CN113568208A - 一种耐高压调光膜及其制造方法 - Google Patents

一种耐高压调光膜及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种耐高压调光膜及其制造方法，所述耐高压调光膜包括第一透明导电层、液晶层、第二透明导电层，所述液晶层设置在第一透明导电层、第二透明导电层之间，且液晶层两层分别与第一透明导电层、第二透明导电层相接，所述第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面均设置绝缘镀层。本发明通过在两个透明导电层上增加镀层,该镀层能提高电场之间的绝缘性，通过相关实验证实，硅镀层弥补了液晶分子层的绝缘性不是很好的缺陷，提高调光膜的耐压值5‑10倍。镀层能提高电场之间的绝缘性，避免出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况。

Description

一种耐高压调光膜及其制造方法
技术领域：
本发明涉及调光膜制造技术领域，尤其涉及一种耐高压调光膜及其制造方法。
背景技术：
目前市场上调光膜PDLC，是通过两层透明导电层夹合一层混合有粘合剂的液晶高分子材料制作而成，液晶高分子材料在电场中，会发生角度偏转，当两层透明导电层之间没有电压，液晶分子不在电场中，液晶分子无序排列，将射入光线导向各种随机角度，此时调光膜不透明，雾面效果。当两层透明导电层之间有电压，形成电场之后，液晶分子会有序排列，所有液晶分子朝同一方向，此时光线不被变形的穿透调光膜，从而透过到调光膜对面，形成透明的效果。
由于液晶分子层之后10-20uM的厚度，而一般调光膜的正常工作电压为30-100V；此时两个透明导电层之间电压较高，而液晶分子层的绝缘性并不是很好，常常出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况，变成坏点，基本无法维修，从而导致整片调光膜报废。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种耐高压调光膜及其制造方法，在两个透明导电层上增加镀层，该镀层能提高电场之间的绝缘性，避免出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况。
本发明由如下技术方案实施：一种耐高压调光膜，包括第一透明导电层、液晶层、第二透明导电层，所述液晶层设置在第一透明导电层、第二透明导电层之间，且液晶层两层分别与第一透明导电层、第二透明导电层相接，所述第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面均设置绝缘镀层。
进一步的，所述第一透明导电层、第二透明导电层分别通过第一电极线、第二电极线与电源模块电性连接。
进一步的，所述电源模块与控制模组有线连接。
进一步的，所述电源模块与控制模组无线连接。
进一步的，所述电源模块与控制模组上均设置无线通讯模块，所述无线通讯模块为红外模块、射频模块、蓝牙模块、wifi模块、2.4G模块任一一种。
进一步的，所述绝缘镀层为5uM-10uM的硅镀层。
本发明还提供一种耐高压调光膜的制造方法，包括：
在玻璃衬底上镀一层透明导电膜，形成第一透明导电层、第二透明导电层；所述第一透明导电层、第二透明导电层的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种；
在第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面上通过电镀或者喷镀的方法加工一层绝缘镀层，所述绝缘镀层的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种；
将液晶层加工设置在第一透明导电层、第二透明导电层之间，且液晶层两层分别与第一透明导电层、第二透明导电层上加工形成的绝缘镀层相接。
进一步的，在玻璃衬底上镀一层透明导电膜，所述透明导电膜为In2O3和SnO2材料。
进一步的，所述在第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面上电镀或者喷镀的材料包括三层，其中最内一层为30％的In、70％的Zn，中间层为50％的Sb、50％的Cd，最外层为硅材料或者硅材料与其他绝缘材料的复合绝缘材料。
进一步的，所述电镀或者喷镀的材料的厚度为5uM-10uM。
本发明的优点：
本发明通过在两个透明导电层上增加镀层,该镀层能提高电场之间的绝缘性，通过相关实验证实，5uM-10uM的硅镀层，弥补了液晶分子层的绝缘性不是很好的缺陷，能让调光膜的耐压值100％的达到300V以上，50％达到800V以上，提高调光膜的耐压值5-10倍。镀层能提高电场之间的绝缘性，避免出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况。
附图说明：
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例的一种耐高压调光膜的各组成部分结构示意图；
图2为本发明实施例的一种耐高压调光膜的各组成部分剖面图。
具体实施方式：
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1、2所示一种耐高压调光膜，包括第一透明导电层1、液晶层2、第二透明导电层3，液晶层2设置在第一透明导电层1、第二透明导电层3之间，且液晶层2两层分别与第一透明导电层1、第二透明导电层3相接，第一透明导电层1、第二透明导电层3与液晶层2相接的一面均设置绝缘镀层8。
同时，第一透明导电层1、第二透明导电层3分别通过第一电极线4、第二电极线5与电源模块6电性连接。
电源模块6与控制模组7有线连接或者无线连接。如果无线连接，电源模块6与控制模组7上均设置无线通讯模块，无线通讯模块为红外模块、射频模块、蓝牙模块、wifi模块、2.4G模块任一一种，可以实现对耐高压调光膜显示的远程控制。
另外，绝缘镀层8为5uM-10uM的硅镀层。通过相关实验证实，5uM-10uM的硅镀层，弥补了液晶分子层的绝缘性不是很好的缺陷，能让调光膜的耐压值100％的达到300V以上，50％达到800V以上，提高调光膜的耐压值5-10倍。镀层能提高电场之间的绝缘性，避免出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况。
实施例2
本发明还提供实现制作上述一种耐高压调光膜的制造方法，包括：
步骤S1：在玻璃衬底上镀一层透明导电膜，形成第一透明导电层1、第二透明导电层3；第一透明导电层1、第二透明导电层3的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种；本实施例中，优选磁控溅射法，该法的基本原理是在电场和磁场的作用下，被加速的高能粒子(A，+)轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，溅射粒子沉积到基体表面与氧原子发生反应而生成氧化物薄膜。磁控溅射工艺特点是薄膜在低温下沉积能获得优良的光学和电学性能。另外，还具有沉积速率高、基片温度低、成膜粘附性好、易控制、能实现大面积制膜的优点，因而成为当今工业化生产中研究最多、最成熟、应用最广的一项成膜技术，也是ITO薄膜制备技术的研究热点。
步骤S2：在第一透明导电层1、第二透明导电层3与液晶层2相接的一面上通过电镀或者喷镀的方法加工一层绝缘镀层，所述绝缘镀层8的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种。
步骤S3：将液晶层2加工设置在第一透明导电层1、第二透明导电层3之间，且液晶层2两层分别与第一透明导电层1、第二透明导电层3上加工形成的绝缘镀层相接。
其中，在玻璃衬底上镀一层透明导电膜，透明导电膜为In2O3和SnO2材料。ITO膜是在In2O3的晶核中掺入高价Sn的阳离子，掺杂的量以Sn的含量为10％重量比最佳。ITO是一种半导体透明导电材料、禁带宽度为3eV以上，具有两个施主能级，为n型施主能级，离导带很近，自由电子密度＝1020-1021个/cm3；迁移率为10—30cm3/v.s，所以电阻率很低。
其中，在第一透明导电层1、第二透明导电层3与液晶层2相接的一面上电镀或者喷镀的材料包括三层，其中最内一层为30％的In、70％的Zn，中间层为50％的Sb、50％的Cd，最外层为硅材料或者硅材料与其他绝缘材料的复合绝缘材料。这些绝缘材料比如硅材料、锗材料的氧化物。
另外，电镀或者喷镀的材料的厚度为5uM-10uM。通过相关实验证实，5uM-10uM的硅镀层，弥补了液晶分子层的绝缘性不是很好的缺陷，能让调光膜的耐压值100％的达到300V以上，50％达到800V以上，提高调光膜的耐压值5-10倍。镀层能提高电场之间的绝缘性，避免出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种耐高压调光膜，其特征在于，包括第一透明导电层(1)、液晶层(2)、第二透明导电层(3)，所述液晶层(2)设置在第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)之间，且液晶层(2)两层分别与第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)相接，所述第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)与液晶层(2)相接的一面均设置绝缘镀层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种耐高压调光膜，其特征在于，所述第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)分别通过第一电极线(4)、第二电极线(5)与电源模块(6)电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种耐高压调光膜，其特征在于，所述电源模块(6)与控制模组(7)有线连接。
4.根据权利要求1所述的一种耐高压调光膜，其特征在于，所述电源模块(6)与控制模组(7)无线连接。
5.根据权利要求4所述的一种耐高压调光膜，其特征在于，所述电源模块(6)与控制模组(7)上均设置无线通讯模块，所述无线通讯模块为红外模块、射频模块、蓝牙模块、wifi模块、2.4G模块任一一种。
6.根据权利要求1所述的一种耐高压调光膜，其特征在于，所述绝缘镀层(8)为5uM-10uM的硅镀层。
7.一种耐高压调光膜的制造方法，其特征在于，包括：
在玻璃衬底上镀一层透明导电膜，形成第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)；所述第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种；
在第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)与液晶层(2)相接的一面上通过电镀或者喷镀的方法加工一层绝缘镀层(8)，所述绝缘镀层(8)的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种；
将液晶层(2)加工设置在第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)之间，且液晶层(2)两层分别与第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)上加工形成的绝缘镀层相接。
8.根据权利要求7所述的一种耐高压调光膜的制造方法，其特征在于，在玻璃衬底上镀一层透明导电膜，所述透明导电膜为In2O3和SnO2材料。
9.根据权利要求7所述的一种耐高压调光膜的制造方法，其特征在于，所述在第一透明导电层(1)、第二透明导电层(3)与液晶层(2)相接的一面上电镀或者喷镀的材料包括三层，其中最内一层为30％的In、70％的Zn，中间层为50％的Sb、50％的Cd，最外层为硅材料或者硅材料与其他绝缘材料的复合绝缘材料。
10.根据权利要求9所述的一种耐高压调光膜的制造方法，其特征在于，所述电镀或者喷镀的材料的厚度为5uM-10uM。
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