CN113760194A - 存储器温度控制方法及存储器温度控制系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种存储器温度控制方法及存储器温度控制系统。所述方法包括：通过检测设备对存储器存储装置执行多个测试模式，并获取存储器控制电路单元的第一内部温度、各存储器封装的第二内部温度以及各存储器封装的表面温度，以建立第一内部温度、第二内部温度与表面温度的线性关系式；由存储器存储装置利用线性关系式基于存储器控制电路单元的第一当前内部温度与各存储器封装的第二当前内部温度计算可复写式非易失性存储器模块的预测表面温度；以及由存储器存储装置基于预测表面温度来调整对可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。

Description

存储器温度控制方法及存储器温度控制系统
技术领域
本发明涉及一种存储器温度控制技术，尤其涉及一种存储器温度控制方法及存储器温度控制系统。
背景技术
数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记本计算机。固态硬盘就是一种以快闪存储器模块作为存储媒体的存储器存储装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。
一般来说，存储器存储装置运作时会产生大量热能。随着小尺寸产品配置容量更大、速度更快的可复写式非易失性存储器模块的趋势，存储器存储装置过热的风险越来越大。为避免存储器存储装置因过热而损坏，必须将存储器存储装置的温度抑制在特定温度以下。在先前技术中，一般是利用设置在存储器存储装置中的温度传感器(thermalsensor)测量最靠近存储器控制器的存储器封装的表面温度，并利用测量出的温度判断是否需要降速。然而，存储器控制器不会只对最靠近存储器控制器的存储器封装进行存取，单个存储器封装置的温度不能代表所有存储器封装的温度。仅使用单个存储器封装的温度来判断是否需要降速并不准确。因此，如何设计出兼顾温控调频效率与节省PCB基板的电路布局空间的存储器存储装置为本领域技术人员所关心的议题。
发明内容
本发明提供一种存储器温度控制方法及存储器温度控制系统，能够在节省PCB基板的电路布局空间的同时仍可利用温控调频保护存储器存储装置，从而降低生产成本。
本发明的实施例提供一种存储器温度控制方法，用于存储器存储装置。所述存储器存储装置包括存储器控制电路单元与可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储器封装。所述方法包括：通过检测设备对所述存储器存储装置执行多个测试模式，并获取所述存储器控制电路单元的第一内部温度、各所述存储器封装的第二内部温度以及各所述存储器封装的表面温度，以建立所述第一内部温度、所述第二内部温度与所述表面温度的线性关系式；通过所述检测设备将所述线性关系式存储至所述存储器存储装置；由所述存储器存储装置利用所述线性关系式基于所述存储器控制电路单元的第一当前内部温度与各所述多个存储器封装的第二当前内部温度计算所述可复写式非易失性存储器模块的预测表面温度；以及由所述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
在本发明的一实施例中，在执行所述多个测试模式时，由所述检测设备传送至少一指令至所述存储器存储装置，并且所述存储器存储装置接收并执行所述至少一指令。
在本发明的一实施例中，上述至少一指令包括写入指令以及读取指令至少其中之一。
在本发明的一实施例中，上述多个测试模式包括测试环境温度。所述方法还包括：由所述检测设备在所述测试环境温度下对所述存储器存储装置进行测试。
在本发明的一实施例中，上述通过所述检测设备对所述存储器存储装置所述执行多个测试模式的步骤包括：判断所述表面温度是否大于第一温度门槛值，并且在所述表面温度大于所述第一温度门槛值时降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
在本发明的一实施例中，上述方法还包括：由所述存储器存储装置利用对应至各所述多个存储器封装的所述线性关系式计算所述多个存储器封装的多个预测表面温度，并选择所述多个存储器封装的所述多个预测表面温度中的最大值作为所述可复写式非易失性存储器模块的所述预测表面温度。
在本发明的一实施例中，上述由所述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的步骤包括：根据预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
在本发明的一实施例中，上述根据所述预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的步骤包括：若判断所述预测表面温度大于第二温度门槛值，由所述存储器存储装置降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
本发明的实施例提供一种存储器温度控制系统，包括检测设备以及存储器存储装置。所述存储器存储装置包括存储器控制电路单元与可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储器封装。所述检测设备对所述存储器存储装置执行多个测试模式，并获取所述存储器控制电路单元的第一内部温度、各所述存储器封装的第二内部温度以及各所述存储器封装的表面温度，以建立所述第一内部温度、所述第二内部温度与所述表面温度的线性关系式。所述检测设备将所述线性关系式存储至所述存储器存储装置。所述存储器存储装置利用所述线性关系式基于所述存储器控制电路单元的第一当前内部温度与各所述多个存储器封装的第二当前内部温度计算所述可复写式非易失性存储器模块的预测表面温度。并且，所述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
在本发明的一实施例中，上述在执行所述多个测试模式时，所述检测设备传送至少一指令至所述存储器存储装置，并且所述存储器存储装置接收并执行所述至少一指令。
在本发明的一实施例中，上述至少一指令包括写入指令以及读取指令至少其中之一。
在本发明的一实施例中，上述多个测试模式包括测试环境温度，所述检测设备在所述测试环境温度下对所述存储器存储装置进行测试。
在本发明的一实施例中，上述存储器控制电路单元包括温度传感器，并且所述温度传感器经配置以测量所述存储器控制电路单元的所述第一内部温度或所述第一当前内部温度。
在本发明的一实施例中，上述存储器封装包括温度传感器，并且所述温度传感器经配置以测量所述存储器封装的所述第二内部温度或所述第二当前内部温度。
在本发明的一实施例中，上述检测设备包括温度传感器，所述温度传感器经配置以测量所述存储器封装的所述表面温度。
在本发明的一实施例中，上述检测设备对所述存储器存储装置执行所述多个测试模式的操作包括：判断所述表面温度是否大于第一温度门槛值，并且在所述表面温度大于所述第一温度门槛值时降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
在本发明的一实施例中，上述存储器存储装置利用对应至各所述多个存储器封装的所述线性关系式计算所述多个存储器封装的多个预测表面温度，并选择所述多个存储器封装的所述多个预测表面温度中的最大值作为所述可复写式非易失性存储器模块的所述预测表面温度。
在本发明的一实施例中，上述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的操作包括：根据预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
在本发明的一实施例中，上述根据所述预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的操作包括：若判断所述预测表面温度大于第二温度门槛值，所述存储器存储装置降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
基于上述，本发明实施例提供的存储器温度控制方法及存储器温度控制系统，可建立存储器控制电路单元的内部温度、存储器封装的内部温度以及存储器封装的表面温度之间的关系式。利用所建立的关系式，在运作阶段时存储器存储装置会根据存储器控制电路单元的当前内部温度与各个存储器封装的当前内部温度来预测存储器封装的当前表面温度。藉此，存储器存储装置能够预测可复写式非易失性存储器模块的表面温度，并根据预测出的表面温度调整存取可复写式非易失性存储器模块的工作频率，从而利用温控调频保护存储器存储装置。此外，本发明实施例还可减少配置用于测量可复写式非易失性存储器模块的表面温度的温度传感器，从而降低生产成本。
附图说明
图1是根据一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图；
图2是根据另一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图；
图3是根据另一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图；
图4是根据本发明的一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的概要方块图；
图5是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器存储装置的检测设备的示意图；
图6是根据本发明的一范例实施例所示出的检测存储器存储装置的示意图；
图7是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器温度控制方法的流程图。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
一般而言，存储器存储装置(亦称，存储器存储系统)包括可复写式非易失性存储器模块与控制器(亦称，控制电路单元)。通常存储器存储装置是与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至存储器存储装置或从存储器存储装置中读取数据。
图1是根据一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。且图2是根据另一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。
请参照图1与图2，主机系统11一般包括处理器111、随机存取存储器(randomaccess memory,RAM)112、只读存储器(read only memory,ROM)113及数据传输接口114。处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114皆耦接至系统总线(system bus)110。
在本范例实施例中，主机系统11是通过数据传输接口114与存储器存储装置10耦接。例如，主机系统11可经由数据传输接口114将数据写入至存储器存储装置10或从存储器存储装置10中读取数据。此外，主机系统11是通过系统总线110与I/O装置12耦接。例如，主机系统11可经由系统总线110将输出信号传送至I/O装置12或从I/O装置12接收输入信号。
在本范例实施例中，处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114是可设置在主机系统11的主机板20上。数据传输接口114的数目可以是一或多个。通过数据传输接口114，主机板20可以经由有线或无线方式耦接至存储器存储装置10。存储器存储装置10可例如是随身盘201、存储卡202、固态硬盘(Solid State Drive,SSD)203或无线存储器存储装置204。无线存储器存储装置204可例如是近距离无线通信(Near FieldCommunication Storage,NFC)存储器存储装置、无线传真(WiFi)存储器存储装置、蓝牙(Bluetooth)存储器存储装置或低功耗蓝牙存储器存储装置(例如，iBeacon)等以各式无线通信技术为基础的存储器存储装置。此外，主机板20也可以通过系统总线110耦接至全球定位系统(Global Positioning System,GPS)模块205、网络接口卡206、无线传输装置207、键盘208、屏幕209、喇叭210等各式I/O装置。例如，在一范例实施例中，主机板20可通过无线传输装置207存取无线存储器存储装置204。
在一范例实施例中，所提及的主机系统为可实质地与存储器存储装置配合以存储数据的任意系统。虽然在上述范例实施例中，主机系统是以计算机系统来作说明，然而，图3是根据另一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图。请参照图3，在另一范例实施例中，主机系统31也可以是数码相机、摄影机、通讯装置、音频播放器、视频播放器或平板电脑等系统，而存储器存储装置30可为其所使用的SD卡32、CF卡33或嵌入式存储装置34等各式非易失性存储器存储装置。嵌入式存储装置34包括嵌入式多媒体卡(embeddedMMC,eMMC)341和/或嵌入式多芯片封装存储装置(embedded Multi Chip Package,eMCP)342等各类型将存储器模块直接耦接于主机系统的基板上的嵌入式存储装置。
图4是根据本发明的一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的概要方块图。
请参照图4，存储器存储装置10包括但不限于连接接口单元402、存储器控制电路单元404以及可复写式非易失性存储器模块406。
在本范例实施例中，连接接口单元402是相容于串行高级技术附件(SerialAdvanced Technology Attachment,SATA)标准。然而，必须了解的是，本发明不限于此，连接接口单元402亦可以是符合并行高级技术附件(Parallel Advanced TechnologyAttachment,PATA)标准、电气和电子工程师协会(Institute of Electrical andElectronic Engineers,IEEE)1394标准、高速周边零件连接接口(Peripheral ComponentInterconnect Express,PCI Express)标准、通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)标准、安全数字(Secure Digital,SD)接口标准、超高速一代(Ultra High Speed-I,UHS-I)接口标准、超高速二代(Ultra High Speed-II,UHS-II)接口标准、存储棒(Memory Stick,MS)接口标准、多芯片封装(Multi-Chip Package)接口标准、多媒体存储卡(Multi MediaCard,MMC)接口标准、嵌入式多媒体存储卡(Embedded Multimedia Card,eMMC)接口标准、通用快闪存储器(Universal Flash Storage,UFS)接口标准、嵌入式多芯片封装(embeddedMulti Chip Package,eMCP)接口标准、小型快闪(Compact Flash,CF)接口标准、整合式驱动电子接口(Integrated Device Electronics,IDE)标准或其他适合的标准。连接接口单元402可与存储器控制电路单元404封装在一个芯片中，或者连接接口单元402是布设于一包含存储器控制电路单元404的芯片外。
