CN113560746A - 一种超薄液晶面板双面切割工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种超薄液晶面板双面切割工艺,包括以下步骤:S1、将减薄后的液晶面板大板水平放置在切割工作台上,CF基板一侧朝上,通过基准对位标记对液晶面板大板进行定位;S2、通过钻石刀轮切割CF基板的上边,露出TFT基板上端的金属引线;S3、通过激光切割TFT基板的底边和两个侧边;S4、通过激光切割CF基板的底边和两个侧边;S5、最后通过激光切断TFT基板的上边,得到所需的液晶面板。本发明通过钻石刀轮切割CF基板上边露出端子部,再通过激光对CF基板及TFT基板边角进行切割,避免了切割TFT基板和CF基板的边及转角时断面应力导致面板破碎的问题及边角料对液晶面板划伤的问题,同时极大的提高了液晶面板的切割效率,降低了液晶面板切割的成本。
Description
技术领域
本发明涉及液晶面板加工领域,具体的是一种超薄液晶面板双面切割工艺。
背景技术
随着液晶显示器的不断普及,对液晶面板的生产效率提出了更高的要求。在液晶面板的制造过程中,需要对整块的基材进行切割,以分割出符合设计尺寸的液晶面板,同时在将薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板和彩色滤光(Color Filter,CF)基板组合后,还需要对CF基板两端进行裂片以露出TFT基板两端的金属线,使得TFT基板和CF基板的长度或者宽度不一致,从而形成端子部。
传统的液晶面板切割方法是先通过该预切割CF基板露出端子部,再通过两个刀轮分别对TFT基板和CF基板的边及转角进行切割,但是上述方法在进行超薄面板切割时断面应力会导致面板碎裂,同时切割后的液晶面板与边角料之间会发生磨擦和碰撞,刮伤液晶面板,导致切割成品的合格率较低。
发明内容
为解决上述背景技术中提到的不足,本发明的目的在于提供一种超薄液晶面板双面切割工艺,先通过钻石刀轮切割CF基板上边,露出端子部,再通过激光对CF基板的另外三条边及TFT基板的全部边进行切割,避免了切割TFT基板和CF基板的边及转角时断面应力导致面板破碎的问题及边角料对液晶面板划伤的问题,极大的提高了液晶面板的切割效率,降低了液晶面板切割的成本。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种超薄液晶面板双面切割工艺,包括以下步骤:
S1、将减薄后的液晶面板大板水平放置在切割工作台上,CF基板一侧朝上,通过基准对位标记对液晶面板大板进行定位;
S2、通过钻石刀轮切割CF基板的上边,露出TFT基板上端的金属引线;
S3、翻转液晶面板大板使TFT基板一侧朝上,通过激光切割TFT基板的底边和两个侧边;
S4、再次翻转液晶面板大板使CF基板一侧朝上,通过激光切割CF基板的底边和两个侧边;
S5、最后通过激光切断TFT基板的上边,得到所需的液晶面板。
进一步优选地,步骤S1中减薄后液晶面板厚度为0.05/0.05mm-0.2/0.2mm。
进一步优选地,步骤S2中钻石刀轮切割压力为0.5-0.6KPa,给进速度为200-1000mm/s
进一步优选地,步骤S3-S5中激光切割的激光波长为300-400nm,频率为1ns-1ps。
本发明的有益效果:
本发明先通过钻石刀轮切割CF基板上边,露出端子部,再通过激光对CF基板的另外三条边及TFT基板的全部边进行切割,避免了切割TFT基板和CF基板的边及转角时断面应力导致面板破碎的问题及边角料对液晶面板划伤的问题,同时由于采用激光切割可以在切割的同时完成边角的倒角,因此不限于矩形或方形的液晶面板,极大的提高了液晶面板的切割效率,降低了液晶面板切割的成本。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明液晶面板大板的侧视图;
图2是本发明步骤S2的工艺成形示意图;
图3是本发明步骤S3的工艺成形示意图;
图4是本发明步骤S4的工艺成形示意图;
图5是本发明步骤S5液晶面板切割完成后的侧视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“开孔”、“上”、“下”、“厚度”、“顶”、“中”、“长度”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位,以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
实施例1
一种超薄液晶面板双面切割工艺,包括以下步骤:
S1、将减薄后厚度为0.05/0.05mm的液晶面板大板水平放置在切割工作台上,CF基板一侧朝上,通过基准对位标记对液晶面板大板进行定位;
S2、通过钻石刀轮切割CF基板的上边,露出TFT基板上端的金属引线,钻石刀轮切割压力为0.5KPa,给进速度为300mm/s;
S3、翻转液晶面板大板使TFT基板一侧朝上,通过激光切割TFT基板的底边和两个侧边,激光波长为400nm,频率为1ps;
S4、再次翻转液晶面板大板使CF基板一侧朝上,通过激光切割CF基板的底边和两个侧边;
S5、最后通过激光切断TFT基板的上边,得到所需的液晶面板。
实施例2
一种超薄液晶面板双面切割工艺,包括以下步骤:
S1、将减薄后厚度为0.2/0.2mm的液晶面板大板水平放置在切割工作台上,CF基板一侧朝上,通过基准对位标记对液晶面板大板进行定位;
S2、通过钻石刀轮切割CF基板的上边,露出TFT基板上端的金属引线,钻石刀轮切割压力为0.6KPa,给进速度为500mm/s;
S3、翻转液晶面板大板使TFT基板一侧朝上,通过激光切割TFT基板的底边和两个侧边,激光波长为300nm,频率为1ns;
S4、再次翻转液晶面板大板使CF基板一侧朝上,通过激光切割CF基板的底边和两个侧边;
S5、最后通过激光切断TFT基板的上边,得到所需的液晶面板。
实施例3
一种超薄液晶面板双面切割工艺,包括以下步骤:
S1、将减薄后厚度为0.1/0.1mm的液晶面板大板水平放置在切割工作台上,CF基板一侧朝上,通过基准对位标记对液晶面板大板进行定位;
S2、通过钻石刀轮切割CF基板的上边,露出TFT基板上端的金属引线,钻石刀轮切割压力为0.55KPa,给进速度为800mm/s;
S3、翻转液晶面板大板使TFT基板一侧朝上,通过激光切割TFT基板的底边和两个侧边,激光波长为350nm,频率为1ps;
S4、再次翻转液晶面板大板使CF基板一侧朝上,通过激光切割CF基板的底边和两个侧边;
S5、最后通过激光切断TFT基板的上边,得到所需的液晶面板。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (4)
1.一种超薄液晶面板双面切割工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将减薄后的液晶面板大板水平放置在切割工作台上,CF基板一侧朝上,通过基准对位标记对液晶面板大板进行定位;
S2、通过钻石刀轮切割CF基板的上边,露出TFT基板上端的金属引线;
S3、翻转液晶面板大板使TFT基板一侧朝上,通过激光切割TFT基板的底边和两个侧边;
S4、再次翻转液晶面板大板使CF基板一侧朝上,通过激光切割CF基板的底边和两个侧边;
S5、最后通过激光切断TFT基板的上边,得到所需的液晶面板。
2.根据权利要求1所述的超薄液晶面板双面切割工艺,其特征在于,所述步骤S1中减薄后液晶面板厚度为0.05/0.05mm-0.2/0.2mm。
3.根据权利要求1所述的超薄液晶面板双面切割工艺,其特征在于,所述步骤S2中钻石刀轮切割压力为0.5-0.6KPa,给进速度为200-1000mm/s 。
4.根据权利要求1所述的超薄液晶面板双面切割工艺,其特征在于,所述步骤S3-S5中激光切割的激光波长为300-400nm,频率为1ns-1ps。
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