CN113714934A - 用于原位电磁感应监测系统的芯配置 - Google Patents

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Abstract

一种用于化学机械抛光的装置包括支撑件和电磁感应监测系统，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫，所述电磁感应监测系统产生磁场以监测抛光垫正在抛光的基板。电磁感应监测系统包括芯和绕所述芯的一部分卷绕的线圈。芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中心柱在与所述抛光表面正交的第一方向上从所述后部延伸，所述环形边缘平行于所述中心柱地从所述后部延伸并且所述环形边缘围绕所述中心柱且与所述中心柱以一间隙间隔开。所述间隙的宽度小于所述中心柱的宽度，且所述环形边缘的顶表面的表面积比所述中心柱的顶表面的表面积大至少两倍。

Description

用于原位电磁感应监测系统的芯配置
本申请是申请日为2017年10月5日、申请号为“201780068642.7”、发 明名称为“用于原位电磁感应监测系统的芯配置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容涉及在处理基板期间的电磁感应监测，例如涡流监测。
背景技术
集成电路通常通过导电层、半导体层或绝缘层连续地沉积于硅晶片上并通 过对所述层的后续处理而形成在基板(例如半导体晶片)上。
一个制造步骤涉及将填料层沉积在非平面表面之上并且平面化所述填料 层直到非平坦表面暴露出为止。例如，可将导电填料层沉积在图案化的绝缘层 上来填充绝缘层中的沟槽或孔。接着抛光填料层直到绝缘层的凸起的图案暴露 出来。在平面化之后，保留于绝缘层的凸起的图案之间的导电层的部分形成通 孔、插座和线，通孔、插座和线提供基板上的薄膜电路之间的导电路径。此外， 可以使用平面化来平面化用于光刻的基板表面。
化学机械抛光(CMP)是一种公认的平面化方法。此平面化方法通常要求 将基板安装在承载头上。基板的被暴露的表面通常抵靠旋转的抛光垫放置。承 载头提供基板上的可控制负载，以推动基板抵靠抛光垫。抛光流体(例如具有 研磨颗粒的浆料)被供应到抛光垫的表面。
在半导体处理期间，确定基板上的基板或层的一个或多个特性可能是重要 的。例如，在CMP工艺期间知道导电层的厚度可能是重要的，使得可以在正 确的时刻终止所述工艺。可使用多种方法来确定基板特性。例如，可使用光学 传感器以在化学机械抛光期间原位监测基板。或者(或另外)，可使用涡流感 测系统以在基板上的导电区域中感应涡流，以确定参数(诸如导电区域的局部 厚度)。
发明内容
在一个方面中，一种用于化学机械抛光的装置包括支撑件和电磁感应监测 系统，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫，所述电磁感应监测系统产生磁 场以监测正在被抛光垫抛光的基板。电磁感应监测系统包括芯和线圈，所述线 圈绕所述芯的一部分卷绕。所述芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中心柱 在与所述抛光表面正交的第一方向上从所述后部延伸，所述环形边缘平行于所 述中心柱地从所述后部延伸且所述环形边缘围绕所述中心柱并与所述中心柱 间隔开一间隙。所述中心柱在平行于所述抛光表面的第二方向上具有第一宽度， 所述环形边缘在所述第二方向上具有第二宽度，且所述间隙在所述第二方向上 具有第三宽度。第三宽度小于第一宽度，且所述环形边缘的顶表面的表面积比所述中心柱的顶表面的表面积大至少两倍。
实现可包括以下特征中的一个或多个。
第二宽度可大于第一宽度。第二宽度可比第一宽度大1.1至1.5倍。第三 宽度可以是第一宽度的50％至75％。环形边缘的顶表面的表面积可比中心柱的 顶表面的表面积大至少三倍。中心柱的高度可等于环形边缘部分的高度。第三 宽度可在第二宽度的约30％至70％之间。线圈和芯可经配置而提供至少12MHz 的共振频率，例如约14至16MHz之间。芯可以是镍锌铁氧体。
在另一个方面中，一种用于化学机械抛光的装置包括支撑件和电磁感应监 测系统，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫，所述电磁感应监测系统产生 磁场以监测正在被抛光垫抛光的基板。电磁感应监测系统包括芯和卷绕组件。 所述芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中心柱在与工作台的表面正交的第 一方向上从所述后部延伸，所述环形边缘平行于所述中心柱地从所述后部延伸 且所述环形边缘围绕所述中心柱并与所述中心柱间隔开一间隙。中心柱在平行 于工作台表面的第二方向上具有第一宽度，所述环形边缘在所述第二方向上具 有第二宽度，并且所述间隙在所述第二方向上具有第三宽度。卷绕组件是配合 在间隙中的圆柱体。卷绕组件包括绕中心柱卷绕的线圈，且卷绕组件具有在所 述圆柱体的内直径与外直径之间的第四宽度。第四宽度是第三宽度的至少80％。
实现可包括以下特征中的一个或多个。
卷绕组件可以包括线轴，线圈可绕所述线轴卷绕，并且所述线轴的内表面 可提供所述卷绕组件的内直径。线轴的内表面可接触中心柱的外表面。卷绕组 件可包括接触并围绕所述线圈的带，并且所述带的外表面可提供所述卷绕组件 的外直径。带的外表面可接触环形边缘的内表面。
线圈可绕中心柱具有不超过两个卷绕层，例如，线圈可具有围绕中心柱的 单个卷绕层。第四宽度可以是第三宽度的至少90％。第三宽度可为约1至2mm。 第三宽度可小于所述第一宽度，并且环形边缘的顶表面的表面积可比中心柱的 顶表面的表面积大至少两倍。
某些实现可以包括以下优点中的一个或多个。可以改进涡流传感器的空间 分辨率。涡流传感器可以经配置用于监测具有高阻抗的导电特征，例如由低电 导金属(诸如钛或钴)形成的金属片、金属残留物或金属线。
在附图和以下的说明中阐述一个或更多实施的细节。本案的其他方面、特 征和优点将通过说明书、附图以及权利要求变得明显。
附图简单说明
图1是包括电磁感应监测系统的化学机械抛光站的示意性侧视图、部分截 面图。
图2是图1的化学机械抛光站的示意性俯视图。
图3A至图3C是示出抛光基板的方法的示意性截面侧视图。
图4是用于电磁感应监测系统的驱动系统的示意性电路图。
图5A和图5B是电磁感应监测系统的芯的示意性顶视图和侧视图。
不同附图中的相同附图标记代表相同的元件。
具体实施方式
CMP系统可以使用涡流监测系统来在抛光期间检测基板上的金属层的厚 度。在金属层的抛光期间，涡流监测系统可以确定基板的不同区域中的金属层 的厚度。厚度测量可以用于检测抛光端点或用于即时地调整抛光工艺的处理参 数以减少抛光不均匀性。
涡流监测的一个问题是涡流在一区域(所述区域的尺寸取决于磁场的扩散) 中的导电层中被感应出；磁场的扩散越大，涡流监测系统的分辨率越低。随着 集成电路制造不断增长的需求，也需要增加的涡流传感器的空间分辨率，例如 以提供对对抛光参数的改进的控制。适当选择磁芯的物理配置可以减少磁场的 扩散并且改进分辨率。
图1和图2示出化学机械抛光装置的抛光站20的示例。抛光站20包括可 旋转的盘形工作台24，抛光垫30位于工作台24上。工作台24可操作以绕轴 25旋转。例如，电机22可以转动驱动轴28以使工作台24旋转。抛光垫30可 以是具有外抛光层34和较软背层32的双层抛光垫。
抛光站22可以包括供应口或组合的供应冲洗臂39，以将抛光液38(诸如 浆料)分配到抛光垫30上。抛光站22可以包括具有调节盘的垫调节器装置， 以维持抛光垫的表面粗糙度。
承载头70可操作以保持基板10抵靠抛光垫30。承载头70悬挂于支撑结 构72(例如旋转式传送带或轨道)，并通过驱动轴74连接到承载头旋转电机 76，使得承载头可以绕轴71旋转。可选地，承载头70可以横向振荡，例如在 旋转式传送带或轨道72上的滑块上横向振荡；或通过旋转式传送带自身的旋 转振荡来横向振荡。
在操作中，工作台绕其中心轴25旋转，并且使承载头绕其中心轴71旋转 并且跨抛光垫30的顶表面横向平移。在存在多个承载头的情况下，每个承载 头70可以独立地控制其抛光参数，例如，每个承载头可以独立地控制施加到 每个相应基板的压力。
承载头70可以包括柔性膜80，柔性膜80具有基板安装表面和多个可加压 腔室82，所述基板安装表面用于接触基板10背侧，并且多个可加压腔室82将 不同的压力施加到基板10上的不同区域(例如不同的径向区域)。承载头还 可以包括保持环84，以保持基板。
凹槽26形成在工作台24中，并且可选地，薄部分36可以形成在凹槽26 上面的抛光垫30中。凹槽26和薄垫部分36可以经定位，使得在工作台旋转 的一部分期间不管承载头的平移位置如何凹槽26和薄垫部分36都在基板10 下方通过。假设抛光垫30是双层垫，则可以通过去除背层32的一部分以及可 选地通过在抛光层34的底部中形成凹槽来构建薄垫部分36。例如，若原位光 学监测系统整合到工作台24中，薄部分可以可选地是光透射的。
参照图3A，抛光系统20可以用于抛光基板10，基板10包括覆盖和/或镶 嵌在图案化的介电层中的导电材料。例如，基板10可以包括导电材料16(例 如金属，例如铜、铝、钴或钛)层，所述导电材料16层覆盖并且填充介电层 14(例如氧化硅或高介电常数介电质(high-k dielectric))中的沟槽。可选地， 阻挡层18(例如钽或氮化钽)可以将沟槽排成一行并且将导电材料16与介电 层14分开。沟槽中的导电材料16可以在完整的集成电路中提供通孔、垫和/ 或互连。尽管介电层14被示为直接沉积在半导体晶片12上，但是可以在介电层14和晶片12之间插入一个或多个其他层。
首先，导电材料16覆盖整个介电层14。随着抛光进行，去除导电材料16 块，而暴露阻挡层18(见图3B)。继续抛光，接着暴露介电层14的图案化的 顶表面(见图3C)。可以接着使用额外的抛光来控制包含导电材料16的沟槽 的深度。
回到图1，抛光系统20包括原位电磁感应监测系统100，原位电磁感应监 测系统100可以耦接至控制器90或被认为包括控制器90。旋转耦合器29可以 用于将可旋转工作台24中的部件(例如原位监测系统的传感器)电连接到工 作台外部的部件(例如驱动和感测电路或控制器90)。
原位电磁感应监测系统100经配置生成根据导电材料16(例如金属)的深 度的信号。电磁感应监测系统可以通过在导电材料(所述导电材料可以是覆盖 在介电层上的导电材料片或者可以是在介电层暴露后留在沟槽中的导电材料) 中产生涡流或通过在基板上的介电层中的沟槽中形成的导电环路中产生电流 来操作。
在操作中，抛光系统20可以使用原位监测系统100来确定导电层何时达 到目标厚度(例如针对沟槽中的金属的目标深度或者针对覆盖在介电层上的金 属层三维目标厚度)，并接着停止抛光。替代地或另外，抛光系统20可以使 用原位监测系统100来确定跨基板10上的导电材料16的厚度差异，并使用此 信息来调整抛光期间承载头80中的一个或多个腔室82中的压力，以减少抛光 不均匀。
原位监测系统100可以包括安装在工作台24中的凹槽26中的传感器102。 传感器102可以包括至少部分地定位在凹槽26中的磁芯104以及绕芯104的 一部分卷绕的至少一个线圈106。驱动和感测电路108电连接到线圈106。驱 动和感测电路108生成可以发送到控制器90的信号。尽管被示出为在工作台 24外部，但驱动和感测电路108中的一些或全部可以安装在工作台24中。
参照图2，当工作台24旋转时，传感器102在基板10下方扫描(sweep)。 通过以特定频率对来自电路108的信号采样，电路108在跨基板10的一系列 的取样区域处生成测量。对于每个扫描，可以选择或组合采样区域94中的一 个或多个处的测量。因此，在多次扫描中，所选择或经组合的测量提供随时间 变化的序列值。
抛光站20还可以包括位置传感器96(诸如光学断续器)，以感测传感器 102何时在基板10下方以及传感器102何时离开基板。例如，位置传感器96 可以安装在与承载头70相对的固定位置。旗标(flag)98可以附接到工作台 24的周边。旗标98的附接点和长度经选择，使得当传感器102在基板10下方 扫描时，旗标98可以信令位置传感器96。
替代地或另外，抛光站20可以包括编码器以确定工作台24的角位置。
返回图1，控制器90(例如通用可编程数字计算机)接收来自原位监测系 统100的信号。因为传感器102随着工作台24的每次旋转而在基板10的下面 扫描，所以导电层深度的信息(例如沟槽中的块层(bulk layer)或导电材料) 被原位积累(每工作台旋转积累一次)。当基板10大致覆盖传感器102时， 控制器90可以经编程而对来自原位监测系统100的测量进行采样。
此外，控制器90可以经编程以计算每个测量的径向位置，以及将测量分 类为径向范围。
图4示出驱动和感测电路108的示例。电路108向线圈106施加AC电流， 线圈106在芯104的两极152a和152b之间产生磁场150。在操作中，当基板 10间歇地覆盖传感器104时，磁场50的一部分延伸到基板10中。
电路108可以包括与线圈46并联连接的电容器160。线圈106和电容器 160一起可以形成LC共振槽。在操作中，电流发生器162(例如基于边缘振荡 器电路的电流发生器)以由线圈106(具有电感L)和电容器60(具有电容C) 形成的LC槽电路的共振频率来驱动系统。电流发生器162可以经设计而将正 弦振荡的峰对峰振幅维持在恒定值。使用整流器164来整流具有振幅V0的时 间相关电压并且具有振幅V0的时间相依电压被提供至反馈电路166。反馈电路 166确定用于电流发生器162的驱动电流以将电压V0的振幅保持恒定。美国专 利第4,000,458号和第7,112,960号中进一步描述了边缘振荡器电路和反馈电路。
作为涡流监测系统，电磁感应监测系统100可以用于通过在导电片中感应 涡流来监测导电层的厚度，或者通过在导电材料中感应涡流来监测沟槽中的导 电材料的深度。或者，作为感应监测系统，电磁感应监测系统可以因为监测目 的而通过在基板10的介电层14中形成的导电环中感应地产生电流来进行操作， 如美国专利公开第2015-0371907号所述。
若期望监测基板上导电层的厚度，则当磁场150到达导电层时，磁场150 可以通过并产生电流(若靶(target)是环)或产生涡流(若靶是片)。这样产 生了有效阻抗，从而增加为了使电流发生器162将电压V0的振幅维持恒定所 需的驱动电流。有效阻抗的大小取决于导电层的厚度。因此，由电流发生器162 产生的驱动电流提供正在被抛光的导电层的厚度的测量。
驱动和感测电路148还可能有其他配置。例如，分离的驱动和感测线圈可 以绕芯卷绕，可以以恒定的频率来驱动驱动线圈，并且来自感测线圈的电流的 振幅或相位(相对于驱动振荡器的振幅或相位)可以用于信号。
图5A和图5B示出用于原位监测系统100的芯104的示例。芯104具有 由非导电材料形成的主体，此非导电材料具有相对较高的磁导率(例如约2500 或更大的μ)。具体地，芯104可以是镍锌铁氧体或镁锌铁氧体。
在一些实现中，芯104涂覆有保护层。例如，芯104可以涂覆有诸如聚对 二甲苯(parylene)之类的材料，以防止水进入芯104中的孔，并防止线圈短路。
芯104可以是圆芯，亦称为罐形芯(pot core)。芯包括后部120、中心柱 122和环形边缘124，所述中心柱122从所述后部120延伸，所述环形边缘124 围绕所述中心柱122且与所述中心柱122间隔开一间隙126，且所述环形边缘 124还从所述后部120延伸。环形边缘124可以绕中心柱122周边而与中心柱 122间隔均匀的距离。环形边缘124可以完全包围中心柱122(如图5B的俯视 图所见)。
卷绕组件130配合于间隙126中。卷绕组件可以是圆柱体。卷绕组件具有 宽度(W4)，宽度(W4)可以是圆柱体的内直径与外直径之间的距离。
卷绕组件130至少包括线圈106，线圈106绕芯104的中心柱122卷绕， 例如仅绕中心柱122卷绕。为了减小间隙126的所需宽度，线圈106可仅具有 一层或两层卷绕。
卷绕组件130还可以包括线轴132。线轴132围绕中心柱122配合，且线 圈106绕线轴132卷绕。线轴132还可以包括帽(cap)136，帽136抵靠柱124 的顶表面搁置以设定线圈部分的垂直位置。这样允许更容易地组装传感器102。 线轴可以是介电材料，例如塑料。线轴132的内表面可以提供卷绕组件的外直 径。
卷绕组件130还可以包括覆盖线圈106的外表面的带134，例如以保护线 圈106。带134的外表面可以提供卷绕组件的内直径。
芯106的后部120可以是大致平面的主体，且可以具有平行于工作台顶表 面的顶面，例如在抛光操作期间平行于基板和抛光垫。后部120可以具有正交 于工作台顶表面所测量的高度(H)。中心柱122和环形边缘124在正交于后 部120的顶表面的方向上从后部120延伸且中心柱122和环形边缘124互相平 行地延伸。中心柱122和环形边缘124可以具有相同的高度。
在一些实现中，芯104通常是圆形的。例如，后部120可以是盘形的，中 心柱122可以是圆形的，并且环形边缘124可以类似地是环状的。然而，保持 边缘124的环形结构的其他构造也是可能的，例如中心柱122可以是正方形， 且边缘124可以类似地沿着(trace)正方形的周边走。
中心柱122具有宽度(W1)且环形边缘124具有宽度(W2)，宽度(W1) 与宽度(W2)中的每个可以沿平行于工作台顶表面(例如在抛光操作期间平行 于基板与抛光垫的面)的方向测量，且中心柱122与环形边缘124基本上是线 性的且互相平行地延伸。中心柱122的宽度W1可以尽可能为基本上最小，同 时为清晰信号提供必要的磁通量。
环形边缘124与中心柱122分隔开一间隙，所述间隙具有宽度(W3)。 间隙126的宽度可以尽可能为基本上最小，同时为卷绕组件130提供空间以配 合于间隙126中。例如，卷绕的宽度(W4)可以是间隙126宽度的至少80％， 例如约90％。这样将磁场保持在靠近中心柱122的区域中，并且增加了空间分 辨率。在一些实现中，卷绕组件130的外表面接触环形边缘124的内表面。
可以选择宽度W1、W2和W3，使得环形边缘124的表面积比中心柱122 的表面积大，例如大至少两倍，例如大至少三倍，例如大至少四倍。这样允许 更多的通量线被收集到并推向环形边缘124的内直径，从而进一步改进空间分 辨率。
对于具有较大宽度(例如其中W1为3mm或更大)的中心柱，环形边缘 124的表面积可以比中心柱122的表面积大至少两倍，例如两到三倍。对于此 情况，宽度W3可以高达1mm。对于具有较大宽度(例如其中W1小于3mm) 的中心柱，环形边缘124的表面积可以比中心柱122的表面积大至少四倍，例 如四到六倍。对于此情况，宽度W3可以高达2mm。
环形边缘124可以具有宽度W2，所述宽度W2比中心柱122的宽度W1 的一半大(例如大于半径)。在一些实现中，环形边缘124具有宽度W2，所 述宽度W2大于中心柱122的宽度W1(例如大于直径)，例如大至少10％。 例如，中心柱122可以具有1.5mm的宽度，间隙126可以具有约1mm的宽度， 且环形边缘124可以具有约1.75mm的宽度。
中心柱122和环形边缘124具有高度Hp，高度Hp是中心柱122和环形边 缘124从芯部104的后部120延伸出的距离。高度Hp可以大于宽度W1和W2。 在一些实现中，高度Hp与分隔射线径迹(prong)504a-c的距离W3相同。
通常，原位涡流监测系统经构建具有约50kHz至50MHz的共振频率。例 如，对于图4和图5A所示的涡流监测系统，线圈106可以具有约0.1至50微 亨(microH)的电感，例如0.75uH，且电容器160可以具有约40pF至约0.022uF 的电容，例如150pF。
电磁感应监测系统可以用于各种抛光系统中。无论是抛光垫或承载头或者 两者皆可以移动以在抛光表面与基板之间提供相对运动。抛光垫可以是固定到 工作台的圆形(或某些其他形状的)垫，可以是在供应辊和卷取辊之间延伸的 带，或者可以是连续带。抛光垫可以粘附在工作台上，可以在抛光操作之间递 增地在工作台上前进，或者可以在抛光期间连续地在工作台上被驱动。在抛光 期间，可以将垫固定到工作台上，或者在抛光期间可以在工作台与抛光垫之间 存在有流体轴承。抛光垫可以是标准(例如具有或不具有填料的聚氨酯)粗糙 垫、软垫或固定研磨垫。
另外，尽管以上说明已聚焦在抛光上，但是芯设计可以适用于在改变基板 上的层的厚度(例如蚀刻或沉积)的其他基板处理工具以及步骤期间的原位监 测或者可以适用于联机(in-line)或独立的系统测量。
本发明已经描述了多个实施例。然而，将理解到，可在不背离本发明的精 神和范围下作各种修改。因此，其他实施例在以下权利要求的范围内。

Claims (18)

1.一种用于化学机械抛光的装置，包括：
支撑件，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫；和电磁感应监测系统，所述电磁感应监测系统用于产生磁场以监测正被所述抛光垫抛光的基板，所述电磁感应监测系统包括芯和线圈，所述线圈绕所述芯的一部分卷绕，所述芯包括后部，中心柱，所述中心柱在与所述抛光表面正交的第一方向上从所述后部延伸，和环形边缘，所述环形边缘平行于所述中心柱从所述后部延伸，并且所述环形边缘围绕所述中心柱且与所述中心柱以一间隙间隔开，其中所述环形边缘的顶表面的表面积比所述中心柱的顶表面的表面积大三到六倍。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述中心柱在与所述抛光表面平行的第二方向上具有第一宽度，所述环形边缘在所述第二方向上具有第二宽度，并且所述间隙在所述第二方向上具有第三宽度，并且其中所述第三宽度小于所述第一宽度。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述第三宽度为所述第一宽度的50％至75％。
4.如权利要求2所述的装置，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。
5.如权利要求2所述的装置，其中所述第三宽度在所述第二宽度的约30％和70％之间。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述中心柱的高度等于所述环形边缘的高度。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述中心柱是圆形的并且所述环形边缘是圆柱形的。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述线圈和芯被配置为提供50kHz至50MHz的共振频率。
9.如权利要求8所述的装置，其中所述线圈和芯被配置为提供约14和16MHz之间的共振频率。
10.一种用于化学机械抛光的装置，包括：支撑件，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫；和电磁感应监测系统，所述电磁感应监测系统用于产生磁场以监测正被所述抛光垫抛光的基板，所述电磁感应监测系统包括芯和环形卷绕组件，其中所述芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中心柱在与所述抛光表面正交的第一方向上从所述后部延伸，所述环形边缘平行于所述中心柱从所述后部延伸，并且所述环形边缘围绕所述中心柱且与所述中心柱以一间隙间隔开，并且其中所述卷绕组件配合在所述中心柱与所述环形边缘之间的所述间隙中，并且包括与所述中心柱的外表面接触的线轴以及绕所述线轴卷绕的线圈。
11.如权利要求10所述的装置，其中所述线轴是塑料。
12.如权利要求10所述的装置，其中所述线轴包括抵靠所述中心柱的顶表面搁置的帽。
13.如权利要求10所述的装置，其中所述中心柱在与所述抛光表面平行的第二方向上具有第一宽度，所述环形边缘在所述第二方向上具有第二宽度，所述间隙在所述第二方向上具有第三宽度，并且所述卷绕组件具有在所述圆柱体的内直径与外直径之间的第四宽度，并且其中所述第四宽度为所述第三宽度的至少80％。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述线轴的内表面提供所述卷绕组件的所述内直径。
15.如权利要求10所述的装置，其中所述卷绕组件包括带，所述带接触并围绕所述线圈，并且所述带的外表面提供所述卷绕组件的所述外直径。
16.如权利要求15所述的装置，其中所述带的所述外表面接触所述环形边缘的内表面。
17.如权利要求10所述的装置，其中所述线圈包括围绕所述线轴的不超过两个卷绕层。
18.如权利要求10所述的装置，其中所述第四宽度是所述第三宽度的至少90％。
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