存储器控制单元404通过连接接口单元402连接至主机系统11，并且通过总线410而连接并驱动控制各存储器封装4a～4c。存储器控制单元404用以执行以硬件或固件实作的多个逻辑门或控制指令，并且根据主机系统11的指令在各存储器封装4a～4c中进行数据的写入、读取与抹除等运作。存储器控制电路单元404可包括存储器管理电路(未示出)、主机接口(未示出)与存储器接口(未示出)。存储器管理电路用以控制存储器控制电路单元404的整体运作。具体来说，存储器管理电路具有多个控制指令，并且在存储器存储装置10运作时。存储器管理电路的控制指令是以固件形式、代码形式或硬件形式来实作，此些控制指令会被执行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。以下说明存储器控制电路单元404的操作时，等同于说明存储器存储装置10的操作。
在本范例实施例中，存储器控制单元404包括温度传感器4041。温度传感器4041例如可包括内置于存储器控制单元404的热敏电阻来测量存储器控制电路单元404的温度(例如，内部温度Tj)。热敏电阻可包括一种电阻器，其电阻值会随温度的变化而改变，且体积随温度的变化较一般的定值电阻更显著。
可复写式非易失性存储器模块406包括安装于PCB基板408的多个存储器封装4a～4c。然而，图4中的存储器封装4a～4c为本发明其中一种实施态样，本发明不限制存储器存储装置10包括的存储器封装的数量。存储器封装4a～4c中内置有一或多个存储器芯片，并且用以存储主机系统11所写入的数据。此存储器芯片具有接口芯片与存储单元阵列，例如为NAND型快闪存储器芯片。存储单元阵列包括的多个存储单元可以是单阶存储单元(Single Level Cell,SLC，即，一个存储单元中可存储1个比特)、多阶存储单元(MultiLevel Cell,MLC，即，一个存储单元中可存储2个比特)、复数阶存储单元(Triple LevelCell,TLC，即，一个存储单元中可存储3个比特)或其他类型的存储单元。
在本范例实施例中，存储器封装4a～4c分别包括温度传感器4061～4063。温度传感器4061～4063例如可包括内置于各存储器封装4a～4c的热敏电阻来测量各存储器封装4a～4c的温度(例如，内部温度Tj)。
图5是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器存储装置的检测设备的示意图。请参照图5，检测设备5包括主机系统51、温箱(chamber)52、温度传感器(thermalsensor)以及数据记录器(datalogger)54，温度传感器例如可包括图5所示的多个温度传感器53a～53n。主机系统51可安装标准I/O效能评测工具(例如，IOMeter)以对存储器存储装置10进行多种测试模式和获取测试结果的数据。温箱52用于承载存储器存储装置10，并可实现恒温环境。温箱52例如是可单独操作的装置，或是耦接至主机系统51而可通过主机系统51进行操作的装置。温度传感器53a～53n例如是J型热电偶探针、配置于存储器封装上方的红外线侦测器或其他可以测量存储器封装的温度(例如，表面温度Tc)的传感器，本发明不在此限制。
数据记录器54包括但不限于连接接口单元、微处理器以及用于数据存储的存储器，并可耦接温度传感器53a～53n以通过温度传感器53a～53n记录随时间变化的温度数据。在本范例实施例中，数据记录器54通过连接接口单元连接至主机系统51，此连接接口单元是符合通用串行总线标准，但本发明不在此限制。在数据记录器54连接至主机系统51后，主机系统51可执行特定软件来启用数据记录器54，并接收来自数据记录器54的数据以检视与分析数据记录器54自温度传感器53a～53n所收集到的数据。
图6是根据本发明的一范例实施例所示出的检测存储器存储装置的示意图。在图6的范例实施例中，假设使用J型热电偶探头来测量存储器封装的表面温度Tc，并且假设存储器存储装置10包括存储器封装4a～4c。请参照图6，存储器存储装置10可置放于温箱52中。主机系统51耦接至连接接口单元402以与存储器控制电路单元404进行数据传输。例如，被初步写入初版固件的存储器存储装置10可放置在PCIe接口转接板上，并通过PCIe延长线从温箱52牵引出连接至主机系统51的PCIe扩充槽(PCIe slot)。上述连接亦可采用其他接口标准，本发明不在此限制。
在本范例实施例中，温度传感器53a～53c可分别固定在存储器封装4a～4c的表面，另一端则耦接至数据记录器54，并用于感测存储器封装4a～4c的表面温度Tc。在另一范例实施例中，可设置一悬空于可复写式非易失性存储器模块406上方的温度传感器(未示出)，例如，J型热电偶探头。此温度传感器用以测量可复写式非易失性存储器模块406周边的温度(例如，环境温度Ta)。此悬空的温度传感器可用于判断温度传感器53a～53c是否有测量误差。
在一范例实施例中，主机系统51存储多个测试模式。此测试模式包括至少一指令，指令可包括写入指令或读取指令。在测试阶段，被初步写入固件的存储器存储装置10置放于温箱52中。主机系统51执行测试模式时传送至少一指令至存储器存储装置10。存储器存储装置10接收并执行来自主机系统51的指令，并且以顺序读写(sequential read/write)或随机读写(random read/write)的方式执行所述指令。举例来说，主机系统51可利用标准I/O效能评测工具对存储器存储装置10进行128KB顺序写入等测试。
在一范例实施例中，测试模式还可包括测试环境温度。具体来说，执行测试模式时可利用温箱52实现对应多个测试环境温度的恒温环境，并在该测试环境温度下传送至少一指令至存储器存储装置10以对存储器存储装置10进行测试。
下表1为测试模式的一范例实施例。
表1
指令 测试环境温度
测试模式1 顺序写入 25℃
测试模式2 顺序读取 25℃
测试模式3 顺序写入 26℃
测试模式4 顺序读取 26℃
… … …
测试模式N-1 顺序写入 70℃
测试模式N 顺序读取 70℃
请参上表1，本范例实施例利用温箱52实现对应测试环境温度25℃～70℃的恒温环境，并在恒温环境下利用标准I/O效能评测工具对存储器存储装置10进行顺序写入及顺序读写等测试。具体来说，本范例实施例在温箱52和主机系统51执行的标准I/O效能评测工具上实现以下流程以执行各个测试模式。步骤1：温箱52使测试环境温度在5分钟内达到25℃。步骤2：执行测试模式1以在测试环境温度25℃下进行5分钟的顺序写入。步骤3：执行测试模式2以在测试环境温度25℃进行5分钟的顺序读取。步骤4：主机系统51使存储器存储装置10闲置10分钟，并在此同时温箱52使测试环境温度升高1℃至26℃。步骤5：重复以上步骤1～4，直到温箱52温度达到70℃并完成测试。步骤6：结束测试。然而，本发明不在此限制测试模式的流程顺序，使用者可根据需求来调整测试环境温度的范围、测试模式的执行时间与闲置时间等参数。
在执行测试模式的同时，主机系统51会接收和记录各项数据，例如读写效能和温度数据。主机系统51例如是以每秒一次的频率记录此些数据，本发明不在此限制。举例来说，主机系统51会接收和记录温度传感器4041所测量到的存储器控制电路单元404的内部温度(亦称为第一内部温度)以及温度传感器4061～4063所测量到的存储器封装4a～4c的内部温度(亦称为第二内部温度)。主机系统51例如是以每秒一次的频率记录第一内部温度与第二内部温度，本发明不在此限制。在本范例实施例中，主机系统51还可接收和记录温度传感器53a～53c所测量到的存储器封装4a～4c的表面温度。此些表面温度由数据记录器54获取并传送给主机系统51。数据记录器54的采集温度的频率例如为每秒一次，本发明不在此限制。下表2为主机系统51执行测试模式后记录的测试结果的范例。
表2
Figure BDA0003255261300000111
请参上表2，在主机系统51执行测试模式1时，主机系统51所接收到的存储器控制电路单元404的第一内部温度为Tj11，并且所接收到的存储器封装4a～4c的第二内部温度分别为Tj21～Tj23、表面温度分别为Tc1～Tc3。一般来说，由于各个存储器封装所执行的操作可能不同，位置分布也不同，因此可能会使各个存储器封装表面温度和内部温度均有所不同。例如，存储器控制电路单元404的温度可能会影响存储器封装的表面温度和内部温度。另外，在本范例实施例中，主机系统51执行测试模式2时所接收到的数据可参照上表2，于此不再赘述。
在一范例实施例中，执行测试模式时可设定温度门槛值来避免可复写式非易失性存储器模块406在测试时因温度过高而造成损坏。具体来说，存储器控制电路单元404可判断存储器封装的表面温度是否大于预设的温度门槛值(亦称为第一温度门槛值)，并在表面温度大于第一温度门槛值时降低对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的工作频率，以避免温度继续急遽升高。例如，第一温度门槛值可设定为68℃。此第一温度门槛值会低于可复写式非易失性存储器模块406的建议运作温度，例如70℃。
图7是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器温度控制方法的流程图。请同时参照图6及图7，本实施例的方法适用于上述的检测设备5与存储器存储装置10，以下即搭配检测设备5与存储器存储装置10的各项装置及元件说明本实施例的存储器温度控制方法的详细步骤。
在此，测试阶段S70包括步骤S701与步骤S702，运作阶段S71包括步骤S711与步骤S712。
在步骤S701中，通过检测设备5对存储器存储装置10执行多个测试模式，并获取存储器控制电路单元404的第一内部温度、各存储器封装的第二内部温度以及各存储器封装的表面温度，以建立第一内部温度、第二内部温度与表面温度的线性关系式。具体来说，主机系统51可将测试阶段中获取的存储器控制电路单元404的第一内部温度和存储器封装的第二内部温度作为自变数(independent variable)，并将存储器封装的表面温度作为因变数(dependent variable)来进行多元线性回归分析(Multiple regression analysis)。基于分析结果，主机系统51可拟合(fitting)出每个存储器封装的第一内部温度、第二内部温度与表面温度的线性关系式。在一范例实施例中，主机系统51可使用IBM公司提供的统计产品与服务解决方案(Statistical Product and Service Solutions，SPSS)执行多元线性回归分析。于此，通过多元线性回归分析拟合出的关系式可更为准确地估计出第一内部温度、第二内部温度与表面温度之间的关系，使得后续预测温度的结果更加准确。
在本范例实施例中，主机系统51建立的线性关系式如以下公式(1)所示：
Tc[PK]＝a×Tj1+b×Tj2[PK]+c……………………(1)
其中，PK表示存储器封装的编号，例如图6中的4a～4c。Tc[PK]表示存储器封装PK的表面温度。a、b表示系数，c表示常数。Tj1表示存储器控制电路单元404的内部温度。Tj2[PK]表示存储器封装PK的内部温度。
以上表2为例，当欲建立关联于存储器封装4a的线性关系式时，主机系统51可基于所接收到的第一内部温度Tj11与Tj12、第二内部温度Tj21与Tj24、表面温度Tc1与Tc4进行多元线性回归分析以建立存储器封装4a的第一内部温度、第二内部温度与表面温度的线性关系式。在本范例实施例中，主机系统51建立存储器封装4a的线性关系式如以下公式(2)所示：
Tc[4a]＝a×Tj1+b×Tj2[4a]+c……………………(1)
其中，Tc[4a]表示存储器封装4a的表面温度。a、b表示系数，c表示常数。Tj1表示存储器控制电路单元404的内部温度。Tj2[4a]表示存储器封装4a的内部温度。其他存储器封装4b～4c的线性关系式与存储器封装4a的线性关系式以相同方式拟合获得，于此不再赘述。换言之，本发明实施例可建立对应各个存储器封装的线性关系式。
在步骤S702中，通过检测设备5将线性关系式存储至存储器存储装置10。在建立各存储器封装的线性关系式后，主机系统51会将所建立的线性关系式存储至存储器存储装置10中。
在步骤S711中，存储器存储装置10(存储器控制电路单元404)利用线性关系式基于存储器控制电路单元404的第一当前内部温度与各存储器封装的第二当前内部温度计算可复写式非易失性存储器模块406的预测表面温度。具体来说，存储器存储装置10实际运作时，可与如图1、图4的主机系统11(可不同于检测设备5的主机系统51)一起使用。在存储器存储装置10运作时，温度传感器4041会测量存储器控制电路单元404的第一当前内部温度，而温度传感器4061～4063会测量存储器封装4a～4c的第二当前内部温度。在一范例实施例中，存储器控制电路单元404例如是以每秒一次的频率读取第一当前内部温度与第二当前内部温度，本发明不在此限制。
在本范例实施例中，可复写式非易失性存储器模块406包括的存储器封装的数量可能有多个。存储器存储装置10根据与每个存储器封装相应的线性关系式、第一当前内部温度以及该存储器封装的第二当前内部温度可计算出对应至各个存储器封装的多个预测表面温度。
举例来说，若存储器控制电路单元404欲预测第一存储器封装(假设为存储器封装4a)的预测表面温度，存储器控制电路单元404会利用关联于存储器封装4a的线性关系式并且基于存储器控制电路单元404的第一当前内部温度与存储器封装4a的第二当前内部温度来计算存储器封装4a的预测表面温度。换言之，本范例实施例的存储器存储装置10不包括可测量存储器封装4a～4c的表面温度的温度传感器，因此可根据相应的线性关系式、第一当前内部温度、第二当前内部温度来预测各个存储器封装4a～4c的表面温度。如此一来，存储器存储装置10中不需要设置用于测量存储器封装的表面温度的温度传感器即可预测出每个存储器封装的表面温度，从而节省PCB基板的电路布局空间。
在一范例实施例中，存储器控制电路单元404可计算任一存储器封装的预测表面温度作为可复写式非易失性存储器模块406的预测表面温度。在另一范例实施例中，存储器控制电路单元404可计算多个存储器封装的预测表面温度，并选择此些预测表面温度中的最大值作为可复写式非易失性存储器模块406的预测表面温度。
在步骤S712中，存储器存储装置10(存储器控制电路单元404)基于预测表面温度来调整对可复写式非易失性存储器模块406进行存取(access，即读与写)的工作频率(即，工作速度)。于此，存储器控制电路单元404会在可复写式非易失性存储器模块406的预测表面温度过高时，降低对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的工作频率。
举例来说，存储器控制电路单元404可根据预设的温度门槛值来判断是否调整对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的工作频率。在一范例实施例中，存储器控制电路单元404可判断预测表面温度是否大于温度门槛值(亦称为第二温度门槛值，例如，68℃)。若判断预测表面温度大于第二温度门槛值，存储器控制电路单元404会降低对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的工作频率。例如，存储器控制电路单元404可将对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的第一工作频率调降至第二工作频率，此第二工作频率小于第一工作频率。
在另一范例实施例中，使用者可根据需求来设置更多温度门槛值与对应的工作频率作为判断调整工作频率的条件，本发明不在此限制。举例来说，存储器控制电路单元404可判断预测表面温度是否大于第二温度门槛值(例如，68℃)或另一温度门槛值(亦称为第三温度门槛值，例如，70℃)。若判断预测表面温度大于第二温度门槛值，存储器控制电路单元404会降低对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的工作频率。例如，存储器控制电路单元404可将对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的第一工作频率调降至第二工作频率，此第二工作频率小于第一工作频率。另外，若判断预测表面温度大于第三温度门槛值，存储器控制电路单元404会以更低的工作频率对可复写式非易失性存储器模块406进行存取。例如，存储器控制电路单元404可将对可复写式非易失性存储器模块406进行存取的第一工作频率(或第二工作频率)调降至第三工作频率，此第三工作频率小于第一工作频率与第二工作频率。
综上所述，本发明实施例提供的存储器温度控制方法及存储器温度控制系统，可建立存储器控制电路单元的内部温度、存储器封装的内部温度以及存储器封装的表面温度之间的关系式。利用所建立的关系式，在运作阶段时存储器存储装置会根据存储器控制电路单元的当前内部温度与各个存储器封装的当前内部温度来预测存储器封装的当前表面温度。藉此，存储器存储装置能够预测单个存储器封装的表面温度，因而可在判断是否调整存取可复写式非易失性存储器模块时同时考虑每个存储器封装的表面温度，从而保证温度预测的可靠性。
并且，本发明实施例在预测表面温度时，同时考虑存储器控制电路单元的当前内部温度与存储器封装的当前内部温度也可使得预测结果更加准确。此外，本实施例的存储器存储装置中不需要设置用于测量可复写式非易失性存储器模块的温度传感器即可预测出可复写式非易失性存储器模块的表面温度，从而优化了PCB基板的电路布局空间并节省元件成本。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (19)

1.一种存储器温度控制方法，用于存储器存储装置，所述存储器存储装置包括存储器控制电路单元与可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储器封装，所述方法包括：
通过检测设备对所述存储器存储装置执行多个测试模式，并获取所述存储器控制电路单元的第一内部温度、各所述存储器封装的第二内部温度以及各所述存储器封装的表面温度，以建立所述第一内部温度、所述第二内部温度与所述表面温度的线性关系式；
通过所述检测设备将所述线性关系式存储至所述存储器存储装置；
由所述存储器存储装置利用所述线性关系式基于所述存储器控制电路单元的第一当前内部温度与各所述多个存储器封装的第二当前内部温度计算所述可复写式非易失性存储器模块的预测表面温度；以及
由所述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
2.根据权利要求1所述的存储器温度控制方法，其中在执行所述多个测试模式时，由所述检测设备传送至少一指令至所述存储器存储装置，并且所述存储器存储装置接收并执行所述至少一指令。
3.根据权利要求2所述的存储器温度控制方法，其中所述至少一指令包括写入指令以及读取指令至少其中之一。
4.根据权利要求1所述的存储器温度控制方法，其中所述多个测试模式包括测试环境温度，所述方法还包括：
由所述检测设备在所述测试环境温度下对所述存储器存储装置进行测试。
5.根据权利要求1所述的存储器温度控制方法，其中通过所述检测设备对所述存储器存储装置所述执行多个测试模式的步骤包括：
判断所述表面温度是否大于第一温度门槛值，并且在所述表面温度大于所述第一温度门槛值时降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
6.根据权利要求1所述的存储器温度控制方法，其中所述方法还包括：
由所述存储器存储装置利用对应至各所述多个存储器封装的所述线性关系式计算所述多个存储器封装的多个预测表面温度，并选择所述多个存储器封装的所述多个预测表面温度中的最大值作为所述可复写式非易失性存储器模块的所述预测表面温度。
7.根据权利要求1所述的存储器温度控制方法，其中由所述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的步骤包括：
根据预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
8.根据权利要求7所述的存储器温度控制方法，其中根据所述预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的步骤包括：
若判断所述预测表面温度大于第二温度门槛值，由所述存储器存储装置降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
9.一种存储器温度控制系统，包括：
检测设备；以及
存储器存储装置，包括存储器控制电路单元与可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储器封装，其中，
所述检测设备对所述存储器存储装置执行多个测试模式，并获取所述存储器控制电路单元的第一内部温度、各所述存储器封装的第二内部温度以及各所述存储器封装的表面温度，以建立所述第一内部温度、所述第二内部温度与所述表面温度的线性关系式；
所述检测设备将所述线性关系式存储至所述存储器存储装置；
所述存储器存储装置利用所述线性关系式基于所述存储器控制电路单元的第一当前内部温度与各所述多个存储器封装的第二当前内部温度计算所述可复写式非易失性存储器模块的预测表面温度；以及
所述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
10.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中在执行所述多个测试模式时，所述检测设备传送至少一指令至所述存储器存储装置，并且所述存储器存储装置接收并执行所述至少一指令。
11.根据权利要求10所述的存储器温度控制系统，其中所述至少一指令包括写入指令以及读取指令至少其中之一。
12.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中所述多个测试模式包括测试环境温度，所述检测设备在所述测试环境温度下对所述存储器存储装置进行测试。
13.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中所述存储器控制电路单元包括温度传感器，并且所述温度传感器经配置以测量所述存储器控制电路单元的所述第一内部温度或所述第一当前内部温度。
14.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中所述存储器封装包括温度传感器，并且所述温度传感器经配置以测量所述存储器封装的所述第二内部温度或所述第二当前内部温度。
15.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中所述检测设备包括温度传感器，所述温度传感器经配置以测量所述存储器封装的所述表面温度。
16.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中所述检测设备对所述存储器存储装置执行所述多个测试模式的操作包括：
判断所述表面温度是否大于第一温度门槛值，并且在所述表面温度大于所述第一温度门槛值时降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的工作频率。
17.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中所述存储器存储装置利用对应至各所述多个存储器封装的所述线性关系式计算所述多个存储器封装的多个预测表面温度，并选择所述多个存储器封装的所述多个预测表面温度中的最大值作为所述可复写式非易失性存储器模块的所述预测表面温度。
18.根据权利要求9所述的存储器温度控制系统，其中所述存储器存储装置基于所述预测表面温度来调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的操作包括：
根据预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
19.根据权利要求18所述的存储器温度控制系统，其中根据所述预设温度门槛值来判断是否调整对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率的操作包括：
若判断所述预测表面温度大于第二温度门槛值，所述存储器存储装置降低对所述可复写式非易失性存储器模块进行存取的所述工作频率。
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