CN113655098A - 基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,包括:对待测硅油试样进行极化‑去极化电流测试,获取其极化电流及去极化电流;采用矩阵束算法对待测硅油试样进行基于扩展Debye等效电路模型的支路辨识;取时间常数较大的支路,将该支路的加权系数及时间常数相乘,作为反映绝缘硅油中微水含量的介电参数;根据绝缘硅油中微水含量的介电参数计算硅油中的微水含量。本发明避免了传统卡尔费休测试法需要水分平衡及水分测试两个过程的长时间测试,使得测试结果获取更为快捷。其测量精度极高,测试结果及计算误差极小,相较于其他方法更为精准可信。本发明测试方法简单,对测试环境及测试装置要求不高,适于在本领域内推广使用。
Description
技术领域
本发明涉及电缆终端的绝缘防护技术领域,特别涉及一种基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法。
背景技术
电力电缆是城市输配电网络中的关键核心电气设备之一,电缆及其附件的良好绝缘状态逐渐成为电力系统安全运行的基本保障。与电缆本体相比,电缆附件(电缆中间接头与终端)属于绝缘薄弱的环节,也是运行故障的高发位置。与固体绝缘终端相比,绝缘硅油填充的电缆终端以其成熟的生产制造工艺和运行经验,在高压电缆终端中一直占有很大比例。然而在实际运行中,充油终端内部填充绝缘硅油会在电、热复合应力及潮湿环境的作用下而逐渐劣化变质,从而造成绝缘性能下降,最终导致电缆终端出现发热现象甚至绝缘击穿。根据国际大电网委员会工作组对51kV-400kV电缆终端进行的故障统计,在1988年到至2010年间统计地域上发生的61起击穿性故障中,充油电缆终端的故障占到18起,其中内部填充绝缘油的劣化变质是重要原因之一。近年来,诸多学术论文及科技报告都报道了微水含量是影响硅油绝缘状态的重要因素之一。此外,高压电缆终端内部填充硅油中的微水含量增多还会导致终端局部区域介质损耗激增,使得终端出现局部异常发热现象,进一步加速终端绝缘劣化。
针对上述问题,亟需在终端投运后,定期对其内部填充硅油的微水含量进行定量检测。传统的测试绝缘油中微水含量的方法为卡尔-费休滴定法,但其却存在测试时耗较长且现场取油不便等缺点。而近年来基于介电响应原理的绝缘评估技术因其具有信息量丰富、无损评估绝缘材料含水量及老化状态等优点,逐渐被应用到各类电气绝缘老化及受潮状态评估中。介电测试手段包括回复电压法(Returned Voltage Measurement,RVM)、频域介电谱法(Frequency Domain Spectroscopy,FDS)及极化-去极化电流法(Polarizationand Depolarization Current,PDC)。其中,RVM及PDC属于时域介电响应方法:RVM通过测量分析介质极化后的开路电压特性从而评估介质绝缘性能,PDC则通过测量介质极化电流与去极化电流曲线以判断其绝缘性能;FDS属于频域介电响应方法,通过分析绝缘介质在不同频率电压下的电流响应对其绝缘性能进行评估。上述方法虽然都能在一定程度上应用于对绝缘硅油中微水含量的检测评估,但相比于PDC方法,RVM及FDS在对绝缘油中微水含量评估方面有以下弊端:RVM仅关注试样的回复电压,其携带信息极为有限,属于对绝缘材料整体性能评估方法,难以获得对绝缘性能的进一步分析;FDS需要测试由低频至高频电压下的绝缘硅油参数,测试耗时极长。而PDC克服了以上缺点,其在包含丰富的绝缘信息量的基础上具有相对较短的测试耗时,此外,PDC由于使用阶跃电压激励,其对测试设备的容量需求小,操作灵活便捷。尽管如此,现有研究及技术并未深入开展PDC测量方法在高压电缆充油终端用绝缘硅油的微水含量评估中。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,将极化-去极化电流法应用于电缆终端用硅油微水含量测量中,解决了现有技术测试耗时长的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
对待测硅油试样进行极化-去极化电流测试,获取其极化电流及去极化电流;
采用矩阵束算法对待测硅油试样进行基于扩展Debye等效电路模型的支路辨识,并将扩展Debye等效电路模型的支路数设定为2;
取时间常数较大的支路,将该支路的加权系数及时间常数相乘,作为反映绝缘硅油中微水含量的介电参数;
根据绝缘硅油中微水含量的介电参数计算硅油中的微水含量。
进一步的,所述对待测硅油试样进行极化-去极化电流测试,获取其极化电流及去极化电流包括:
将油杯中的硅油试样升温至第一设定温度并保持至少第一设定时间段,并且在整个PDC测试过程中要保持在第一设定温度;
向待测硅油试样施加电压进行极化,极化时间为至少第二设定时间段,在极化过程中测量并记录待测试样的极化电流;
将待测试样接地进行去极化,去极化时间与极化时间相同,在去极化过程中测量并记录待测试样的去极化电流。
进一步的,所述采用矩阵束算法对待测硅油试样进行基于扩展Debye等效电路模型的支路辨识包括:
将去极化电流x(k)(k=1,2…,N)作为采样信号,并将其作为矩阵元素构建Hankel矩阵X;
对矩阵X进行SVD分解,从中提取出X的奇异值矩阵V;
保留奇异值矩阵V的前两列,其余值赋0构成新的奇异值矩阵V′,分别去除矩阵D的最后一行和第一行得到矩阵D1和D2,进而利用矩阵S、矩阵V′、矩阵D1和矩阵D2重新构建信号矩阵X1和矩阵X2;
利用重新构建的信号矩阵X1和矩阵X2进一步构建矩阵束X2-λX1,计算矩阵束的广义特征值矩阵G,求出矩阵G的特征值,记为λi(i=1,2);
求得信号复幅值Ri;
计算待测绝缘硅油Debye等效电路模型中的各支路加权系数Aj及各支路时间常数τj。
进一步的,所述矩阵X表达为:
其中,N为数组元素总数,L为小于N-1的任意常数。
进一步的,所述矩阵X的SVD分解式为:
X=SVDT;
其中,S为(N-L)×(N-L)的正交矩阵;D为(L+1)×(L+1)的正交矩阵,DT表示D的转置矩阵;V为(N-L)×(L+1)的对角阵,其对角元素即为矩阵X的奇异值。
进一步的,所述矩阵X1和矩阵X2的表达式为:
X1=SV′D1 T;
X2=SV′D2 T;
其中,D1 T表示D1的转置矩阵,D2 T表示D2的转置矩阵。
进一步的,所述信号复幅值Ri的计算公式为:
进一步的,各支路加权系数Aj及各支路时间常数τj的计算公式为:
Aj=|Rj|;
其中,j=1,2;Ts表示采样时间间隔。
进一步的,所述绝缘硅油中的微水含量的计算公式为:
其中,w为计算得出的绝缘硅油中微水含量,A2τ2为时间常数较大的支路的加权系数及时间常数的乘积。
进一步的,所述第一设定温度为90℃,所述第一设定时间段为30min,所述第二设定时间段为180s。
本发明与现有技术相比,具有以下有益效果:
1、本发明采用三电极油杯作为绝缘硅油的容器,其良好的屏蔽作用,有利于获得更为准确的测试结果。此外,采用在同一温度下的测试条件,不仅消除了温度对于介电响应测试的影响,也考虑到了温度对于油中水分溶解量的影响,测试结果更具有横向对比意义。
2、本发明通过极化-去极化电流法进行绝缘硅油中微水含量的测试,避免了传统卡尔费休测试法需要水分平衡及水分测试两个过程的长时间测试需求,使得测试结果获取更为快捷。同时,也避免了卡尔费休测试容易受环境湿度影响的缺点,充分控制了影响测试结果的各个参量,具有较高的可信度。
3、本发明采用矩阵束算法确定电缆的Debye等效电路模型中各支路加权系数Aj及时间常数τj,最终求得能够反映绝缘硅油中微水含量的介电参数A2τ2,该结果基于PDC微电流测试(精度达pA级),其测量精度极高,测试结果及计算误差极小,相较于其他方法更为精准可信;
4、本发明基于极化-去极化电流无损测试方法,测试装置便携,测试方法简单,对测试环境及测试装置要求不高,测试时间短,且不会对所测硅油试样造成任何破坏,在诊断评估电缆终端用硅油微水含量方面具有极强的实用性,适于在本领域内推广使用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为极化-去极化电流测试回路;
图2为极化电流的测量结果;
图3为去极化电流的测量结果;
图4为不同微水含量绝缘硅油Debye等效电路模型中的各支路加权系数Aj及各支路时间常数τj的辨识结果;
图5为本发明的介电参数的测试值与计算值的对比关系;
图6为本发明的基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法的步骤图。
具体实施方式
下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
本发明的基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,包括以下步骤:
步骤S1、对待测硅油试样进行极化-去极化电流测试,获取其极化电流及去极化电流。
采用极化-去极化电流测试回路对待测硅油试样进行极化-去极化电流测试,具体包括以下步骤:
步骤S101、极化-去极化电流测试之前将油杯中的硅油试样升温至第一设定温度并保持至少第一设定时间段,并且在整个PDC测试过程中要保持在第一设定温度。
测试硅油容器需为满足标准GB/T 5654—2007的三电极油杯,并根据相关要求做好屏蔽电极良好接地。
本发明实施中,第一设定温度优选90℃,也可以根据实际需要设定为其他温度值。第一设定时间段优选30min。
步骤S102、向待测硅油试样施加电压进行极化,极化时间为至少第二设定时间段,在极化过程中测量并记录待测试样的极化电流。
本发明实施中,第二设定时间段优选180s。
步骤S103、将待测试样接地进行去极化,去极化时间与极化时间相同,在去极化过程中测量并记录待测试样的去极化电流。
本发明的实施例中,所用绝缘硅油型号为美国道康宁公司生产的XIAMETERTM PMX-561,获得不同微水含量的硅油样本过程如下:首先,将硅油样品放入70℃、133Pa条件下的真空干燥箱中进行96h的干燥脱气处理;随后,将完全干燥的硅油放入25℃、80%湿度的恒温恒湿箱中进行吸湿,间隔不同时间取出,最终获得微水含量分别为16.71ppm、34.26ppm、57.29ppm、79.15ppm、100.46ppm与142.58ppm的硅油试样。
如图1所示,本实施例中所使用的高压直流电源7一端经导线与单刀双掷开关6的触头a连接,另一端经导线与皮安表8连接,皮安表8另一端经导线与三电极油杯4的低压电极2连接,单刀双掷开关6的闸刀经导线与保护电阻5一端连接,保护电阻5另一端经导线与三电极油杯4的高压电极1连接,单刀双掷开关6的触头b、三电极油杯4的屏蔽电极3均经导线接地,高压直流电源7、单刀双掷开关6和皮安表8均经RS-232与上位机9连接,由上位机9对高压直流电源7和单刀双掷开关6进行控制,并实时对皮安表8的数据进行采集。
利用图1中的极化-去极化电流测试回路对不同微水含量的绝缘硅油试样进行极化去极化电流测试:首先,通过上位机9控制单刀双掷开关6,将闸刀连接至触头a,并通过高压直流电源7向三电极油杯4施加200V直流电压进行极化操作,极化时间为180s;随后,控制单刀双掷开关6,将闸刀切换至触头b,将试样接地,通过保护电阻5放电,进行去极化操作,去极化时间为180s。在上述过程中,采用皮安表8分别测量不同微水含量绝缘硅油试样的极化电流及去极化电流,测量结果分别如图2、图3所示。
步骤S2、采用矩阵束算法对待测硅油试样进行基于扩展Debye等效电路模型的支路辨识,并将扩展Debye等效电路模型的支路数设定为2。
上述步骤S2中,采用矩阵束算法对待测硅油试样进行扩展Debye等效电路模型支路辨识的具体步骤如下:
步骤S201、将实测采样去极化电流x(k)(k=1,2…,N)作为采样信号,并将其作为矩阵元素构建Hankel矩阵X,如下:
式中,N为数组元素总数,L为小于N-1的任意常数。
步骤S202、对矩阵X进行SVD分解,从中提取出X的奇异值矩阵V:
X=SVDT (2);
式中,S为(N-L)×(N-L)的正交矩阵;D为(L+1)×(L+1)的正交矩阵,DT表示D的转置矩阵;V为(N-L)×(L+1)的对角阵,其对角元素即为矩阵X的奇异值。
步骤S203、保留奇异值矩阵V的前两列,其余值赋0构成新的奇异值矩阵V′,分别去除矩阵D的最后一行和第一行得到矩阵D1和D2,进而利用矩阵S、矩阵V′、矩阵D1和矩阵D2重新构建信号矩阵X1和X2:
X1=SV′D1 T (3)
X2=SV′D2 T (4)
步骤S204、利用重新构建的信号矩阵X1和X2进一步构建矩阵束X2-λX1,计算如下所示的矩阵束的广义特征值矩阵G,求出矩阵G的特征值,记为λi(i=1,2)。
广义特征值矩阵G的表达式为:
式中,X1 +为X1的伪逆矩阵。
步骤S205、通过下式求得信号复幅值Ri:
步骤S206、按照以下公式计算待测绝缘硅油Debye等效电路模型中的各支路加权系数Aj及各支路时间常数τj:
Aj=|Rj|(7)
(8)式中,j=1,2,Ts表示采样时间间隔。
不同微水含量绝缘硅油Debye等效电路模型中的各支路加权系数Aj及各支路时间常数τj的辨识结果如图4所示。
步骤S3、取时间常数较大的支路,将该支路的加权系数Aj及时间常数τj相乘作为反映绝缘硅油中微水含量的介电参数。
间常数较大的支路所代表的极化类型为绝缘硅油中水分的极化,其相关介电参数为水分极化的介电行为。假设第2路时间常数较大,那么反映绝缘硅油中微水含量的介电参数的表达式为A2τ2。加权系数及时间常数的乘积也称为该支路的极化介电参数。
步骤S4、根据反映绝缘硅油中微水含量的介电参数计算硅油中的微水含量。
分析待测硅油试样的极化-去极化电流,按照步骤S2与S3中的矩阵束及介电参数计算方法得出待测试样的极化介电参数,将其代入与绝缘硅油微水含量的对照关系式,从而得到硅油中的微水含量。
按照以下公式计算得出绝缘硅油中的微水含量:
式中,w为计算得出的绝缘硅油中微水含量,A2τ2为时间常数较大的支路的加权系数及时间常数的乘积,也就是时间常数较大的支路的极化介电参数。
图5中三角形图例为根据步骤S3计算得到的介电参数A2τ2代入式(9)得到的绝缘硅油试样中微水含量的计算值,球形图例为实际值。可以看出,本发明所提出的基于极化去极化电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法具有较高的精度。
以上仅为说明本发明的实施方式,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,凡在本发明的精神和原则之内,不经过创造性劳动所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
对待测硅油试样进行极化-去极化电流测试,获取其极化电流及去极化电流;
采用矩阵束算法对待测硅油试样进行基于扩展Debye等效电路模型的支路辨识,并将扩展Debye等效电路模型的支路数设定为2;
取时间常数较大的支路,将该支路的加权系数及时间常数相乘,作为反映绝缘硅油中微水含量的介电参数;
根据绝缘硅油中微水含量的介电参数计算硅油中的微水含量。
2.根据权利要求1所述的基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,其特征在于,所述对待测硅油试样进行极化-去极化电流测试,获取其极化电流及去极化电流包括:
将油杯中的硅油试样升温至第一设定温度并保持至少第一设定时间段,并且在整个PDC测试过程中要保持在第一设定温度;
向待测硅油试样施加电压进行极化,极化时间为至少第二设定时间段,在极化过程中测量并记录待测试样的极化电流;
将待测试样接地进行去极化,去极化时间与极化时间相同,在去极化过程中测量并记录待测试样的去极化电流。
3.根据权利要求1所述的基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,其特征在于,所述采用矩阵束算法对待测硅油试样进行基于扩展Debye等效电路模型的支路辨识包括:
将去极化电流x(k)(k=1,2…,N)作为采样信号,并将其作为矩阵元素构建Hankel矩阵X;
对矩阵X进行SVD分解,从中提取出X的奇异值矩阵V;
保留奇异值矩阵V的前两列,其余值赋0构成新的奇异值矩阵V′,分别去除矩阵D的最后一行和第一行得到矩阵D1和D2,进而利用矩阵S、矩阵V′、矩阵D1和矩阵D2重新构建信号矩阵X1和矩阵X2;
利用重新构建的信号矩阵X1和矩阵X2进一步构建矩阵束X2-λX1,计算矩阵束的广义特征值矩阵G,求出矩阵G的特征值,记为λi(i=1,2);
求得信号复幅值Ri;
计算待测绝缘硅油Debye等效电路模型中的各支路加权系数Aj及各支路时间常数τj。
5.根据权利要求3所述的基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,其特征在于,所述矩阵X的SVD分解式为:
X=SVDT;
其中,S为(N-L)×(N-L)的正交矩阵;D为(L+1)×(L+1)的正交矩阵,DT表示D的转置矩阵;V为(N-L)×(L+1)的对角阵,其对角元素即为矩阵X的奇异值。
6.根据权利要求3所述的基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,其特征在于,所述矩阵X1和矩阵X2的表达式为:
X1=SV′D1 T;
X2=SV′D2 T;
其中,D1 T表示D1的转置矩阵,D2 T表示D2的转置矩阵。
10.根据权利要求1所述的基于电流测试的电缆终端用硅油微水含量测量方法,其特征在于,所述第一设定温度为90℃,所述第一设定时间段为30min,所述第二设定时间段为180s。
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