CN113572448B - 体声波谐振器 - Google Patents
体声波谐振器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113572448B CN113572448B CN202111110286.5A CN202111110286A CN113572448B CN 113572448 B CN113572448 B CN 113572448B CN 202111110286 A CN202111110286 A CN 202111110286A CN 113572448 B CN113572448 B CN 113572448B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- resonator
- acoustic wave
- bulk acoustic
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 AlN nitride Chemical class 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本申请涉及体声波谐振器技术领域，公开一种体声波谐振器，包括：谐振器盖体、体声波谐振结构、谐振器载体；谐振器盖体与体声波谐振结构的一侧连接形成第一空腔；体声波谐振结构另一侧与谐振器载体连接；谐振器载体包括牺牲层、截止边界层和衬底；截止边界层位于牺牲层和衬底之间；截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在硅衬底内形成第二空腔，使得谐振器的衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题。
Description
技术领域
本申请涉及体声波谐振器技术领域，例如涉及一种体声波谐振器。
背景技术
目前，对于一些常规的以硅材料为衬底的FBAR（ film bulk acousticresonator，薄膜腔声谐振滤波器）谐振器结构而言，通常在硅衬底上淀积有一层二氧化硅介质，然后在二氧化硅介质上制作FBAR的下电极、压电层和上电极结构。
在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
现有技术通常采用硅来制作衬底，在衬底上形成空腔，尽管硅衬底是高阻值的硅，但是在某些谐振器结构的硅衬底界面上还是会形成寄生导电沟道，进而由若干个这种谐振器结构组成的滤波器的性能也会受到影响。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供一种体声波谐振器，以能够抑制体声波谐振器的寄生导电沟道。
在一些实施例中，体声波谐振器包括：谐振器盖体，与体声波谐振结构的一侧连接，形成第一空腔；所述体声波谐振结构，另一侧与谐振器载体连接；所述谐振器载体，包括牺牲层、截止边界层和衬底；所述截止边界层位于所述牺牲层和所述衬底之间；所述截止边界层形成位于所述牺牲层内的第一凸起和第二凸起，所述谐振器载体通过所述第一凸起、所述第二凸起与所述体声波谐振结构围合形成第二空腔。
本公开实施例提供的体声波谐振器，可以实现以下技术效果：谐振器载体包括牺牲层、截止边界层、衬底；截止边界层位于牺牲层和衬底之间；截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在硅衬底内形成第二空腔，如此衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题，进而由若干个该体声波谐振器构成的滤波器的性能得到提升。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是本公开实施例提供的一个体声波谐振器的剖面结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一个滤波器的频率响应曲线示意图。
附图标记：
100：盖板；110：第一键合层；120：氮化铝层；130：上电极层；140：压电层；150：下电极层；160：下电极边缘凸点层；170：钝化层；180：牺牲层；190：截止边界层；200：第二键合层；210：衬底；220：第二导通层；230：第一导通层；240：第一金属层；250：第二金属层。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
本公开实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本公开实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本公开实施例中的具体含义。
另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开实施例中的具体含义。
除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
本公开实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。
术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
结合图1所示，本公开实施例提供一种体声波谐振器，包括谐振器盖体、体声波谐振结构、谐振器载体，其中，谐振器盖体包括盖板100、第一键合层110，体声波谐振结构包括氮化铝层120、第一导通层230、上电极层130、压电层140、第二导通层220、下电极层150、下电极边缘凸点层160、钝化层170，谐振器载体包括牺牲层180、截止边界层190、衬底210。谐振器盖体与体声波谐振结构的一侧连接，形成第一空腔；体声波谐振结构的另一侧与谐振器载体连接；截止边界层190位于牺牲层180和衬底210之间；截止边界层190形成位于牺牲层180内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。
本公开实施例提供的体声波谐振器，可以实现以下技术效果：谐振器载体包括牺牲层、截止边界层、衬底；截止边界层位于牺牲层和衬底之间；截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在硅衬底内形成第二空腔，如此衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题，进而由若干个该体声波谐振器构成的滤波器的性能得到提升。
可选地，谐振器盖体形成有凹槽；谐振器盖体通过凹槽与体声波谐振结构形成第一空腔。
可选地，谐振器盖体在凹槽外围的部分设置有第一通孔和第二通孔；第一金属层240位于第一通孔和第一通孔外围的谐振器盖体的表面上；第二金属层250位于第二通孔和第二通孔外围的谐振器盖体的表面上；第一金属层240穿过第一通孔连接体声波谐振结构；第二金属层250穿过第二通孔连接体声波谐振结构。
可选地，谐振器盖体包括：盖板100、第一键合层110；盖板100通过第一键合层110与体声波谐振结构连接；第一键合层110被限定为中空结构，第一键合层110的中空部分被限定为谐振器盖体的凹槽。
可选地，第一键合层110的中空外围的部分设置有第六通孔和第七通孔；盖板100上设置有第八通孔和第九通孔，其中第八通孔和第九通孔的开口尺寸比第六通孔和第七通孔大3微米以上；第六通孔与第八通孔连通，第七通孔与第九通孔连通；由第六通孔和第八通孔构成谐振器盖体的第一通孔，由第七通孔和第九通孔构成谐振器盖体的第二通孔。
可选地，体声波谐振结构包括氮化铝层120、第一导通层230、上电极层130、压电层140、第二导通层220、下电极层150、下电极边缘凸点层160、钝化层170；氮化铝层120设置有第三通孔；第一导通层230通过第三通孔连接上电极层130；第一金属层260穿过第一通孔与第一导通层230连接；上电极层130位于氮化铝层120与压电层140之间；压电层140一端与上电极层130连接，压电层140的另一端暴露于上电极层130外，压电层140未与上电极层130接触的部分设置有第四通孔；第二导通层220通过第四通孔连接下电极层150；第二金属层270穿过第二通孔与第二导通层220连接；下电极层150位于压电层140远离上电极层130的一侧，压电层140的一端与下电极层150连接，压电层140的另一端暴露于下电极层150外；压电层140远离上电极层130的一侧且未与下电极层150接触的部分，连接牺牲层180和第一凸起；下电极边缘凸点层160位于下电极层150与钝化层170之间；钝化层170部分置于下电极层150上，部分置于下电极边缘凸点层160上，钝化层170连接牺牲层180和第二凸起。
在一些实施例中，下电极边缘凸点层设置有第五通孔，钝化层通过第五通孔置于下电极层上。
可选地，谐振器载体还包括第二键合层200；第二键合层200位于截止边界层190与衬底210之间。
这样，在截止边界层与衬底之间增加第二键合层，可以使得体声波谐振器更加稳固，不容易被损坏。
可选地，上电极层由具有导电性能的钼Mo、铝Al、铜Cu、铂Pt、钽Ta、钨W、钯Pd和钌Ru等金属材料中的一种或多种制成。
可选地，下电极层由具有导电性能的钼Mo、铝Al、铜Cu、铂Pt、钽Ta、钨W、钯Pd和钌Ru等金属材料中的一种或多种制成。
可选地，压电层由具有压电性能的氮化铝AlN 、氧化锌ZnO、铌酸锂LiNbO3、钽酸锂LiTaO3、锆钛酸铅PZT和钛酸锶钡BST等材料中的一种或多种制成。
可选地，压电层由掺杂5-30%比例稀土元素的氮化铝AlN制成。可选地，稀土元素包括：钪、铒和镧等中的一种或多种。例如：压电层由氮化铝制成，或，由掺杂10%比例钪的氮化铝制成。
可选地，下电极边缘凸点层由具有导电性能钼Mo、铝Al、铜Cu、铂Pt、钽Ta、钨W、钯Pd和钌Ru等金属材料中的一种或多种制成。
可选地，钝化层由氮化硅SiN、氮化铝AlN、二氧化硅SiO2和氮氧化硅SiNO中的一种或多种制成。
可选地，牺牲层的材料为二氧化硅。
可选地，截止边界层由氮化硅、氮化铝、多晶硅和非晶硅中的一种或多种制成。
可选地，衬底由氧化硅、三氧化二铝Al2O3、碳硅、多晶硅、非晶硅和单晶硅材料的一种或多种组合做成。
在一些实施例中，多晶硅可以做到比单晶硅更高的绝缘性，因而使用多晶硅做衬底也能带来滤波器性能的提升。
可选地，第二键合层由二氧化硅、氮化硅或有机膜材料制成。
在一些实施例中，有机膜材料包括：干膜Dry Film、芯片贴片膜Die Attach Film等。
可选地，第一键合层由二氧化硅、氮化硅、有机膜材料和硅酸乙酯的一种或多种组合制成。
可选地，盖板由硅、碳硅、氧化铝或二氧化硅制成。
在一些实施例中，第一导通层和第二导通层均包括电路导通引线和焊盘，电路导通引线和焊盘由铝Al，铜Cu，金Au，钛Ti，钨W和铂Pt等金属中的一种或多种组合制成。
可选地，第一金属层与第二金属层均铝Al，铜Cu，金Au，钛Ti，钨W和铂Pt等金属中的一种或多种制成。
本发明的谐振器的第二空腔结构形成于衬底表面以上，空腔的形成无需借助衬底本身，因而衬底的材料可以灵活选择，而不必像传统谐振器结构的形成那样须拘泥于使用硅衬底，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题，因而可以容易获得更好的滤波器性能。在一些实施例中，图2为滤波器的频率响应曲线示意图，如图2所示，曲线A为使用硅为衬底谐振器组成的滤波器的频率响应曲线，其S参数为S（3，4）。曲线B为使用二氧化硅、Al2O3等完全绝缘的材料为衬底的谐振器组成的滤波器的频率响应曲线，其S参数为S（2，1）。由图2可得，使用以二氧化硅、Al2O3为代表的完全绝缘的材料为衬底的谐振器组成的滤波器相较于由以硅为衬底的谐振器组成的滤波器在带外具有更低的响应，即有更好的带外滤波抑制性能。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开的实施例并不局限于上面已经描述并在附图中示出的结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (11)
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：
谐振器盖体，与体声波谐振结构的一侧连接，形成第一空腔；
所述体声波谐振结构，另一侧与谐振器载体连接；
所述谐振器载体，包括牺牲层、截止边界层和衬底；所述截止边界层位于所述牺牲层和所述衬底之间；所述截止边界层形成位于所述牺牲层内的第一凸起和第二凸起，所述谐振器载体通过所述第一凸起、所述第二凸起与所述体声波谐振结构围合形成第二空腔。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器盖体形成有凹槽；所述谐振器盖体通过所述凹槽与所述体声波谐振结构形成所述第一空腔。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器盖体在所述凹槽外围的部分设置有第一通孔和第二通孔；第一金属层位于所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述谐振器盖体的表面上；第二金属层位于所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述谐振器盖体的表面上；所述第一金属层穿过所述第一通孔连接所述体声波谐振结构；所述第二金属层穿过所述第二通孔连接所述体声波谐振结构。
4.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器盖体包括：
盖板，通过第一键合层与所述体声波谐振结构连接；
所述第一键合层，被限定为中空结构，所述第一键合层的中空部分被限定为所述谐振器盖体的凹槽。
5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振结构，包括：
氮化铝层，设置有第三通孔；
第一导通层，通过所述第三通孔连接上电极层；所述第一金属层穿过所述第一通孔与所述第一导通层连接；
所述上电极层，位于所述氮化铝层与压电层之间；
所述压电层，一端与所述上电极层连接，所述压电层的另一端暴露于所述上电极层外，所述压电层未与所述上电极层接触的部分设置有第四通孔；
第二导通层，通过所述第四通孔连接下电极层；所述第二金属层穿过所述第二通孔与所述第二导通层连接；
所述下电极层，位于所述压电层远离所述上电极层的一侧，所述压电层的一端与所述下电极层连接，所述压电层的另一端暴露于所述下电极层外；所述压电层远离所述上电极层的一侧且未与所述下电极层接触的部分，连接所述牺牲层和所述第一凸起；
下电极边缘凸点层，位于所述下电极层与钝化层之间；
所述钝化层部分置于所述下电极层上，部分置于所述下电极边缘凸点层上，所述钝化层连接所述牺牲层和所述第二凸起。
6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器载体还包括第二键合层；所述第二键合层位于所述截止边界层与所述衬底之间。
7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二键合层由二氧化硅、氮化硅或有机膜材料制成。
8.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一键合层由二氧化硅、氮化硅、有机膜材料和硅酸乙酯中的一种或多种制成。
9.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，所述盖板由硅、碳硅、氧化铝或二氧化硅制成。
10.根据权利要求1至9任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述衬底是由氧化硅、三氧化二铝、碳硅、多晶硅、非晶硅和单晶硅材料中的一种或多种组合制成。
11.根据权利要求1至9任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述截止边界层由氮化硅、氮化铝、多晶硅或非晶硅制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111110286.5A CN113572448B (zh) | 2021-09-23 | 2021-09-23 | 体声波谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111110286.5A CN113572448B (zh) | 2021-09-23 | 2021-09-23 | 体声波谐振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113572448A CN113572448A (zh) | 2021-10-29 |
| CN113572448B true CN113572448B (zh) | 2021-12-17 |
Family
ID=78173995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111110286.5A Active CN113572448B (zh) | 2021-09-23 | 2021-09-23 | 体声波谐振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113572448B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113852359B (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-15 | 深圳新声半导体有限公司 | 薄膜体声波谐振器结构以及薄膜体声波滤波器 |
| CN113872549B (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-01 | 深圳新声半导体有限公司 | 用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器 |
| US20220131527A1 (en) | 2021-12-28 | 2022-04-28 | Newsonic Technologies | Fbar structure having single crystalline piezoelectric layer and fabricating method thereof |
| CN114421913B (zh) * | 2022-01-20 | 2024-01-26 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种谐振器及其制备方法 |
| CN114598287B (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-05 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种体声波谐振器制作的方法 |
| CN114884482B (zh) * | 2022-07-08 | 2022-11-18 | 深圳新声半导体有限公司 | 体声波谐振器 |
| CN114866063B (zh) * | 2022-07-11 | 2022-10-11 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种新型压电层及体声波滤波器 |
| CN115225058B (zh) * | 2022-09-20 | 2023-01-10 | 深圳新声半导体有限公司 | 谐振结构、用于制作谐振结构的方法 |
| CN117134737B (zh) * | 2023-10-27 | 2024-01-30 | 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 | 一种体声波谐振器芯片结构和制造方法 |
| CN118282349A (zh) * | 2024-05-31 | 2024-07-02 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种体声波谐振器和体声波谐振器制造方法 |
| CN119276239B (zh) * | 2024-12-10 | 2025-04-04 | 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器芯片结构以及制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108566174A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-21 | 武汉大学 | 预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器及制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008131356A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振子およびその製造方法 |
| KR101868988B1 (ko) * | 2011-08-05 | 2018-06-20 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| KR101922878B1 (ko) * | 2016-07-14 | 2018-11-29 | 삼성전기 주식회사 | 탄성파 공진기 장치 |
| US10511286B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-12-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Variable frequency filter |
| CN112039471B (zh) * | 2020-06-16 | 2024-07-02 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
-
2021
- 2021-09-23 CN CN202111110286.5A patent/CN113572448B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108566174A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-21 | 武汉大学 | 预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113572448A (zh) | 2021-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113572448B (zh) | 体声波谐振器 | |
| CN113556098B (zh) | 体声波谐振器封装结构 | |
| CN112039484B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| JP4435049B2 (ja) | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 | |
| US7579926B2 (en) | FBAR band pass filter, duplexer having the filter and methods for manufacturing the same | |
| JP4924993B2 (ja) | 薄膜圧電共振器とその製造方法 | |
| CN113572449B (zh) | 体声波谐振器封装结构 | |
| WO2021253757A1 (zh) | 一种薄膜声波滤波器及其制造方法 | |
| CN107317561B (zh) | 体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN209844929U (zh) | 带断裂结构体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN113572444B (zh) | 用于体声波谐振器制作的方法 | |
| EP3998704A1 (en) | Bulk acoustic resonator, filter, and electronic device | |
| JP2007208728A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 | |
| JP2004120016A (ja) | フィルタ装置 | |
| WO2021135134A1 (zh) | 一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器 | |
| WO2021120590A1 (zh) | 一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器 | |
| CN116318029B (zh) | 体声波谐振器、用于制作体声波谐振器的方法 | |
| TWI860336B (zh) | 聲波元件及其製造方法 | |
| KR102172636B1 (ko) | 체적 음향 공진기 | |
| CN115296644A (zh) | 体声波滤波器 | |
| CN114257193B (zh) | 薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器 | |
| CN115225050B (zh) | 用于谐振器制作的方法、体声波谐振器 | |
| US11533039B2 (en) | Lithium niobate or lithium tantalate FBAR structure and fabricating method thereof | |
| WO2024207626A1 (zh) | 谐振器及组件、滤波器、电子设备及制作方法和封装结构 | |
| WO2023207966A1 (zh) | 滤波器、多工器及射频前端模组 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |