CN113581524A - 一种半导体设备零部件超洁净包装方法 - Google Patents

一种半导体设备零部件超洁净包装方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种半导体设备零部件超洁净包装方法,包括所述半导体零部件包括超高真空使用条件下的半导体零部件;还包括,中、低真空使用条件下的半导体零部件;中、低真空使用条件下的不锈钢或塑料材料制成的半导体零部件;铜材料制成的半导体零部件;镍材料制成的半导体零部件;具有喷砂面且不可使用无尘布包覆的半导体零部件;具有易碎或易损伤的关键面的半导体零部件;具有电子元件的半导体零部件;具有具有O‑Ring或Connector密封面的半导体零部件;本发明提出的半导体零部件超洁净包装方法能够对半导体零部件进行高效的洁净包装,避免灰尘或静电的影响,能够保证半导体零部件在后续的加工使用正常。

Description

一种半导体设备零部件超洁净包装方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种半导体设备零部件超洁净包装方法。
背景技术
半导体,指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外,还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途;利用微电子的超微细加工技术,还可以制成MEMS(微机械电子系统),应用在电子、医疗领域。
随着半导体行业的迅速发展,对半导体设备零部件的包装方法也提出了更高的要求,包装的洁净程度对后续半导体零部件的性能直接影响,而现有已知的半导体设备零部件洁净包装方法还不成熟完善,因此需要进行研发。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体设备零部件超洁净包装方法,解决背景技术中提及的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体设备零部件超洁净包装方法,所述半导体零部件包括超高真空使用条件下的半导体零部件;还包括,
中、低真空使用条件下的半导体零部件;
中、低真空使用条件下的不锈钢或塑料材料制成的半导体零部件;
铜材料制成的半导体零部件;
镍材料制成的半导体零部件;
具有喷砂面且不可使用无尘布包覆的半导体零部件;
具有易碎或易损伤的关键面的半导体零部件;
具有电子元件的半导体零部件;
具有具有O-Ring或Connector密封面的半导体零部件;
其中,
所述超高真空使用条件下的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述中、低真空使用条件下的半导体零部件包括不锈钢或铝合金材料制成的半导体零部件;
所述不锈钢材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第二步,粘贴STOP标签,
第三步,粘贴PP标签,
第四步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第五步,使用气泡袋包覆,
第六步,使用胶带封口;
所述铝合金材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
优选的,所述中、低真空使用条件下的塑料材料制成的半导体零部件的包装方法:
第一步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第二步,粘贴STOP标签,
第三步,粘贴PP标签,
第四步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第五步,使用气泡袋包覆,
第六步,使用胶带封口。
优选的,所述铜材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述镍材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
优选的,所述具有喷砂面且不可使用无尘布包覆的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用尼龙膜包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
优选的,所述具有易碎或易损伤的关键面的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘布包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,使用衬垫进行四周缓冲性包覆;,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述具有电子元件的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口;
其中,
所述的第一层PE袋使用具备抗静电特性的。
优选的,所述具有具有O-Ring或Connector密封面的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘布包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述PE袋使用厚度1.5mm或1.0两种规格,其中,1.5mm厚的PE袋用于重量在5Kg以上的半导体零部件使用,1.0mm厚的PE袋用于重量在5Kg一下的半导体零部件使用;
所述抗静电特性的PE袋的厚度大于等于0.762mm。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明提出的半导体零部件超洁净包装方法能够对半导体零部件进行高效的洁净包装,避免灰尘或静电的影响,能够保证半导体零部件在后续的加工使用正常。
附图说明
图1表示超高真空使用条件下的半导体零部件的包装方法;
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参阅图1,本发明提供一种半导体设备零部件超洁净包装方法:一种半导体设备零部件超洁净包装方法,所述半导体零部件包括超高真空使用条件下的半导体零部件;还包括,
中、低真空使用条件下的半导体零部件;
中、低真空使用条件下的不锈钢或塑料材料制成的半导体零部件;
铜材料制成的半导体零部件;
镍材料制成的半导体零部件;
具有喷砂面且不可使用无尘布包覆的半导体零部件;
具有易碎或易损伤的关键面的半导体零部件;
具有电子元件的半导体零部件;
具有具有O-Ring或Connector密封面的半导体零部件;
其中,
所述超高真空使用条件下的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述中、低真空使用条件下的半导体零部件包括不锈钢或铝合金材料制成的半导体零部件;
所述不锈钢材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第二步,粘贴STOP标签,
第三步,粘贴PP标签,
第四步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第五步,使用气泡袋包覆,
第六步,使用胶带封口;
所述铝合金材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
优选的,所述中、低真空使用条件下的塑料材料制成的半导体零部件的包装方法:
第一步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第二步,粘贴STOP标签,
第三步,粘贴PP标签,
第四步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第五步,使用气泡袋包覆,
第六步,使用胶带封口。
优选的,所述铜材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述镍材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
优选的,所述具有喷砂面且不可使用无尘布包覆的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用尼龙膜包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
优选的,所述具有易碎或易损伤的关键面的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘布包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,使用衬垫进行四周缓冲性包覆;,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述具有电子元件的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口;
其中,
所述的第一层PE袋使用具备抗静电特性的。
优选的,所述具有具有O-Ring或Connector密封面的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘布包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
优选的,所述PE袋使用厚度1.5mm或1.0两种规格,其中,1.5mm厚的PE袋用于重量在5Kg以上的半导体零部件使用,1.0mm厚的PE袋用于重量在5Kg一下的半导体零部件使用;
所述抗静电特性的PE袋的厚度大于等于0.762mm。
涉及到电路和电子元器件和模块均为现有技术,本领域技术人员完全可以实现。
无需赘言,本发明保护的内容也不涉及对于软件和方法的改进。尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述半导体零部件包括超高真空使用条件下的半导体零部件;还包括,
中、低真空使用条件下的半导体零部件;
中、低真空使用条件下的不锈钢或塑料材料制成的半导体零部件;
铜材料制成的半导体零部件;
镍材料制成的半导体零部件;
具有喷砂面且不可使用无尘布包覆的半导体零部件;
具有易碎或易损伤的关键面的半导体零部件;
具有电子元件的半导体零部件;
具有具有O-Ring或Connector密封面的半导体零部件;
其中,
所述超高真空使用条件下的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
2.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述中、低真空使用条件下的半导体零部件包括不锈钢或铝合金材料制成的半导体零部件;
所述不锈钢材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第二步,粘贴STOP标签,
第三步,粘贴PP标签,
第四步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第五步,使用气泡袋包覆,
第六步,使用胶带封口;
所述铝合金材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
3.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述中、低真空使用条件下的塑料材料制成的半导体零部件的包装方法:
第一步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,第二步,粘贴STOP标签,
第三步,粘贴PP标签,
第四步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第五步,使用气泡袋包覆,
第六步,使用胶带封口。
4.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述铜材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
5.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述镍材料制成的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
6.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述具有喷砂面且不可使用无尘布包覆的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用尼龙膜包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,粘贴STOP标签,
第四步,粘贴PP标签,
第五步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第六步,使用气泡袋包覆,
第七步使用胶带封口。
7.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述具有易碎或易损伤的关键面的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘布包覆,
第二步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第三步,使用衬垫进行四周缓冲性包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
8.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述具有电子元件的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘纸包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口;
其中,
所述的第一层PE袋使用具备抗静电特性的。
9.根据权利要求1所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述具有具有O-Ring或Connector密封面的半导体零部件的包装方法为:
第一步,使用无尘布包覆,
第二步,使用铝箔包覆,
第三步,使用第一层PE袋包覆前先往里充氮气再进行真空包覆,
第四步,粘贴STOP标签,
第五步,粘贴PP标签,
第六步,使用第二层PE袋进行真空包覆,再粘贴黄色标签,
第七步,使用气泡袋包覆,
第八步,使用胶带封口。
10.根据权利要求1~9任一项所述的一种半导体设备零部件超洁净包装方法,其特征在于,所述PE袋使用厚度1.5mm或1.0两种规格,其中,1.5mm厚的PE袋用于重量在5Kg以上的半导体零部件使用,1.0mm厚的PE袋用于重量在5Kg一下的半导体零部件使用;
所述抗静电特性的PE袋的厚度大于等于0.762mm。
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