CN113611675B - 一种散热装置 - Google Patents
一种散热装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113611675B CN113611675B CN202110680799.3A CN202110680799A CN113611675B CN 113611675 B CN113611675 B CN 113611675B CN 202110680799 A CN202110680799 A CN 202110680799A CN 113611675 B CN113611675 B CN 113611675B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cover plate
- channels
- liquid supply
- upper cover
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 15
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
- H01L23/4275—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes by melting or evaporation of solids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种散热装置，包括：盖板；底板，结合在所述盖板下方，所述底板上设置有多个供液微通道和多个蒸汽扩散通道，所述供液微通道和蒸汽扩散通道相互间隔排列，并且相邻的所述供液微通道和蒸汽扩散通道共用侧壁，该共用的所述侧壁上设有通孔；入液口，所述入液口与所述供液微通道连通；以及蒸汽出口，所述蒸汽出口与所述蒸汽扩散通道连通。本发明的散热装置蒸发面积较大且热源到蒸发界面的路径热阻较小，散热效率较高。此外，本发明的散热装置无需外接泵送系统，减小了散热系统的占用空间且降低了功耗，易于实现受限空间内的芯片散热。
Description
技术领域
本发明涉及散热技术领域，具体涉及一种散热装置。
背景技术
随着微电子技术的发展，芯片的内部集成密度不断增加，芯片的发热强度也随之持续攀升，基于宽禁带半导体材料的高功率芯片已达到1000W/cm2量级的热功率密度。温度升高会增加载流子浓度，使得漏电流增大，同时当温度超过一定阈值之后，载流子迁移率会急剧下降，从而影响芯片性能。近年来，基于纳米多孔薄膜蒸发的散热技术为电子器件散热提供了新的解决方案，这种蒸发冷却技术实现了冷却液体的自驱动，无需外接泵送系统。然而，常规的纳米多孔薄膜结构通常以水平方式集成至散热系统，从而限制了蒸发表面的扩展。因此，需要开发一种蒸发面积较大的无需外界驱动作用的散热装置。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺点，提供一种散热装置，该散热装置的蒸发面积较大且热源到蒸发界面的路径热阻较小，散热效率较高。此外，该散热装置无需外接泵送系统，减小了散热系统的占用空间且降低了功耗，易于实现受限空间内的芯片散热。
为了实现以上目的，本发明提供如下技术方案。
一种散热装置，包括：
盖板；
底板，结合在所述盖板下方，所述底板上设置有多个供液微通道和多个蒸汽扩散通道，所述供液微通道和蒸汽扩散通道相互间隔排列，并且相邻的所述供液微通道和蒸汽扩散通道共用侧壁，该共用的所述侧壁上设有通孔；
入液口，所述入液口与所述供液微通道连通；以及
蒸汽出口，所述蒸汽出口与所述蒸汽扩散通道连通。
与现有技术相比，本发明达到了以下技术效果：
1、本发明的散热装置采用蒸汽扩散通道的侧壁作为蒸发表面，在相同散热器件面积的情况下，增加了蒸发表面的面积。
2、本发明散热装置的蒸发表面与位于底板下方的热源直接接触，减小了热量传导的路径热阻，有利于提高散热效率，减小散热器件内部的温升。
3、本发明采用供液微通道、通孔和蒸汽扩散通道结合的散热器件设计，无需外部泵送系统驱动冷却液体，减小了能量消耗，减小了散热系统的占用空间，易于实现受限空间内的芯片散热。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1和图2给出了本发明的示例性散热装置的结构示意图。
图3给出了图1中所对应的A-A剖面图。
图4给出了本发明的示例性散热装置的部分结构的示意图。
图5和图6给出了本发明的示例性散热装置的底板的示意图。
附图标记说明
100为上盖板，101为入液口，102为内腔，200为隔板，201为凹槽，300为底板，301为蒸汽出口，302为供液微通道，303为蒸汽扩散通道，304为通孔。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
下面将结合具体附图对本发明作进一步说明。
如上所述，本发明提供了一种散热装置，包括：
盖板；
底板，结合在所述盖板下方，所述底板上设置有多个供液微通道和多个蒸汽扩散通道，所述供液微通道和蒸汽扩散通道相互间隔排列，并且相邻的所述供液微通道和蒸汽扩散通道共用侧壁，该共用的所述侧壁上设有通孔；
入液口，所述入液口与所述供液微通道连通；以及
蒸汽出口，所述蒸汽出口与所述蒸汽扩散通道连通。
在一个优选实施方案中，如图1和2所示，所述盖板包括上盖板100和隔板200，隔板200与底板300相邻。上盖板100朝向隔板200的一侧形成有内腔102，入液口101设置在上盖板100上。隔板200上设有多条贯穿其表面的凹槽201，凹槽201与内腔102连通，多条凹槽201与所述供液微通道垂直并行。蒸汽出口301设置在底板300上。
优选地，上盖板100包括一个平板和围绕所述平板侧边的挡板。入液口101位于上盖板100的侧面。上盖板100还可包括位于所述挡板之间的多个分割板，所述多个分割板和所述挡板组合在上盖板上形成多个内腔102。在一个优选实施例中，上盖板100设置有多个入液口101和多个内腔102，每个内腔102对应一个入液口101，相邻的两个内腔102的入液口101位于上盖板100的相对的两侧。冷却液体从不同入液口沿不同流动方向进入内腔，形成歧管式入液方式。本发明采用歧管式入液方式，减小了整体供液路径的流动阻力，提高了供液效率。
本发明的上盖板可采用硅基板或通常用作盖板的其他材料如陶瓷、玻璃、塑料或金属等。入液口和内腔可采用本领域的常规加工方法制备，例如可采用光刻工艺、刻蚀工艺、铣刀加工工艺、钻孔工艺、腐蚀工艺或其结合等。刻蚀工艺包括常规的湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀又可包括离子铣刻蚀、等离子刻蚀和深反应离子刻蚀。
如图2所示，隔板200上设有多条贯穿其表面的凹槽201。凹槽201与上盖板100上的内腔102和底板300上的供液微通道流体连通，但不与底板300上的蒸汽扩散通道连通。冷却液体从上盖板的内腔经由隔板的凹槽流向底板的供液微通道。隔板起到导流作用。本发明采用上盖板和隔板的结合，降低了冷却液体的压降，减小了整体供液路径的流动阻力，提高了供液效率。
本发明的隔板可采用硅衬底或玻璃。凹槽可采用本领域的常规加工方法制备，例如可采用光刻工艺、刻蚀工艺、铣刀加工工艺、腐蚀工艺或其结合等。刻蚀工艺包括常规的湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀又可包括离子铣刻蚀、等离子刻蚀和深反应离子刻蚀。
在本发明中，隔板可通过硅-硅直接键合工艺、阳极键合工艺、共晶键合工艺或粘合工艺而结合在上盖板下方。当隔板和上盖板通过共晶键合工艺或粘合工艺结合在一起时，隔板和上盖板之间存在密封层，所述密封层为粘合剂层或金属层；优选地，所述粘合剂层包括热固性材料或热塑性材料；优选地，所述热固性材料为环氧树脂或聚氨酯，所述热塑性材料为聚乙酸乙烯酯或聚乙烯醇缩醛；优选地，所述金属层包括一种或多种选自Cu、Sn、Pb、In、Au、Ag和Sb的金属材料。
图3给出了图1中所对应的A-A剖面图。如图3所示，隔板200可包括多条平行排列的凹槽201。凹槽201的宽度小于或等于下盖板上的供液微通道302的宽度。冷却液体通过凹槽201后垂直流入供液微通道302。供液微通道302和蒸汽扩散通道303相互间隔排列，相邻的供液微通道302和蒸汽扩散通道303共用侧壁，该共用的侧壁上设有通孔304。通孔304的孔径为纳米尺度，可通过电化学腐蚀工艺制备而成。
图4给出了本发明的示例性散热装置的部分结构的示意图。如图4所示，内腔102的排列方向与凹槽201的延展方向平行或近似平行。
在一个具体实施方案中，本发明的底板如图5所示，多条供液微通道302的两端均封闭，多条蒸汽扩散通道303的两端均敞开。供液微通道302通过侧壁上的通孔304(图5未示出)与蒸汽扩散通道303流体连通。
在另一具体实施方案中，本发明的底板如图6所示，供液微通道302的一端为封闭端，相对的另一端敞开；蒸汽扩散通道303的与供液微通道302的封闭端相邻的端敞开，相对的另一端封闭。供液微通道302和蒸汽扩散通道303形成歧管通道。供液微通道302通过侧壁上的通孔304(图6未示出)与蒸汽扩散通道303流体连通。
本发明的底板可采用硅衬底。供液微通道、蒸汽扩散通道和蒸汽出口可采用本领域的常规加工方法制备，例如可采用光刻工艺、刻蚀工艺、钻孔工艺、腐蚀工艺或其结合等。刻蚀工艺包括常规的湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀又可包括离子铣刻蚀、等离子刻蚀和深反应离子刻蚀。
底板可通过硅-硅直接键合工艺、阳极键合工艺、共晶键合工艺或粘合工艺而结合在隔板下方。当隔板和底板通过共晶键合工艺或粘合工艺结合在一起时，隔板和底板之间存在密封层，所述密封层为粘合剂层或金属层；优选地，所述粘合剂层包括热固性材料或热塑性材料；优选地，所述热固性材料为环氧树脂或聚氨酯，所述热塑性材料为聚乙酸乙烯酯或聚乙烯醇缩醛；优选地，所述金属层包括一种或多种选自Cu、Sn、Pb、In、Au、Ag和Sb的金属材料。
在本发明中，上盖板、隔板和底板紧密贴合在一起形成散热装置内部的冷却液体的流动空间。冷却液体由上盖板上的入液口进入散热装置内部，依次流经上盖板上的内腔和隔板上的凹槽后，进入底板上的供液微通道，之后流经通孔进入蒸汽扩散通道，并在蒸汽扩散通道的侧壁吸收热量产生相变并蒸发，蒸汽在蒸汽扩散通道中聚集并汇入蒸汽出口，完成整个流体冷却过程。本发明的散热装置采用蒸汽扩散通道的侧壁作为蒸发表面，在相同散热器件面积的情况下，增加了蒸发表面的面积。本发明散热装置的蒸发表面与位于底板下方的热源直接接触，减小了热量传导的路径热阻，有利于提高散热效率，减小散热器件内部的温升。当冷却液体蒸发时，蒸发界面处产生的毛细压差驱动冷却液体自发流动，无需外部泵送系统的驱动，减小了能量消耗，减小了散热系统的占用空间，易于实现受限空间内的芯片散热。
配合本发明的散热装置使用的冷却液体可以是去离子水，也可以是专用的沸点低(如：40℃-80℃)的冷却液，使得冷却过程为相变冷却，提高散热能力，提升温度均匀性。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种散热装置，其特征在于，包括：
盖板；
底板，结合在所述盖板下方，所述底板上设置有多个供液微通道和多个蒸汽扩散通道，所述供液微通道和蒸汽扩散通道相互间隔排列，并且相邻的所述供液微通道和蒸汽扩散通道共用侧壁，该共用的所述侧壁上设有通孔；
入液口，所述入液口与所述供液微通道连通；以及
蒸汽出口，所述蒸汽出口与所述蒸汽扩散通道连通；
所述盖板包括上盖板和隔板，所述隔板与所述底板相邻；
所述上盖板朝向所述隔板的一侧形成有内腔，所述入液口设置在所述上盖板上；
所述隔板上设有多条贯穿其表面的凹槽，多条所述凹槽与所述供液微通道垂直并行；所述凹槽与所述上盖板上的所述内腔和所述底板上的所述供液微通道流体连通，但不与所述底板上的所述蒸汽扩散通道连通；
所述蒸汽出口设置在所述底板上；
冷却液体由所述上盖板上的所述入液口进入所述散热装置内部，依次流经所述上盖板上的所述内腔和所述隔板上的所述凹槽后，进入所述底板上的所述供液微通道，之后流经所述通孔进入所述蒸汽扩散通道，并在所述蒸汽扩散通道的侧壁吸收热量产生相变并蒸发，蒸汽在所述蒸汽扩散通道中聚集并汇入蒸汽出口，完成整个流体冷却过程。
2.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述上盖板包括一个平板和围绕所述平板侧边的挡板。
3.根据权利要求2所述的散热装置，其特征在于，所述入液口位于所述挡板上。
4.根据权利要求3所述的散热装置，其特征在于，所述上盖板设置有多个入液口和多个内腔，每个所述内腔对应一个所述入液口；相邻的两个所述内腔的入液口分别位于所述上盖板的相对的两侧。
5.根据权利要求4所述的散热装置，其特征在于，所述上盖板还包括位于所述挡板之间的多个分割板，所述多个分割板和所述挡板组合在所述上盖板上形成所述多个内腔。
6.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述凹槽的宽度小于或等于所述供液微通道的宽度。
7.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述通孔的孔径为纳米尺度。
8.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，
多条所述供液微通道的两端均封闭，多条所述蒸汽扩散通道的两端均敞开。
9.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述供液微通道的一端为封闭端，相对的另一端敞开，
所述蒸汽扩散通道的与所述供液微通道的封闭端相邻的端敞开，相对的另一端封闭。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110680799.3A CN113611675B (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种散热装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110680799.3A CN113611675B (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种散热装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113611675A CN113611675A (zh) | 2021-11-05 |
| CN113611675B true CN113611675B (zh) | 2023-12-15 |
Family
ID=78336616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110680799.3A Active CN113611675B (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种散热装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113611675B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114551379A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-27 | 东南大学 | 一种具有高效散热性能的芯片散热器 |
| CN118366943B (zh) * | 2024-06-20 | 2024-08-30 | 北京大学 | 一种芯片散热结构及加工方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107731767A (zh) * | 2017-10-09 | 2018-02-23 | 上海工程技术大学 | 一种具有水平方向及垂直方向扰流结构的微通道散热器 |
| CN110729259A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-24 | 清华大学 | 微通道热沉及其制造方法 |
| CN111599776A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-08-28 | 北京工业大学 | 一种多层复合式纳米多孔蒸发器 |
| CN213304112U (zh) * | 2020-11-26 | 2021-05-28 | 昆明理工大学 | 一种基于多孔介质的微通道散热器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101695708B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2017-01-13 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
-
2021
- 2021-06-18 CN CN202110680799.3A patent/CN113611675B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107731767A (zh) * | 2017-10-09 | 2018-02-23 | 上海工程技术大学 | 一种具有水平方向及垂直方向扰流结构的微通道散热器 |
| CN110729259A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-24 | 清华大学 | 微通道热沉及其制造方法 |
| CN111599776A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-08-28 | 北京工业大学 | 一种多层复合式纳米多孔蒸发器 |
| CN213304112U (zh) * | 2020-11-26 | 2021-05-28 | 昆明理工大学 | 一种基于多孔介质的微通道散热器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113611675A (zh) | 2021-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113611675B (zh) | 一种散热装置 | |
| US10727156B2 (en) | Heat spreader with high heat flux and high thermal conductivity | |
| US8528628B2 (en) | Carbon-based apparatus for cooling of electronic devices | |
| CN111599776B (zh) | 一种多层复合式纳米多孔蒸发器 | |
| CN100447991C (zh) | 用于防止干燥的薄板类型的冷却装置 | |
| CN110610911B (zh) | 一种新型三维均匀分流歧管式微通道 | |
| CN101667561B (zh) | 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法 | |
| US8493736B2 (en) | Device for cooling integrated circuits | |
| WO2022241848A1 (zh) | 一种硅基扇出型封装结构及其制备方法 | |
| CN109979900B (zh) | 一种GaN HEMT器件基板级的微通道-纳米多孔复合结构蒸发器 | |
| CN209822624U (zh) | 一种微通道-纳米多孔复合结构蒸发器 | |
| CN108735693B (zh) | 高散热性硅/玻璃复合转接板及其制造方法 | |
| US20120006383A1 (en) | Heat exchanger apparatus and methods of manufacturing cross reference | |
| JP2006513577A (ja) | ハイブリッド型の冷却装置 | |
| US9945617B2 (en) | Thermal ground planes, thermal ground plane structures, and methods of heat management | |
| WO2020248905A1 (zh) | 一种晶圆级三维堆叠微流道散热结构及其制造方法 | |
| CN103839905A (zh) | 具有电流体动力微泵的硅基微通道换热器及其制造方法 | |
| CN213304108U (zh) | 一种多层复合式纳米多孔蒸发器 | |
| CN110763062B (zh) | 导热与散热一体化平板热管 | |
| KR100414860B1 (ko) | 박판형 냉각장치 | |
| CN110798965A (zh) | 集成于pcb上的电子元器件可控制主动流体散热系统 | |
| CN109890177A (zh) | 一种电子设备热管理微结构 | |
| CN110342454B (zh) | 一种惯性导航模块散热装置 | |
| WO2022241846A1 (zh) | 一种包括嵌入歧管式微流道的引线键合结构及其制备方法 | |
| CN203690286U (zh) | 具有电流体动力微泵的硅基微通道换热器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |