CN113770151A - 一种集成电路回收设备及回收方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种集成电路回收设备及回收方法,回收设备包括:金属块,其包括位于底壁上且内凹的吸附槽和设置在金属块中的通气孔,其中,通气孔的第一端贯穿吸附槽的槽底,吸附槽容置集成电路;加热部件,其对金属块加热,加热后的金属块将热量传导至集成电路;气泵,其通过气管与通气孔的第二端连接,在集成电路加热后通过通气孔吸起集成电路,使集成电路与安装其的部件分离,且气泵在吸气完成后对集成电路吹气,使集成电路与金属块分离。本发明中,集成电路在垂直显示屏方向的力的作用下与显示屏分离,减少损伤集成电路的走线并造成边崩的可能性。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种集成电路回收设备及回收方法。
背景技术
集成电路(Integrated Circuit,简称IC)是一种微型电子器件或部件,采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路的出现,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步,被广泛应用于例如手机、电脑、相机等上。
现在随着集成电路的需求量不断递增,使各个行业普遍出现集成电路紧缺。目前,解决集成电路紧缺的一种做法为,对报废产品中,例如显示屏,的集成电路进行回收。回收例如显示屏上的集成电路时,先通过加热压头加热集成电路,然后沿着显示屏的上表面平行推动集成电路,使集成电路与显示屏分离,然后取下集成电路即可。但是,这样回收集成电路时,容易损伤集成电路的走线并且容易造成边崩,从而导致集成电路损坏、报废。
发明内容
本发明公开一种集成电路回收设备及回收方法,用于解决现有技术中,回收集成电路时容易损伤集成电路的走线并且容易造成边崩的问题。
为了解决上述问题,本发明采用下述技术方案:
提供一种集成电路回收设备,包括:
金属块,所述金属块包括位于底壁上且内凹的吸附槽和设置在所述金属块中的通气孔,其中,所述通气孔的第一端贯穿所述吸附槽的槽底而第二端贯穿所述金属块的侧壁或顶壁,所述吸附槽容置所述集成电路;
加热部件,所述加热部件对所述金属块加热,加热后的所述金属块将热量传导至所述集成电路;
气泵,所述气泵通过气管与所述通气孔的第二端连接,其中,所述气泵在所述集成电路加热后通过所述通气孔吸起所述集成电路,使所述集成电路与安装其的部件分离,且所述气泵在吸气完成后对所述集成电路吹气,使所述集成电路与所述金属块分离。
可选的,所述吸附槽的槽底设有与所述集成电路接触的隔热层,其中所述隔热层上设有连通所述吸附槽和所述通气孔的连通孔。
可选的,垂直所述吸附槽的槽底方向,所述吸附槽的槽深与所述隔热层的厚度之比为2-3:1。
可选的,所述隔热层的材质为硅胶或铁氟龙。
可选的,所述吸附槽位于所述金属块的底面中部。
可选的,所述通气孔的第二端贯穿所述金属块的顶壁且所述通气孔为沿所述金属块底壁至顶壁延伸的直孔。
可选的,所述通气孔设有多个,多个所述通气孔排成一排且位于所述吸附槽的中心线位置。
可选的,沿所述吸附槽的两端至中间方向,所述通气孔的孔径逐渐增大。
可选的,所述金属块在加热后的温度为400~500℃。
还提供一种根据上述中任一项所述的集成电路回收设备回收集成电路的方法,包括步骤:
将所述金属块加热至设定温度;
将所述金属块的吸附槽扣设在所述集成电路上,通过所述金属块加热所述集成电路,对所述集成电路进行软化;
开启所述气泵,使所述气泵通过所述通气孔吸起所述集成电路,使所述集成电路与安装其的部件分离;
通过所述气泵对所述集成电路吹气,使所述集成电路与所述金属块分离;
用镊子从安装所述集成电路的部件上取下所述集成电路。
可选的,所述金属块的加热温度为400~500℃。
可选的,所述集成电路的加热时间为10~50秒。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果:
回收集成电路时,集成电路在垂直显示屏方向的力的作用下与显示屏分离,这样集成电路与显示屏分离过程中,减少损伤集成电路的走线并造成边崩的可能性,而且集成电路不与显示屏发生剐蹭,减少出现损伤以及擦伤的可能性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例公开的金属块的结构示意图;
图2为本发明实施例公开的金属块与安装有集成电路的显示屏的立体图;
图3为本发明实施例公开的金属块与安装有集成电路的显示屏的侧面图;
图4为本发明实施例公开的金属块与安装有集成电路的显示屏的俯视图。
其中,附图1-4中具体包括下述附图标记:
金属块-1;显示屏-2;集成电路-3;吸附槽-11;通气孔-12。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明的集成电路3回收设备可以回收例如手机、相机、电脑、车载产品等电子产品上的液晶显示屏2所使用的集成电路3,也可以为电子设备的其他类型显示屏2所使用的集成电路3,还可以为电子产品的其他部件所使用的集成电路3。该回收设备包括金属块1、加热部件和气泵。金属块1的材质可以为铜、铝、铁等,其形状可以设计成例如矩形体状(如图1所示)。在金属块1的底壁设有内凹的吸附槽11,吸附槽11的形状呈长方体状,大致类似于集成电路3的形状。在金属块1的内部设有通气孔12,通气孔12的第一端贯穿吸附槽11的槽底,通气孔12的第二端贯穿金属块1的侧壁或顶壁,使吸附槽11由穿过金属块1内部的通气孔12与外界连通。
加热部件可以为例如电加热炉、高频加热设备等。加热部件用于对金属块1加热,将金属块1整体加热到所需的高温。
气泵优选为空气泵,成本低。气泵通过气管和通气孔12与吸附槽11连通,实现对放置在吸附槽11内的集成电路3的吸气或吹气。其中气管和通气孔12可以拆卸式连接,在不使用气泵,例如通过加热部件加热金属块1时,从金属块1上拆下气泵。气管与通气孔12的连接方式可以有多种,例如在通气孔12上设置安装气管的连接套等,在此不做详细赘述。
当需要从例如显示屏2上回收集成电路3时,具体的回收步骤包括:
步骤S10,将金属块1加热至设定温度;
步骤S20,将金属块1的吸附槽11扣设在集成电路3上方,以通过金属块1加热集成电路3,对集成电路3进行软化;
步骤S30,开启气泵,使气泵通过通气孔12对集成电路3吸气,使集成电路3与显示屏2分离;
步骤S40,通过气泵对集成电路3吹气,使集成电路3与金属块1分离而掉落在显示屏2上;
步骤S50,用镊子从显示屏2上取下集成电路3,实现对集成电路3的回收。
通过上述方式回收集成电路3时,集成电路3在垂直显示屏2方向的力的作用下与显示屏2分离,这样集成电路3与显示屏2分离过程中,减少损伤集成电路3的走线并造成边崩的可能性,而且集成电路不与显示屏2发生剐蹭,减少出现损伤以及擦伤的可能性。
其中,金属块1的加热温度可以在400~500℃之间,集成电路3的加热时间为10~50秒,以保证集成电路3回收效率的前提下,尽可能减少集成电路3被高温损坏的风险。
吸附槽11可以位于金属块1的底面中部。当金属块1放置在显示屏2上时,金属块1与显示屏2错位,以使集成电路3受热均匀。
吸附槽11的横截面面积可以稍微大于集成电路3的面积,即吸附槽11的长宽稍微大于集成电路3的长宽,例如吸附槽11的长宽均比集成电路3的长宽大0.2mm左右,当集成电路3被吸进吸附槽11中时,减少集成电路3与吸附槽11之间发生剐蹭风险。吸附槽11的深度,即吸附槽11的槽底与集成电路3之间的间隙,可以根据需求设定。
另外,吸附槽11的槽底铺设有隔热层(图中未示出),隔热层可以通过双面粘粘在吸附槽11的槽底,在隔热层上设有连通吸附槽11和通气孔12的连通孔。当将集成电路3吸进吸附槽11后,集成电路3直接贴在隔热层上,由隔热层保护集成电路3,减少集成电路3被高温损坏风险。并且,垂直吸附槽11的槽底方向,吸附槽11的槽深与隔热层的厚度之比为2-3:1,以为集成电路3提供一定的缓冲力,进一步减少集成电路3被损坏风险。隔热层的材质可以为硅胶或铁氟龙,成本低,使用寿命长。
为使气泵产生较大吸力,通气孔12以以下方式设置。通气孔12为直线延伸的直孔,其第二端直接贯穿金属块1的顶壁。且在金属块1中间间隔设置多个排成一排的通气孔12,该些通气孔12第一端的中心点均大致位于吸附槽11槽底的中心线上。进一步的,沿吸附槽11槽底的两端至中间方向,通气孔12的孔径逐渐增大。如此设置,使气泵产生较大吸力,便于吸起集成电路3;在吸起集成电路3的过程中,使集成电路3平行于吸附槽11的槽底平稳移动,减少集成电路3发生损坏风险。
隔热层上的连通孔结构与通气孔12结构相同,在各通气孔12的正下方设置一个连通孔,且连通孔的孔径稍微大于对应通气孔12的孔径,减少气泵吹气时将隔热层吹起的风险。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本发明的保护之内。
Claims (12)
1.一种集成电路回收设备,其特征在于,包括:
金属块,所述金属块包括位于底壁上且内凹的吸附槽和设置在所述金属块中的通气孔,其中,所述通气孔的第一端贯穿所述吸附槽的槽底而第二端贯穿所述金属块的侧壁或顶壁,所述吸附槽容置所述集成电路;
加热部件,所述加热部件对所述金属块加热,加热后的所述金属块将热量传导至所述集成电路;
气泵,所述气泵通过气管与所述通气孔的第二端连接,其中,所述气泵在所述集成电路加热后通过所述通气孔吸起所述集成电路,使所述集成电路与安装其的部件分离,且所述气泵在吸气完成后对所述集成电路吹气,使所述集成电路与所述金属块分离。
2.根据权利要求1所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述吸附槽的槽底设有与所述集成电路接触的隔热层,其中所述隔热层上设有连通所述吸附槽和所述通气孔的连通孔。
3.根据权利要求2所述的集成电路回收设备,其特征在于,垂直所述吸附槽的槽底方向,所述吸附槽的槽深与所述隔热层的厚度之比为2-3:1。
4.根据权利要求3所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述隔热层的材质为硅胶或铁氟龙。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述吸附槽位于所述金属块的底面中部。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述通气孔的第二端贯穿所述金属块的顶壁且所述通气孔为沿所述金属块底壁至顶壁延伸的直孔。
7.根据权利要求6所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述通气孔设有多个,多个所述通气孔排成一排且位于所述吸附槽的中心线位置。
8.根据权利要求7所述的集成电路回收设备,其特征在于,沿所述吸附槽的两端至中间方向,所述通气孔的孔径逐渐增大。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的集成电路回收设备,其特征在于,所述金属块在加热后的温度为400~500℃。
10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的集成电路回收设备回收集成电路的方法,其特征在于,包括步骤:
将所述金属块加热至设定温度;
将所述金属块的吸附槽扣设在所述集成电路上,通过所述金属块加热所述集成电路,对所述集成电路进行软化;
开启所述气泵,使所述气泵通过所述通气孔吸起所述集成电路,使所述集成电路与安装其的部件分离;
通过所述气泵对所述集成电路吹气,使所述集成电路与所述金属块分离;
用镊子从安装所述集成电路的部件上取下所述集成电路。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述金属块的加热温度为400~500℃。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述集成电路的加热时间为10~50秒。
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