CN113741071A - 显示面板的制造方法及显示面板 - Google Patents

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田尚益
廖辉华
李荣荣
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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示面板的制造方法及显示面板，该方法包括：提供一彩膜基板和阵列基板，在彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域，在彩膜基板的朝向阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在第一显示模式区域和第二显示模式区域的朝向阵列基板的一侧设置氧化铟锡层，将彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板，根据第一显示模式区域和第二显示模式区域对待切割显示面板进行切割，获得不同显示模式的目标显示面板，从而能够在同一玻璃基板上制造不同显示模式的显示面板，提高显示面板的制造效率。

Description

显示面板的制造方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制造方法及显示面板。
背景技术
随着人们生活水平的提高，对不同显示电子产品的品质要求也越来越高，针对不同尺寸的液晶面板，面板生产厂商需通过不同显示模式来提高不同型号产品的产品竞争力。目前，各大面板制造商采用套切技术(Mutil Moudel Group，MMG)来将大小尺寸不同的两类液晶面板混合设计到同一玻璃基板上，大大提高了玻璃基板的利用率。
但是，上述MMG技术无法在同一玻璃基板上制造不同显示模式的显示面板，从而导致显示面板的制造效率较低。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种显示面板的制造方法及显示面板，旨在解决现有技术中无法在同一玻璃基板上制造不同显示模式的显示面板的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板的制造方法，所述显示面板的制造方法包括以下步骤：
提供一彩膜基板和阵列基板；
在所述彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层；
将所述彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板；
根据所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域对所述待切割显示面板进行切割，获得不同显示模式的目标显示面板。
可选地，所述在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层的步骤，包括：
获取所述第一显示模式区域对应的第一显示模式；
根据所述第一显示模式在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
可选地，所述根据所述第一显示模式在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层的步骤，包括：
获取所述第一显示模式的公共电极图案；
根据所述公共电极图案在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
可选地，所述在所述彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域的步骤，包括：
获取第一显示模式面积和第二显示模式面积；
根据所述第一显示模式面积和所述第二显示模式面积对所述彩膜基板进行划分，获得第一显示模式区域和第二显示模式区域。
可选地，所述第一显示模式为垂直配向型显示模式，所述第二显示模式为水平电场型显示模式。
可选地，所述提供一彩膜基板和阵列基板的步骤之后，还包括：
在所述阵列基板上设置栅极和覆盖所述栅极的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上设置有源层、源漏极以及覆盖所述有源层和所述源漏极的保护层；
在所述保护层上设置彩色光阻层；
在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱。
可选地，所述在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱的步骤，包括：
在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的第二显示模式为面内开关型显示模式时，在所述阵列基板的第二显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层；
在所述有机平坦层上设置公共氧化铟锡电极，且在有机平坦层上设置覆盖公共氧化铟锡电极的钝化层；
在所述阵列基板的第一显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并在所述有机平坦层上设置钝化层；
在所述钝化层上设置像素氧化铟锡电极和支撑柱。
可选地，所述在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱的步骤，包括：
在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的第二显示模式为面内转换型显示模式时，在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的有机平坦层上设置像素氧化铟锡电极、公共氧化铟锡电极以及支撑柱；
在所述阵列基板的第一显示模式区域对应的有机平坦层上设置像素氧化铟锡电极和支撑柱。
此外，为实现上述目的，本申请还提供一种垂直配向型显示面板，所述垂直配向型显示面板采用如上文所述的显示面板的制造方法制得，所述垂直配向型显示面板包括：阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
此外，为实现上述目的，本申请还提供一种水平电场型显示面板，所述水平电场型显示面板采用如上文所述的显示面板的制造方法制得，所述水平电场型显示面板包括：阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
在本发明中，公开了提供一彩膜基板和阵列基板，在彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域，在彩膜基板的朝向阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在第一显示模式区域和第二显示模式区域的朝向阵列基板的一侧设置氧化铟锡层，将彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板，根据第一显示模式区域和第二显示模式区域对待切割显示面板进行切割，获得不同显示模式的目标显示面板；由于本发明先将彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域，再在彩膜基板的朝向阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在第一显示模式区域和第二显示模式区域的朝向阵列基板的一侧设置氧化铟锡层，并根据第一显示模式区域和第二显示模式区域进行切割，从而能够在同一玻璃基板上制造不同显示模式的显示面板，提高显示面板的制造效率。
附图说明
图1为本发明显示面板的制造方法第一实施例的流程示意图；
图2为本发明显示面板的制造方法一实施例的VA显示模式主要结构示意图；
图3为本发明显示面板的制造方法一实施例的HFFS显示模式主要结构示意图；
图4为本发明显示面板的制造方法一实施例的IPS显示模式主要结构示意图；
图5为本发明显示面板的制造方法一实施例的划分不同显示模式区域示意图；
图6为本发明显示面板的制造方法一实施例的第一显示模式区域的两侧设置氧化铟锡示意图；
图7为本发明显示面板的制造方法一实施例的第二显示模式区域的一侧设置氧化铟锡示意图；
图8为本发明显示面板的制造方法第二实施例的流程示意图；
图9为本发明显示面板的制造方法第三实施例的流程示意图；
图10为本发明显示面板的制造方法一实施例的栅极和彩色光阻层设置示意图；
图11为本发明显示面板的制造方法一实施例的在第二显示模式为面内开关型显示模式时，第二显示模式区域设置示意图；
图12为本发明显示面板的制造方法一实施例的在第二显示模式为面内开关型显示模式时，第一显示模式区域设置示意图；
图13为本发明显示面板的制造方法一实施例的在第二显示模式为面内转换型显示模式时，第二显示模式区域设置示意图；
图14为本发明显示面板的制造方法一实施例的在第二显示模式为面内转换型显示模式时，第一显示模式区域设置示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
1 阵列基板 8 有机平坦层
2 栅极 9 钝化层
3 栅极绝缘层 10 支撑柱
4 有源层 11 公共氧化铟锡电极
5 源漏极 12 彩膜基板
6 保护层 13 背面氧化铟锡
7 彩色光阻层 14 像素氧化铟锡电极
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1，图1为本发明显示面板的制造方法第一实施例的流程示意图，提出本发明显示面板的制造方法第一实施例。
步骤S10：提供一彩膜基板和阵列基板。
应当理解的是，现有的大尺寸显示面板主流为垂直配向(Vertical Alignment，VA)显示模式，中小尺寸显示面板主流为面内开关型(High Aperture Fringe FieldSwitching，HFFS)或面内转换型(In-Plane Switching，IPS)显示模式。其中，大尺寸显示面板可以是电视机(Television，TV)显示面板，中小尺寸显示面板可以是显示器(Monitor)/个人计算机(Personal Computer，PC)显示面板。
为了区别VA显示模式、HFFS显示模式以及IPS显示模式，参考图2-4进行说明，但并不对本方案进行限定。图2为VA显示模式主要结构示意图，图2中VA显示模式的显示面板主要由阵列(Thin Film Transistor，TFT)基板1、栅极2、栅极绝缘层3、有源层4、源漏极5、保护层6、彩色光阻层7、有机平坦层8、钝化层9、支撑柱10、公共氧化铟锡(Communal Indium-Tin Oxide，COM ITO)电极11、彩膜(Color Filter，CF)基板12以及像素氧化铟锡(PixelIndium-Tin Oxide，Pixel ITO)电极14组成。
图3为HFFS显示模式主要结构示意图，图4为IPS显示模式主要结构示意图，将图2与图3、4进行比较可知，VA显示模式Pixel ITO和Com ITO分别位于TFT侧玻璃基板和CF侧玻璃基板，而HFFS或IPS显示模式的ITO电极均位于TFT侧玻璃基板。因此，可以确定VA显示模式与HFFS显示模式或IPS显示模式的主要差异体现在VA显示模式在CF侧玻璃基板朝向TFT侧玻璃基板的一侧有Com ITO电极，HFFS显示模式或IPS显示模式在CF侧玻璃基板朝向TFT侧玻璃基板的一侧无Com ITO电极，VA显示模式在CF侧玻璃基板远离TFT侧玻璃基板的一侧无背面ITO，HFFS显示模式或IPS显示模式在CF侧玻璃基板远离TFT侧玻璃基板的一侧有背面ITO，用于防止外界信号对像素电极信号的干扰。
应当理解的是，基于VA显示模式与HFFS显示模式或IPS显示模式的主要差异，本实施例中不再在HFFS显示模式或IPS显示模式的CF侧玻璃基板的远离TFT侧玻璃基板的一侧沉积背面ITO，而是在CF侧玻璃基板的朝向TFT侧玻璃基板的一侧沉积背面ITO，从而可以在沉积VA显示模式的COM ITO电极时，同时沉积HFFS或IPS显示模式的背面ITO，未新增mask的同时减少了HFFS或IPS显示模式CF侧背面ITO的制作工艺，实现了两种显示模式的产品在一张玻璃基板上完成制作，存在巨大的商业价值。
步骤S20：在所述彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域。
需要说明的是，所述第一显示模式可以为垂直配向型(Vertical Alignment，VA)显示模式，所述第二显示模式可以为水平电场型显示模式。其中，水平电场型显示模式可以包括面内开关型(High Aperture Fringe Field Switching，HFFS)或面内转换型(In-Plane Switching，IPS)显示模式。
应当理解的是，为了区分不同的显示模式区域，本实施例中，先将CF侧玻璃基板划分为第一显示模式区域和第二显示模式区域，以对实现不同区域处理。其中，第一显示模式区域可以是VA显示模式区域，第二显示模式区域可以是HFFS显示模式或IPS显示模式，本实施例对此不加以限制。
为了便于理解，参考图5进行说明，但并不对本方案进行限定。图5为划分不同显示模式区域示意图，图中CF侧玻璃基板被分为第一显示模式区域和第二显示模式区域。
步骤S30：在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
应当理解的是，为了实现在沉积VA显示模式的COM ITO电极时，同时沉积HFFS或IPS显示模式的背面ITO，本实施例中，在第一显示模式区域和第二显示模式区域的CF侧玻璃基板的朝向TFT侧玻璃基板的一侧，直接沉积氧化铟锡，从而在第一显示模式区域形成公共氧化铟锡(Communal Indium-Tin Oxide，COM ITO)电极，在第二显示模式区域形成背面氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)，以防止外界信号对像素电极信号的干扰。
可以理解的是，相较于现有的HFFS或IPS显示模式下，通过在CF侧玻璃基板的远离TFT侧玻璃基板的一侧沉积背面ITO来实现屏蔽外界信号的方式，本实施例中，无需在CF侧玻璃基板的远离TFT侧玻璃基板的一侧沉积背面ITO，而是在CF侧玻璃基板的朝向TFT侧玻璃基板的一侧沉积背面ITO，从而可以在沉积VA显示模式的COM ITO电极时，同时沉积HFFS或IPS显示模式的背面ITO，从而实现了两种显示模式的产品在一张玻璃基板上完成制作。
为了便于理解，参考图6和7进行说明，但并不对本方案进行限定。图6为第一显示模式区域的一侧设置氧化铟锡示意图，图7中彩色滤光片(Color Filter，CF)侧玻璃基板12朝向TFT侧玻璃基板的一侧沉积公共氧化铟锡(Communal Indium-Tin Oxide，COM ITO)电极11。图7为第二显示模式区域的一侧设置氧化铟锡示意图，图7中彩色滤光片(ColorFilter，CF)侧玻璃基板12朝向TFT侧玻璃基板的一侧沉积背面氧化铟锡13。
步骤S40：将所述彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板。
可以理解的是，将彩膜基板与阵列基板对组成盒后，可以获得待切割显示面板。
步骤S50：根据所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域对所述待切割显示面板进行切割，获得不同显示模式的目标显示面板。
可以理解的是，由于第一显示模式区域和第二显示模式区域为两种不同的显示模式。因此，根据第一显示模式区域和第二显示模式区域对待切割显示面板进行切割，可以获得不同显示模式的目标显示面板。
在第一实施例中，公开了提供一彩膜基板和阵列基板，在彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域，在彩膜基板的朝向阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在第一显示模式区域和第二显示模式区域的朝向阵列基板的一侧设置氧化铟锡层，将彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板，根据第一显示模式区域和第二显示模式区域对待切割显示面板进行切割，获得不同显示模式的目标显示面板；由于本实施例先将彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域，再在彩膜基板的朝向阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在第一显示模式区域和第二显示模式区域的朝向阵列基板的一侧设置氧化铟锡层，并根据第一显示模式区域和第二显示模式区域进行切割，从而能够在同一玻璃基板上制造不同显示模式的显示面板，提高显示面板的制造效率。
参照图8，图8为本发明显示面板的制造方法第二实施例的流程示意图，基于上述图1所示的第一实施例，提出本发明显示面板的制造方法的第二实施例。
在第二实施例中，所述步骤S20，包括：
步骤S201：获取第一显示模式面积和第二显示模式面积。
应当理解的是，不同显示模式的显示面板制造时面板面积也不同，为了在彩膜基板上合理划分出第一显示模式区域和第二显示模式区域，本实施例中，可以先获取第一显示模式面积和第二显示模式面积，并根据第一显示模式面积和第二显示模式面积对彩膜基板进行划分，获得第一显示模式区域和第二显示模式区域。
需要说明的是，第一显示模式面积可以是VA显示模式的面板面积，第二显示模式面积可以是HFFS显示模式或IPS显示模式的面板面积。
可以理解的是，第一显示模式面积和第二显示模式面积可以由用户根据实际需求预先设置。
步骤S202：根据所述第一显示模式面积和所述第二显示模式面积对所述彩膜基板进行划分，获得第一显示模式区域和第二显示模式区域。
应当理解的是，为了提高彩膜基板的利用率，本实施例中，基于第一显示模式面积和第二显示模式面积通过预设划分模型对彩膜基板进行划分，获得第一显示模式区域和第二显示模式区域。其中，预设划分模型用于对区域进行划分，减少彩膜基板的浪费。
在第二实施例中，公开了获取第一显示模式面积和第二显示模式面积，根据第一显示模式面积和第二显示模式面积对彩膜基板进行划分，获得第一显示模式区域和第二显示模式区域；由于本实施例中引入了第一显示模式面积和第二显示模式面积对彩膜基板进行划分，从而避免了彩膜基板的浪费，提高了彩膜基板的利用率。
在第二实施例中，所述步骤S30，包括：
步骤S301：获取所述第一显示模式区域对应的第一显示模式。
需要说明的是，第一显示模式可以预选设置，例如，将VA显示模式设置为第一显示模式。
步骤S302：根据所述第一显示模式在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
可以理解的是，由于VA显示模式在朝向TFT侧玻璃基板的一侧设置Com ITO电极。因此，本实施例中，在第一显示模式区域朝向TFT侧玻璃基板的一侧设置氧化铟锡需要根据第一显示模式的实际需求进行沉积，以生成所需pattern。而HFFS或IPS显示模式的朝向TFT侧玻璃基板的一侧设置背面ITO，背面ITO为整面ITO，无需特殊处理。
进一步地，为了在VA显示模式区域的朝向TFT侧玻璃基板的一侧形成电极图案，所述步骤S302，包括：
获取所述第一显示模式的公共电极图案；
根据所述公共电极图案在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
需要说明的是，公共电极图案可以是Com ITO的图案，Com ITO的图案可以由用户预先设置。
应当理解的是，根据公共电极图案在第一显示模式区域朝向TFT侧玻璃基板的一侧设置氧化铟锡可以是根据Com ITO的图案在第一显示模式区域朝向TFT侧玻璃基板的一侧进行ITO沉积，以形成Com ITO的。
在第二实施例中，公开了获取第一显示模式区域对应的第一显示模式，根据第一显示模式在第一显示模式区域朝向TFT侧玻璃基板的一侧设置氧化铟锡，并在第二显示模式区域朝向TFT侧玻璃基板的一侧设置氧化铟锡；由于本实施例对在第一显示模式区域朝向TFT侧玻璃基板的一侧设置氧化铟锡进行特殊处理，从而能够在第一显示模式区域朝向TFT侧玻璃基板的一侧形成符合实际需求的公共电极。
在第二实施例中，所述步骤S40，包括：
在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
将所述彩膜基板上的第一显示模式区域对齐所述阵列基板上的第一显示模式区域；
将所述彩膜基板上的第二显示模式区域对齐所述阵列基板上的第二显示模式区域，并将所述彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板。
应当理解的是，VA显示模式与HFFS显示模式或IPS显示模式的差异除了体现在VA显示模式在CF侧玻璃基板朝向TFT侧玻璃基板的一侧有Com ITO电极，HFFS显示模式或IPS显示模式在CF侧玻璃基板朝向TFT侧玻璃基板的一侧无Com ITO电极，VA显示模式在CF侧玻璃基板远离TFT侧玻璃基板的一侧无背面ITO，HFFS显示模式或IPS显示模式在CF侧玻璃基板远离TFT侧玻璃基板的一侧有背面ITO上，还体现在HFFS显示模式需要在两层ITO之间沉积一层SiNx来形成电容，而常规VA模式和IPS不需要这层SiNx，以及IPS显示模式需要PV层上设置Com ITO电极和Pixel ITO电极，而VA显示模式只需在PV层上设置Pixel ITO电极。因此，本实施例中，还需要将阵列基板划分为第一显示模式区域和第二显示模式区域，以进行不同处理。
可以理解的是，为了使对组成盒后的显示面板能够正常使用，本实施例中，需要将彩膜基板上的第一显示模式区域对齐阵列基板上的第一显示模式区域。
应当理解的是，除了需要将彩膜基板上的第一显示模式区域对齐阵列基板上的第一显示模式区域，还需要将彩膜基板上的第二显示模式区域对齐阵列基板上的第二显示模式区域。
在第二实施例中，公开了在阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域，将彩膜基板上的第一显示模式区域对齐阵列基板上的第一显示模式区域，将彩膜基板上的第二显示模式区域对齐阵列基板上的第二显示模式区域，并将彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板；由于本实施例中将彩膜基板与阵列基板的显示模式区域对齐后再对组成盒，从而确保了显示面板的可靠性。
参照图9，图9为本发明显示面板的制造方法第三实施例的流程示意图，基于上述图1所示的第一实施例，提出本发明显示面板的制造方法的第三实施例。
在第三实施例中，所述步骤S10之后，还包括：
步骤S110：在所述阵列基板上设置栅极和覆盖所述栅极的栅极绝缘层。
需要说明的是，栅极可以为gate电极，覆盖栅极的栅极绝缘层可以为GI绝缘层。
应当理解的是，在阵列基板上设置栅极和覆盖栅极的栅极绝缘层可以是在TFT侧玻璃基板上设置gate电极和覆盖gate电极的GI绝缘层。
步骤S120：在所述栅极绝缘层上设置有源层、源漏极以及覆盖所述有源层和所述源漏极的保护层。
需要说明的是，源漏极可以为SD电极，源漏极的保护层可以为PV保护层。
可以理解的是，在栅极绝缘层上设置有源层、源漏极以及覆盖有源层和源漏极的保护层可以是在GI绝缘层上设置有源层、SD电极以及覆盖有源层和SD电极的PV保护层。
步骤S130：在所述保护层上设置彩色光阻层。
应当理解的是，在保护层上设置彩色光阻层可以是在PV保护层上设置R/G/B光阻。
为了便于理解，可以参考图10进行说明，但并不对本方案进行限定。图10为栅极和彩色光阻层设置示意图，图10中，先在阵列基板1上设置栅极2和覆盖栅极的栅极绝缘层3，再在栅极绝缘层3上设置有源层4、源漏极5以及覆盖有源层4和源漏极5的保护层6，再在保护层6上设置彩色光阻层7。
步骤S140：在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱。
可以理解的是，VA显示模式与HFFS显示模式或IPS显示模式的差异除了体现在CF侧玻璃基板朝向阵列基板的一侧有无Com ITO电极上，还体现在HFFS显示模式需要在两层ITO之间沉积一层SiNx来形成电容。为了能够在HFFS显示模式的区域内形成电容，所述步骤S140，包括：
在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的第二显示模式为面内开关型显示模式时，在所述阵列基板的第二显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层；
在所述有机平坦层上设置公共氧化铟锡电极，且在有机平坦层上设置覆盖公共氧化铟锡电极的钝化层；
在所述阵列基板的第一显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并在所述有机平坦层上设置钝化层；
在所述钝化层上设置像素氧化铟锡电极和支撑柱。
应当理解的是，VA显示模式与HFFS显示模式或IPS显示模式的差异除了体现在CF侧玻璃基板朝向阵列基板的一侧有无Com ITO电极上，还体现在HFFS显示模式需要在两层ITO之间沉积一层SiNx来形成电容，而常规VA模式和IPS不需要这层SiNx。因此，本实施对设置覆盖彩色光阻层的有机平坦层和钝化层时，还需要将阵列基板划分为第一显示模式区域和第二显示模式区域，以分别处理。
为了便于理解，参考图11和12进行说明，但并不对本方案进行限定。图11为在第二显示模式为面内开关型显示模式时，第二显示模式区域设置示意图，图11中，在阵列基板1的第二显示模式区域上设置覆盖彩色光阻层7的有机平坦层8，在有机平坦层8上设置公共氧化铟锡电极11，且在有机平坦层8上设置覆盖公共氧化铟锡电极11的钝化层9，在钝化层9上设置氧化铟锡电极14和支撑柱10；图12为在第二显示模式为面内开关型显示模式时，第一显示模式区域设置示意图，图12中，在阵列基板1的第一显示模式区域上设置覆盖彩色光阻层7的有机平坦层8，并在有机平坦层8上设置钝化层9，在钝化层9上设置氧化铟锡电极14和支撑柱10。
进一步地，VA显示模式与HFFS显示模式或IPS显示模式的差异除了体现在CF侧玻璃基板朝向阵列基板的一侧有无Com ITO电极上，还体现在IPS显示模式需要PFA层上设置Com ITO电极和Pixel ITO电极。为了在IPS显示模式的区域上设置Com ITO电极和PixelITO电极，所述S140，包括：
在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的第二显示模式为面内转换型显示模式时，在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的有机平坦层上设置像素氧化铟锡电极、公共氧化铟锡电极以及支撑柱；
在所述阵列基板的第一显示模式区域对应的有机平坦层上设置像素氧化铟锡电极和支撑柱。
应当理解的是，VA显示模式与HFFS显示模式或IPS显示模式的差异除了体现在CF侧玻璃基板朝向阵列基板的一侧有无Com ITO电极上，还体现在IPS显示模式需要PFA层上设置Com ITO电极和Pixel ITO电极，而VA显示模式只需在PFA层上设置Pixel ITO电极。因此，本实施还需要将阵列基板划分为第一显示模式区域和第二显示模式区域，以分别处理。
为了便于理解，参考图13和14进行说明，但并不对本方案进行限定。图13为在第二显示模式为面内转换型显示模式时，第二显示模式区域设置示意图，图13中，在阵列基板1的第二显示模式区域对应的有机平坦层8上设置像素氧化铟锡电极14、公共氧化铟锡电极11以及支撑柱10；图14为在第二显示模式为面内转换型显示模式时，第一显示模式区域设置示意图，图14中，在阵列基板1的第一显示模式区域对应的有机平坦层8上设置像素氧化铟锡电极14和支撑柱10。
在第三实施例中，公开了在阵列基板上设置栅极和覆盖栅极的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上设置有源层、源漏极以及覆盖有源层和源漏极的保护层，并在保护层上设置彩色光阻层，在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱，从而能够预先设置阵列基板。
此外，本发明实施例还提出一种垂直配向型显示面板，所述垂直配向型显示面板采用如上文所述的显示面板的制造方法制得，所述垂直配向型显示面板包括：阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
此外，本发明实施例还提出一种水平电场型显示面板，所述水平电场型显示面板采用如上文所述的显示面板的制造方法制得，所述水平电场型显示面板包括：阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。其中，水平电场型显示面板可以包括：面内转换型显示面板(In-Plane Switching，IPS)和面内开关型显示面板(High Aperture Fringe Field Switching，HFFS)。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。词语第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序，可将这些词语解释为名称。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器镜像(Read Only Memory image，ROM)/随机存取存储器(Random AccessMemory，RAM)、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述显示面板的制造方法包括以下步骤：
提供一彩膜基板和阵列基板；
在所述彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层；
将所述彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板；
根据所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域对所述待切割显示面板进行切割，获得不同显示模式的目标显示面板。
2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层的步骤，包括：
获取所述第一显示模式区域对应的第一显示模式；
根据所述第一显示模式在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述根据所述第一显示模式在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层的步骤，包括：
获取所述第一显示模式的公共电极图案；
根据所述公共电极图案在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积，以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域的步骤，包括：
获取第一显示模式面积和第二显示模式面积；
根据所述第一显示模式面积和所述第二显示模式面积对所述彩膜基板进行划分，获得第一显示模式区域和第二显示模式区域。
5.如权利要求1-4中任一项所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一显示模式为垂直配向型显示模式，所述第二显示模式为水平电场型显示模式。
6.如权利要求5所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述提供一彩膜基板和阵列基板的步骤之后，还包括：
在所述阵列基板上设置栅极和覆盖所述栅极的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上设置有源层、源漏极以及覆盖所述有源层和所述源漏极的保护层；
在所述保护层上设置彩色光阻层；
在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱。
7.如权利要求6所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱的步骤，包括：
在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的第二显示模式为面内开关型显示模式时，在所述阵列基板的第二显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层；
在所述有机平坦层上设置公共氧化铟锡电极，且在有机平坦层上设置覆盖公共氧化铟锡电极的钝化层；
在所述阵列基板的第一显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并在所述有机平坦层上设置钝化层；
在所述钝化层上设置像素氧化铟锡电极和支撑柱。
8.如权利要求6所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层，并设置氧化铟锡电极和支撑柱的步骤，包括：
在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域；
在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的第二显示模式为面内转换型显示模式时，在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的有机平坦层上设置像素氧化铟锡电极、公共氧化铟锡电极以及支撑柱；
在所述阵列基板的第一显示模式区域对应的有机平坦层上设置像素氧化铟锡电极和支撑柱。
9.一种垂直配向型显示面板，其特征在于，所述垂直配向型显示面板采用如权利要求1-8中任一项所述的显示面板的制造方法制得，所述垂直配向型显示面板包括：阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
10.一种水平电场型显示面板，其特征在于，所述水平电场型显示面板采用如权利要求1-8中任一项所述的显示面板的制造方法制得，所述水平电场型显示面板包括：阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。
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