CN113655540A - 基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法及装置，方法包括：构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型；利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度；通过声波测井计算基质孔隙的孔隙度；根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度；根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度。本申请充分挖掘常规测井资料评价非均质储层物性的潜力，以达到利用常规测井系列评价非均质储层物性参数的目的，以便省钱、省时、快速对非均质储层物性做出解释，对非均质储层储集性能做出评价。
Description
技术领域
本申请属于非均质储层物探技术领域，具体地讲，涉及一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法及装置。
背景技术
由于非均质储层具有比常规均质孔隙性储层更为复杂的空隙空间结构与极强的非均质性，因此其储层测井解释评价的难度也大于均质储层。
现有的解释评价非均质储层的方法具有一些缺点，比如计算的裂缝孔隙度误差大、可信度低，而成像测井探测深度浅，难以对延伸较远的缝洞进行评价且成本高昂等。
目前国内一般多以均质储层模型为基础对非均质储层的常规测井进行评价，并不适合非均质性极强的储层测井评价领域。通过对非均质储层的岩心的观察表明，此类储集层具有多种类型的储集空间，目前国内外对于这类非均质储层用常规测井至计算一个孔隙度参数，因此常规测井很难准确评价此类储层，费时且成本高。
发明内容
本申请提供了一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法及装置，以至少解决现有技术中用均质储层模型为基础对非均质储层的常规测井进行评价而造成的相关问题。
根据本申请的一个方面，提供了一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法，包括：
构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙；
利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度；
通过声波测井计算基质孔隙的孔隙度；
根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度；
根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度。
在一实施例中，利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度，包括：
确定密度测井的第一岩性骨架值；
通过交会图骨架参数发确定骨架参数；
根据第一岩性骨架值和骨架参数确定岩石密度骨架值，并根据岩石密度骨架值确定总孔隙度。
在一实施例中，根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度，包括：
将总孔隙度与基质孔隙的孔隙度作差获得缝洞孔隙度；
用含水裂缝层的电阻率作为基准值RCL计算裂缝发育系数；
根据裂缝发育系数和缝洞孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度。
在一实施例中，根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度，包括：
对缝洞孔隙度与裂缝孔隙度作差获得孔洞孔隙的孔隙度。
根据本申请的另一个方面，还提供了一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置，包括：
模型构建单元，用于构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙；
总孔隙度计算单元，用于利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度；
基质孔隙度计算单元，用于通过声波测井计算基质孔隙的孔隙度；
裂缝孔隙度计算单元，用于根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度；
孔洞孔隙度计算单元，用于根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度。
在一实施例中，总孔隙度计算单元包括：
第一岩性骨架值确定模块，用于确定密度测井的第一岩性骨架值；
骨架参数确定模块，用于通过交会图骨架参数发确定骨架参数；
总孔隙度确定模块，用于根据第一岩性骨架值和骨架参数确定岩石密度骨架值，并根据岩石密度骨架值确定总孔隙度。
在一实施例中，裂缝孔隙度计算单元包括：
缝洞孔隙度获取模块，用于将总孔隙度与基质孔隙的孔隙度作差获得缝洞孔隙度；
裂缝发育系数确定模块，用于用含水裂缝层的电阻率作为基准值RCL计算裂缝发育系数；
裂缝孔隙度确定模块，用于根据裂缝发育系数和缝洞孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度。
在一实施例中，孔洞孔隙度计算单元包括：
孔洞孔隙度获取模块，用于对缝洞孔隙度与裂缝孔隙度作差获得孔洞孔隙的孔隙度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法流程图。
图2为本申请实施例中总孔隙度计算方法流程图。
图3为本申请实施例中裂缝孔隙度计算方法流程图。
图4为本申请实施例中三重孔隙结构体积模型图。
图5为本申请实施例中中子-密度交会图。
图6为本申请实施例中中子-声波交会图。
图7为本申请提供的一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置结构框图。
图8为本申请实施例中总孔隙度计算单元的结构框图。
图9为本申请实施例中东坪基岩常规裂缝与成像裂缝对比。
图10为本申请实施例中花岗岩剖面测井解释缝洞与岩心对比图。
图11为本申请实施例中碳酸盐岩剖面测井处理解释成果图。
图12为本申请实施例中一种电子设备的具体实施方式。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
基于背景技术中存在的问题，本申请提供了一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法，如图1所示，包括：
S101：构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙。
S102：利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度。
S103：通过声波测井计算基质孔隙的孔隙度。
S104：根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度。
S105：根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度。
在一实施例中，利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度，如图2所示，包括：
S201：确定密度测井的第一岩性骨架值。
S202：通过交会图骨架参数发确定骨架参数。
S203：根据第一岩性骨架值和骨架参数确定岩石密度骨架值，并根据岩石密度骨架值确定总孔隙度。
在一实施例中，根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度，如图3所示，包括：
S301：将总孔隙度与基质孔隙的孔隙度作差获得缝洞孔隙度。
S302：用含水裂缝层的电阻率作为基准值RCL计算裂缝发育系数。
S303：根据裂缝发育系数和缝洞孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度。
在一实施例中，根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度，包括：
对缝洞孔隙度与裂缝孔隙度作差获得孔洞孔隙的孔隙度。
在一具体实施例中，针对基岩储层的地质特点，建立非均质储层三重孔隙结构解释模型，该模型的储集空间包括裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙三部分，如图4所示。随着储集空间的变化，该模型可变为各种储层类型的解释模型，以适应多种储层类型解释需要。当裂缝和孔洞孔隙体积变化时，模型可变换为孔隙型储层解释模型、孔洞型储层解释模型和双重孔隙介质解释模型，适用于不同类型储层的解释。在图4中， V为岩石总体积，Vma为岩石骨架体积，Vφ为总孔隙体积，VBD为基质和孔洞的体积， VL为裂缝体积，VB为基质孔隙体积，VD为孔洞体积。
首先，进行总孔隙度的计算。由于非均质储层岩性变化大，岩石密度骨架值的变化范围也很大，有的层段大于2.8g/cm3，所以其总孔隙度的计算是利用中子密度交会的方法进行的，该方法可消除单一因素的影响。该方法的关键在于骨架点的选取，对于常规砂岩储层，密度骨架值一般选2.65g/cm3，而对于非均质储层孔隙度的计算，交会图的骨架参数选取可采用作零孔隙度线方法确定密度测井的第一种岩性骨架值，然后用交会图骨架参数法选取其他骨架参数。
然后计算基质孔隙度，为了取得合理的基质孔隙度，针对现有的测井系列构思了用多种测井资料综合判断基质孔隙度φB的方法。其指导思想是利用测井资料综合分析本层的声波测井值是否反映基质孔隙度，如果是，则用声波测井计算基质孔隙度φB；如果不是，则用相邻层的基质孔隙度φB代替本层的基质孔隙度。
最后计算裂缝孔隙度和孔洞孔隙度，裂缝孔隙度的求取是在获得总孔隙度和基质孔隙度的基础上进行的。根据三重孔隙解释模型概念，总孔隙度等于基质孔隙度、孔洞孔隙度和裂缝孔隙度之和，缝洞孔隙度等于总孔隙度减去基质孔隙度，再用含水裂缝层的电阻率作为基准值RCL计算裂缝发育系数，由裂缝发育系数和缝洞孔隙度计算裂缝孔隙度，再由缝洞孔隙度减去裂缝孔隙度就得到了孔洞孔隙度。由此得到非均质储层的总孔隙度、基质孔隙度、裂缝孔隙度和孔洞孔隙度，为划分储层类型，评价储集性能奠定基础。
将本申请提供的方法应用于具体的实际计算中，如下所示：
步骤1：首先用中子-密度和中子-声波交会图进行骨架参数的选取，具体方法见图5和图6。Q1为本井段第一岩性骨架点，选取纵坐标上目标层段密度测井分布频率的下边缘线作为该点的骨架值；Q2为本井段第二岩性骨架点，由交会三角自动确定；G为目标井段干粘土骨架值，由交会三角自动确定；C点为目标井段湿粘土骨架值，使得由C和G点构成的直线外的资料点数据小于5％为其选取原则。Sd为岩性控制线，选取原则为横坐标上置信区间为5％的测井数据资料点值。当取得了这些岩石骨架值后，再根据中子密度交会图计算非均质地层剖面的岩性和总孔隙度。
步骤2：计算基质孔隙度。根据声波的传播机理，可用声波孔隙度φs、总孔隙度φT和地层电阻率Rt，建立不同类型储层基质孔隙度φB的综合判别式(见表1)，由判别式可知，根据不同的储层性质、测井响应特征及其之间的逻辑关系，用声波孔隙度、孔隙度和电阻率判别计算基质孔隙度。
表1基质孔隙度判别分析及判别式
表中RCT为水平裂缝、网状裂缝、缝洞复合型储层与垂直裂缝、孔洞型、孔隙型储层的临界值。
步骤3：计算缝洞孔隙度。根据三重孔隙解释模型概念，总孔隙度等于基质孔隙度、孔洞孔隙度和裂缝孔隙度之和：
φT＝φB+φd+φf
故有缝洞孔隙度：
φfd＝φT-φB
即在求得总孔隙度和基质孔隙度之后，利用上述体积模型关系即可得到缝洞孔隙度。
步骤4：计算裂缝发育系数。于电阻率测井对储集层类型相当敏感，当地层存在裂缝时，呈现明显的低值响应。因此，电阻率反映了裂缝的发育情况。如果规定含水裂缝储集层裂缝电阻率的基准值为RCL，则有裂缝发育系数：
W＝(RCL/Rt)2
步骤5：裂缝孔隙度的计算。裂缝孔隙度的求取是在获得缝洞孔隙度和裂缝发育系数的基础上进行的。利用裂缝发育系数从缝洞孔隙度φfd中提取裂缝孔隙度：
φf＝W·φfd
步骤6：计算孔洞孔隙度。由步骤3中的孔隙体积之间的关系可知，孔洞孔隙度等于缝洞孔隙度减去裂缝孔隙度，在缝洞孔隙度和裂缝孔隙度求取基础上，即可得到孔洞孔隙度：
φkd＝φfd-φf
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置，可以用于实现上述实施例中所描述的方法，如下面实施例所述。由于基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置解决问题的原理与基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法相似，因此基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置的实施可以参见基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法的实施，重复之处不再赘述。以下所使用的，术语“单元”或者“模块”可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的系统较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
本申请提供了一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置，如图7所示，包括：
模型构建单元701，用于构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙；
总孔隙度计算单元702，用于利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度；
基质孔隙度计算单元703，用于通过声波测井计算基质孔隙的孔隙度；
裂缝孔隙度计算单元704，用于根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度；
孔洞孔隙度计算单元705，用于根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度。
在一实施例中，如图8所示，总孔隙度计算单元702包括：
第一岩性骨架值确定模块801，用于确定密度测井的第一岩性骨架值；
骨架参数确定模块802，用于通过交会图骨架参数发确定骨架参数；
总孔隙度确定模块803，用于根据第一岩性骨架值和骨架参数确定岩石密度骨架值，并根据岩石密度骨架值确定总孔隙度。
在一实施例中，裂缝孔隙度计算单元包括：
缝洞孔隙度获取模块，用于将总孔隙度与基质孔隙的孔隙度作差获得缝洞孔隙度；
裂缝发育系数确定模块，用于用含水裂缝层的电阻率作为基准值RCL计算裂缝发育系数；
裂缝孔隙度确定模块，用于根据裂缝发育系数和缝洞孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度。
在一实施例中，孔洞孔隙度计算单元包括：
孔洞孔隙度获取模块，用于对缝洞孔隙度与裂缝孔隙度作差获得孔洞孔隙的孔隙度。
将本申请提供的方法和装置付诸实际生产应用已取得良好的效果，该方法既能在碳酸盐岩地层进行应用，也能在花岗岩地层进行应用，在火山岩地层中也取得了很好的应用效果，具有很高的推广价值。在图9中，该井为基岩剖面，第三道的蓝色虚线为常规测井计算的裂缝孔隙度，黑色和绿色实线分别为两种不同软件处理得到的成像裂缝孔隙度。从对比结果看，常规测井计算的裂缝孔隙度无论在纵向上的变化趋势上还是在数值大小上，均与成像测井计算的裂缝孔隙度有较好的一致性，表明常规测井计算裂缝孔隙度的合理性和可靠性。图10为花岗岩剖面测井解释缝洞与岩心对比图，常规测井计算的裂缝孔隙度与成像测井计算的裂缝孔隙度具有很好的一致性，常规测井计算的孔洞孔隙度比较发育，与岩心观察到的溶蚀孔洞具有很好的对应关系，试油结果(日产油3000桶)也有验证了该方法的可靠性。图11为碳酸盐剖面测井处理解释成果图，均质模型处理结果无裂缝信息，含油气饱和度也很低，对应测井解释为水层；而用非均质模型处理的结果显示，该井段是有裂缝发育的，裂缝孔隙度主要分布在0.01-0.1％之间，含油气饱和度也达到了60％以上，指示具有较好的油气性，经测试为高产油气层；以上对比结果表明，非均质测井模型与方法既计算出了反映非均质储层孔隙结构复杂性的裂缝孔隙度与孔洞孔隙度，也提高了流体性质的判识率，又提高了对油气测试结果与产能高低的认识。
本申请的实施例还提供能够实现上述实施例中的方法中全部步骤的一种电子设备的具体实施方式，参见图12，所述电子设备具体包括如下内容：
处理器(processor)1201、内存1202、通信接口(Communications Interface)1203、总线1204和非易失性存储器1205；
其中，所述处理器1201、内存1202、通信接口1203通过所述总线1204完成相互间的通信；
所述处理器1201用于调用所述内存1202和非易失性存储器1205中的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例中的方法中的全部步骤，例如，所述处理器执行所述计算机程序时实现下述步骤：
S101：构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙。
S102：利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度。
S103：通过声波测井计算基质孔隙的孔隙度。
S104：根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度。
S105：根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度。
本申请的实施例还提供能够实现上述实施例中的方法中全部步骤的一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中的方法的全部步骤，例如，所述处理器执行所述计算机程序时实现下述步骤：
S101：构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙。
S102：利用中子密度交会法计算三重孔隙结构解释模型的总孔隙度。
S103：通过声波测井计算基质孔隙的孔隙度。
S104：根据总孔隙度和基质孔隙的孔隙度计算裂缝孔隙的孔隙度。
S105：根据总孔隙度和裂缝孔隙度确定孔洞孔隙的孔隙度。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于硬件+程序类实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。虽然本说明书实施例提供了如实施例或流程图所述的方法操作步骤，但基于常规或者无创造性的手段可以包括更多或者更少的操作步骤。实施例中列举的步骤顺序仅仅为众多步骤执行顺序中的一种方式，不代表唯一的执行顺序。在实际中的装置或终端产品执行时，可以按照实施例或者附图所示的方法顺序执行或者并行执行(例如并行处理器或者多线程处理的环境，甚至为分布式数据处理环境)。术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、产品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、产品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，并不排除在包括所述要素的过程、方法、产品或者设备中还存在另外的相同或等同要素。为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然，在实施本说明书实施例时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现，也可以将实现同一功能的模块由多个子模块或子单元的组合实现等。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。本领域技术人员应明白，本说明书的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本说明书实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本说明书实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本说明书实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。以上所述仅为本说明书实施例的实施例而已，并不用于限制本说明书实施例。对于本领域技术人员来说，本说明书实施例可以有各种更改和变化。凡在本说明书实施例的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本说明书实施例的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法，其特征在于，包括：
构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，所述三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙；
利用中子密度交会法计算所述三重孔隙结构解释模型的总孔隙度；
通过声波测井计算所述基质孔隙的孔隙度；
根据所述总孔隙度和所述基质孔隙的孔隙度计算所述裂缝孔隙的孔隙度；
根据所述总孔隙度和所述裂缝孔隙度确定所述孔洞孔隙的孔隙度。
2.根据权利要求1所述的基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法，其特征在于，所述利用中子密度交会法计算所述三重孔隙结构解释模型的总孔隙度，包括：
确定密度测井的第一岩性骨架值；
通过交会图骨架参数发确定骨架参数；
根据所述第一岩性骨架值和所述骨架参数确定岩石密度骨架值，并根据所述岩石密度骨架值确定总孔隙度。
3.根据权利要求1所述的基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法，其特征在于，所述根据所述总孔隙度和所述基质孔隙的孔隙度计算所述裂缝孔隙的孔隙度，包括：
将所述总孔隙度与所述基质孔隙的孔隙度作差获得缝洞孔隙度；
用含水裂缝层的电阻率作为基准值RCL计算裂缝发育系数；
根据所述裂缝发育系数和所述缝洞孔隙度计算所述裂缝孔隙的孔隙度。
4.根据权利要求1所述的基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法，其特征在于，所述根据所述总孔隙度和所述裂缝孔隙度确定所述孔洞孔隙的孔隙度，包括：
对所述缝洞孔隙度与所述裂缝孔隙度作差获得所述孔洞孔隙的孔隙度。
5.一种基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置，其特征在于，包括：
模型构建单元，用于构建非均质储层的三重孔隙结构解释模型，所述三重孔隙结构解释模型包括：裂缝孔隙、基质孔隙和孔洞孔隙；
总孔隙度计算单元，用于利用中子密度交会法计算所述三重孔隙结构解释模型的总孔隙度；
基质孔隙度计算单元，用于通过声波测井计算所述基质孔隙的孔隙度；
裂缝孔隙度计算单元，用于根据所述总孔隙度和所述基质孔隙的孔隙度计算所述裂缝孔隙的孔隙度；
孔洞孔隙度计算单元，用于根据所述总孔隙度和所述裂缝孔隙度确定所述孔洞孔隙的孔隙度。
6.根据权利要求5所述的基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置，其特征在于，所述总孔隙度计算单元包括：
第一岩性骨架值确定模块，用于确定密度测井的第一岩性骨架值；
骨架参数确定模块，用于通过交会图骨架参数发确定骨架参数；
总孔隙度确定模块，用于根据所述第一岩性骨架值和所述骨架参数确定岩石密度骨架值，并根据所述岩石密度骨架值确定总孔隙度。
7.根据权利要求5所述的基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置，其特征在于，所述裂缝孔隙度计算单元包括：
缝洞孔隙度获取模块，用于将所述总孔隙度与所述基质孔隙的孔隙度作差获得缝洞孔隙度；
裂缝发育系数确定模块，用于用含水裂缝层的电阻率作为基准值RCL计算裂缝发育系数；
裂缝孔隙度确定模块，用于根据所述裂缝发育系数和所述缝洞孔隙度计算所述裂缝孔隙的孔隙度。
8.根据权利要求5所述的基于常规测井的非均质储层物性参数计算装置，其特征在于，所述孔洞孔隙度计算单元包括：
孔洞孔隙度获取模块，用于对所述缝洞孔隙度与所述裂缝孔隙度作差获得所述孔洞孔隙的孔隙度。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1至4中任意一项所述基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述基于常规测井的非均质储层物性参数计算方法。
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| CN111810136A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-23 | 中国石油大学(北京) | 致密白云岩储层固态沥青的定量评价方法和装置 |
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Also Published As
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