CN113699494B - 预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还包括防干扰装置，防干扰装置设置于加热组件的用于与电源连接的一端，防干扰装置用以防止承载组件加载射频功率后干扰加热组件的电信号。本发明能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高待处理件的预处理效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。

Description

预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法。

背景技术

在半导体制造领域中，等离子体溅射是普遍应用于薄膜制备的一种工艺，其能够利用等离子体轰击靶材，以使靶材被溅射出来而沉积到晶圆的表面形成薄膜。而为了避免等离子体溅射工艺受到水汽和杂质的污染，在进行等离子体溅射之前通常需要进行去气工艺和预清洗工艺；其中，去气工艺是通过对晶圆进行加热以使晶圆表面的水汽蒸发，预清洗工艺是利用等离子体轰击晶圆表面以去除附着在晶圆表面上的杂质。

为了降低设备成本，现有技术中的去气工艺和预清洗工艺往往都在同一个工艺腔室中进行，但由于去气设备和预清洗设备完全不同，而且去气工艺和预清洗工艺的基本原理也完全不同，所以集成在同一个工艺腔室的去气设备和预清洗设备容易互相干扰，进而容易导致晶圆表面的水汽和杂质不能被完全去除。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室中且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定。

为实现本发明的目的而提供一种半导体设备的预处理腔室，用于在沉积工艺前对待处理件进行预处理，包括腔体以及设置在所述腔体内的介质窗、加热组件、承载组件和升降组件；其中，

所述介质窗将所述腔体内空间分成上下设置的第一腔和第二腔，所述加热组件设置于所述第一腔中；所述承载组件和所述升降组件设置于所述第二腔中；

所述承载组件用于与射频源连接；

所述升降组件用于将所述待处理件移动至第一工艺位或者第二工艺位；当所述待处理件处于所述第一工艺位时，所述加热组件能够对所述待处理件进行加热去气工艺；当所述待处理件处于所述第二工艺位时，所述待处理件承载于所述承载组件上，所述承载组件馈入射频功率以对所述待处理件进行预清洗工艺；

所述预处理腔室还包括防干扰装置，所述防干扰装置设置于所述加热组件的用于与电源连接的一端，所述防干扰装置用以防止所述承载组件加载射频功率后干扰所述加热组件的电信号。

可选的，所述承载组件包括基座本体、基座支撑轴和包裹所述基座本体侧面和下表面的屏蔽件；

所述基座支撑轴内设有射频馈入棒，所述基座本体通过所述射频馈入棒与射频源连接。

可选的，所述基座本体内部设置有辅助加热结构，所述辅助加热结构用于加热所述承载组件上的所述待处理件。

可选的，所述加热组件包括加热源和位于所述加热源上方的反射屏，其中，所述加热源用于朝向所述待处理件辐射热量；所述反射屏用于将所述加热源向外辐射的热量反射向所述待处理件。

可选的，所述升降组件包括安装架和多个顶针，其中：

所述顶针固定安装在所述安装架上，用于支撑所述待处理件；

所述安装架用于与驱动源连接。

作为另一种技术方案，本发明实施例还提供一种半导体的预处理方法，在上述实施例所述的预处理腔室中进行，其包括：

步骤S1：将所述待处理件传输进所述第二腔中；

步骤S2：控制所述升降组件将所述待处理件移动到所述第一工艺位，开启所述加热组件，以对所述待处理件进行去气工艺；

步骤S3：维持所述加热组件开启，所述升降组件将所述待处理件移动到所述第二工艺位；

步骤S4：向所述第二腔通入工艺气体，所述第二腔内压力稳定后，向所述承载组件加载射频功率，将所述工艺气体电离形成等离子体，以对所述待处理件进行预清洗工艺。

可选的，所述承载组件包括基座本体、基座支撑轴、屏蔽件和设置于所述基座本体内的辅助加热结构，所述步骤S3进一步包括：

当所述待处理件移动到所述第二工艺位时，所述辅助加热结构加热所述待处理件，并调节所述加热组件的加热功率，以使所述待处理件的温度达到第二工艺温度。

可选的，所述步骤S2进一步包括：

控制所述加热组件将所述待处理件的温度加热至第一工艺温度，以进行去气工艺；其中，所述第一工艺温度和所述第二工艺温度相同。

可选的，所述基座支撑轴内设有射频馈入棒，在此基础上，所述步骤S4包括：

通过所述射频馈入棒向所述基座本体加载射频功率，以将所述工艺气体电离形成等离子体；其中，

所述工艺气体的种类满足形成的所述等离子体中的离子能够与待处理件表面形成活性共价键。

作为另一种技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，其包括预处理腔室和沉积腔室；其中，所述预处理腔室采用上述实施例所述的预处理腔室。

可选的，所述半导体加工设备还包括分别与所述预处理腔室和所述沉积腔室相连通的传输腔室，所述传输腔室用于将所述待处理件在所述预处理腔室和所述沉积腔室之间传输。

作为另一种技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工方法，在上述实施例所述的半导体加工设备中进行，其包括：

在所述预处理腔室中，对所述待处理件进行预处理；

将所述待处理件由所述预处理腔室取出，经过所述传输腔室传输进所述沉积腔室；

在所述沉积腔室中，采用溅射工艺在所述待处理件表面形成薄膜。

本发明实施例具有以下有益效果：

本发明实施例提供的预处理腔室，通过设置升降组件驱动待处理件上升至第一工艺位或驱动托盘下降至第二工艺位，从而能够使待处理件能够在两个不同的位置分别进行去气工艺和预清洗工艺；并且将用于进行去气工艺的加热组件和用于进行预清洗工艺的承载组件分别设置在同一腔室的不同的腔内，通过设置防干扰装置，以避免加热组件的电信号被加载到承载组件上的射频信号干扰，可以实现在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高对待处理件进行预处理的效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。

本发明实施例提供的半导体的预处理方法，其在上述实施例提供的预处理腔室中进行，通过将待处理件移动到不同的位置的第一工艺位和第二工艺位，从而可以在同一腔室中对待处理件进行去气工艺和预清洗工艺；并且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，以使待处理件维持在较高的温度；有利于用于轰击待处理件表面的工艺离子能够与待处理件表面材料形成活性共价键，以为后续形成薄膜的工艺提供活性表面，待处理件表面活性增加，可以提升后续工艺中形成的薄膜质量。

本发明实施例提供的半导体加工设备及方法，通过将待处理件置入预处理腔室中对待处理件进行预处理工艺，再将待处理件取出并置入沉积腔室中，并在沉积腔室中对待处理件进行溅射工艺，以在待处理件表面形成膜层，以在两个不同的腔室中分别进行待处理件的预处理和溅射工艺，一是能够避免在进行去气工艺和预清洗工艺过程中产生的水汽或杂质污染腔室进而污染溅射工艺，二是通过维持待处理件在预处理工艺过程的温度，保证其在进行溅射工艺时也能处在较高的温度，从而得到性能更优的薄膜，并使设备的产能得到提升。

附图说明

图1为本发明实施例1提供的预处理腔室的结构简图；

图2为本发明实施例2提供的半导体预处理方法的流程图；

图3为本发明实施例3提供的半导体加工方法的流程图；

图4为采用常规高温半导体加工方法与采用实施例3提供的半导体加工方法形成的薄膜质量对比曲线图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法进行详细描述。

实施例1

请参考图1，本实施例提供一种半导体设备的预处理腔室，用于在沉积工艺前对待处理件进行预处理，例如进行去气工艺和预清洗工艺，具体的，待处理件例如为晶圆。预处理腔室包括：腔体1以及设置在腔体1中的加热组件3、承载组件4、升降组件5和介质窗2。

其中，介质窗2将腔体1内空间分成上下设置的第一腔11和第二腔12；加热组件3设置于第一腔11中，用于加热第二腔12中的待处理件，以使位于第二腔12中待处理件表面的液体加速蒸发，从而去除残留在待处理件表面的液体。具体的，在一些实施例中，前述介质窗2为石英材质，以使加热组件3能够透过石英材质的介质窗2向第二腔12辐射热量。而且，通过介质窗2与第二腔12密封设置，来维持第二腔12内部的真空度，以保证第二腔12的工艺环境。

承载组件4设置于第二腔12中，用于与射频源连接，以能够将射频功率馈入承载组件4上，同时腔室壁接地良好，当承载组件加载射频功率以后，将通入第二腔12的工艺气体激发成等离子体，与腔室壁形成回路，承载组件4上的待处理件感应产生负偏压(DC-bias),吸引腔室中的带正电的离子轰击待处理件表面进行预处理。

升降组件5也设置于第二腔12中，用于将待处理件移动至第一工艺位A，第一工艺位A靠近加热组件3，以能够通过加热组件3对待处理件进行去气工艺，而且能够提高加热效率；升降组件5还用于将待处理件移动至第二工艺位B，第二工艺位B位于承载组件4上，即，将待处理件置于承载组件4上，以通过承载组件4馈入射频功率，对待处理件进行预清洗工艺。

在现有技术中，通常在腔体上端设置有用于馈入射频功率的上电极，且该电极能够移入腔体和移出腔体；当上电极移出时，设置在腔体顶部的加热灯能够对待处理件进行加热；当上电极移入时，上电极位于腔体顶部中央用以形成射频电场以将工艺气体激发成等离子体，进行预清洗工艺，但是位于腔体顶部的加热灯会被上电极遮挡，从而造成腔体内部温度迅速降低，预清洗工艺在较低且不稳定的温度下进行，进而导致待处理件的预清洗不充分。由此可见，相较于现有技术，本实施例一方面利用升降组件5将待处理件移动至两个不同的位置分别进行去气工艺和预清洗工艺，可以将用于进行去气工艺的加热组件3和用于进行预清洗工艺的承载组件4分别设置在腔体1内的第一腔11和第二腔12中；另一方面通过承载组件与腔室壁形成的回路，无需设置上电极，能够避免预清洗工艺时加热组件3被遮挡，进而加热组件能够持续对待处理件进行加热，以使预处理工艺可以在足够高、足够稳定的温度下进行。

而且，预处理腔室还包括防干扰装置6，防干扰装置6设置于加热组件3的用于与电源连接的一端，防干扰装置6用以防止承载组件4加载射频功率后干扰加热组件3的电信号。这样设置的原因在于：加热组件3供电电源通常为交流电源，而当前述承载组件4上加载射频功率，且在第二腔12内部形成射频电场时，射频电场会干扰交流电信号，进而造成加热组件3输出功率不稳定的问题。而本实施例中的防干扰装置6，能够防止射频电场与交流信号相互干扰，从而既能够避免腔体1内部射频电场不稳定，也能够保证加热组件3稳定地对待处理件进行加热。

需要说明的是，本实施例提供的预处理腔室仅用于进行去气工艺和预清洗工艺，而不能够另外设置溅射靶材以进行溅射工艺。这样能够避免去气工艺和预清洗工艺产生的杂质污染腔室，进而提高溅射成膜的质量。而且，相较于使去气工艺、预清洗工艺和溅射工艺在同一个腔室中进行，本方案能够明显提高设备的产能。

在一些实施例中，如图1所示，承载组件4包括基座本体41、基座支撑轴42和屏蔽件43。其中，屏蔽件43包裹基座本体41侧面和下表面，用于避免等离子体轰击基座本体的侧面和下表面产生颗粒污染腔室环境。基座支撑轴42用于支撑基座本体41，其中设置有射频馈入棒45(图1中用虚线表示的棒状结构)，基座本体41通过射频馈入棒45与射频源(图中未示出)连接，以使射频功率通过射频馈入棒45加载至基座本体41上，从而能够形成射频电场将工艺气体激发成等离子体，完成预清洗工艺。

在一些实施例中，基座本体41内部还设置有辅助加热结构33，用于对置于承载组件4上的待处理件进行加热，即，对待处理件的下表面进行加热，一是配合前述加热组件3使待处理件均匀受热；二是使待处理件维持在一定的温度。

在一些实施例中，前述加热组件3还包括加热源31和反射屏32。其中，加热源31用于朝向待处理件辐射热量，具体的，加热源31例如为多个加热灯；反射屏32设置在第一腔11且位于加热源31上方，反射屏32的反射面朝向加热源31，用以将加热源31的热辐射波反射向待处理件，从而提高加热效率。加热源的电源线33一端与加热源31连接，另一端穿过上述防干扰装置6与位于腔体1外部的电源连接，即，上述防干扰装置6围绕在电源线33周围，以屏蔽由腔体1内部向外辐射的射频信号。

在一些实施例中，如图1所示，升降组件5包括安装架51和多个顶针52，其中：顶针52固定安装在安装架51上，多个顶针52的支撑端能够构成一个水平面，用以支撑待处理件。安装架51与驱动源53连接，用于在驱动源53的驱动下，带动多个顶针52同步上升，以使待处理件到达第一工艺位A；还用于在驱动源53的驱动下带动多个顶针52同步下降，以使待处理件到达第二工艺位B。在一些实施例中，预处理腔室外部还设置有用于运动密封的波纹管，用以对基座支撑轴与腔体的连接处进行密封。

本发明实施例提供的预处理腔室，通过设置升降组件驱动待处理件上升至第一工艺位或驱动托盘下降至第二工艺位，从而能够使处理件能够在两个不同的位置分别进行去气工艺和预清洗工艺；并且将用于进行去气工艺的加热组件和用于进行预清洗工艺的承载组件分别设置在同一腔室的不同的腔内，通过设置防干扰装置，以避免加热组件的电信号被加载到承载组件上的射频信号干扰，可以实现在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以增加待处理件的表面活性，使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。

实施例2

基于实施例1提供的预处理腔室，本实施例提供一种半导体加工的预处理方法，其在实施例1中的预处理腔室中进行，如图2所示，其具体包括以下步骤：

步骤S1：将待处理件传输进第二腔12中；

步骤S2：控制升降组件5将待处理件移动到第一工艺位A，开启加热组件3，以对待处理件进行去气工艺；

其中，第一工艺位A靠近加热组件3，以能够提高加热效率，从而提高去气工艺的工艺效率；

步骤S3：维持加热组件3开启，升降组件5将待处理件移动到第二工艺位B；

步骤S4：向第二腔12通入工艺气体，第二腔12内压力稳定后，向承载组件4加载射频功率，将工艺气体电离形成等离子体，以对待处理件进行预清洗工艺。

在一些实施例中，步骤S3进一步包括：

当待处理件移动到第二工艺位B时，辅助加热结构加热待处理件，并调节加热组件3的加热功率，以使待处理件的温度达到第二工艺温度。

在一些实施例中，上述步骤S2进一步包括以下步骤：

控制加热组件3将待处理件的温度加热至第一工艺温度，以进行去气工艺；其中，第一工艺温度和第二工艺温度相同。

在一些实施例中，基座支撑轴42内设有射频馈入棒45，步骤S4包括：

通过射频馈入棒45向基座本体41加载射频功率，以将工艺气体电离形成等离子体；其中，工艺气体的种类满足形成的等离子体中的离子能够轰击待处理件表面，以及与待处理件表面材料形成活性共价键，以便于在后续形成薄膜的工艺中形成膜层，且能够使待处理件表面与膜层之间具有较强的连接力。

以采用上述预处理方法对蓝宝石(Al₂O₃)晶圆进行预处理的过程为例，其具体包括以下步骤：

步骤S01：将蓝宝石晶圆放置于托盘54并传输进第二腔12中；

步骤S02：控制升降组件5带动托盘54上升至第一工艺位A，靠近加热组件3，以使加热组件3将晶圆加热至第一工艺温度，并保持该第一工艺温度对晶圆加热预设升温时长；具体的，第一工艺温度例如为500℃～600℃；

步骤S03：维持加热组件3开启，控制升降组件5带动托盘54下降至第二工艺位B，将托盘54放置在承载组件4上，同时开启辅助加热结构，并调节加热组件3的加热功率，以将晶圆加热至第二工艺温度；具体的，第二工艺温度例如为500℃～600℃；

步骤S04：向第二腔12内部持续通入工艺气体N₂预设通气时长；其中，工艺气体N₂的进气流量例如为200sccm～500sccm，预设通气时长例如为3s～5s；

步骤S05：待第二腔12内部气体压力稳定后，开启外部射频电源，以使预设射频功率由射频馈入棒45加载至承载组件4，以将第二腔12内部的工艺气体N₂激发成包含有N⁺的等离子体，因为腔室接地，可以与腔室壁形成回路，等离子体产生后晶圆感应产生负电压，吸引N⁺等离子体的轰击晶圆，以去除附着在晶圆表面上的杂质；同时N⁺与能够与蓝宝石(Al₂O₃)晶圆的表面材料发生反应，形成Al-N活性化合键，以便于后续溅射工艺中在蓝宝石晶圆表面形成AlN膜层，且AlN膜层与蓝宝石晶圆表面具有较强的连接力。具体的，预设射频功率值例如为15W～100W，外部射频电源开启时长例如为30s～100s。

本实施例提供的半导体的预处理方法，其在实施例1提供的预处理腔室中进行，通过将待处理件移动到不同的位置的第一工艺位和第二工艺位，从而可以在同一腔室中对待处理件进行去气工艺和预清洗工艺；并且在进行预清洗工艺时，通过开启辅助加热结构并调节加热组件的加热功率，以使待处理件维持在较高的温度；有利于用于轰击待处理件表面的工艺离子能够与待处理件表面材料形成活性共价键，以为后续形成薄膜的工艺提供活性表面，待处理件表面活性增加，可以提升后续工艺中形成的薄膜质量。

实施例3

在实施例1基础上，本实施例提供一种半导体加工设备，其包括预处理腔室和沉积腔室。其中，预处理腔室采用实施例1中的预处理腔室，用于对待处理件进行预处理；沉积腔室则采用现有的溅射工艺腔室，用于在经过预处理的待处理件表面沉积薄膜。

在一些实施例中，前述预处理腔室和沉积腔室之间还设置有传输腔室，传输腔室分别与预处理腔室和沉积腔室连通，用于将待处理件在预处理腔室和沉积腔室之间传输，以避免待处理件在传输过程中受到污染或者温度过快地下降。

作为另一种技术方案，本实施例还提供一种半导体加工方法，其在前述半导体加工设备中进行。

如图3所示，该半导体加工方法具体包括以下步骤：

步骤S11：在预处理腔室中，对待处理件进行预处理；

其中，对待处理件进行预处理时，采用实施例2的预处理方法；

步骤S12：将待处理件由预处理腔室取出，经过传输腔室传输进沉积腔室；

其中，待处理件的取放和传递的过程应当迅速进行，以尽可能减少待处理件温度的下降量；

步骤S13：在沉积腔室中，采用溅射工艺在待处理件表面形成薄膜。

本实施例提供的半导体加工方法，通过在预处理腔室和沉积腔室中分别进行预处理工艺和溅射沉积工艺，以能够避免去气工艺和预清洗工艺产生的杂质污染溅射工艺腔室，从而避免用于进行溅射的等离子体被污染。而且，相较于去气工艺、预清洗工艺和溅射工艺都在同一个腔室中进行，使预处理腔室中仅进行去气工艺和预清洗工艺，并在沉积腔室中进行溅射工艺，还能够提高整个半导体加工过程的产能。

以采用上述加工方法对蓝宝石(Al₂O₃)晶圆进行加工的过程为例，具体的，其中用于进行预清洗工艺的工艺气体和用于溅射的气体均为N₂，以使预清洗工艺后在晶圆表面残留的粒子不会影响后续的溅射工艺；其具体包括以下步骤：

步骤S21：在预处理腔室中，对晶圆进行预处理；

具体的，经过步骤S31的预处理过程后，N⁺与能够与蓝宝石(Al₂O₃)晶圆的表面材料发生反应，形成Al-N活性化合键，从而为后续溅射步骤提供活性表面；

步骤S22：控制机械手将晶圆由预处理腔室取出，经过传输腔室，放入沉积腔室；

步骤S23：在沉积腔室中，采用溅射工艺在晶圆表面形成AlN薄膜。

图4为采用常规高温半导体加工方法与采用本实施例提供的半导体加工方法形成的薄膜质量对比曲线图。其中，XRD值用于表征成膜质量，由图明显可见，采用本实施例提供的半导体加工方法形成的薄膜质量提高了大约50％。而且经过多次实际测试后，发明人发现，当采用本实施例提供的半导体加工方法加工后的晶圆应用在LED芯片中时，LED芯片的亮度能够提升0.5％，静电良率能够提升1％。

本实施例提供的半导体加工设备及方法，通过将待处理件置入预处理腔室中对待处理件进行预处理工艺，再将待处理件取出并置入沉积腔室中，并在沉积腔室中对待处理件进行溅射工艺，以在待处理件表面形成膜层，以在两个不同的腔室中分别进行待处理件的预处理和溅射工艺，一是能够避免在进行去气工艺和预清洗工艺过程中产生的水汽或杂质污染腔室进而污染溅射工艺，二是通过维持待处理件在预处理工艺过程的温度，保证其在进行溅射工艺时也能处在较高的温度，从而得到性能更优的薄膜，并使设备的产能得到提升。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种半导体设备的预处理腔室，用于在沉积工艺前对待处理件进行预处理，其特征在于，包括腔体以及设置在所述腔体内的介质窗、加热组件、承载组件和升降组件；其中，

所述介质窗将所述腔体内空间分成上下设置的第一腔和第二腔，所述加热组件设置于所述第一腔中；所述承载组件和所述升降组件设置于所述第二腔中；

所述承载组件用于与射频源连接；所述腔体接地；

所述升降组件用于将所述待处理件移动至第一工艺位或者第二工艺位；当所述待处理件处于所述第一工艺位时，所述加热组件开启以对所述待处理件进行加热去气工艺；当所述待处理件处于所述第二工艺位时，所述加热组件维持开启，所述待处理件承载于所述承载组件上，所述承载组件馈入射频功率与所述腔体之间形成放电回路以对所述待处理件进行预清洗工艺；

所述预处理腔室还包括防干扰装置，所述防干扰装置设置于所述加热组件的用于与电源连接的一端，所述防干扰装置用以防止所述承载组件加载射频功率后干扰所述加热组件的电信号。

2.根据权利要求1所述的预处理腔室，其特征在于，所述承载组件包括基座本体、基座支撑轴和包裹所述基座本体侧面和下表面的屏蔽件；

所述基座支撑轴内设有射频馈入棒，所述基座本体通过所述射频馈入棒与射频源连接。

3.根据权利要求2所述的预处理腔室，其特征在于，所述基座本体内部设置有辅助加热结构，所述辅助加热结构用于加热所述承载组件上的所述待处理件。

4.根据权利要求1所述的预处理腔室，其特征在于，所述加热组件包括加热源和位于所述加热源上方的反射屏，其中，所述加热源用于朝向所述待处理件辐射热量；所述反射屏用于将所述加热源向外辐射的热量反射向所述待处理件。

5.根据权利要求1所述的预处理腔室，其特征在于，所述升降组件包括安装架和多个顶针，其中：

所述顶针固定安装在所述安装架上，用于支撑所述待处理件；

所述安装架用于与驱动源连接。

6.一种半导体的预处理方法，在权利要求1-5任意一项所述的预处理腔室中进行，其特征在于，包括：

步骤S1：将所述待处理件传输进所述第二腔中；

步骤S2：控制所述升降组件将所述待处理件移动到所述第一工艺位，开启所述加热组件，以对所述待处理件进行去气工艺；

步骤S3：维持所述加热组件开启，所述升降组件将所述待处理件移动到所述第二工艺位；

步骤S4：向所述第二腔通入工艺气体，所述第二腔内压力稳定后，向所述承载组件加载射频功率，将所述工艺气体电离形成等离子体，以对所述待处理件进行预清洗工艺。

7.根据权利要求6所述的预处理方法，所述承载组件包括基座本体、基座支撑轴、屏蔽件和设置于所述基座本体内的辅助加热结构，其特征在于，所述步骤S3进一步包括：

当所述待处理件移动到所述第二工艺位时，所述辅助加热结构加热所述待处理件，并调节所述加热组件的加热功率，以使所述待处理件的温度达到第二工艺温度。

8.根据权利要求7所述的预处理方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：

控制所述加热组件将所述待处理件的温度加热至第一工艺温度，以进行去气工艺；其中，所述第一工艺温度和所述第二工艺温度相同。

9.根据权利要求7所述的预处理方法，所述基座支撑轴内设有射频馈入棒，其特征在于，所述步骤S4包括：

通过所述射频馈入棒向所述基座本体加载射频功率，以将所述工艺气体电离形成等离子体；其中，

所述工艺气体的种类满足形成的所述等离子体中的离子能够与待处理件表面形成活性共价键。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括预处理腔室和沉积腔室；其中，所述预处理腔室采用权利要求1-5任意一项所述的预处理腔室。

11.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括分别与所述预处理腔室和所述沉积腔室相连通的传输腔室，所述传输腔室用于将所述待处理件在所述预处理腔室和所述沉积腔室之间传输。

12.一种半导体加工方法，在权利要求11所述的半导体加工设备中进行，其特征在于，包括：

在所述预处理腔室中，对所述待处理件进行预处理；

将所述待处理件由所述预处理腔室取出，经过所述传输腔室传输进所述沉积腔室；

在所述沉积腔室中，采用溅射工艺在所述待处理件表面形成薄膜。

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