中的第二电极过孔连接。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述信号传输走线包括：位于所述感光元件所处区域内的第一部分和位于所述感光元件所处区域外的第二部分；
所述第一部分，与所述第二电极过孔连接，包括：第一透明导电图形；
所述第二部分，包括：沿远离所述衬底基板方向层叠设置的第二透明导电图形、第一金属导电图形和第三透明导电图形，所述第二透明导电图形与所述第一透明导电图形同层设置且连接。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，还包括：像素界定层和多个显示元件；
所述像素界定层，位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧，具有多个像素容纳孔，多个所述像素容纳孔与多个所述显示元件一一对应；
所述显示元件，位于对应的像素容纳孔内，所述显示元件在所述衬底基板上的正投影与所述感光元件在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，还包括：
薄膜晶体管阵列，位于所述感光元件朝向所述衬底基板的一侧，包括：多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管对应一个所述感光元件或一个所述显示元件，所述薄膜晶体管与对应的所述感光元件或所述显示元件电连接。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述像素界定层的材料包括色阻材料，所述色阻材料的透光波长包括380nm-600nm，吸收波长大于600nm。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其中，还包括：
平坦化层，位于所述感光元件和所述像素界定层之间。
12.一种显示装置，其中，包括：如上述权利要求1-11中任一所述的显示面板。
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