CN113594855A - 辐射发射器及其制备方法 - Google Patents

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田思聪
迪特尔·宾贝格
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Abstract

本发明涉及一种辐射发射器及其制备方法，包括的步骤如下，制备堆叠层，其包括第一反射器有源区、可氧化层和第二反射器；和局部移除所述堆叠层，从而形成至少一个台面，其中至少一个台面包括第一反射器、有源区、可氧化层和第二反射器，其特征在于在局部移除堆叠层并形成至少一个台面之前或之后，执行以下步骤：在堆叠层内部，每个辐射发射器垂直蚀刻至少三个盲孔，其中所述盲孔至少垂直延伸至可氧化层，并暴露所述氧化层；然后通过盲孔的侧壁横向氧化可氧化层，其中氧化面从每个孔径向外移动，并且在整个可氧化层被氧化前停止刻蚀，从而每个辐射发射器形成至少一个被至少三个氧化面限制的孔径。

Description

辐射发射器及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种可以实现大输出功率而孔径相对较小的辐射发射器，以及一种制造具有大输出功率而孔径相对较小的辐射发射器的方法。
背景技术
在光电子集成电路板内和板间、计算机服务器内部和服务器之间、数据中心内部和中心之间、乃至地球上一点到另一点以光子为载体的数据传输所消耗的能量跨度可从数十fJ/bit到数十mJ/bit。互联网流量以每年60％的速度增长，具有数以万计的光互连的大规模数据中心也正在建设。为了满足通信能力需求，须采用高功率单模激光器和密集波分复用实现长距数据传输。
大功率、单模垂直腔面发射激光器(VCSELs)是面向短距离通信(1-2km)的关键光发射器件。VCSELs可通过设计实现不同波长，并通过单模或多模光纤实现短距离通信。波分复用(WDM)可极大地增加链路的比特率。通过优化通道数和每个通道的比特率可以有效降低能耗。IEEE 802.3cd标准中每个通道的间距为30nm，其适用于通常的多模VCSELs。通过减小WDM波长间距可以实现链路带宽的增加并减小能耗。窄的激光光谱可以避免各通道间的串扰，且具有色散小和传输距离长的优点。
通过抑制激光的高阶模式可实现窄的激光光谱。通过减小有源区域大小，可以抑制高阶模，并提高D因子，
Figure BDA0003181753470000011
其中fR是弛豫谐振频率，I是电流，Ith是阈值电流，
Figure BDA0003181753470000012
上式中，g′是微分增益，Va是有源区体积，ηi是内量子效率，vg是群速度，Γ是限制因子。VCSEL的有源区与VCSEL腔长和孔径有关。目前数据通信VCSEL的腔长度通常为波长的一半。进一步减小VCSEL的腔长不能实现。VCSEL孔径的减小会导致电阻、微分电阻的增加，以及输出功率的下降等问题。低电阻可降低激光器与电驱动的阻抗匹配，降低电驱动的总能耗。
发明内容
本发明的示例性实施例涉及制造至少一个辐射发射器的方法，该方法步骤包括：制备堆叠层，其包括第一反射器、有源区、可氧化层和第二反射器；然后局部移除所述堆叠层，从而形成至少一个台面，其中至少一个所述台面包括所述第一反射器、所述有源区、所述可氧化层和所述第二反射器，其特征在于在局部移除所述堆叠层并形成至少一个所述台面之前或之后，执行以下步骤：在所述堆叠层内部，每个所述辐射发射器至少垂直蚀刻三个盲孔，其中所述盲孔至少垂直延伸至所述可氧化层，并使所述氧化层暴露；并且，通过所述盲孔的侧壁在横向方向上氧化所述可氧化层，在氧化过程中，氧化面从每个所述盲孔向外径向移动，并且在氧化过程中，在全部所述可氧化层被氧化前终止刻蚀，从而每个所述辐射发射器形成至少一个未氧化孔径，所述氧化孔径被至少三个所述氧化面限制。
优选地，先垂直刻蚀所述盲孔和从所述盲孔侧壁氧化所述可氧化层，然后再刻蚀所述台面。
优选地，在局部移除所述堆叠层后，在属于所述台面的区域的所述堆叠层内每个所述辐射发射器垂直刻蚀至少三个所述盲孔。
优选地，在属于至少一个所述台面区域的所述堆叠层内刻蚀至少四个所述盲孔。优选地，至少一个未氧化孔径被至少四个所述氧化面限制。
可选地，在属于至少一个所述台面区域的所述堆叠层内刻蚀多个所述盲孔。
优选地，所述盲孔以类似晶格方式排列构成网格，所述网格在方向一上具有第一网格间距，在方向二上具有第二网格间距。
所述第一网格间距和所述第二网格间距可以是相同的，例如制备对称的孔径以产生偏振无关的光发射。
可选地，所述第一网格间距可能比所述第二网格间距大10％到30％，例如制备非对称孔径以产生偏振相关的光发射。
根据优选实施例，每个所述辐射发射器形成具有9个盲孔的3x3网格或具有16个盲孔的4x4网格。
氧化参数可使用实现圆形氧化孔径的制备参数，例如制备对称的孔径以产生偏振无关的光发射。
可选地，氧化参数可使用实现各向异性(例如椭圆形)孔径的制备参数，例如制备非对称的孔径以产生偏振相关的光发射。
优选地，所述可氧化层被氧化后的材料不导电。
制备所述堆叠层的步骤可包括在所述堆叠层中形成两个或多个可氧化层。
至少一个所述可氧化层或所述可氧化层中的至少一个可形成于所述第一反射器和所述有源层之间。
至少一个所述可氧化层或所述可氧化层中的至少一个可形成于所述第一反射器内部。
至少一个所述可氧化层或所述可氧化层中的至少一个可形成于所述第二反射器和所述有源层之间。
至少一个所述可氧化层或所述可氧化层中的至少一个可形成于所述第二反射器内部。
在一个优选实施例中，所述可氧化层中的至少一个形成于所述第一反射器内部或所述第一反射器与所述有源层之间，并且所述可氧化层中的至少一个形成于所述第二反射器内部或所述第二反射器与所述有源层之间。
在另一个优选实施例中，所述可氧化层中的至少两个形成于所述第一反射器内部或所述第一反射器与所述有源层之间，和/或所述可氧化层中的至少两个形成于所述第二反射器内部或所述第二反射器与所述有源层之间。
优选地，上述方法以晶圆级规模制备，可同时制造多个台面(多个发射体)，每个台面(多个发射体)包含多个孔径。
本发明涉及辐射发射器(例如VCSEL)的另一个示例性实施例包含堆叠层，所述堆叠层具有第一反射器、有源区、至少一个由部分氧化和部分未氧化的可氧化层中的未氧化材料形成的孔径、第二反射器。其所述发射器的台面包括至少所述第一反射器、所述有源区、所述可氧化层和所述第二反射器，其特征在于，所述台面包括至少三个盲孔，所述盲孔垂直延伸至所述可氧化层的氧化部分。其中，至少一个所述孔径受至少三个氧化区域的氧化面的限制，并且每个所述盲孔构成其中一个所述氧化面的中心。
优选地，在所述盲孔填充传导材料或至少在所述盲孔的侧壁上覆盖传导材料。优选地，所述传导材料具有导热性，以便散发在所述辐射发射器工作时产生的热量。
所述传导材料也可具有导电性，例如可以旁通电流。
所述盲孔的侧壁和所述传导材料或至少其中的一部分可与所述堆叠层构成欧姆接触。
可通过中间隔离层将所述传导材料或至少其中的一部分与所述盲孔的侧壁和/或所述盲孔的底部隔离，例如可以阻止旁通电流。
当所述辐射发射器工作时，至少一个所述孔径或所述孔径中的至少一个可经受电流和光辐射。
所述传导材料可就至少一个所述孔径形成电旁路，每个旁路孔径只经受光辐射，因为电流通过相应的旁路绕过所述旁路孔经。
两个或多个孔径可位于第二反射器内部和/或在有源区和第二反射器之间。
当所述辐射发射器工作时，至少最靠近所述有源区的孔径可经受电流和光辐射，其中至少一个剩余所述孔径可被绕过。
本发明的实施例的优点是，与现有VCSELs技术相比，该方法可制备具有多个相对较小孔径的台面。在现有技术VCSELs中，孔径是在台面刻蚀后，通过台面侧壁氧化可氧化层而得到。因此，现有技术每个台面仅可制备出单个孔径。与此相反，根据本发明，孔径是通过刻蚀盲孔并在盲孔侧壁从盲孔内氧化可氧化层得到(蚀刻台面之前或之后)。这种方法制备的孔径与台面制备独立，因此，可以在同一台面内制备多个孔径。例如，所制备的辐射发射器可以具有多个密集的孔径，每个孔径定义为同一台面中的子单元。VCSEL子单元可以并联工作，并相比于单孔径的台面可实现更大的输出功率。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1-12用于说明制造一种VCSEL形式的辐射发射器的示例性实施例的方法步骤。
图13-18用于说明制造另一种VCSEL形式的辐射发射器的示例性实施例的方法步骤。
具体实施方式
本发明的优选实施例可通过附图更好地理解，其中相同或类似的部件全部由相同的参考符号指定。显然，本发明实施例的所述参数可在很大范围内变化。因此，下面对本发明的示例性实施例的更详细的描述，并不旨在限制本发明的范围，而仅仅是本发明的当前首选实施例的代表。
图1-12用于说明制备VCSEL 100形式的辐射发射器(图7)的示例性实施例的方法步骤。
图1为示例的堆叠层10的横截面，所述堆叠层10包括第一(下)接触层11、第一反射器12、有源区13、第一(下)氧化层21、第二(上)氧化层22、第二反射器14和第二(上)接触层15。
优选地，所述第一接触层11是高p型掺杂(掺杂＞1019cm-3)，所述第二接触层15是高n型掺杂(掺杂＞1019cm-3)。
所述第一反射器12和所述第二反射器14可以是分布式布拉格反射镜(DBRs)，每个DBRs由两种不同折射率的材料交替排列组成。
优选地，所述堆叠层10通过在衬底10a上沉积诸如AlGaAs的半导体材料而制备。
在示例性实施例图1中，所述两个氧化层21-22位于所述有源区13之上。
并且，通过所述盲孔的侧壁在横向方向上氧化所述可氧化层，在氧化过程中，氧化面从每个所述盲孔向外径向移动，并且在氧化过程中，在全部所述可氧化层被氧化前终止刻蚀，从而每个所述辐射发射器形成至少一个未氧化孔径，所述氧化孔径被至少三个所述氧化面限制。
图2为在图1所述堆叠层10内部垂直蚀刻盲孔30后的堆叠层10。所述盲孔30垂直延伸至所述可氧化层21-22，使所述氧化层21-22暴露。
图3为在图2中所述堆叠层10的所述可氧化层21-22经所述盲孔30的侧壁31氧化后的堆叠层10。在氧化过程中，氧化面从所述盲孔30延径向向外移动(箭头R)。蚀刻过程在整个所述可氧化层21-22被全部氧化之前终止，以形成未氧化孔径40。每个所述未氧化孔径40被至少三个氧化层材料20的氧化面限制。优选地，所述氧化层材料20为电绝缘材料
图4为在图3的所述堆叠层10的所述盲孔30底部沉积中间隔离层50后的堆叠层10。所述中间隔离层50覆盖所述第一氧化层21中的所述氧化层材料20的边缘。
图5为在图4的所述堆叠层10的所述盲孔30中填充第一传导材料61后的堆叠层10。优选地，所述第一传导材料61具有导电和导热特性。优选地，根据接触区域的半导体材料的掺杂类型，所述传导材料61为金、铂、钛、镍、金锗合金或这些材料的层叠组合。
在所述图5的实施例中，所述第一传导材料61与所述盲孔30的所述未覆盖的侧壁31形成欧姆接触。
由于所述中间隔离层50不覆盖所述第二氧化层22的所述氧化层材料20的边缘，因此电流将会绕过所述第二氧化层22中的孔径40。这意味着在完成制备后，用于所述辐射发射器100(图7)工作的电流，将从所述堆叠层10的表面通过所述传导材料61进入位于所述第二可氧化层22和所述第一可氧化层21之间的层。
由于所述中间隔离层50覆盖了所述第一氧化层21的所述氧化层材料20的边缘，因此电流不会绕过所述第一氧化层21中形成的孔径40。这意味着电流被迫通过位于所述第一氧化层21中的所述孔径40。
除电的影响外，优选地，所述第一传导材料61形成热沉，所述辐射发射器100工作时产生的热量可通过所述热沉散发。
所述传导材料61可部分覆盖所述第二接触层15的表面。为了使辐射光P在没有额外衰减的情况下离开所述辐射发射器100，优选地，所述孔径40上方的所述第二接触层15的15a部分不覆盖。
图6为在图5中的所述堆叠层10内部蚀刻一个台面M后的堆叠层10。所述台面可具有一个或多个台阶SS。优选地，所述台面延伸至所述第一接触层11，以沉积第二传导材料62，从而与所述第一接触层11相接触。
图7为在图6的所述堆叠层10的所述第一接触层11上沉积第二传导材料62后的堆叠层10。图7中的所述堆叠层10作为一个VCSEL形式的辐射发射器100。
当对所述第一传导材料61和所述第二传导材料62之间施加电压时，电流将通过所述第一可氧化层21的所述孔径40和所述有源区13。所述有源区13产生光辐射P，所述光辐射P通过所述第二接触层15的15a表面未覆盖第一传导材料61的部分辐射出所述辐射发射器100。
每个所述孔径40结合其临近所述有源区13可视为所述辐射发射器100内单独的VCSEL单元，所述辐射发射器100包括多个所述VCSEL单元。
图8为图2中的所述堆栈层10刻蚀盲孔30后的所述堆栈层10的俯视图。优选地，所述盲孔30以网格状排列，在方向一D1上具有第一网格间距d1，在方向二D2上具有第二网格间距d2。
在一个优选实施例中，所述第一网格间距d1和所述第二网格间距d2是相同的。在另一个优选实施例中，所述第一网格间距d1比所述第二网格间距d2大10％至30％。
方向一D1和方向二D2可以是垂直的。可选地，方向一D1和方向二D2可以成一定角度，优选地，角度在60度和85度之间。
图9为图3中的所述堆叠层10中可氧化层21-22氧化后的所述堆栈层10的俯视图。在氧化过程中，氧化面32从所述盲孔30延径向向外移动。每个所述氧化孔径40由氧化材料20的四个所述氧化面32限制，构成类菱形形状。
图10为图5中的所述堆叠层10填充第一传导材料61后的所述堆栈层10的俯视图。在所述孔径40上的所述第二接触层15的15a部分未被覆盖，以便允许所述光学辐射P离开所述辐射发射器100。
图11为图7中的所述堆叠层10的俯视图，即通过沉积第二传导材料62与第一接触层11接触后得到的所述辐射发射器100。
图12-18为另一个制备VCSEL形式的辐射发射器100的示例性实施例的方法步骤。
图12为一个示例性实施例的堆叠层10的横截面，所述堆叠层10包括四个可氧化层21-24。两个所述可氧化层21-22位于有源区13的下面，两个所述可氧化层23-24位于有源区13的上面。
图13为在图12中的所述堆叠层10内部垂直蚀刻盲孔30后的堆叠层10。所述盲孔30垂直延伸至最低的可氧化层21，使所有所述可氧化层21-24暴露。
图14为在图13中的所述堆叠层10的所述可氧化层21-24经所述盲孔30的侧壁31氧化后的堆叠层10。在氧化过程中，氧化面延径向向外移动。蚀刻过程在整个所述可氧化层被全部氧化之前终止，以形成未氧化孔径40。每个所述孔径40被至少三个氧化层材料的氧化面限制。
图15为在图14中的所述堆叠层10的所述盲孔30的底部和侧壁31沉积中间隔离层50后的堆叠层10。
图16为在图15中的所述堆叠层10的所述盲孔30中填充第一传导材料61后的堆叠层10。优选地，所述第一传导材料61具有导电和导热特性。优选地，根据接触区域的半导体材料的掺杂类型，所述传导材料61为金、铂、钛、镍、金锗合金或这些材料的层叠组合。
由于所述中间隔离层50覆盖所述盲孔30的侧壁31，电流不会绕过所有所述孔径40。这意味着在完成所述辐射发射器100制备后，用于所述辐射发射器100工作的电流将通过所有所述孔径40。
图17为在图16中的所述堆叠层10内部蚀刻一个台面M后的堆叠层10。所述台面可具有一个或多个台阶SS。优选地，所述台面SS延伸至所述第一接触层11，以便沉积第二传导材料62，从而与所述第一接触层11接触。
图18为在图17中的所述堆叠层10的所述第一接触层11上沉积第二传导材料62后的堆叠层10。图18中的所述堆叠层10作为一个VCSEL形式的辐射发射器100。
当对所述第一传导材料61和所述第二传导材料62之间施加电压时，电流将通过所有所述可氧化层21-24的所述孔径40。所述有源区13产生光辐射P，所述光辐射P通过所述第二接触层15的15a表面未覆盖所述第一传导材料61的部分辐射出所述辐射发射器100。每个所述孔径40结合其临近所述有源区13可视为所述辐射发射器100内单独的VCSEL单元，所述辐射发射器100包括多个所述VCSEL单元。
综上所述，所述示例性实施例描述了一种制备单个台面M排布多个近距离的孔径40的垂直腔面发射激光器(VCSEL)形式的辐射发射器100的方法，所述辐射发射器可实现单模大功率输出和小的电阻。所述VCSEL 100的制备可基于蚀刻直径5μm或更小直径的、间距几微米规则排布的所述窄孔30至含有例如AlGaAs(优选地，铝组分98％)的可氧化层。所述孔30可根据应用变化其排布。所述氧化孔径(如AlO)40的氧化从所述孔30内部开始。孔阵列的坐标轴方向可以随晶体轴变化，从而实现自限定向的氧化过程。所述新颖的VCSEL特性包括：确定的偏振、可实现长距离光纤数据传输(如1公里或更长)、可实现密集波分复用(波长间隔小于15nm)。此外，本发明可降低所述VCSEL 100的阻抗，从而更易实现激光器和驱动电路的阻抗匹配。
上述发明的示例性实施例可具有下列一个或多个特征和/或优势：
此发明的示例性实施例可涉及到在一个台面M上具有多个紧密排列孔径的VCSEL的制备，并由此实现单模大功率输出和小的电阻。
此发明的示例性实施例可具有夹在两个分布式布拉格反射镜(DBRs)之间的有源区，至少一个氧化层，类似于普通VCSEL结构。任何现有的用于高速氧化限制VCSELs的EPI结构均可用于本发明。与目前VCSEL工艺制备相比，氧化过程可以基于在晶圆表面刻蚀任何形状的孔，从而暴露出氧化层。这些孔作为侧向氧化过程的起点。
可氧化层21-24的湿法氧化的速度可能取决于Al组分，特别是晶向的组分。此外，氧化速率可以由温度、总压力和水汽压力控制。
刻蚀孔的分布、距离和氧化参数可以决定氧化孔径的形状，开辟了新的设计路线。氧化面可能是圆形、椭圆形或者菱形。
最后的制备步骤包括标准VCSEL的台面M刻蚀、n面电极沉积和平面化。
GaAs/AlAs异质结构可用于晶格匹配DBR的生长，并且高铝组分适合湿法氧化，从而限制电场和光场。孔径不会在刻蚀台面M后被氧化，而是在先刻蚀的规则排列的盲孔内部被氧化。
盲孔之间以及盲孔与晶轴的位置分布可提供一个自由的设计参数。所有的孔径可具有相同的尺寸。两个方向不同的孔距可实现两个方向不同的氧化直径，从而实现具有特定偏振的发射。
氧化速度取决于晶轴。氧化面可影响孔径的形状。
模板和晶轴的对准可优化氧化孔径并可控制发射光的偏振。
可选择适合的孔间距(d1和d2)和孔尺寸实现多个紧密的孔径，从而可使发射光在不加耦合镜的情况下耦合进50或62.5μm直径的多模光纤。
光功率随光阑的数量线性增加。如果孔径大小可实现激光单模出射，则强度随着孔径数目增加，并具有相同的波长、偏振和横向模式。电阻随孔径数目减小与之相似。总电阻Rt与每个孔径电阻Rx具有如下关系，
Figure BDA0003181753470000111
在此公开的本发明实施例的各个实施例和实施例的各个方面不仅应按照本规范中具体描述的顺序和上下文理解，而且还应包括其任何顺序和任何组合。凡上下文要求，所有单数词语均应被视为包括复数，反之亦然。凡上下文要求，所有“和”一词的选项均应被视为包括“或”一词，反之亦然，以及两者的任何组合。
在图纸和说明书中，公开了本发明的多个实施例。申请人强调，可将每个实施例的每个特征与任何其他实施例结合或添加到任何其他实施例中来改进改实施例并创建附加实施例。这些附加实施例构成本公开的一部分，因此，申请人可在后期实施阶段根据这些附加实施例进一步提出权利要求书。
此外，申请人要强调，下列每一从属权利要求的每项特征都可以与当前的任何独立权利要求以及当前的任何其他(一项或多项)从属权利要求相结合(不论当前权利要求结构如何)。在权利要求的后期，申请人可以将进一步的专利权利要求导向其他权利要求组合。因此，申请人可在后期实施阶段将更多的专利权利要求导向其他权利要求组合。

Claims (15)

1.一种制备至少一个辐射发射器(100)的方法，包括步骤：制备堆叠层(10)，其包括第一反射器(12)、有源区(13)、可氧化层(21-24)和第二反射器(14)；然后在局部移除所述堆叠层(10)，从而形成至少一个台面(M)，其中所述至少一个台面(M)包括第一反射器(12)、有源区(13)、可氧化层(21-24)和第二反射器(14)，其特征在于，在局部移除堆叠层(10)并形成至少一个台面(M)之前或之后，执行以下步骤：在堆叠层(10)内部，每个辐射发射器(100)至少垂直蚀刻三个盲孔(30)，其中所述盲孔(30)至少垂直延伸至所述可氧化层(21-24)，并使所述氧化层暴露(21-24)；通过盲孔(30)的侧壁(31)在横向方向上氧化可氧化层(21-24)，在氧化过程中，氧化面(32)从每个盲孔向外径向移动，并且在氧化过程中，刻蚀在全部可氧化层(21-24)被氧化前终止，从而每个辐射发射器(100)形成至少一个未氧化的孔径(40)，所述氧化孔径被至少三个氧化面(32)限制。
2.如权利要求1所述的方法，在局部移除所述堆叠层(10)后，在属于至少一个台面(M)的堆叠层(10)内每个辐射发射器(100)至少垂直刻蚀三个盲孔(30)。
3.如权利要求1或2所述的方法，在属于至少一个台面(M)的区域内的堆叠层(10)内刻蚀至少四个盲孔(30)，形成至少一个未氧化的孔径(40)，所述孔径被至少四个氧化面(32)所限制。
4.如权利要求1至3任一项所述的方法，在属于至少一个台面(M)的区域内的堆叠层(10)内刻蚀多个盲孔(30)，所述盲孔(30)以网格状方式排列，所述网格具有在方向一(D1)上的第一网格间距(d1)和在方向二(D2)上的第二网格间距(d2)。
5.如权利要求1至4任一项所述的方法，氧化过程使用可实现圆形氧化面(32)的参数，氧化过程使用可实现各向异性氧化面(32)的参数。
6.如权利要求1至5任一项所述的方法，所述至少一个可氧化层(21-24)或所述可氧化层中的至少一个(21-24)制备于所述第一反射器(12)和所述有源区(13)之间，和/或所述至少一个可氧化层(21-24)或所述可氧化层中的至少一个(21-24)制备于所述第一反射器(12)内。
7.如权利要求1至6任一项所述的方法，所述至少一个可氧化层(21-24)或所述可氧化层(21-24)中的至少一个制备于所述第二反射器(14)和所述有源区(13)之间，和/或所述至少一个可氧化层(21-24)或所述可氧化层(21-24)中的至少一个制备于所述第二反射器(14)内。
8.如权利要求1至7任一项所述的方法，所述可氧化层(21-24)中的至少一个制备于所述第一反射器(12)内或所述第一反射器(12)与所述有源区(13)之间，并且所述可氧化层(21-24)中的至少一个制备于所述第二反射器(14)内或所述第二反射器(14)与所述有源区(13)之间。
9.辐射发射器(100)，包括堆叠层(10)，其具有第一反射器(12)、有源区(13)、至少一个由部分氧化和部分未氧化的可氧化层(21-24)中的未氧化材料(20)形成的孔径(40)、第二反射器(14)；其中，所述辐射发射器(100)的台面(M)包括至少第一反射器(12)、有源区(13)、可氧化层(21-24)和第二反射器(14)，其特征在于，所述台面(M)还包括至少三个盲孔(30)，所述盲孔垂直延伸至可氧化层(21-24)的氧化部分，其中所述至少一个孔径(40)被至少三个氧化区域的氧化面(32)所限制，并且其中每个盲孔(30)构成一个氧化面(32)的中心点。
10.如权利要求9所述的辐射发射器(100)，其中所述盲孔(30)被传导材料(61)填充，或至少所述盲孔(30)的侧壁(31)被传导材料(61)覆盖。
11.如权利要求10所述的辐射发射器(100)，其中所述盲孔(30)的侧壁(31)和所述传导材料(61)或其至少一部分与所述堆叠层(10)构成欧姆接触。
12.如权利要求书10或11所述的辐射发射器(100)，通过中间隔离层(50)将传导材料(61)或其至少一部分与盲孔(30)的侧壁(31) 和/或盲孔(30)的底部隔离。
13.如权利要求书9-12任一项所述的辐射发射器(100)，当辐射发射器(100)工作时，至少一个所述孔径(40)或所述孔径(40)中的至少一个受到电流以及光辐射(P)。
14.如权利要求书9-13任一项所述的辐射发射器(100)，其中传导材料就所述至少一个孔径(40)形成电旁路，并且每个旁路孔径(40)只受到光辐射(P)，因为电流通过电旁路绕过所述旁路孔径(40)。
15.如权利要求书14所述的辐射发射器(100)，所述两个或多个孔径(40)位于所述第二反射器(14)内和/或所述有源区(13)与所述第二反射器(14)之间；其中，当辐射发射器(100)工作时，至少与有源区域(13)最邻近的孔径(40)受到电流和光辐射(P)，并且其中至少一个剩余孔径(40)被绕过。
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