CN113572446A - 用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器 - Google Patents
用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器 Download PDFInfo
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Abstract
本申请涉及体声波谐振器技术领域，公开一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：提供衬底片，衬底片包括待移除层和在待移除层上形成的压电层；压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；在压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构；在下电极结构远离压电层的一侧形成谐振载体；移除待移除层；在压电层远离下电极结构的一侧形成上电极结构；在谐振载体、下电极结构之间形成空腔。这样，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。本申请还公开一种体声波谐振器、滤波器。
Description
技术领域
本申请涉及体声波谐振器技术领域，例如涉及一种用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器。
背景技术
目前，对于一些常规的FBAR（ film bulk acoustic resonator，薄膜腔声谐振滤波器）谐振器结构而言，通常通过PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）或者CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）等工艺在衬底上制作具有压电特性的压电层，但是通过PVD或者CVD等工艺无法在体声波谐振器衬底上淀积具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体，因此，无法由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供一种用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器，以能够利用由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。
在一些实施例中，用于体声波谐振器制作的方法包括：提供衬底片，所述衬底片包括待移除层和在所述待移除层上形成的压电层；所述压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构；在所述下电极结构远离所述压电层的一侧形成谐振载体；移除所述待移除层；在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构；在所述谐振载体、所述下电极结构之间形成谐振空间。
在一些实施例中，体声波谐振器，所述体声波谐振器由上述的用于体声波谐振器制作的方法制得。
在一些实施例中，滤波器包括上述体声波谐振器。
本公开实施例提供的用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器，可以实现以下技术效果：通过先在衬底片的压电层的一侧制作下电极结构、谐振载体，再在压电层的另一侧制作上电极结构，最后在谐振载体、下电极结构之间形成空腔。这样，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器，并且由于压电层由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成，能够提高体声波谐振器的带宽。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是本公开实施例提供的一个用于体声波谐振器制作的方法的示意图；
图2是本公开实施例提供的一个衬底片的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一个在衬底片上，依次淀积下电极层、第一钝化层后的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的一个刻蚀下电极层、第一钝化层后的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的一个在下电极结构上淀积牺牲层后的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的一个刻蚀牺牲层后的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的一个在刻蚀后的牺牲层上淀积截止边界层后的结构示意图；
图8是本公开实施例提供的一个在截止边界层上淀积键合层后的结构示意图；
图9是本公开实施例提供的一个在键合层键合第一衬底后的结构示意图；
图10是本公开实施例提供的一个移除待移除层后的结构示意图；
图11是本公开实施例提供的一个在压电层上淀积上电极层后的结构示意图；
图12是本公开实施例提供的一个在上电极层上淀积并刻蚀上电极边缘凸点层后的结构示意图；
图13是本公开实施例提供的一个在刻蚀上电极边缘凸点层上淀积第二钝化层后的结构示意图；
图14是本公开实施例提供的一个刻蚀上电极层、上电极边缘凸点层、第二钝化层后的结构示意图；
图15是本公开实施例提供的一个刻蚀第二钝化层和压电层后的结构示意图；
图16是本公开实施例提供的一个在刻蚀后的第二钝化层和压电层上形成第一导通层和第二导通层后的结构示意图；
图17是本公开实施例提供的一个腐蚀牺牲层后的结构示意图；
图18是本公开实施例提供的另一个衬底片的结构示意图；
图19是本公开实施例提供的另一个在衬底片上，依次淀积下电极层、第一钝化层后的结构示意图；
图20是本公开实施例提供的另一个刻蚀下电极层、第一钝化层后的结构示意图；
图21是本公开实施例提供的另一个在下电极结构上淀积牺牲层后的结构示意图；
图22是本公开实施例提供的另一个刻蚀牺牲层后的结构示意图；
图23是本公开实施例提供的另一个在刻蚀后的牺牲层上淀积截止边界层，并在截止边界层上淀积键合层后的结构示意图；
图24是本公开实施例提供的另一个在键合层键合第一衬底后的结构示意图；
图25是本公开实施例提供的一个谐振器的频率响应曲线示意图；
图26是本公开实施例提供的一个滤波器的频率响应曲线示意图。
附图标记：
1000：衬底片；1010：第二衬底；1020氧化硅层；1030：压电层；1040：下电极层；1050：第一钝化层；1060：牺牲层；1070：截止边界层；1080：键合层；1090：第一衬底；1100：上电极层；1110：上电极边缘凸点层；1120：第二钝化层；1130：第一导通层；1140：第二导通层。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
本公开实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本公开实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本公开实施例中的具体含义。
另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开实施例中的具体含义。
除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
本公开实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。
术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
结合图1所示，本公开实施例提供一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：
步骤S101，提供衬底片，衬底片包括待移除层和在待移除层上形成的压电层；压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；
步骤S102，在压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构；
步骤S103，在下电极结构远离压电层的一侧形成谐振载体；
步骤S104，移除待移除层；
步骤S105，在压电层远离下电极结构的一侧形成上电极结构；
步骤S106，在谐振载体和下电极结构之间形成谐振空间。
采用本公开实施例提供的用于体声波谐振器制作的方法，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器，并且由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，能够提高体声波谐振器的带宽。
如图2所示，图2为衬底片的结构示意图。可选地，衬底片1000包括待移除层和在待移除层上形成的压电层1030；待移除层包括第二衬底1010和在第二衬底上形成的氧化硅层1020。可选地，第二衬底由硅、碳化硅SiC和三氧化二铝中的一种或多种制成，氧化硅层由氧化硅制成。
可选地，待移除层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成。
结合图3和图4所示，可选地，在压电层1030远离待移除层的一侧形成下电极结构，包括：在压电层1030远离待移除层的一侧依次淀积下电极层1040和第一钝化层1050；刻蚀下电极层1040和第一钝化层1050形成下电极结构；使得下电极结构与压电层的一端连接，压电层的另一端暴露于下电极结构外。
可选地，在压电层1030远离待移除层的一侧依次淀积下电极层1040和第一钝化层1050，包括：在压电层远离待移除层的一侧淀积下电极层1040；在下电极层1040远离压电层1030的一侧淀积第一钝化层1050。
可选地，下电极层由具有导电性能的钼Mo、铝Al、铜Cu、铂Pt、钽Ta、钨W、钯Pd和钌Ru等金属材料中的一种或多种制成。
可选地，第一钝化层由氮化硅或氮化铝制成。
在一些实施例中，通过湿法化学刻蚀工艺和/或等离子刻蚀工艺刻蚀下电极层和第一钝化层形成下电极结构。
可选地，在压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构，包括：在压电层远离待移除层的一侧淀积下电极层；在下电极层上淀积下电极边缘凸点层；刻蚀下电极边缘凸点层暴露出下电极层；在刻蚀后的下电极边缘凸点层上淀积第一钝化层；刻蚀下电极层、下电极边缘凸点层和第一钝化层，形成下电极结构；使得下电极结构与压电层的一端连接，压电层的另一端暴露于下电极结构外。
结合图5至图9所示，可选地，在下电极结构远离压电层的一侧形成谐振载体，包括：在下电极结构远离压电层1030的一侧淀积牺牲层1060；对牺牲层1060进行刻蚀，刻蚀后的牺牲层1060形成凸起；在凸起上淀积截止边界层1070；在截止边界层1070远离第一钝化层1050的一侧沉积键合层1080；在键合层1080远离截止边界层1070的一侧键合第一衬底1090，形成由牺牲层1060、截止边界层1070、键合层1080和第一衬底1090组成的谐振载体。
可选地，牺牲层由氧化硅制成。
在一些实施例中，通过CVD工艺和/或PVD工艺淀积牺牲层。通过湿法化学刻蚀工艺和/或等离子刻蚀工艺对牺牲层进行刻蚀，使得刻蚀后的牺牲层形成牺牲岛，即形成凸起。
可选地，截止边界层由硅Si、氮化硅SiN、氮化铝AlN、多晶硅和非晶硅等非导电材料中的一种或多种制成。
可选地，键合层由氧化硅、氮化硅和硅酸乙酯中的一种或多种制成。
在一些实施例中，通过CVD工艺和/或PVD工艺沉积键合层，并利用CMP（chemicalmechanical polish，化学机械研磨）对键合层进行表面平坦化抛光。
可选地，第一衬底由硅Si、碳硅SiC、氧化铝、石英或玻璃制成。
可选地，移除待移除层，包括：在待移除层包括第二衬底和氧化硅层的情况下，通过grinding研磨工艺、等离子干法刻蚀工艺和湿法化学腐蚀工艺中的一种或多种工艺移除第二衬底。通过等离子干法刻蚀和/或湿法化学腐蚀工艺移除氧化硅层。如图10所示，图10为移除待移除层后的结构示意图。
可选地，移除待移除层，包括：在待移除层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成的情况下，通过等离子干法刻蚀工艺、湿法化学腐蚀工艺和CMP工艺中的一种或多种移除待移除层。
可选地，在压电层远离下电极结构的一侧形成上电极结构，包括：在压电层远离下电极结构的一侧淀积上电极层；在上电极层上淀积第二钝化层；对上电极层和第二钝化层进行刻蚀形成上电极结构；使得上电极结构与压电层的一端连接，压电层的另一端暴露于上电极结构外。
结合图11至图14所示，可选地，在压电层远离下电极结构的一侧形成上电极结构，包括：在压电层1030远离下电极结构的一侧淀积上电极层1100；在上电极层1100上淀积上电极边缘凸点层1110；刻蚀上电极边缘凸点层暴露出上电极层1100；在刻蚀后的上电极边缘凸点层1110上淀积第二钝化层1120；刻蚀上电极层1100、上电极边缘凸点层1110和第二钝化层1120，形成上电极结构；使得上电极结构与压电层1030的一端连接，压电层1030的另一端暴露于上电极结构外。
可选地，上电极层由具有导电性能的钼Mo、铝Al、铜Cu、铂Pt、钽Ta、钨W、钯Pd和钌Ru等金属材料中的一种或多种制成。
可选地，上电极边缘凸点层由具有导电性能的钼Mo、铝Al、铜Cu、铂Pt、钽Ta、钨W、钯Pd和钌Ru等金属材料中的一种或多种制成。
在一些实施例中，上电极边缘凸点层与上电极层的材料可以相同，也可以不相同。
在一些实施例中，通过Lift-off工艺（metal lift-off technology，金属剥离工艺）刻蚀上电极边缘凸点层，暴露出上电极层。
在一些实施例中，对上电极边缘凸点层进行图形化刻蚀，暴露出上电极层。
在一些实施例中，在上电极层与上电极边缘凸点层的金属材料相同的情况下，在压电层淀积上电极层的金属材料，且淀积厚度为上电极层与上电极边缘凸点层的总厚度。例如：上电极层与上电极边缘凸点层的材料均为钼，上电极层的厚度为2微米，上电极边缘凸点层厚度为1微米，在压电层沉积3微米的钼，通过图形化刻蚀金属钼，刻蚀厚度为1微米，形成上电极层及暴露出上电极层的上电极边缘凸点层。
可选地，第二钝化层由氮化硅SiN、氮化铝AlN、氧化硅SiO2和氮氧化硅SiNO中的一种或多种制成。
在一些实施例中，通过等离子刻蚀工艺和/或湿法化学品刻蚀工艺刻蚀上电极层、上电极边缘凸点层和第二钝化层，形成上电极结构。
结合图15和图16所示，可选地，在压电层1030远离下电极结构的一侧形成上电极结构后，还包括：刻蚀压电层1030未与上电极结构接触的部分形成第一通孔；在第一通孔和第一通孔外围的压电层1030形成第一导通层1130；第一导通层1130穿过第一通孔连接下电极结构；刻蚀第二钝化层1120形成第二通孔；在第二通孔和第二通孔外围的第二钝化层1120形成第二导通层1140；第二导通层1140连接上电极结构。可选地，第一导通层1130穿过第一通孔连接下电极层1040。
可选地，在上电极结构包括：上电极层1100、上电极边缘凸点层1110和第二钝化层1120的情况下；刻蚀第二钝化层1120形成第二通孔；在第二通孔和第二通孔外围的第二钝化层1120形成第二导通层1140；第二导通层1140连接上电极边缘凸点层1110。如图16所示，图16为在刻蚀后的第二钝化层和压电层上形成第一导通层和第二导通层后的结构示意图。
可选地，在上电极结构包括：上电极层和第二钝化层的情况下；刻蚀第二钝化层形成第二通孔；在第二通孔和第二通孔外围的第二钝化层形成第二导通层；第二导通层穿过第二通孔连接上电极层。
可选地，第一导通层和第二导通层均包括导通引线和焊盘，导通引线和焊盘均由铝Al，铜Cu，金Au，钛Ti，钨W和铂Pt等金属中的一种或多种组合制成。
结合图17所示，可选地，在谐振载体、下电极结构之间形成谐振空间，包括：腐蚀凸起，使得截止边界层1070、下电极结构和压电层1030之间形成谐振空间。
这样，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器，并且由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，能够提高体声波谐振器的带宽。
在一些实施例中，在牺牲层由氧化硅制成的情况下，通过氢氟酸溶液湿法腐蚀、BOE (Buffered Oxide Etchant，缓冲氧化物刻蚀液)溶液湿法腐蚀和氢氟酸蒸汽腐蚀中的一种或多种腐蚀凸起，使得截止边界层、下电极结构和压电层之间形成谐振空间。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在由硅制作的衬底内形成空腔，如此第一衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免第一衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题，进而由若干个该体声波谐振器构成的滤波器的性能得到提升。
结合图18至图24所示，在一些实施例中，提供由铌酸锂或者钽酸锂制成的衬底片1000，在衬底片1000上淀积下电极层1040，在下电极层1040上淀积第一钝化层1050，通过等离子刻蚀工艺和/或湿法化学刻蚀工艺，刻蚀下电极层1040和第一钝化层1050形成下电极结构，使得下电极结构与压电层的一端连接，压电层的另一端暴露于下电极结构外。在下电极结构远离压电层的一侧淀积牺牲层1060；对牺牲层1060进行刻蚀，刻蚀后的牺牲层1060形成凸起；在凸起上淀积截止边界层1070；在截止边界层1070远离第一钝化层1050的一侧沉积键合层1080；在键合层1080远离截止边界层1070的一侧键合第一衬底1090，形成由牺牲层1060、截止边界层1070、键合层1080和第一衬底1090组成的谐振载体。
通过等离子干法刻蚀工艺、湿法化学腐蚀工艺和CMP工艺中的一种或多种移除预设厚度的衬底片，被移除的预设厚度的衬底片为待移除层，移除预设厚度后的衬底片为压电层。在压电层远离下电极结构的一侧淀积上电极层；在上电极层上淀积上电极边缘凸点层；刻蚀上电极边缘凸点层暴露出上电极层；在刻蚀后的上电极边缘凸点层上淀积第二钝化层；刻蚀上电极层、上电极边缘凸点层和第二钝化层，形成上电极结构；使得上电极结构与压电层的一端连接，压电层的另一端暴露于上电极结构外。刻蚀压电层未与上电极结构接触的部分形成第一通孔；在第一通孔和第一通孔外围的压电层形成第一导通层；第一导通层穿过第一通孔连接下电极结构；刻蚀第二钝化层形成第二通孔；在第二通孔和第二通孔外围的第二钝化层形成第二导通层；第二导通层连接上电极结构。腐蚀凸起，使得截止边界层、下电极结构和压电层之间形成谐振空间。
在一些实施例中，图25为体声波谐振器的频率响应曲线示意图，如图25所示，曲线A为使用铌酸锂作为压电层的体声波谐振器的频率响应曲线，其谐振器的阻抗mag为Z(6，6)。曲线B为使用氮化铝作为压电层的体声波谐振器的频率响应曲线，其谐振器的阻抗mag为Z(5，5)。谐振器响应曲线最高阻抗频率点和最低阻抗频率点的频率差为带宽，由图25可得，使用以铌酸锂作为压电层的体声波谐振器的带宽约为使用氮化铝作为压电层的体声波谐振器的带宽的四倍，即有更好的体声波谐振器的带宽。
本公开实施例提供一种体声波谐振器，体声波谐振器由用于体声波谐振器制作的方法制得。
结合图17所示，可选地，体声波谐振器包括体声波谐振结构和谐振载体；其中，体声波谐振结构包括：第一导通层1130、第二导通层1140、第二钝化层1120、上电极边缘凸点层1110、上电极层1100、压电层1030、下电极层1040和第一钝化层1050；谐振载体包括：截止边界层1070、键合层1080、第一衬底1090。体声波谐振结构的一侧与谐振载体连接；键合层1080位于截止边界层1070与第一衬底1090之间；截止边界层1070位于体声波谐振结构与键合层1080之间；截止边界层1070形成有凹槽，谐振载体通过凹槽与体声波谐振结构围合形成空腔。
可选地，体声波谐振结构包括第二钝化层1120，位于上电极边缘凸点层1110与第二导通层1140之间，第二钝化层1120设置有第二通孔；第二导通层，第二导通层1140通过第二通孔连接上电极边缘凸点层1110；上电极边缘凸点层1110，位于第二钝化层1120与上电极层1100之间；上电极边缘凸点层1110设置有第三通孔，第二钝化层1120通过第三通孔连接上电极层1100；上电极层1100，位于上电极边缘凸点层1110与压电层1030之间；压电层1030，一端与上电极层1100连接，压电层1030的另一端暴露于上电极层1100外，压电层1030未与上电极层1100接触的部分设置有第一通孔；第一导通层1130，通过第一通孔连接下电极层1040；下电极层1040，位于压电层1030远离上电极层1100的一侧，压电层1030的一端与下电极层1040连接，压电层1030的另一端暴露于下电极层1040外；压电层1030远离上电极层1100的一侧且未与下电极层1040接触的部分，连接谐振载体；第一钝化层1050，位于下电极层1040远离压电层1030的一侧，第一钝化层1050连接谐振载体。
可选地，压电层1030远离上电极层1100的一侧且未与下电极层1040接触的部分，连接截止边界层1070；第一钝化层1050位于下电极层1040远离压电层1030的一侧连接截止边界层1070。
本公开实施例提供的体声波谐振器，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器，并且由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，能够提高体声波谐振器的带宽。同时，谐振器载体包括截止边界层、键合层和第一衬底，截止边界层位于体声波谐振结构与键合层之间，截止边界层形成有凹槽，谐振载体通过凹槽与体声波谐振结构围合形成空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在硅衬底内形成空腔，如此第一衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免第一衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题，进而由若干个该体声波谐振器构成的滤波器的性能得到提升。
本公开实施例提供的滤波器，滤波器包括上述体声波谐振器。
本公开实施例提供的滤波器，通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器，从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器，并且由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层，能够提高体声波谐振器的带宽。由若干个这样的体声波谐振器组成的滤波器的性能也会得到提升。
在一些实施例中，图26为滤波器的频率响应曲线示意图，如图26所示，曲线C为使用硅为第一衬底的谐振器组成的滤波器的频率响应曲线，其S参数为S（3，4）。曲线D为使用二氧化硅、Al2O3等完全绝缘的材料为第一衬底的谐振器组成的滤波器的频率响应曲线，其S参数为S（2，1）。由图26可得，使用以二氧化硅、Al2O3为代表的完全绝缘的材料为第一衬底的谐振器组成的滤波器相较于由以硅为第一衬底的谐振器组成的滤波器在带外具有更低的响应，即具备更好的带外滤波抑制性能。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
Claims (10)
1.一种用于体声波谐振器制作的方法，其特征在于，包括：
提供衬底片，所述衬底片包括待移除层和在所述待移除层上形成的压电层；所述压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；
在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构；
在所述下电极结构远离所述压电层的一侧形成谐振载体；
移除所述待移除层；
在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构；
在所述谐振载体和所述下电极结构之间形成谐振空间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构，包括：
在所述压电层远离所述待移除层的一侧依次淀积下电极层和第一钝化层；
刻蚀所述下电极层和所述第一钝化层形成下电极结构；使得所述下电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述下电极结构外。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述待移除层的一侧形成下电极结构，包括：
在所述压电层远离所述待移除层的一侧淀积下电极层；
在所述下电极层上淀积下电极边缘凸点层；
刻蚀所述下电极边缘凸点层暴露出所述下电极层；
在刻蚀后的下电极边缘凸点层上淀积第一钝化层；
刻蚀所述下电极层、所述下电极边缘凸点层和所述第一钝化层形成下电极结构；使得所述下电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述下电极结构外。
4.根据权利要求2或3任一项所述的方法，其特征在于，在所述下电极结构远离所述压电层的一侧形成谐振载体，包括：
在所述下电极结构远离所述压电层的一侧淀积牺牲层；
对所述牺牲层进行刻蚀，刻蚀后的牺牲层形成凸起；
在所述凸起上淀积截止边界层；
在所述截止边界层远离所述第一钝化层的一侧沉积键合层；
在所述键合层远离所述截止边界层的一侧键合第一衬底，形成由所述牺牲层、所述截止边界层、所述键合层和所述第一衬底组成的谐振载体。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构，包括：
在所述压电层远离所述下电极结构的一侧淀积上电极层；
在所述上电极层上淀积第二钝化层；
对所述上电极层和所述第二钝化层进行刻蚀形成上电极结构；使得所述上电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述上电极结构外。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构，包括：
在所述压电层远离所述下电极结构的一侧淀积上电极层；
在所述上电极层上淀积上电极边缘凸点层；
刻蚀所述上电极边缘凸点层暴露出所述上电极层；
在刻蚀后的上电极边缘凸点层上淀积第二钝化层；
刻蚀所述上电极层、所述上电极边缘凸点层和所述第二钝化层形成上电极结构；使得所述上电极结构与所述压电层的一端连接，所述压电层的另一端暴露于所述上电极结构外。
7.根据权利要求5或6任一项所述的方法，其特征在于，在所述压电层远离所述下电极结构的一侧形成上电极结构后，还包括：
刻蚀所述压电层未与所述上电极结构接触的部分形成第一通孔；
在所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述压电层形成第一导通层；所述第一导通层穿过所述第一通孔连接所述下电极结构；
刻蚀所述第二钝化层形成第二通孔；在所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述第二钝化层形成第二导通层；所述第二导通层连接所述上电极结构。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述谐振载体、所述下电极结构之间形成谐振空间，包括：
腐蚀所述凸起，使得所述截止边界层、所述下电极结构和所述压电层之间形成谐振空间。
9.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器由执行权利要求1至8任一项所述的用于体声波谐振器制作的方法制得。
10.一种滤波器，其特征在于，包括如权利要求9所述的体声波谐振器。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20211029 |