CN113569662A - 指纹感测装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 329
- 239000000463 material Substances 0.000 description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BFWZEXBTOTZOMP-UHFFFAOYSA-N [Mo+4].[O-2].[Ta+5] Chemical compound [Mo+4].[O-2].[Ta+5] BFWZEXBTOTZOMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
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- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明提出一种指纹感测装置。指纹感测装置具有感测区、操作区及周边区,其中操作区位于感测区与周边区之间。指纹感测装置包括基板、感测元件、操作元件、第一信号线、第一平坦层、第一绝缘层以及第一遮光层。感测元件位于感测区。操作元件位于操作区。第一信号线位于周边区。第一平坦层位于基板上,且具有第一沟槽,其中第一沟槽重叠第一信号线。第一绝缘层位于第一平坦层上以及第一沟槽中,且具有第一开口,其中第一开口位于第一沟槽中。第一遮光层位于第一绝缘层上,且通过第一开口连接第一信号线。
Description
技术领域
本发明涉及一种指纹感测装置,尤其涉及一种可防湿及抗静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)的指纹感测装置。
背景技术
指纹辨识功能可支持多种应用,提升使用者体验并增加附加价值,为目前业界的重点开发项目之一。为了提高指纹辨识度,在现有的指纹感测装置中,需要使用有机材料来堆叠足够的厚度,以利微透镜聚焦及光线的准直化,目的是为了得到更清晰的指纹图像。然而,有机材料本身有高吸湿的特性,会增加对导线的腐蚀风险,甚至造成指纹感测装置作动异常。
此外,现有的指纹感测装置为单板电路架构,且无设置金属框架,故尚缺乏抗ESD的保护结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可防湿及抗ESD指纹感测装置。
本发明的一个实施例提出一种指纹感测装置,具有感测区、操作区及周边区,其中操作区位于感测区与周边区之间。指纹感测装置包括:基板;感测元件,位于感测区;操作元件,位于操作区;第一信号线,位于周边区;第一平坦层,位于基板上,且具有第一沟槽,其中第一沟槽重叠第一信号线;第一绝缘层,位于第一平坦层上以及第一沟槽中,且具有第一开口,其中第一开口位于第一沟槽中;以及第一遮光层,位于第一绝缘层上,且通过第一开口连接第一信号线。
在本发明的一实施例中,上述的操作元件包括驱动元件及测试元件。
在本发明的一实施例中,上述的第一平坦层包括有机材料。
在本发明的一实施例中,上述的第一绝缘层包括无机材料。
在本发明的一实施例中,上述的第一开口重叠第一信号线。
在本发明的一实施例中,上述的金属层包括铝层、钼层、钛层或其组合。
在本发明的一实施例中,上述的第一信号线为接地线或直流电源线。
在本发明的一实施例中,上述的第一平坦层还具有第二沟槽,第二沟槽位于第一沟槽与操作元件之间;第一绝缘层还具有第二开口,第二开口位于第二沟槽中;且第一遮光层位于第二开口中。
在本发明的一实施例中,上述的指纹感测装置于第一遮光层上还依序包括第三平坦层、第二绝缘层以及第二遮光层,其中:第三平坦层具有第三沟槽,第三沟槽重叠第一沟槽;第二绝缘层具有第三开口,第三开口位于第三沟槽中;且第二遮光层通过第三开口连接第一遮光层。
在本发明的一实施例中,上述的第一平坦层还具有第二沟槽,第二沟槽位于第一沟槽与操作元件之间,第一绝缘层还具有第二开口,第二开口位于第二沟槽中,且第一遮光层位于第二开口中。
在本发明的一实施例中,上述的指纹感测装置于第二遮光层上还依序包括第四平坦层、第三绝缘层、第五平坦层、第四绝缘层、第三遮光层以及微透镜结构,其中:第四平坦层、第三绝缘层以及第五平坦层具有第四沟槽,第四沟槽重叠第三沟槽;第四绝缘层具有第四开口,第四开口位于第四沟槽中;且第三遮光层通过第四开口连接第二遮光层。
在本发明的一实施例中,上述的第三遮光层具有第三通孔,且微透镜结构设置于第三通孔中。
在本发明的一实施例中,上述的第三遮光层包括金属层及透明氧化物层。
在本发明的一实施例中,上述的指纹感测装置,还包括第二信号线,且于第一遮光层上还依序包括第三平坦层、第二绝缘层以及第二遮光层,其中:第一信号线位于第二信号线与操作元件之间;第一平坦层还具有第五沟槽,第五沟槽重叠第二信号线;第一绝缘层还具有第五开口,第五开口位于第五沟槽中;第三平坦层具有第六沟槽,第六沟槽重叠第五沟槽;第二绝缘层具有第六开口,第六开口位于第五开口中;且第二遮光层通过第六开口连接第二信号线。
在本发明的一实施例中,上述的第一遮光层包括金属层及透明氧化物层。
在本发明的一实施例中,上述的第二遮光层包括金属层及透明氧化物层。
在本发明的一实施例中,上述的第二信号线为接地线或直流电源线。
在本发明的一实施例中,上述的指纹感测装置适用于显示装置,其中感测元件位于显示装置与基板之间。
本发明的有益效果在于,本发明的指纹感测装置利用沟槽来分隔平坦层,并通过平坦层与绝缘层的有机材料/无机材料叠构来阻绝水气,能够防止有机材料吸收水气,以避免水气影响操作元件的性质。另外,遮光层连接信号线可以导出静电,而能够对指纹感测装置提供抗ESD保护。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的指纹感测装置的俯视示意图。
图1B是图1A的指纹感测装置的感测区SA的区域I的放大示意图。
图1C是沿图1B的剖面线A-A’所作的剖面示意图。
图1D是图1A的指纹感测装置的周边区PA的区域II的放大示意图。
图1E是沿图1A的剖面线B-B’所作的剖面示意图。
图1F是沿图1A的剖面线C-C’所作的剖面示意图。
图2A是本发明一实施例的指纹感测装置的俯视示意图。
图2B是沿图2A的剖面线D-D’所作的剖面示意图。
图2C是沿图2A的剖面线E-E’所作的剖面示意图。
图3A是本发明一实施例的指纹感测装置的俯视示意图。
图3B是图3A的指纹感测装置的感测区SA的区域III的放大示意图。
图3C是沿图3B的剖面线F-F’所作的剖面示意图。
图3D是图3A的指纹感测装置的周边区PA的区域IV的放大示意图。
图3E是沿图3A的剖面线G-G’所作的剖面示意图。
图3F是沿图3A的剖面线H-H’所作的剖面示意图。
图4A是本发明一实施例的指纹感测装置的俯视示意图。
图4B是沿图4A的剖面线J-J’所作的剖面示意图。
图4C是沿图4A的剖面线K-K’所作的剖面示意图。
图5A是本发明一实施例的指纹感测装置的俯视示意图。
图5B是图5A的指纹感测装置的感测区SA的区域V的放大示意图。
图5C是沿图5B的剖面线L-L’所作的剖面示意图。
图5D是沿图5A的剖面线M-M’所作的剖面示意图。
图5E是沿图5A的剖面线N-N’所作的剖面示意图。
图6A是本发明一实施例的指纹感测装置的俯视示意图。
图6B是沿图6A的剖面线P-P’所作的剖面示意图。
图6C是沿图6A的剖面线Q-Q’所作的剖面示意图。
图7是本发明一实施例的显示设备的剖面示意图。
附图标记如下:
10:显示设备
100、100A、100B、100C、100D、100E、100F:指纹感测装置
110:基板
120:感测元件
121:第一电极
122:感测层
123:第二电极
130:操作元件
131:驱动元件
132:驱动元件
133:测试元件
200:显示装置
210:像素阵列基板
220:盖基板
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、J-J’、K-K’、L-L’、M-M’、N-N’、P-P’、Q-Q’:剖面线
BM1:第一遮光层
BM2:第二遮光层
BM3:第三遮光层
BP1:第一绝缘层
BP2:第二绝缘层
BP3:第三绝缘层
BP4:第四绝缘层
F:手指
I、II、III、IV、V:区域
IC:芯片接合区
IR:红外线遮蔽层
LR:光线
MA:操作区
ML:微透镜结构
OP1:第一开口
OP2:第二开口
OP3:第三开口
OP4:第四开口
OP5:第五开口
OP6:第六开口
PA:周边区
PL1:第一平坦层
PL2:第二平坦层
PL3:第三平坦层
PL4:第四平坦层
PL5:第五平坦层
SA:感测区
SL1:第一信号线
SL2:第二信号线
ST:凹部
T1:第一沟槽
T2:第二沟槽
T3:第三沟槽
T4:第四沟槽
T5:第五沟槽
T6:第六沟槽
TH:孔洞
V1、V2、V3:通孔
具体实施方式
图1A是本发明一实施例的指纹感测装置100的俯视示意图。图1B是图1A的指纹感测装置100的感测区SA的区域I的放大示意图。图1C是沿图1B的剖面线A-A’所作的剖面示意图。图1D是图1A的指纹感测装置100的周边区PA的区域II的放大示意图。图1E是沿图1A的剖面线B-B’所作的剖面示意图。图1F是沿图1A的剖面线C-C’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图1A省略了第一平坦层PL1、第二平坦层PL2以及第一遮光层BM1。
以下,请同时参照图1A至图1F,以清楚地理解指纹感测装置100的整体结构。指纹感测装置100具有感测区SA、操作区MA及周边区PA,其中操作区MA位于感测区SA与周边区PA之间。指纹感测装置100包括基板110、感测元件120、操作元件130、第一信号线SL1、第一平坦层PL1、第一绝缘层BP1以及第一遮光层BM1。感测元件120位于基板110上,且位于感测区SA。操作元件130位于基板110上,且位于操作区MA。第一信号线SL1位于基板110上,且位于周边区PA。第一平坦层PL1位于基板110上,且具有第一沟槽T1,其中第一沟槽T1重叠第一信号线SL1。第一绝缘层BP1位于第一平坦层PL1上以及第一沟槽T1中,且具有第一开口OP1,其中第一开口OP1位于第一沟槽T1中。第一遮光层BM1位于第一绝缘层BP1上,且通过第一开口OP1连接第一信号线SL1。
承上述,在本发明的一实施例的指纹感测装置100中,利用第一沟槽T1来分隔第一平坦层PL1,并通过设置于第一平坦层PL1的上方与侧面的第一绝缘层BP1来阻绝水气,能够防止第一平坦层PL1吸收水气,从而降低水气对操作元件130造成的影响。另外,第一遮光层BM1连接第一信号线SL1可导出静电,而能够对指纹感测装置100提供抗ESD保护。
以下,配合图1A至图1F,继续说明指纹感测装置100的各个元件与膜层的实施方式,但本发明不以此为限。
请参照图1A,基板110可以是透明基板或非透明基板,其材质可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他适当材质,但本发明不以此为限。基板110上可设置用以形成例如信号线、驱动元件、测试元件、开关元件、储存电容等的各种膜层。
指纹感测装置100的操作区MA可以位于感测区SA的周边。举例而言,在本实施例中,操作区MA可以围绕感测区SA,但本发明不以此为限。在一些实施例中,操作区MA可以位于感测区SA的一侧。操作区MA中主要设置操作元件130,操作元件130可以包括驱动元件131、132以及测试元件133,但本发明不以此为限。举例而言,在本实施例中,驱动元件131、132可以分别包括栅极驱动电路(Gate on Array),而测试元件133可以包括用于测试例如感测元件120的测试电路,例如,测试元件133可以包括由多个薄膜晶体管构成的测试电路。
指纹感测装置100的周边区PA可以位于操作区MA的外围。举例而言,在本实施例中,操作区MA围绕感测区SA,且周边区PA围绕操作区MA,但本发明不以此为限。在一些实施例中,操作区MA仅位于感测区SA的一侧,且周边区PA可以围绕在感测区SA以及操作区MA的外围。周边区PA可以包含芯片接合区IC,芯片接合区IC例如可用于设置芯片。
请同时参照图1B以及图1C,指纹感测装置100的感测区SA是指纹感测装置100的主要感测区域,且感测区SA中可以设置多个感测元件120。举例而言,在本实施例中,感测元件120可以包括第一电极121、感测层122以及第二电极123。
在一些实施例中,第一电极121可以位于基板110上。在一些实施例中,第一电极121与基板110之间可以设置例如与第一电极121电性连接的开关元件以及其他绝缘层。第一电极121的材质例如是钼、铝、钛、铜、金、银或其他导电材料或上述两种以上的材料的堆叠。在一些实施例中,感测层122设置于第一电极121上。感测层122的材质例如是富硅氧化物(Silicon-rich oxide,SRO)或其他合适的材料。在一些实施例中,第二电极123位于感测层122上,使得感测层122被夹于第一电极121与第二电极123之间。第二电极123的材质较佳为透明导电材料,例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物或其他合适的氧化物或者是上述至少二者的堆叠层。
在本实施例中,第一平坦层PL1位于第一电极121与第二电极123之间,且指纹感测装置100还可以包括第二平坦层PL2,第二平坦层PL2可覆盖第二电极123,但本发明不限于此。在一些实施例中,第一平坦层PL1具有多个孔洞TH,且第二电极123共形地(conformally)形成于第一平坦层PL1上,使得第二电极123相应地形成有多个凹部ST。举例而言,第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2的材质可以包括有机材料,例如压克力(acrylic)材料、硅氧烷(siloxane)材料、聚酰亚胺(polyimide)材料、环氧树脂(epoxy)材料或上述材料的叠层,但本发明不限于此。
在本实施例中,第一绝缘层BP1位于第二平坦层PL2与第一遮光层BM1之间。在感测区SA,第一遮光层BM1可以具有多个通孔V1,且多个通孔V1分别重叠感测元件120的第二电极123的多个凹部ST。如此一来,感测元件120便可接收通过通孔V1的光线而进行感测。
请同时参照图1A以及图1D至图1F,在本实施例中,第一平坦层PL1、第二平坦层PL2、第一绝缘层BP1以及第一遮光层BM1可以从感测区SA延伸经过操作区MA,并延伸至周边区PA。第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2可以具有第一沟槽T1,且第一沟槽T1位于周边区PA。在一些实施例中,第一沟槽T1于基板110的正投影落入第一信号线SL1于基板110的正投影内。
第一绝缘层BP1可以延伸进入第一沟槽T1中,并包覆第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2的侧壁。第一绝缘层BP1的第一开口OP1可以重叠第一信号线SL1,而暴露出第一信号线SL1,使得第一遮光层BM1可以通过第一开口OP1连接第一信号线SL1。在本实施例中,第一绝缘层BP1的材质可以包括无机材料,例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的叠层,但本发明不限于此。
在本实施例中,第一遮光层BM1例如可以包括金属层以及透明氧化物层,其中金属层可位于第一绝缘层BP1与透明氧化物层之间,但本发明不限于此。上述金属层的材质可以包括导电性良好的金属,例如铝、钼、钛等金属。在一些实施例中,上述金属层也可以具有单层结构或多层结构,多层结构例如铝层、钼层、钛层的组合,例如铝层、钼层、钛层中任意两层或更多层的叠层,可视需要进行组合与变化。举例而言,上述金属层可以包括依续堆叠的钛层、铝层以及钛层或是依续堆叠的钼层、铝层以及钼层,但本发明不以此为限。上述透明氧化物层的材质可以包括反射率低的透明氧化物,例如钼钽氧化物(MoTaOx),但本发明不以此为限。
在本实施例中,第一信号线SL1可以是接地线,但本发明不限于此。在一些实施例中,第一信号线SL1也可以是具有强电压的直流电源线,视实际的设计需求而定。第一信号线SL1的材质可以是导电性良好的金属或合金,例如:金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等,但本发明不以此为限。
以下,继续说明本发明的另一实施例。图2A是本发明一实施例的指纹感测装置100A的俯视示意图。图2B是沿图2A的剖面线D-D’所作的剖面示意图。图2C是沿图2A的剖面线E-E’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图2A省略了第一平坦层PL1、第二平坦层PL2以及第一遮光层BM1。以下,配合图2A至图2C,继续说明指纹感测装置100A的各个元件与膜层的实施方式,且沿用1A至图1F的实施例中所采用的元件标号与相关内容,但本发明不以此为限。
与图1A至图1F所示的指纹感测装置100相比,如图2A至图2C所示的指纹感测装置100A中的结构的不同之处在于:第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2还具有第二沟槽T2,第二沟槽T2位于第一沟槽T1与操作元件130之间。另外,第一绝缘层BP1具有第一开口OP1以及第二开口OP2,第二开口OP2位于第二沟槽T2中,且第一遮光层BM1位于第一开口OP1以及第二开口OP2中。
在本实施例中,第一遮光层BM1通过第一开口OP1连接第一信号线SL1,以对指纹感测装置100A提供抗ESD保护。另外,第二开口OP2可以暴露出第一平坦层PL1下方的膜层,且第一遮光层BM1可以接触第一平坦层PL1下方的膜层,使得第二沟槽T2中的第一绝缘层BP1以及第一遮光层BM1可以阻绝水气进入第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2中。由于第二沟槽T2中的第一绝缘层BP1以及第一遮光层BM1可以更近距离地包覆操作元件130(包括驱动元件131、132以及测试元件133)旁的第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2,因此,能够更近距离地防止水气进入操作元件130周围的第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2中。
图3A是本发明一实施例的指纹感测装置100B的俯视示意图。图3B是图3A的指纹感测装置100B的感测区SA的区域III的放大示意图。图3C是沿图3B的剖面线F-F’所作的剖面示意图。图3D是图3A的指纹感测装置100B的周边区PA的区域IV的放大示意图。图3E是沿图3A的剖面线G-G’所作的剖面示意图。图3F是沿图3A的剖面线H-H’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图3A省略了第一平坦层PL1、第二平坦层PL2、第一绝缘层BP1、第一遮光层BM1、第三平坦层PL3以及第二遮光层BM2。以下,配合图3A至图3F,继续说明指纹感测装置100B的各个元件与膜层的实施方式,且沿用1A至图1F的实施例中所采用的元件标号与相关内容,但本发明不以此为限。
与图1A至图1F所示的指纹感测装置100相比,如图3A至图3F所示的指纹感测装置100B中的结构的不同之处在于:指纹感测装置100B于第一遮光层BM1上还依序包括第三平坦层PL3、第二绝缘层BP2以及第二遮光层BM2,其中第三平坦层PL3具有第三沟槽T3,且第三沟槽T3重叠第一沟槽T1。第二绝缘层BP2具有第三开口OP3,且第三开口OP3位于第三沟槽T3中。第二遮光层BM2通过第三开口OP3连接第一遮光层BM1。
请同时参照图3A至图3C,在本实施例中,第二遮光层BM2于感测区SA可以具有多个通孔V2,且通孔V2分别重叠第一遮光层BM1中的通孔V1。如此一来,通孔V1以及通孔V2可以调控感测元件120的收光角度,使感测元件120具有良好的指纹图像品质,从而使指纹感测装置100B具有良好的指纹辨识度。
在本实施例中,第二遮光层BM2的材质可以包括金属、黑色树脂或石墨等遮光材料、或上述遮光材料的叠层。举例而言,在一些实施例中,第二遮光层BM2可以包括金属层以及透明氧化物层的叠层,其中金属层的材质可以包括导电性良好的金属,例如铝、钼、钛等金属或其叠层,透明氧化物层的材质可以包括反射率低的透明氧化物,例如钼钽氧化物(MoTaOx)。在一些实施例中,第二遮光层BM2可以包括黑色树脂或石墨等非导电性材料。
请同时参照图3A以及图3D至图3F,在本实施例中,第三平坦层PL3位于第一遮光层BM1与第二绝缘层BP2之间,且第二绝缘层BP2位于第三平坦层PL3与第二遮光层BM2之间。第三平坦层PL3、第二绝缘层BP2以及第二遮光层BM2可以从感测区SA延伸经过操作区MA,并延伸至周边区PA。第三平坦层PL3的材质可以包括有机材料,例如压克力(acrylic)材料、硅氧烷(siloxane)材料、聚酰亚胺(polyimide)材料、环氧树脂(epoxy)材料或上述材料的叠层,但本发明不限于此。第二绝缘层BP2的材质可以包括无机材料,例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的叠层,但本发明不限于此。
在本实施例中,第二绝缘层BP2可以延伸进入第三沟槽T3中,并完全包覆第三平坦层PL3的侧壁,以阻绝水气进入第三平坦层PL3。第三开口OP3至少暴露出第一遮光层BM1于第一沟槽T1内的部分,以便第二遮光层BM2通过第三开口OP3接触第一遮光层BM1。
图4A是本发明一实施例的指纹感测装置100C的俯视示意图。图4B是沿图4A的剖面线J-J’所作的剖面示意图。图4C是沿图4A的剖面线K-K’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图4A省略了第一平坦层PL1、第二平坦层PL2、第一遮光层BM1、第三平坦层PL3以及第二遮光层BM2。以下,配合图4A至图4C,继续说明指纹感测装置100C的各个元件与膜层的实施方式,且沿用3A至图3F的实施例中所采用的元件标号与相关内容,但本发明不以此为限。
与图3A至图3F所示的指纹感测装置100B相比,如图4A至图4C所示的指纹感测装置100C中的结构的不同之处在于:第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2还具有第二沟槽T2,第二沟槽T2位于第一沟槽T1与操作元件130之间。另外,第一绝缘层BP1还具有第二开口OP2,第二开口OP2位于第二沟槽T2中,且第一遮光层BM1位于第二开口中OP2。
在本实施例中,第二沟槽T2可二度分隔第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2,且第二沟槽T2中的第一绝缘层BP1以及第一遮光层BM1可以阻绝水气进入第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2中。由于第二沟槽T2中的第一绝缘层BP1以及第一遮光层BM1可以更近距离地包覆操作元件130(包括驱动元件131、132以及测试元件133)旁的第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2,因此,能够更近距离地降低水气对操作元件130造成的影响。
图5A是本发明一实施例的指纹感测装置100D的俯视示意图。图5B是图5A的指纹感测装置100D的感测区SA的区域V的放大示意图。图5C是沿图5B的剖面线L-L’所作的剖面示意图。图5D是沿图5A的剖面线M-M’所作的剖面示意图。图5E是沿图5A的剖面线N-N’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图5A省略了第一平坦层PL1、第二平坦层PL2、第一绝缘层BP1、第一遮光层BM1、第三平坦层PL3、第二绝缘层BP2、第二遮光层BM2、第四平坦层PL4、第三绝缘层BP3、第五平坦层PL5、第三遮光层BM3以及微透镜结构ML。以下,配合图5A至图5E,继续说明指纹感测装置100D的各个元件与膜层的实施方式,且沿用3A至图3F的实施例中所采用的元件标号与相关内容,但本发明不以此为限。
与图3A至图3F所示的指纹感测装置100B相比,如图图5A至图5E所示的指纹感测装置100D中的结构的不同之处在于:指纹感测装置100D于第二遮光层BM2上还依序包括第四平坦层PL4、第三绝缘层BP3、第五平坦层PL5、第四绝缘层BP4、第三遮光层BM3以及微透镜结构ML,其中第四平坦层PL4、第三绝缘层BP3以及第五平坦层PL5具有第四沟槽T4,第四沟槽T4重叠第三沟槽T3。第四绝缘层BP4具有第四开口OP4,第四开口OP4位于第四沟槽T4中。第三遮光层BM3通过第四开口OP4连接第二遮光层BM2。
请同时参照图5A至图5C,在本实施例中,第三遮光层BM3于感测区SA可以具有多个通孔V3,通孔V3分别重叠第二遮光层BM2中的通孔V2,且通孔V3中可以设置微透镜结构ML。微透镜结构ML可以是中心厚度较边缘厚度大的透镜结构,例如对称双凸透镜、非对称双凸透镜、平凸透镜或凹凸透镜。微透镜结构ML可以提升光准直,使散射光或折射光所导致的漏光及混光的问题能够降低,进而提高图像解像力。如此一来,来自外界的光线可以先通过微透镜结构ML、通孔V2以及通孔V1提升准直度,再进入感测元件120,以使感测元件120可以取得品质良好的指纹图像,从而使指纹感测装置100D具有良好的指纹辨识度。
在本实施例中,第三遮光层BM3的材质可以包括金属、黑色树脂或石墨等遮光材料、或上述遮光材料的叠层。举例而言,在一些实施例中,第三遮光层BM3可以包括金属层以及透明氧化物层的叠层,其中金属层的材质可以包括导电性良好的金属,例如铝、钼、钛等金属或其叠层,透明氧化物层的材质可以包括反射率低的透明氧化物,例如钼钽氧化物(MoTaOx)。在一些实施例中,第三遮光层BM3可以包括黑色树脂或石墨等非导电性材料。
请同时参照图5A以及图5D至图5E,在本实施例中,第四平坦层PL4位于第二遮光层BM2与第三绝缘层BP3之间;且第三绝缘层BP3位于第四平坦层PL4与第五平坦层PL5之间。在一些实施例中,指纹感测装置100D还可以包括红外线遮蔽层IR,红外线遮蔽层IR可位于第三绝缘层BP3与第五平坦层PL5之间。第四平坦层PL4、第三绝缘层BP3、红外线遮蔽层IR以及第五平坦层PL5可以从感测区SA延伸经过操作区MA,并延伸至周边区PA。
第四平坦层PL4以及第五平坦层PL5的材质可以包括有机材料,例如压克力(acrylic)材料、硅氧烷(siloxane)材料、聚酰亚胺(polyimide)材料、环氧树脂(epoxy)材料或上述材料的叠层,但本发明不限于此。第三绝缘层BP3以及第四绝缘层BP4的材质可以包括无机材料,例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的叠层,但本发明不限于此。红外线遮蔽层IR可以阻挡红外线进入,以避免强光环境下破坏指纹图像。红外线遮蔽层IR的材质包括例如绿色色阻。
在本实施例中,第四绝缘层BP4可以延伸进入第四沟槽T4中,并完全包覆第四平坦层PL4、第三绝缘层BP3、红外线遮蔽层IR以及第五平坦层PL5的侧壁,以阻绝水气进入第四平坦层PL4以及第五平坦层PL5。第四开口OP4至少暴露出第二遮光层BM2于第三沟槽T3内的部分,以便第三遮光层BM3通过第四开口OP4接触第二遮光层BM2。
图6A是本发明一实施例的指纹感测装置100E的俯视示意图。图6B是沿图6A的剖面线P-P’所作的剖面示意图。图6C是沿图6A的剖面线Q-Q’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁,图6A省略了第一平坦层PL1、第二平坦层PL2、第一遮光层BM1、第三平坦层PL3以及第二遮光层BM2。以下,配合图6A至图6C,继续说明指纹感测装置100E的各个元件与膜层的实施方式,且沿用图1A至图1F的实施例中所采用的元件标号与相关内容,但本发明不以此为限。
与图1A至图1F所示的指纹感测装置100相比,如图6A至图6C所示的指纹感测装置100E中的结构的不同之处在于:指纹感测装置100E还包括第二信号线SL2,且指纹感测装置100E于第一遮光层BM1上还依序包括第三平坦层PL3、第二绝缘层BP2以及第二遮光层BM2。第一信号线SL1位于第二信号线SL2与操作元件130之间。第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2还具有第五沟槽T5,第五沟槽T5重叠第二信号线SL2。第一绝缘层BP1还具有第五开口OP5,第五开口OP5位于第五沟槽T5中。第三平坦层PL3具有第六沟槽T6,第六沟槽T6重叠第五沟槽T5。第二绝缘层BP2具有第六开口OP6,且第六开口OP6位于第五开口OP5中。第二遮光层BM2通过第六开口OP6连接第二信号线SL2。
在本实施例中,第二遮光层BM2的材质可以包括金属、黑色树脂或石墨等遮光材料、或上述遮光材料的叠层。举例而言,在一些实施例中,第二遮光层BM2可以包括金属层以及透明氧化物层的叠层,其中金属层的材质可以包括导电性良好的金属,例如铝、钼、钛等金属或其叠层,透明氧化物层的材质可以包括反射率低的透明氧化物,例如钼钽氧化物(MoTaOx)。在一些实施例中,第二遮光层BM2可以包括黑色树脂或石墨等非导电性材料。
在本实施例中,第二信号线SL2可以是接地线,但本发明不限于此。在一些实施例中,第二信号线SL2也可以是具有强电压的直流电源线,视实际的设计需求而定。第二信号线SL2的材质可以是导电性良好的金属或合金,例如:金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等,但本发明不以此为限。
请同时参照图6A至图6C,在本实施例中,第一绝缘层BP1可以先延伸进入第一沟槽T1中,再延伸进入第五沟槽T5中,也就是说,第一绝缘层BP1可以完全包覆第一平坦层PL1以及第二平坦层PL2。另外,第一遮光层BM1可以延伸至第一沟槽T1中与第一信号线SL1连接即可,而不再继续延伸至第五沟槽T5。
在本实施例中,第三平坦层PL3位于第一遮光层BM1与第二绝缘层BP2之间,且第二绝缘层BP2位于第三平坦层PL3与第二遮光层BM2之间。第三平坦层PL3、第二绝缘层BP2以及第二遮光层BM2可以从感测区SA延伸经过操作区MA,并延伸至周边区PA。第三平坦层PL3的材质可以包括有机材料,例如压克力(acrylic)材料、硅氧烷(siloxane)材料、聚酰亚胺(polyimide)材料、环氧树脂(epoxy)材料或上述材料的叠层,但本发明不限于此。第二绝缘层BP2的材质可以包括无机材料,例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的叠层,但本发明不限于此。
第二绝缘层BP2可以延伸进入第六沟槽T6中,并完全包覆第三平坦层PL3的侧壁,以阻绝水气进入第三平坦层PL3。在一些实施例中,第二绝缘层BP2还可以沿着第一绝缘层BP1的上表面延伸进入第五开口OP5中。此外,第二绝缘层BP2的第六开口OP6可以重叠第五开口OP5,而暴露出第二信号线SL2,因此,第二遮光层BM2可以通过第六开口OP6连接第二信号线SL2。当第二遮光层BM2为导电材料时,第二遮光层BM2能够经由第二信号线SL2导出静电,从而对指纹感测装置100E提供抗ESD保护。
在本实施例中,第一遮光层BM1以及第二遮光层BM2中至少一者可以包括金属层以及透明氧化物层的叠层,其中金属层可位于第一绝缘层BP1或第二绝缘层BP2与透明氧化物层之间。上述金属层的材质可以包括导电性良好的金属,例如铝、钼、钛等金属。在一些实施例中,上述金属层也可以具有单层结构或多层结构,多层结构例如上述导电金属中任意两层或更多层的叠层,可视需要进行组合与变化。举例而言,上述金属层可以包括依续堆叠的钛层、铝层以及钛层或是依续堆叠的钼层、铝层以及钼层,但本发明不以此为限。上述透明氧化物层的材质可以包括反射率低的透明氧化物,例如钼钽氧化物(MoTaOx),但本发明不以此为限。
图7是本发明一实施例的显示设备10的剖面示意图。以下,配合图7继续说明显示设备10的各个元件与膜层的实施方式,且沿用图1A至图1F的实施例中所采用的元件标号与相关内容,但本发明不以此为限。
显示设备10包括指纹感测装置100F以及显示装置200,其中指纹感测装置100F适用于显示装置200,以为显示设备10提供指纹辨识的功能。指纹感测装置100F的结构可类似于前述的指纹感测装置100、100A、100B、100C、100D、100E,因此,指纹感测装置100F可具有良好的防湿及抗ESD功能。
在一些实施例中,指纹感测装置100F可设置于显示装置200的背侧,使得上述实施例中的感测元件120可位于显示装置200与基板110之间,但本发明不限于此。显示装置200例如可以包括像素阵列基板210与盖基板220,且像素阵列基板210可位于指纹感测装置100F与盖基板220之间。
在本实施例中,当手指F靠近盖基板220时,像素阵列基板210中发出的光线LR可被手指F反射至指纹感测装置100F中的感测元件120。由于通孔V1、通孔V2或微透镜结构ML具有光准直效果,因此,光线LR被手指F反射所产生的反射光可准直地进入感测元件120中,使得感测元件120能够感测出清晰的指纹纹峰/纹谷信号,从而得到品质良好的指纹图像。
综上所述,本发明的指纹感测装置利用沟槽来分隔平坦层,并通过平坦层与绝缘层的有机材料/无机材料叠构来阻绝水气,能够防止有机材料吸收水气,以避免水气影响操作元件的性质。另外,遮光层连接信号线可以导出静电,而能够对指纹感测装置提供抗ESD保护。
虽然本发明已以实施例公开如上,然其并非用以限定本发明,本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定者为准。
Claims (20)
1.一种指纹感测装置,具有一感测区、一操作区及一周边区,其中该操作区位于该感测区与该周边区之间,该指纹感测装置包括:
一基板;
一感测元件,位于该感测区;
一操作元件,位于该操作区;
一第一信号线,位于该周边区;
一第一平坦层,位于该基板上,且具有一第一沟槽,其中该第一沟槽重叠该第一信号线;
一第一绝缘层,位于该第一平坦层上以及该第一沟槽中,且具有一第一开口,其中该第一开口位于该第一沟槽中;以及
一第一遮光层,位于该第一绝缘层上,且通过该第一开口连接该第一信号线。
2.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中该操作元件包括驱动元件及测试元件。
3.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中该第一平坦层包括有机材料。
4.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中该第一绝缘层包括无机材料。
5.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中该第一开口重叠该第一信号线。
6.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中该第一遮光层包括金属层及透明氧化物层。
7.如权利要求6所述的指纹感测装置,其中该金属层包括铝层、钼层、钛层或其组合。
8.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中该第一信号线为接地线或直流电源线。
9.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中:
该第一平坦层还具有一第二沟槽,该第二沟槽位于该第一沟槽与该操作元件之间;
该第一绝缘层还具有一第二开口,该第二开口位于该第二沟槽中;且
该第一遮光层位于该第二开口中。
10.如权利要求1所述的指纹感测装置,其中于该第一遮光层上还依序包括一第三平坦层、一第二绝缘层以及一第二遮光层,其中:
该第三平坦层具有一第三沟槽,该第三沟槽重叠该第一沟槽;
该第二绝缘层具有一第三开口,该第三开口位于该第三沟槽中;且
该第二遮光层通过该第三开口连接该第一遮光层。
11.如权利要求10所述的指纹感测装置,其中该第二遮光层包括金属层及透明氧化物层。
12.如权利要求10所述的指纹感测装置,其中该第一平坦层还具有一第二沟槽,该第二沟槽位于该第一沟槽与该操作元件之间,该第一绝缘层还具有一第二开口,该第二开口位于该第二沟槽中,且该第一遮光层位于该第二开口中。
13.如权利要求10所述的指纹感测装置,其中于该第二遮光层上还依序包括一第四平坦层、一第三绝缘层、一第五平坦层、一第四绝缘层、一第三遮光层以及一微透镜结构,其中:
该第四平坦层、该第三绝缘层以及该第五平坦层具有一第四沟槽,该第四沟槽重叠该第三沟槽;
该第四绝缘层具有一第四开口,该第四开口位于该第四沟槽中;且
该第三遮光层通过该第四开口连接该第二遮光层。
14.如权利要求13所述的指纹感测装置,其中该第三遮光层具有第三通孔,且该微透镜结构设置于该第三通孔中。
15.如权利要求13所述的指纹感测装置,其中该第三遮光层包括金属层及透明氧化物层。
16.如权利要求1所述的指纹感测装置,还包括一第二信号线,且于该第一遮光层上还依序包括一第三平坦层、一第二绝缘层以及一第二遮光层,其中:
该第一信号线位于该第二信号线与该操作元件之间;
该第一平坦层还具有一第五沟槽,该第五沟槽重叠该第二信号线;
该第一绝缘层还具有一第五开口,该第五开口位于该第五沟槽中;
该第三平坦层具有一第六沟槽,该第六沟槽重叠该第五沟槽;
该第二绝缘层具有一第六开口,该第六开口位于该第五开口中;且
该第二遮光层通过该第六开口连接该第二信号线。
17.如权利要求16所述的指纹感测装置,其中该第一遮光层包括金属层及透明氧化物层。
18.如权利要求16或17所述的指纹感测装置,其中该第二遮光层包括金属层及透明氧化物层。
19.如权利要求16所述的指纹感测装置,其中该第二信号线为接地线或直流电源线。
20.如权利要求1所述的指纹感测装置,适用于一显示装置,其中该感测元件位于该显示装置与该基板之间。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063066391P | 2020-08-17 | 2020-08-17 | |
US63/066,391 | 2020-08-17 | ||
TW110102833A TWI785478B (zh) | 2020-08-17 | 2021-01-26 | 指紋感測裝置 |
TW110102833 | 2021-01-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113569662A true CN113569662A (zh) | 2021-10-29 |
CN113569662B CN113569662B (zh) | 2023-09-19 |
Family
ID=78164075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110772021.5A Active CN113569662B (zh) | 2020-08-17 | 2021-07-08 | 指纹感测装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220050988A1 (zh) |
CN (1) | CN113569662B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108957815A (zh) * | 2014-03-14 | 2018-12-07 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN109116608A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-01-01 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | 显示屏、显示屏的制造方法及电子设备 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5640630B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2014-12-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2019129215A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および表示装置 |
JP7372243B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2023-10-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
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-
2021
- 2021-06-23 US US17/355,202 patent/US20220050988A1/en active Pending
- 2021-07-08 CN CN202110772021.5A patent/CN113569662B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220050988A1 (en) | 2022-02-17 |
CN113569662B (zh) | 2023-09-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |