CN113594324A - 一种电极共面led基板及其制备方法 - Google Patents
一种电极共面led基板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113594324A CN113594324A CN202110654758.7A CN202110654758A CN113594324A CN 113594324 A CN113594324 A CN 113594324A CN 202110654758 A CN202110654758 A CN 202110654758A CN 113594324 A CN113594324 A CN 113594324A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- insulating substrate
- type
- type extraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种电极共面LED基板及其制备方法,该电极共面LED基板包括:绝缘衬底;贯穿所述绝缘衬底的P型引出电极和N型引出电极;以及位于所述绝缘衬底一侧的导电粘结层。制备方法包括以下步骤:在所述绝缘衬底上制备贯穿所述绝缘衬底的电极通道;在所述电极通道内形成P型引出电极一和N型引出电极一;在所述绝缘衬底一侧形成粘结层。本发明可实现LED芯片电极制备于同侧,避免了以往制作电极而损失一部分发光面积,有效提升了芯片的光输出功率。
Description
技术领域
本发明涉及LED制造技术领域,具体涉及一种电极共面LED基板及其制备方法。
背景技术
随着LED照明市场份额的不断扩大,对于LED的光效等照明性能的要求也越来越高,从普通家庭照明灯具逐步发展到需要更高功率的路灯、车前灯系统,市场对于大功率大尺寸甚至超大尺寸的LED芯片的需求越来越成为主流。超大功率,超大尺寸LED首先面对的第一个问题就是电流拥挤。嵌入式电极结构LED芯片相较于传统结构的芯片有许多优点:电流扩展性更好,导电性能更优,散热性能更佳以及光提取率更高。
目前较先进的嵌入式电极结构芯片仍然存在一些问题,因为采用了结构极其简单的低阻硅基板,不能将P和N型电极做到同一块基板上,使得P型电极只能做在芯片的上表面,即P型电极与N型电极分别位于芯片顶部底部表面,位于顶部的P型电极使得芯片要牺牲一定面积的发光区域并且P型电极还会遮挡部分光,因此,LED的光输出效率还有提升空间,在不损失有源区发光区域的前提下如何改善P型电极结构的位置即设计更合理的嵌入式LED芯片基板是一个技术难点。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明旨在提供一种电极共面LED基板及其制备方法。该电极共面LED基板的制作是一种新思路,首先将绝缘衬底进行深空刻蚀,然后通过溅射电镀的方法制备贯穿衬底的导电电极,然后在衬底一侧制备粘结层,实现电极共面基板的制备。电极共面LED芯片的制备则是采用键合工艺将两电极位于同一侧的芯片与电极共面基板进行对准键合,实现电极共面LED芯片的制备,避免了传统结构电极制作而损失了一部分芯片发光面积,有效提升了芯片的光输出功率。本发明的技术方案为:
第一个方面,本发明提供一种电极共面LED基板,包括:绝缘衬底;贯穿所述绝缘衬底的P型引出电极和N型引出电极;以及位于所述绝缘衬底一侧的导电粘结层。
进一步地,所述绝缘衬底厚度为50~500μm。所述绝缘衬底可以采用高阻Si衬底、蓝宝石衬底、有机高分子材料等绝缘易加工材料。
进一步地,所述P型引出电极和所述N型引出电极材质为Al、Cu、Ti、Cr、Ag、Au、Pt中的至少一种或ITO导电非金属材料。
可选地,所述绝缘衬底上用于贯穿所述P型引出电极和所述N型引出电极的通孔内表面设有金属种子层。
优选地,所述金属种子层为Au或Cu。
进一步地,所述导电粘结层厚度为500nm~10μm。
优选的,所述导电粘结层材质为Ni、Au、Sn、Ti中的至少一种。
第二个方面,本发明提供上述电极共面LED基板的制备方法,包括以下步骤:
在所述绝缘衬底上制备贯穿所述绝缘衬底的电极通道;
在所述电极通道内形成P型引出电极和N型引出电极;
在所述绝缘衬底一侧形成粘结层。
进一步地,所述制备方法还包括:在所述电极通道内形成所述P型引出电极一和所述N型引出电极一前先在其内表面形成一层电镀金属种子层。
优选的,所述电镀金属种子层为金或铜。
和现有技术相比,本发明具有如下优点:
本发明提供的电极共面LED基板,除了可实现LED芯片电极制备于同侧,避免了以往制作电极而损失一部分发光面积,有效提升了芯片的光输出功率的优势外,还因采用了绝缘衬底,无需在深孔内制备电极绝缘隔离层使P和N型电极独立开,以往在只有2-10微米深度50-500微米的孔径内壁制备绝缘隔离层是一件非常复杂的工艺,因此,此电极共面LED基板制备技术可极大提高目前LED芯片的发光效率。
附图说明
图1为本发明的电极共面LED基板的剖视图。
图2为采用本发明的电极共面LED基板的LED芯片(带有基底)剖视图。
图3为将图1与图2对准键合并剥离掉基底的剖视图。
图4为采用本发明的电极共面LED基板的完整电极共面LED芯片剖视图。
图5为采用本发明的电极共面LED基板的完整电极共面LED芯片俯视图。
图6为传统LED芯片的结构示意图。
图1~6中,110-绝缘衬底;111-导电粘结层;112-P型引出电极;113-N型引出电极;101-生长衬底;102-N型GaN层;103-InGaN/GaN多量子阱层;104-P型GaN层;105-P接触反射镜金属及保护层;106-绝缘层;107-第一粘结层;108-柱状N电极;109-柱状P电极,11,传统LED芯片衬底;12,传统LED芯片N型缓冲层;13,传统LED芯片N型层;14,传统LED芯片负电极;15,传统LED芯片有源区量子阱;16,传统LED芯片P型层;17,传统LED芯片透明导电层;18,传统LED芯片正电极。
具体实施方式
在本发明的描述中,需要说明的是,实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面结合附图和具体的实施例对本发明做进一步详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。
实施例1
请参阅图1,本实施例提供一种电极共面LED基板,包括:绝缘衬底110;贯穿所述绝缘衬底110的P型引出电极112和N型引出电极113;以及位于所述绝缘衬底110一侧的导电粘结层111。在本实施例中,所述绝缘衬底110采用高阻Si衬底,厚度为400μm。所述导电粘结层111厚度为8μm,材质为Au。所述P型引出电极112和所述N型引出电极113材质为Cu,其表面设有厚度2000A的金属种子层,金属种子层材质为Au。该电极共面LED基板的制备方法,包括以下步骤:
(1)取一厚度为400微米的高阻硅片衬底110,采用深硅刻蚀工艺刻出深度为120微米的多个深孔;
(2)然后采用溅射方法往这些深孔种溅射一层厚度2000A的金;
(3)对孔内进行电镀铜工艺,并分别电镀出P型电极Pad112和N型电极Pad113;
(4)然后通过电子束蒸发和剥离工艺图形化制备一层厚度8微米的金粘结层111;
(5)对高阻硅衬底110的背面进行机械减薄直至露出深硅刻蚀孔;
(6)对高阻硅衬底110减薄面露出的通孔进行再一次溅射和电镀,已确保孔内金属连接正常,然后通过电电子束蒸发和图形化工艺做好减薄面的电极Pad,到此共面电极LED基板制备完成。
此外,本发明的绝缘衬底还可以采用蓝宝石衬底、有机高分子材料等绝缘易加工材料,厚度在50~500μm即可,衬底厚度适宜有利于最终形成的LED芯片的导电性能,但如果低于50μm,衬底过于薄,不利于后期P型电极和N型电极的电镀形成,如果过高又会加大深硅刻蚀工艺的难度。P型引出电极和N型引出电极材质还可以采用Al、Ti、Cr、Ag、Au、Pt中的至少一种或ITO导电非金属材料。导电粘结层厚度为500nm~10μm,材质还可以为Ni、Sn、Ti。
实施例2
请参阅图2-5,本实施例提供一种电极共面LED芯片,包括实施例1所述结构的电极共面LED基板和图2所示结构的LED芯片。所述LED芯片结构如图2所示,包括从上到下依次是第一粘结层107、柱状P电极109、柱状N电极108、绝缘层106、P接触反射镜金属及保护层105、P型GaN层104、InGaN/GaN多量子阱层103、n型GaN层102、生长衬底101。嵌入式柱状N电极108从上到下径向贯穿绝缘层106,P型GaN层104和InGaN/GaN多量子阱层103,最终深入到n型GaN层102并与其形成欧姆接触;绝缘层106深入到孔径在柱状N电极108内壁形成绝缘保护;柱状P电极109顶端贯穿绝缘层106与P接触反射镜金属及保护层105形成电导通。通过键合技术将该LED芯片与实施例1的基板进行对准键合,柱状P电极109与基板上P型引出电极112对应键合,第一粘结层107与基板上导电粘结层111键合,实现LED芯片与基板的电气连接,获得一种全新的电极共面LED芯片。本实施例的电极共面LED芯片性能参数如表1所示。
表1实施例2的电极共面LED芯片性能参数
对比例1
本对比例提供传统LED芯片的详细介绍,图6为传统LED芯片结构示意图,如图6所示,在传统的LED芯片中,衬底11上设有N型缓冲层12、N型层13、有源区量子阱15、P型层16、透明导电层17、正电极18和负电极14。传统LED芯片大致工艺流程例如:制作衬底,进行结构设计,缓冲层生长,N型GaN层生长,多量子阱发光层生长,P型GaN层生长,退火,检测(光荧光、X射线),结构设计、加工掩模版,光刻,离子刻蚀,N型电极(镀膜、退火、刻蚀),P型电极(镀膜、退火、刻蚀),划片,芯片分检、分级等。由于传统LED芯片生产工艺已经发展得相当成熟,这里仅举一例说明其大致工艺流程,本领域技术人员熟知,具体生产时工艺过程可能有一些细节的变化。目前该结构的LED芯片性能已达到极限,与本发明基板所制备的LED芯片性能对比如表1所示。
综上所述,本发明提供的电极共面LED基板,除了可实现LED芯片电极制备于同侧,避免了以往制作电极而损失一部分发光面积,有效提升了芯片的光输出功率的优势外,还因采用了绝缘衬底,无需在深孔内制备电极绝缘隔离层使P和N型电极独立开,以往在只有2-10微米深度50-500微米的孔径内壁制备绝缘隔离层是一件非常复杂的工艺,因此,此电极共面LED基板、LED芯片制备技术极大的简化了工艺难度,提高了产能。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种电极共面LED基板,其特征在于:包括:绝缘衬底;贯穿所述绝缘衬底的P型引出电极和N型引出电极;以及位于所述绝缘衬底一侧的导电粘结层。
2.根据权利要求1所述的一种电极共面LED基板,其特征在于:所述绝缘衬底厚度为50~500μm。
3.根据权利要求1所述的一种电极共面LED基板,其特征在于:所述P型引出电极和所述N型引出电极材质为Al、Cu、Ti、Cr、Ag、Au、Pt中的至少一种或ITO导电非金属材料。
4.根据权利要求1或3所述的一种电极共面LED基板,其特征在于:所述绝缘衬底上用于贯穿所述P型引出电极和所述N型引出电极的通孔内表面设有金属种子层。
5.根据权利要求4所述的一种电极共面LED基板,其特征在于:所述金属种子层为Au或Cu。
6.根据权利要求1所述的一种电极共面LED基板,其特征在于:所述导电粘结层厚度为500nm~10μm。
7.根据权利要求1或6所述的一种电极共面LED基板,其特征在于:所述导电粘结层材质为Ni、Au、Sn、Ti中的至少一种。
8.权利要求1~7任意一项所述的一种电极共面LED基板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
在所述绝缘衬底上制备贯穿所述绝缘衬底的电极通道;
在所述电极通道内形成P型引出电极和N型引出电极;
在所述绝缘衬底一侧形成导电粘结层。
9.根据权利要求8所述的一种电极共面LED基板的制备方法,其特征在于:所述制备方法还包括:在所述电极通道内形成所述P型引出电极一和所述N型引出电极一前先在其内表面形成一层电镀金属种子层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110654758.7A CN113594324A (zh) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 一种电极共面led基板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110654758.7A CN113594324A (zh) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 一种电极共面led基板及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113594324A true CN113594324A (zh) | 2021-11-02 |
Family
ID=78243701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110654758.7A Pending CN113594324A (zh) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 一种电极共面led基板及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113594324A (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102163666A (zh) * | 2010-02-24 | 2011-08-24 | 乐金显示有限公司 | 混合发光二极管芯片和具有其的发光二极管器件及制造法 |
CN102332521A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-01-25 | 中国科学院物理研究所 | 具有点状分布n电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法 |
KR20120050089A (ko) * | 2010-11-10 | 2012-05-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
CN102769086A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-07 | 上海大学 | 基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺 |
US20140264266A1 (en) * | 2011-07-15 | 2014-09-18 | Jinmin Li | Packaging structure of light emitting diode and method of manufacturing the same |
CN104064634A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种高亮度GaN基共晶焊发光二极管的制造方法 |
CN104659178A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-05-27 | 武汉大学 | 一种功率型三维led发光器件及其制造方法 |
CN104701437A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-06-10 | 武汉大学 | 一种三维led发光器件 |
CN106449955A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
CN109524513A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-26 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种硅基倒装led芯片及其制作方法 |
-
2021
- 2021-06-11 CN CN202110654758.7A patent/CN113594324A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102163666A (zh) * | 2010-02-24 | 2011-08-24 | 乐金显示有限公司 | 混合发光二极管芯片和具有其的发光二极管器件及制造法 |
KR20120050089A (ko) * | 2010-11-10 | 2012-05-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
US20140264266A1 (en) * | 2011-07-15 | 2014-09-18 | Jinmin Li | Packaging structure of light emitting diode and method of manufacturing the same |
CN102332521A (zh) * | 2011-10-19 | 2012-01-25 | 中国科学院物理研究所 | 具有点状分布n电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法 |
CN102769086A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-11-07 | 上海大学 | 基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺 |
CN104064634A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种高亮度GaN基共晶焊发光二极管的制造方法 |
CN104659178A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-05-27 | 武汉大学 | 一种功率型三维led发光器件及其制造方法 |
CN104701437A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-06-10 | 武汉大学 | 一种三维led发光器件 |
CN106449955A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
CN109524513A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-26 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种硅基倒装led芯片及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100474642C (zh) | 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法 | |
US9172002B2 (en) | Light-emitting device having a patterned substrate | |
US7285431B2 (en) | Method for manufacturing a GaN based LED of a black hole structure | |
US20200035886A1 (en) | High performance light emitting diode with vias | |
CN110085620B (zh) | 一种微阵列集成led芯片及其制备方法 | |
TWI514627B (zh) | 發光二極體的光電化學(pec)偏壓技術 | |
CN102332521A (zh) | 具有点状分布n电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
CN101510580A (zh) | 一种具有电流阻挡层的发光二极管 | |
WO2022140898A1 (zh) | 高压倒装发光二极管芯片及其制备方法 | |
CN103579447A (zh) | 一种倒装结构发光二极管及其制备方法 | |
WO2014105403A1 (en) | High performance light emitting diode | |
JP2023100814A (ja) | 発光ダイオードデバイス及びその製作方法 | |
CN209374473U (zh) | 一种半导体发光元件 | |
TW201547053A (zh) | 形成發光裝置的方法 | |
KR20080102538A (ko) | 플립칩 방식의 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
TWI569471B (zh) | 半導體發光結構及其製造方法 | |
CN113594324A (zh) | 一种电极共面led基板及其制备方法 | |
CN101681877B (zh) | 准垂直结构发光二极管 | |
CN105280777A (zh) | Led芯片及制备方法 | |
JP2001111106A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
US20130292692A1 (en) | Light emitting diode | |
CN108365056A (zh) | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 | |
CN210607305U (zh) | 优化电流分布的嵌入式电极结构led芯片 | |
US8823020B2 (en) | Light emitting diode | |
CN102169944A (zh) | Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211102 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |