CN113564558B - 一种化学气相沉积及退火连续制程装置、方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及化学气相沉积领域,尤其涉及一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其包括:用于进行气相沉积以及退火步骤的反应室、用于向反应室内部输送反应气体的气体阀件模块、用于向外排放反应室内部的制程尾气并调节反应室内部的真空度的压力控制模块以及对压力控制模块输送的制程尾气进行纯化的尾气循环模块。本发明通过在同一设备中同时整合化学气相沉积装置以及退火装置成一体,从而能够大大减少企业购置生产设备的成本,并能够有效缩短钨金属物料的生产时间,增加了生产效率,提升机台利用率,还能够提升生产原物料的利用率,有效节约生产成本,从而能够在回收报废离子源钨制腔体中起到良好的应用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种化学气相沉积及退火连续制程装置、方法和应用。
背景技术
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机由5部分组成:离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔,其中离子源是利用电子放电使气态离子源材料电离,产生离子浓度很高的等离子体,然后用一负偏压(吸极)将正离子从等离子体中吸出来成为一束离子流。
由于气体高温产生离子时,离子源的钨制腔体会因为高温以及离子通过时的轰击,从而造成腔体损伤,因此在离子源使用一段时间后需要更换其中的钨制腔体,更换下来的钨制腔体只能采取报废处理,无法再回收利用,导致离子注入工序成本高昂。因此报废离子源的钨制腔体的回收再利用是半导体行业所亟需解决的一个问题。
此外,现有技术中对于通过化学气相沉积钨已经有一定的研究,化学气相沉积钨之后通常还需要进行退火工艺处理。但是现有工艺中钨金属的沉积以及退火两种工序需要在两种不同的设备下进行,例如授权公告号为CN 104213096B所示的一种含钨涂层坩埚的制备方法,其在坩埚表面进行化学气相沉积钨以及对坩埚进行退火的两个步骤分别需要在两种不同的设备中进行。这种分步式的化学气相沉积及退火方法需要企业分别采购两套设备,导致企业的生产成本大大增加,同时钨材料的生产时间大大延长,生产效率以及机台的利用率则大大降低。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中报废离子源的钨制腔体无法回收再利用,同时在化学气相沉积钨的过程中需要将气相沉积与退火两步骤在两种不同的设备中进行,存在生产原料浪费、生产效率低的缺陷,提供了一种化学气相沉积及退火连续制程装置、方法和应用,从而能够有效回收报废离子源的钨制腔体,同时还能够整合气相沉积及退火设备,有效缩短生产时间、降低人力以及机台购置成本,此外还能够节省生产原物料用量以及节省机台利用率。
为实现上述发明目的,本发明通过以下技术方案实现:
一种化学气相沉积及退火连续制程装置,包括:
反应室,其能够进行气相沉积以及退火步骤;
气体阀件模块,其能够用于向反应室内部输送反应气体;
压力控制模块,其能够用于向外排放反应室内部的制程尾气,并调节反应室内部的真空度;
尾气循环模块,其能够对压力控制模块输送的制程尾气进行纯化,并能够将纯化后的反应气体与气体阀件模块联通。
本发明中的化学气相沉积及退火连续制程装置能够用于对报废离子源的钨制腔体的回收再利用。其原理如下,报废离子源的钨制腔体其损伤部位仅在腔体的内壁处,因此可以将钨制腔体表层的损伤部预先除去,然后再在钨制腔体表层化学气相沉积一层钨金属,使得其尺寸恢复到原本大小,经过退火以及机械加工步骤后,使其致密性以及耐腐蚀强度与新的离子源的钨制腔体一致,从而实现了报废离子源钨制腔体的回收,大大降低了离子注入工序成本。
本发明中的化学气相沉积及退火连续制程装置,与现有的化学气相沉积以及退火装置不同之处在于,本发明中的这种装置能够将现有技术中的化学气相沉积装置以及退火装置进行整合成一体,从而能够大大减少企业购置生产设备的成本。同时,由于本发明将化学气相沉积及退火装置进行了整合,因此在钨制腔体内壁气相沉积一层钨金属之后,能够直接对修复后的钨制腔体进行退火,从而能够有效缩短钨制腔体的生产修复时间,从而提高了生产效率。
作为优选,所述反应室内部设置有加热源,所述反应室内壁处设置有用于对反应室起到保温效果的保温层。
本发明中的反应室内部设置有加热源,从而能够在化学气相沉积过程中使得钨金属更加致密均匀。同时在钨金属沉积完成后能够对其进行升温退火步骤,从而将两个步骤无缝连接,简化了操作步骤,大大提升了生产效率。保温层的设置则能够使得反应室内部的温度能够保持恒定,同时使得避免了能源的浪费。
作为优选,所述加热源包括外部加热源以及内部加热源,其中所述外部加热源设置在保温层的内壁处,所述内部加热源设置在反应室中心处。
本发明位于反应室内部的加热源包括外部加热源以及内部加热源,当需要对反应室腔体进行清洁时,只需要开启外部加热源,并通入刻蚀气体即可完成。而在化学气相沉积过程中为了使得沉积的钨金属的均匀性得到提升,可以同时开启外部加热源以及内部加热源。
同时,在某些条件下只需要对外表面沉积的金属钨进行退火,改善其性能,只需要开启外部加热源即可,从而能够在有效退火的前提下节约能源。而当需要对整个钨制腔体进行退火时,则需要同时开启外部加热源以及内部加热源,从而使得退火更加均匀,钨制腔体的内外性能能够保持同一稳定。
作为优选,所述气体阀件模块包括第一进气端、第二进气端以及出气端,其中第一进气端用于输入纯净的制程气体,第二进气端用于输入从尾气循环模块中纯化的气体,第一进气端以及第二进气端中的气体汇合后从出气端流出通入到反应室中。
本发明中的气体阀件模块其在常规可以通入纯净制程气体之外,还能够混合从尾气循环模块中纯化的气体,从而能够对制程废气进行循环再利用,节约制程气体的使用量,降低了生产成本。
作为优选,所述第一进气端包括用于输送六氟化钨气体的第一进气管、用于输送三氟化氮气体的第二进气管、用于输送氢气的第三输送管以及用于输送氮气的第四输送管。
本发明中气体阀件模块中的第一进气端可以通入六氟化钨、三氟化氮、氢气以及氮气,其中六氟化钨可以用于作为气相沉积钨的原料与氢气配合,在报废钨制腔体表面沉积钨金属。而三氟化氮则可以作为等离子蚀刻气体,对反应室墙体内部进行清洗也可以对于报废钨制腔体的表面刻蚀,而氮气的作用则是在退火过程中作为保护气。
作为优选,述第二进气端包括用于输送氟化氢的第五输送管,其能够与第二进气管、第三输送管以及第四输送管相联通;
还包括一根用于输送净化后的六氟化钨气体的第六输送管,其能够与第一进气管、第二进气管、第三输送管以及第四输送管相联通。
本发明中的气体阀件模块中的第二进气端可以通入氟化氢以及六氟化钨气体,其中此六氟化钨气体与上述过程描述效果一致,可以用于作为气相沉积钨的原料与氢气配合,在报废离子源钨制腔体表层沉积钨金属。而氟化氢可用于与报废离子源钨制腔体表面的钨反应,从而生成六氟化钨气体,作为原料参与到气相沉积过程中。
同时,在化学气相沉积过程中,本发明可以采用报废的离子源钨制腔体的损伤部为原料,将其与氟化氢反应生成六氟化钨气体,并将该制程尾气分离纯化后即可得到纯净的六氟化钨气体,从而将其再次进行利用,进一步提升生产原物料的利用率。
作为优选,所述第一进气管、第二进气管、第三输送管、第四输送管、第五输送管以及第六输送管上还分别设置有用于控制各自开闭以及相互之间联通的开闭阀门。
本发明中的各个进气管上设置有开闭阀门,从而能够根据不同的气相沉积步骤调整输出的气体种类。
作为优选,所述压力控制模块包括一根常压输送管以及一根减压输送管,其两者上分别设置有分别用于控制其两者开闭的第一阀门以及第二阀门,且第一阀门以及第二阀门之间切换互锁,所述减压输送管上还设置有一个抽气泵以及一个用于控制气压的控压阀。
本发明中的压力控制模块能够通过选用常压输送管或者减压输送管来排放制程废气,从而能够调节反应室内部的压力。当选择使用常压输送管时,反应室内部的制程废气能够在常压通过常压输送管最终进入到尾气循环模块中,而当切换至减压输送管后,抽气泵工作能够将反应室内部的压力下降,使得反应室内部的气相沉积步骤能够在减压条件下运行,从而能够调节气相沉积钨金属形态、速度以及密度。
一种如上所述化学气相沉积及退火连续制程装置在回收报废离子源钨制腔体中的应用。
一种化学气相沉积及退火连续制程方法,所述方法基于如上所述化学气相沉积及退火连续制程装置,其包括以下步骤:
S.1:将报废离子源钨制腔体置于反应室内部的内部加热源上,开启外部加热源,通过气体阀件模块向反应室内部输入三氟化氮以及氟化氢气体,将报废钨制腔体表层的损伤层进行刻蚀处理;
S.2:通过气体阀件模块将反应室内部气体置换成由六氟化钨以及氢气组成的氛围,同时开启外部加热源以及内部加热源,在刻蚀后的钨废料表面化学气相沉积一层钨;
S.3:同时开启外部加热源以及内部加热源,并将内部气体置换成氮气,对新生成的钨料进行退火处理;
S.4:取出退火后的钨制腔体,将其运送至加工机台进行机械加工,完成报废钨制腔体的回收再利用。
因此,本发明具有以下有益效果:
(1)能够在同一设备中同时整合化学气相沉积装置以及退火装置成一体,从而能够大大减少企业购置生产设备的成本;
(2)在气相沉积钨金属之后,能够直接对沉积有钨金属的物料进行退火,从而能够有效缩短钨金属物料的生产时间,增加了生产效率,提升机台利用率;
(3)本发明可以采用报废离子源钨制腔体以及制程废气为原料,对其进行回收再利用,从而能够提升生产原物料的利用率,有效节约生产成本;
(4)在退火过程中能够改变加热源的加热参数,从而调节钨料的性能参数,使得钨料的内外性能能够保持同一稳定,并且节约了能源。
附图说明
图1 为本发明的整体结构示意图。
图2 为本发明的气体配置示意图。
图3 为实施例2中化学气相沉积及退火连续制程流程图。
图4 为实施例2中化学气相沉积及退火连续制程的典型制程工艺时间轴曲线。
图5 为常规的非连续性化学气相沉积及退火制程流程图。
图6 为常规的非连续性化学气相沉积及退火制程的典型制程工艺时间轴曲线。
其中:反应室1、气体阀件模块2、压力控制模块3、尾气循环模块4、加热源5、保温层6、外部加热源7、内部加热源8、第一进气端9、第二进气端10、出气端11、常压输送管12、减压输送管13、第一阀门14、第二阀门15、抽气泵16、控压阀17、第一进气管18、第二进气管19、第三输送管20、第四输送管21、第五输送管22、第六输送管23、开闭阀门24。
具体实施方式
下面结合说明书附图以及具体实施例对本发明做进一步描述。本领域普通技术人员在基于这些说明的情况下将能够实现本发明。此外,下述说明中涉及到的本发明的实施例通常仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。因此,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1~2所示,一种化学气相沉积及退火连续制程装置,包括相互依次联通的反应室1、气体阀件模块2、压力控制模块3以及尾气循环模块4,其各自的作用如下所示。
反应室1,其能够对等待沉积的报废离子源钨制腔体进行气相沉积金属钨以及退火步骤。反应室1的内部设置有一个中空腔体,该中空腔体内部设置有用于对腔体内部进行加热的加热源5,该加热源包括设置在腔体内壁处的外部加热源7以及设置在腔体中心处的内部加热源8,其两者能够对空腔进行加热,并且内部加热源8表面能够用于对待沉积报废离子源钨制腔体的支撑作用。
外部加热源7与内部加热源8分别能够独立控制,在实际使用过程中可单独开启其中的一个或者将这两个加热源同时加热,从而实现不同的功能。
其不同的加热模式对应的不同模式设置分别如下:
当需要对反应室1内部空腔以及待沉积报废离子源钨制腔体进行化学气相沉积前的清洗以及表面刻蚀时,只需要开启外部加热源7,并向反应室1的腔体内部并通入刻蚀气体即可完成对反应室1内部空腔以及待沉积报废离子源钨制腔体进行清洗以及表面刻蚀,从而除去表层的损伤部。
在化学气相沉积过程中为了使得沉积的金属钨的均匀性以及致密性得到提升,可以同时开启外部加热源7以及内部加热源8。
在某些条件下只需要对外部沉积的金属钨进行退火,以改善其硬度以及致密性等性能,只需要开启外部加热源7即可,从而能够在对部沉积的金属钨有效退火的前提下节约能源。
当需要对整个离子源钨制腔体进行退火时,则需要同时开启外部加热源7以及内部加热源8,从而使得退火更加均匀,整个报废离子源钨制腔体的内外性能能够保持统一稳定。
此外,为了使得反应室1内部的温度能够保持均匀恒定,同时使得避免能源的浪费,本发明在反应室1的内壁处设置有用于对反应室1起到保温效果的保温层6,其设置在外部加热源7与反应室1内壁的中间处。
因此,本发明中的反应室1内部设置有加热源5,从而能够在化学气相沉积过程中使得钨金属更加致密均匀,同时在钨金属沉积完成后能够对其进行升温退火步骤,从而将两个步骤无缝连接,简化了操作步骤,大大提升了生产效率。
气体阀件模块2,其能够用于向反应室1内部输送反应气体。其包括第一进气端9、第二进气端10以及出气端11,其中第一进气端9用于输入纯净的制程气体,第二进气端9用于输入从尾气循环模块4中纯化的气体,第一进气端9以及第二进气端10中的气体汇合后从出气端11流出通入到反应室1中。
更具体说明如下:其中的第一进气端9包括用于输送六氟化钨气体的第一进气管18、用于输送三氟化氮气体的第二进气管19、用于输送氢气的第三输送管20以及用于输送氮气的第四输送管21。
而第二进气端10包括用于输送氟化氢的第五输送管22,以及用于输送净化后的六氟化钨气体的第六输送管23。其中的第五输送管22其能够与第二进气管19、第三输送管20以及第四输送管21相联通,而第六输送管23则能够与第一进气管18、第二进气管19、第三输送管20以及第四输送管21相联通。
为了使得本发明中的化学气相沉积及退火连续制程装置适应不同的气相沉积条件调整输出的气体种类等参数,本发明在第一进气管18、第二进气管19、第三输送管20、第四输送管21、第五输送管22以及第六输送管23上还分别设置有用于控制各自开闭以及相互之间联通的开闭阀门24。
从上述描述中可知,本发明中的气体阀件模块2其在常规可以通入瓶装的纯净制程气体之外,还能够混合从尾气循环模块4中纯化的气体,从而能够对制程废气进行循环再利用,节约制程气体的使用量,降低了生产成本。
其中各种气体的作用如下:第一进气端9中输入的六氟化钨可以用于作为气相沉积钨的原料与氢气以及氮气配合,从而在报废离子源钨制腔体表面沉积钨金属。而三氟化氮则可以作为等离子蚀刻气体,对反应室墙体内部进行清洗,也可以对于报废离子源钨制腔体的表面刻蚀,从而除去报废离子源钨制腔体最表层损伤层。
本发明中的气体阀件模块2中的第二进气端10可以通入从尾气循环模块4中分离纯化后的氟化氢以及六氟化钨气体,其中此六氟化钨气体与上述过程描述效果一致,可以用于作为气相沉积钨的原料与氢气以及氮气配合,在报废离子源钨制腔体表面沉积钨金属。而氟化氢可用于与报废离子源钨制腔体表面的损伤层反应,从而生成六氟化钨气体,作为原料参与到气相沉积过程中,报废离子源钨制腔体表面损伤层的钨金属也能够重新回收再利用,从而节约了物料成本。
压力控制模块3,其能够用于向外排放反应室1内部的制程尾气,并调节反应室1内部的真空度,其具体结构如下:其包括一根常压输送管12以及一根减压输送管13,其两者的头端相互连接,并与反应室1相连通,制程尾气能够沿着该端部并沿着常压输送管12以及减压输送管13输送至尾气循环模块4中。
其中:常压输送管12以及减压输送管13上分别设置有分别用于控制其两者开闭的第一阀门14以及第二阀门15,且第一阀门14以及第二阀门15之间切换互锁,当打开第一阀门14以及第二阀门15中的任意一个时,另一个便能够自动关闭,从而保证了制程尾气只能始终沿着其中的一根管道流动。减压输送管13上还设置有一个抽气泵16以及一个用于控制气压的控压阀17,当抽气泵16打开时,便能够降低反应室1内部的压力。
在实际生产过程中,当选择使用常压输送管时,打开第一阀门14,同时自动关闭第二阀门15,反应室1内部的制程废气能够在常压下通过常压输送管12最终进入到尾气循环模块4中.而当切换至减压输送管后,即打开第二阀门15时自动关闭第一阀门14,抽气泵16工作能够将反应室1内部的压力下降,控压阀17能够定量控制反应室1内部的压力,使得反应室1内部的气相沉积步骤能够在减压条件下运行,从而能够调节气相沉积钨金属形态、速度以及密度。
尾气循环模块4,其能够对压力控制模块3输送的制程尾气进行纯化,其依次包括过滤、纯化以及收集等常规操作步骤,并能够将纯化后的反应气体与气体阀件模块2联通,用于对钨废料表面进行刻蚀或者化学气相沉积步骤。或者还能够将纯化后的气体进行单独储藏至钢瓶中,从而能够进行对外售卖。
本发明中的化学气相沉积及退火连续制程装置,其能够将现有技术中的化学气相沉积装置以及退火装置进行整合成一体,从而能够大大减少企业购置生产设备的成本。同时,由于将的化学气相沉积及退火装置进行了整合,因此在气相沉积钨金属之后,能够直接修复后的离子源钨制腔体进行退火,从而能够有效缩短钨制腔体的生产时间,增加了生产效率。
此外,本发明可以采用报废的报废离子源钨制腔体为原料,并对其进行回收再利用,从而能够有效节约生产成本。并且在化学气相沉积过程中,制程尾气能够被分离纯化,再次进行利用,从而能够进一步提升生产原物料的利用率。
因此,本实施例中所述化学气相沉积及退火连续制程装置在气相沉积钨以及对于新沉积的金属钨的退火过程中起到良好的应用,尤其是在对于报废离子源钨制腔体的回收利用中有良好的应用,从而能够对企业带来巨大的实际效益。
实施例2
如图3为本发明化学气相沉积及退火连续制程流程图,通过该流程图,我们将对其进行展开说明。
一种化学气相沉积及退火连续制程方法,所述方法基于实施例1中所提及的化学气相沉积及退火连续制程装置,其包括以下步骤:
S.1:将报废离子源钨制腔体置于反应室1内部的内部加热源8上,开启外部加热源7,通过气体阀件模块2向反应室1内部输入三氟化氮以及氟化氢气体,将钨制腔体表层的损伤层进行刻蚀处理,并且同时对反应室1内部空腔进行清洗,反应过程中生成的尾气则可沿着常压输送管12或者减压输送管13进入到尾气循环模块4中进行分离提纯,其中生成的氟化氢气体可继续用于对报废离子源钨制腔体的清洗刻蚀,而生成的六氟化钨气体则可用作化学气相沉积的原料通入到气体阀件模块2中。
S.2:通过气体阀件模块2将反应室1内部气体置换成由六氟化钨以及氢气组成的氛围,同时开启外部加热源7以及内部加热源8,在刻蚀后的报废离子源钨制腔体表面化学气相沉积一层钨,直到达到指定的厚度。
S.3:同时开启外部加热源7以及内部加热源8,并将气体切换成氮气,对新生成的钨制腔体进行退火处理,减少钨制腔体中的内应力,同时使得钨制腔体的密度、致密性以及其他指标符合要求。
S.4:取出退火后的钨制腔体,将其运送至加工机台进行机械加工,完成报废钨制腔体的回收再利用。
其典型的一个制程工艺时间轴曲线如图4所示,从图中可知其在一次投料后,中间不须再换设备,即可完成整套的化学气相沉积以及退火工艺。
图5为常规的非连续性化学气相沉积及退火流程图,而图6为现有的制程工艺时间轴曲线,从图中可知,为了完成化学气相沉积及退火步骤,其需要在制程过程中切换两套设备,因而时间和人力都会消耗比较多。
因此将常规的非连续性化学气相沉积及退火流程图与本发明相比较后可知,本发明通过将气相沉积与退火采用连续制程方式,能够将原本的两个设备整合成一个设备,从而有效节省设备购置成本、设备维护成本以及人力运作成本,同时还能够缩短生产时间、提高产能利用率。
Claims (9)
1.一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其特征在于,包括:
反应室(1),其能够进行气相沉积以及退火步骤;
气体阀件模块(2),其能够用于向反应室(1)内部输送反应气体,其包括第一进气端(9)、第二进气端(10)以及出气端(11),其中第一进气端(9)用于输入纯净的制程气体,第二进气端(10)用于输入从尾气循环模块(4)中纯化的气体,第一进气端(9)以及第二进气端(10)中的气体汇合后从出气端(11)流出通入到反应室(1)中;
压力控制模块(3),其能够用于向外排放反应室(1)内部的制程尾气,并调节反应室(1)内部的真空度;
尾气循环模块(4),其能够对压力控制模块(3)输送的制程尾气进行纯化,并能够将纯化后的反应气体与气体阀件模块(2)联通。
2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其特征在于,所述反应室(1)内部设置有加热源(5),所述反应室(1)内壁处设置有用于对反应室(1)起到保温效果的保温层(6)。
3.根据权利要求2所述的一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其特征在于,所述加热源(5)包括外部加热源(7)以及内部加热源(8),其中所述外部加热源(7)设置在保温层(6)的内壁处,所述内部加热源(8)设置在反应室(1)中心处。
4.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其特征在于,所述第一进气端(9)包括用于输送六氟化钨气体的第一进气管(18)、用于输送三氟化氮气体的第二进气管(19)、用于输送氢气的第三输送管(20)以及用于输送氮气的第四输送管(21)。
5.根据权利要求3所述的一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其特征在于,所述第二进气端(10)包括用于输送氟化氢的第五输送管(22),其能够与第二进气管(19)、第三输送管(20)以及第四输送管(21)相联通;
还包括一根用于输送净化后的六氟化钨气体的第六输送管(23),其能够与第一进气管(18)、第二进气管(19)、第三输送管(20)以及第四输送管(21)相联通。
6.根据权利要求5所述的一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其特征在于,所述第一进气管(18)、第二进气管(19)、第三输送管(20)、第四输送管(21)、第五输送管(22)以及第六输送管(23)上还分别设置有用于控制各自开闭以及相互之间联通的开闭阀门(24)。
7.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积及退火连续制程装置,其特征在于,所述压力控制模块(3)包括一根常压输送管(12)以及一根减压输送管(13),其两者上分别设置有分别用于控制其两者开闭的第一阀门(14)以及第二阀门(15),且第一阀门(14)以及第二阀门(15)之间切换互锁,所述减压输送管(13)上还设置有一个抽气泵(16)以及一个用于控制气压的控压阀(17)。
8.一种如权利要求1~7中任意一项所述化学气相沉积及退火连续制程装置在回收报废离子源钨制腔体中的应用。
9.一种化学气相沉积及退火连续制程方法,其特征在于,所述方法基于如权利要求1~7中任意一项所述化学气相沉积及退火连续制程装置,其包括以下步骤:
S.1:将报废离子源钨制腔体置于反应室(1)内部的内部加热源(8)上,开启外部加热源(7),通过气体阀件模块(2)向反应室(1)内部输入三氟化氮以及氟化氢气体,对报废钨制腔体表层的损伤层进行刻蚀处理;
S.2:通过气体阀件模块(2)将反应室(1)内部气体置换成由六氟化钨以及氢气组成的氛围,同时开启外部加热源(7)以及内部加热源(8),在刻蚀后的报废钨制腔体表面化学气相沉积一层钨;
S.3:同时开启外部加热源(7)以及内部加热源(8),并将内部气体置换成氮气,对新生成的钨制腔体进行退火处理;
S.4:取出退火后的钨制腔体,将其运送至加工机台进行机械加工,完成报废钨制腔体的回收再利用。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102534543A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-04 | 上海大学 | 一种化学气相沉积制备钨的方法及其装置 |
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CN102534543A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-04 | 上海大学 | 一种化学气相沉积制备钨的方法及其装置 |
CN106435519A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-02-22 | 北京工业大学 | 一种提高cvd法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法 |
CN107447201A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-12-08 | 北京理工大学 | 一种钨制品的制备装置及方法 |
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