CN109576652B - 一种电弧离子镀膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电弧离子镀膜装置,包括真空室、霍尔离子源、电弧离子源;电弧离子源采用脉冲放电的形式激发靶材,沉积温度低,涂层表面的光洁度好,能够在低温条件下对弹性体制品进行镀膜。装置有两个或多个电弧离子源,每个离子源与真空室侧壁成一定倾斜角度安装,能够保证镀膜的均匀性以及镀膜速率,满足产业化批量生产的需求。本发明具有镀膜温度低、镀膜均匀性好、镀膜速率高等优点。

Description

一种电弧离子镀膜装置
技术领域
本发明属于真空镀膜技术领域,涉及一种电弧离子镀膜装置,特别涉及一种用于弹性体制品表面沉积类金刚石涂层的电弧离子镀膜装置。
背景技术
类金刚石涂层兼具金刚石和石墨的特性,具有较高的硬度以及优秀的摩擦学性能,常被作为耐磨涂层。使用电弧离子镀沉积类金刚石涂层,靶材的离化率高达95%以上、沉积速率高、涂层与基体的结合力强。
然而,现有的电弧离子镀装置,弧源采用直流弧光放电的形式,放电斑点处的能量输入高,一是会产生尺寸较大的液滴随离子流一起沉积在涂层中成为宏观颗粒,降低涂层的表面光洁度,而且会在涂层中形成贯穿性缺陷,大大降低涂层的性能。二是离子源放电斑点处的加热效应导致局部温度很高,同时直流放电产生的高密度离子流不断对工件表面进行轰击加热,总的加热效应导致传统的电弧离子镀装置沉积温度较高,无法在耐温性较差的弹性体制品表面沉积类金刚石涂层。
另外,现有的电弧离子镀膜装置一般使用过滤器来去除宏观颗粒,根据过滤器原理的不同,大体分为机械式过滤器与磁过滤器。机械式就是用机械装置阻挡或削弱颗粒流;磁过滤器用励磁线圈在管道内产生磁场,使带电粒子受洛伦兹力约束而偏转,颗粒因为质量大、带电量很少不受磁场影响打在器壁上,从而达到过滤的目的。
使用过滤的方法去除宏观颗粒,必须增加额外的过滤装置,不仅会导致成本增加,另一方导致沉积速率的降低。使用循环冷却水不能改变离子流的能量,无法从源头控制温度;负偏压的引入,无论偏压大小,都会增加离子流的能量,工件表面的温度一般在100℃以上,无法对耐温性较差的弹性体制品进行镀膜。
发明内容
目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种电弧离子镀膜装置,适用于低温条件下在弹性体制品表面沉积类金刚石涂层。
技术方案:为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种电弧离子镀膜装置,其特征在于,包括真空室、霍尔离子源、电弧离子源;
所述真空室,作为工件镀膜的操作空间,并提供真空体系;
所述霍尔离子源设置有霍尔离子源补偿器,用于发射热电子强化离子,对工件表面进行清洗活化,去除工件表面的杂质;
所述电弧离子源包括两个或多个电弧离子源;能够弥补采用脉冲放电对镀膜速率带来的消极影响,改善加工效率;
所述电弧离子源采用脉冲电源供电,脉冲电源为弧电源,采用脉冲放电的形式,产生脉冲电弧激发靶材,用于在真空室内产生大量靶材离子,均匀的沉积在工件的表面,改变工件的表面性质。可以降低宏观颗粒的污染,而且可以降低沉积温度,实现低温沉积类金刚石涂层。
进一步的,所述电弧离子源与真空室侧壁倾斜成一定角度安装,用于保证镀膜的均匀性,同时提高镀膜速率。
进一步的,所述电弧离子源的离子喷射的角度可调,可以对任意复杂形状的工件进行加工。
进一步的,所述脉冲电源的电压、电流可调,频率、占空比可调。工件表面的沉积温度可以通过调节电流、频率、占空比调整。
进一步的,所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,还包括工件转台,所述工件转台位于真空室中,用于放置工件。
更为优选的,所述工件转台为二级行星齿轮架,采用电机驱动,通过齿轮系统实现二级行星齿轮架转动,所述二级行星齿轮架上设置有多个工装位。
进一步的,所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,所述霍尔离子源位于真空室的侧壁,所述离子源补偿器位于霍尔离子源的上方。
进一步的,所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,还包括抽真空系统,所述真空室与抽真空系统相连通。
更为优选的,所述抽真空系统为二级真空组,包括机械旋片泵和涡轮分子泵。
进一步的,所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,还包括循环冷却系统,所述循环冷却系统用于通过水循环带走电弧离子源放电及霍尔离子轰击产生的热量。
有益效果:本发明提供的电弧离子镀膜装置,具有以下优点:(1)本发明中电弧离子源采用脉冲放电,可以通过调节脉冲电源的频率、占空比等参数控制放电斑点处的能量输入,有效降低弧源表面的温度,减少宏观颗粒的产生,减少液滴的产生,提高涂层表面的光洁度;离子流密度的减少会降低对工件表面的轰击加热,因而会有效的降低工件表面的温度,实现在耐温性较差的弹性体制品上沉积类金刚石涂层。实现低温条件下对耐温性较差的弹性体制品进行镀膜。(2)离子源的数量和排布形式可以保证制品表面镀膜的均匀性和镀膜速率,适用于各种形状复杂的零件,满足产业化批量生产的需求。
附图说明
图1为实施例的电弧离子镀膜装置的俯视图;
图2为实施例的电弧离子镀膜装置的侧视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
实施例1
一种电弧离子镀膜装置,包括真空室3、霍尔离子源2、电弧离子源4;
所述真空室3,作为工件镀膜的操作空间,并提供真空体系;
所述霍尔离子源2设置有霍尔离子源补偿器,用于发射热电子强化离子,对工件表面进行清洗活化,去除工件表面的杂质;
所述电弧离子源4包括两个或多个电弧离子源4;能够弥补采用脉冲放电对镀膜速率带来的消极影响,改善加工效率;
所述电弧离子源4采用脉冲电源6供电,产生脉冲电弧激发靶材,用于在真空室3内产生大量靶材离子,均匀的沉积在工件的表面,改变工件的表面性质。不仅可以降低宏观颗粒的污染,而且可以降低沉积温度,实现低温沉积类金刚石涂层。
进一步的,所述电弧离子源4与真空室3侧壁倾斜成一定角度安装,用于保证镀膜的均匀性,同时提高镀膜速率。
进一步的,所述电弧离子源4的离子喷射的角度可调,可以对任意复杂形状的工件进行加工。
进一步的,所述脉冲电源6的电压、电流可调,频率、占空比可调。工件表面的沉积温度可以通过调节电流、频率、占空比调整。
进一步的,所述的电弧离子镀膜装置,还包括工件转台1,所述工件转台1位于真空室3中,用于放置工件。更为优选的,所述工件转台1为二级行星齿轮架,采用伺服电机驱动,通过齿轮系统实现二级行星齿轮架转动,所述二级行星齿轮架上设置有多个工装位。
进一步的,所述霍尔离子源2位于真空室3的侧壁,靶面设有可动挡板,所述离子源补偿器位于霍尔离子源的上方。
进一步的,所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,还包括抽真空系统5,所述真空室3与抽真空系统5相连通。更为优选的,所述抽真空系统5为二级真空组,包括机械旋片泵和涡轮分子泵。
进一步的,所述的电弧离子镀膜装置,还包括循环冷却系统,所述循环冷却系统用于通过水循环带走电弧离子源放电及霍尔离子轰击产生的热量。循环冷却系统分布在真空室侧壁及离子源内部,由外部的冷水机供应冷却水,通过水循环带走电弧源放电及离子轰击产生的热量。
在一些实施例中,如图1、图2所示,一种用于弹性体制品表面沉积类金刚石涂层的电弧离子镀膜装置,包括二级行星齿轮架、霍尔离子源2、真空室3、电弧离子源4、抽真空系统5、脉冲电源6。
所述行星齿轮架位于真空室3中,采用电机驱动,通过齿轮系统实现二级行星转动,有多个工装位。
所述霍尔离子源2位于真空室3的侧壁,离子源补偿器位于霍尔离子源的上方,用于发射热电子对工件进行清洗活化。
所述电弧离子源4有多个,与设备侧壁倾斜成一定角度安装,能保证镀膜的均匀性,同时提高镀膜速率。
所述抽真空系统5为二级真空组,包括机械旋片泵和涡轮分子泵。
所述脉冲电源6为弧电源,电压、电流可调,频率、占空比可调。
本实施例的工作过程如下:工艺实施时,将工件挂在二级行星齿轮架上,关闭真空室3的舱门,启动抽真空系统5,将真空室3抽至高真空。真空室3底部的二级行星齿轮架推动工件公转和自转,通入惰性气体,霍尔离子源2对工件表面进行清洗活化。根据工艺的需要设置脉冲电源6的参数,启动电弧离子源4,真空室3内产生大量靶材碳离子,均匀的沉积在工件的表面,改变工件的表面性质。
本发明中,具有以下优点:
(1)电弧离子源4采用脉冲放电的形式,电流、频率、占空比均可调,可以控制放电斑点处的能量输入,降低沉积温度,减少宏观颗粒的污染,提升涂层表面的光洁度,实现低温条件下对弹性体材质进行类金刚石镀膜强化。
(2)工件表面的沉积温度可以通过调节电流、频率、占空比调整。
(3)脉冲电弧离子源4倾斜成一定角度安装于真空室侧壁,离子喷射的角度可调,可以对任意复杂形状的工件进行加工,保证涂层的均匀性。
(4)本装置拥有多个电弧离子源,能够弥补采用脉冲放电对镀膜速率带来的消极影响,改善加工效率。
(5)在产业化大批量生产中,针对不同结构形式的工件及产量,可以通过改变真空室的体积、离子源的排布,满足不同的加工需求。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、为特定的方位构造和操作,因而不能理解为对本发明保护内容的限制。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种电弧离子镀膜装置,其特征在于,包括真空室、霍尔离子源、电弧离子源;
所述真空室,作为工件镀膜的操作空间,并提供真空体系;
所述霍尔离子源设置有霍尔离子源补偿器,用于发射热电子强化离子,对工件表面进行清洗活化,去除工件表面的杂质;
所述电弧离子源包括两个或多个电弧离子源;
所述电弧离子源采用脉冲电源供电,产生脉冲电弧激发靶材,用于在真空室内产生靶材离子,均匀的沉积在工件的表面;
还包括工件转台,所述工件转台位于真空室中,用于放置工件;所述工件转台为二级行星齿轮架;
所述电弧离子源与真空室侧壁倾斜成一定角度安装;所述电弧离子源的离子喷射的角度可调;所述脉冲电源的电压、电流可调,频率、占空比可调;
工作过程如下:工艺实施时,将工件挂在二级行星齿轮架上,关闭真空室的舱门,启动抽真空系统,将真空室抽至高真空;真空室底部的二级行星齿轮架推动工件公转和自转,通入惰性气体,霍尔离子源对工件表面进行清洗活化;根据工艺的需要设置脉冲电源的参数,启动电弧离子源,真空室内产生大量靶材碳离子,均匀的沉积在工件的表面,改变工件的表面性质。
2.根据权利要求1所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,所述工件转台采用电机驱动,通过齿轮系统实现二级行星齿轮架转动,所述二级行星齿轮架上设置有多个工装位。
3.根据权利要求1所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,所述霍尔离子源位于真空室的侧壁,所述离子源补偿器位于霍尔离子源的上方。
4.根据权利要求1所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,还包括抽真空系统,所述真空室与抽真空系统相连通。
5.根据权利要求4所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,所述抽真空系统为二级真空组,包括机械旋片泵和涡轮分子泵。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电弧离子镀膜装置,其特征在于,还包括循环冷却系统,所述循环冷却系统用于通过水循环带走电弧离子源放电及霍尔离子轰击产生的热量。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113896922B (zh) * 2021-09-27 2023-01-17 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种自润滑高耐磨涂层和聚氨酯密封圈及其制备方法
CN114164404B (zh) * 2021-11-13 2022-08-30 东莞市华升真空镀膜科技有限公司 真空镀膜设备及镀膜方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2155242C2 (ru) * 1998-01-13 2000-08-27 Институт проблем машиноведения РАН Устройство для нанесения покрытий в вакууме
CN1472360A (zh) * 2003-06-26 2004-02-04 上海交通大学 离子注入复合镀膜设备
CN1804105A (zh) * 2006-01-20 2006-07-19 大连理工大学 一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法
CN101403101A (zh) * 2008-11-14 2009-04-08 武汉大学 一种快速硬质陶瓷涂层离子镀装置
DE102008050499A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-08 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg PVD-Beschichtungsverfahren, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und nach dem Verfahren beschichtete Substrate
CN103668095A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 广东工业大学 一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法
CN103695858A (zh) * 2013-12-26 2014-04-02 广东工业大学 一种用于刀具涂层沉积的多功能全自动离子镀膜机及其使用方法
WO2014142190A1 (ja) * 2013-03-12 2014-09-18 日立ツール株式会社 硬質皮膜、硬質皮膜被覆部材、及びそれらの製造方法
CN104947046A (zh) * 2015-07-28 2015-09-30 魏永强 多级磁场电弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法
CN106801216A (zh) * 2017-01-20 2017-06-06 大连理工大学 一种电弧离子镀沉积高质量精密涂层的设备和方法
CN108385066A (zh) * 2018-02-26 2018-08-10 温州职业技术学院 一种无氢金属掺杂类金刚石涂层制备方法及其制品
CN209428589U (zh) * 2018-12-20 2019-09-24 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种电弧离子镀膜装置
CN112522677A (zh) * 2020-11-25 2021-03-19 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种复合镀膜装置
CN114875358A (zh) * 2022-05-10 2022-08-09 北京大学深圳研究生院 一种复合真空镀膜设备及其使用方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070144901A1 (en) * 2004-03-15 2007-06-28 Skotheim Terje A Pulsed cathodic arc plasma
JP5649333B2 (ja) * 2010-06-01 2015-01-07 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材表面のクリーニング方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2155242C2 (ru) * 1998-01-13 2000-08-27 Институт проблем машиноведения РАН Устройство для нанесения покрытий в вакууме
CN1472360A (zh) * 2003-06-26 2004-02-04 上海交通大学 离子注入复合镀膜设备
CN1804105A (zh) * 2006-01-20 2006-07-19 大连理工大学 一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰薄膜的设备和方法
DE102008050499A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-08 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg PVD-Beschichtungsverfahren, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und nach dem Verfahren beschichtete Substrate
CN101403101A (zh) * 2008-11-14 2009-04-08 武汉大学 一种快速硬质陶瓷涂层离子镀装置
WO2014142190A1 (ja) * 2013-03-12 2014-09-18 日立ツール株式会社 硬質皮膜、硬質皮膜被覆部材、及びそれらの製造方法
CN103695858A (zh) * 2013-12-26 2014-04-02 广东工业大学 一种用于刀具涂层沉积的多功能全自动离子镀膜机及其使用方法
CN103668095A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 广东工业大学 一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法
CN104947046A (zh) * 2015-07-28 2015-09-30 魏永强 多级磁场电弧离子镀和高功率脉冲磁控溅射复合沉积方法
CN106801216A (zh) * 2017-01-20 2017-06-06 大连理工大学 一种电弧离子镀沉积高质量精密涂层的设备和方法
CN108385066A (zh) * 2018-02-26 2018-08-10 温州职业技术学院 一种无氢金属掺杂类金刚石涂层制备方法及其制品
CN209428589U (zh) * 2018-12-20 2019-09-24 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种电弧离子镀膜装置
CN112522677A (zh) * 2020-11-25 2021-03-19 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种复合镀膜装置
CN114875358A (zh) * 2022-05-10 2022-08-09 北京大学深圳研究生院 一种复合真空镀膜设备及其使用方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Comparison of substrate temperature and deposition rate between modified pulsed arc process and d.c. arc process;B.Engers等;《Surface and Coatings Technology》;第133-134卷;"1. Introduction"第1-2段、"4.Results" *
占空比对脉冲电弧离子镀AlCrSiN涂层热稳定性和抗氧化性的影响;钟星;王启民;许雨翔;伍一铭;莫锦君;吴正涛;;中国表面工程(第05期);全文 *
脉冲电弧源的发射特性建模;刘缠牢等;《真空》;第43卷(第5期);"1实验" *
脉冲真空电弧离子镀及类金刚石薄膜的研究;蔡长龙;《西安交通大学博士论文》;正文第1页倒数第1段、第4页第1段以及第9页"2.3类金刚石薄膜的沉积设备"、"5脉冲真空电弧离子镀沉积速率的研究" *

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