CN113556100B - 体声波谐振器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括衬底，依次设于所述衬底上的反射结构、下电极、压电层和上电极，与上电极连接的上电极引线，以及与下电极连接的下电极引线；所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少两个膜层设有第一缺口，或者所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少一个膜层设有第一缺口，且所述上电极中设有第二缺口；所述体声波谐振器包括谐振区，所述第一缺口位于所述谐振区外，且第一缺口在所述衬底上的正投影与上电极引线在衬底上的正投影至少部分相交；所述第二缺口位于所述上电极引线的两侧，且与所述上电极引线相邻设置。本发明能够减小谐振器的电损，提升谐振器的Q值，从而提高谐振器性能。
Description
技术领域
本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种体声波谐振器。
背景技术
随着移动通讯技术的发展，射频器件更趋于小型化，体声波谐振器具有体积小、Q值高的优点，常被用于滤波器或双工器中。而在移动终端中，多个频段同时使用，使得滤波器或双工器需要更加陡峭的裙边和更小的插入损耗，而提高体声波谐振器的Q值是实现陡峭的裙边和更小插入损耗的一种方法。
谐振器中的谐振区是由谐振器中的反射结构、下电极、压电层和上电极的重叠部分构成。若由于制作误差导致上电极与下电极未完全对准，则与上电极连接的上电极引线会与其他膜层重叠，导致谐振区外产生谐振，而谐振区外的谐振会对谐振器造成干扰，影响谐振器的品质因子Q值，从而影响谐振器性能。
发明内容
本发明提供一种体声波谐振器，能够提升谐振器的Q值，减小谐振器的电损，从而提高谐振器性能。
本发明提供了一种体声波谐振器，包括衬底，依次设于所述衬底上的反射结构、下电极、压电层和上电极，与所述上电极连接的上电极引线，以及与所述下电极连接的下电极引线；
所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少两个膜层设有第一缺口，或者所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少一个膜层设有第一缺口，且所述上电极中设有第二缺口；
所述体声波谐振器包括谐振区，所述第一缺口位于所述谐振区外，且所述第一缺口在所述衬底上的正投影与所述上电极引线在所述衬底上的正投影至少部分相交；所述第二缺口位于所述上电极引线的两侧，且与所述上电极引线相邻设置。
可选地，所述第一缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间；
所述第二缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第二缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
可选地，所述反射结构和所述压电层中未设置所述第一缺口的膜层设有第三缺口；
所述第三缺口位于所述谐振区内，且所述第三缺口靠近所述上电极引线设置。
可选地，所述第三缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第三缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
可选地，所述下电极中还设有第四缺口；
所述第四缺口位于所述下电极引线的两侧，且与所述下电极引线相邻设置。
可选地，所述第四缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述下电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第四缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
可选地，所述反射结构、所述压电层和所述上电极中的至少一个膜层设有第五缺口；
所述第五缺口与所述第一缺口相对设置。
可选地，所述第五缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述下电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第五缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
可选地，所述反射结构、所述下电极、所述压电层和所述上电极中的至少一个膜层设有第六缺口；
所述第六缺口与所述第一缺口在所述谐振区的周向上间隔设置。
可选地，所述反射结构、所述下电极和所述上电极的形状均为一条弧线边与两条直线边构成的封闭形状；
所述第六缺口位于所述弧线边与所述直线边的相交处。
可选地，所述第六缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
本发明的有益效果为：在反射结构、下电极和压电层中的至少两个膜层设置第一缺口，或者在反射结构、下电极和压电层中的至少一个膜层设置第一缺口，且在上电极中设置第二缺口，使第一缺口位于谐振区外，且第一缺口在衬底上的正投影与上电极引线在衬底上的正投影至少部分相交，使第二缺口位于上电极引线的两侧，且与上电极引线相邻设置，从而避免上电极引线与反射结构、下电极和压电层重叠产生谐振，即避免谐振区外产生谐振，从而减小谐振器的电损，提高谐振器的Q值，进而提高谐振器性能。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的体声波谐振器的截面示意图；
图2为本发明实施例提供的体声波谐振器的结构示意图；
图3a为本发明实施例提供的体声波谐振器中下电极和下电极引线的第一个结构示意图；
图3b为本发明实施例提供的体声波谐振器中下电极和下电极引线的第二个结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的体声波谐振器中上电极和上电极引线的第一个结构示意图；
图4b为本发明实施例提供的体声波谐振器中上电极和上电极引线的第二个结构示意图；
图4c为本发明实施例提供的体声波谐振器中上电极和上电极引线的第三个结构示意图；
图5a为本发明实施例提供的体声波谐振器中反射结构的第一个结构示意图；
图5b为本发明实施例提供的体声波谐振器中反射结构的第二个结构示意图；
图5c为本发明实施例提供的体声波谐振器中反射结构的第三个结构示意图；
图5d为本发明实施例提供的体声波谐振器中反射结构的第四个结构示意图；
图6a为本发明实施例提供的体声波谐振器中压电层的第一个结构示意图；
图6b为本发明实施例提供的体声波谐振器中压电层的第二个结构示意图；
图6c为本发明实施例提供的体声波谐振器中压电层的第三个结构示意图；
图6d为本发明实施例提供的体声波谐振器中压电层的第四个结构示意图；
图7为本发明实施例提供的体声波谐振器与现有技术的Q值对比图。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
参见图1，是本发明实施例提供的体声波谐振器的结构示意图。
如图1所示，本发明实施例提供的体声波谐振器包括衬底1，以及依次设于所述衬底上的反射结构2、下电极3、压电层4和上电极5。具体地，反射结构2位于衬底1上，下电极3位于反射结构2和衬底1上，压电层4位于下电极3和衬底1上，上电极5位于压电层4上。结合图2所示，体声波谐振器还包括上电极引线6和下电极引线7，上电极引线6与上电极5同层设置，且上电极引线6与上电极5连接，下电极引线7与下电极3同层设置，且下电极引线7与下电极3连接。
其中，反射结构2可以为谐振腔或反射器，例如布拉格反射器(Bragg reflector)。在反射结构2位谐振腔时，衬底1上可以先形成牺牲层(图中未示出)，牺牲层可以具有相对于衬底1的上表面呈斜坡状的侧壁，且侧壁的坡度可以为35度。由于牺牲层为过渡材料，在衬底1和牺牲层上依次形成下电极3、压电层4和上电极5后，可以通过释放孔对牺牲层进行释放，使牺牲层处形成空腔，即谐振腔，谐振腔的纵截面可以呈等腰梯形，且等腰梯形的底角可以为35°。
衬底1可以为硅、玻璃、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、铌酸锂、钽酸锂等。下电极3与下电极引线7的材料可以相同，例如可以为钼、钨、铬、铝、铜、石墨烯(Graphene)、碳纳米管(Carbon Nanotube)中的一种或多种组合。下电极3在衬底1上的正投影的形状包括半圆、三角形、矩形和不规则多边形中的任意一个或多个的组合形状。压电层4具有<002>的结晶优选，可以为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅，或掺杂有稀土元素的上述材料。上电极5与上电极引线6的材料可以相同，例如可以为钼、钨、铬、铝、铜、石墨烯(Graphene)、碳纳米管(CarbonNanotube)中的一种或多种组合。上电极5在衬底1上的正投影的形状包括半圆、三角形、矩形和不规则多边形中的任意一个或多个的组合形状。
体声波谐振器包括谐振区8。谐振区8是指当电能施加到下电极3和上电极5以在压电层4中引起电场时，通过压电现象沿预定方向振动以产生谐振的区域，例如反射结构2、下电极3、压电层4和上电极5相重叠的区域为谐振区8。在上电极5覆盖的区域最小时，上电极5为形成谐振器振动的边界条件，即上电极5决定谐振区8的大小；在反射结构2覆盖的区域最小时，反射结构2为形成谐振器振动的边界条件，即反射结构2决定谐振区8的大小。
由于上电极引线6、反射结构2、下电极3和压电层4重叠会导致谐振区8外产生谐振，因此在第一实施方式中，结合图2、图5a和图6a所示，所述反射结构2、所述下电极3和所述压电层4中的至少两个膜层设有第一缺口11，所述第一缺口11位于所述谐振区8外，且所述第一缺口11在所述衬底1上的正投影与所述上电极引线6在所述衬底1上的正投影至少部分相交，使得反射结构2、下电极3和压电层4中的至少两个膜层不与上电极引线6重叠，避免在谐振区8外产生谐振。
具体地，在上电极5决定谐振区8的大小时，反射结构2、下电极3和压电层4在衬底1上的正投影均覆盖上电极5在衬底1上的正投影。如图2、图5a和图6a所示，反射结构2、下电极3和压电层4中均可以设有第一缺口11，且第一缺口11在衬底1上的正投影与上电极5在衬底1上的正投影无交集，以保证第一缺口11位于谐振区8外。需要说明的是，反射结构2、下电极3和压电层4中的第一缺口11在朝向谐振区8中心方向B上的长度可以相同或不同。例如，下电极3覆盖的区域大于反射结构2覆盖的区域，下电极3中第一缺口11在朝向谐振区8中心方向B上的长度可以大于反射结构2在朝向谐振区8中心方向B上的长度，只需保证反射结构2、下电极3和压电层4中的第一缺口11均位于谐振区8外即可。
上电极引线6与上电极5连接，使得第一缺口11在衬底1上的正投影与上电极引线6在衬底1上的正投影至少部分相交。若第一缺口11在谐振区8周向A上的长度与上电极引线6在谐振区8周向A上的长度相同，则第一缺口11在衬底1上的正投影位于上电极引线6在衬底1上的正投影的内部；若第一缺口11在谐振区8周向A上的长度大于上电极引线6在谐振区8周向A上的长度，则第一缺口11在衬底1上的正投影与上电极引线6在衬底1上的正投影部分相交。需要说明的是，反射结构2、下电极3和压电层4中的第一缺口11在谐振区8周向A上的长度可以相同或不同。
在反射结构2决定谐振区8的大小时，下电极3、压电层4和上电极5在衬底1上的正投影均覆盖反射结构2在衬底1上的正投影。反射结构2中不设有第一缺口11，如图2和图6a所示，下电极3和压电层4中均可以设有第一缺口11，且第一缺口11在衬底1上的正投影与反射结构2在衬底1上的正投影无交集，以保证第一缺口11位于谐振区8外。第一缺口11在衬底1上的正投影与上电极5在衬底1上的正投影可以部分相交，也可以无交集。下电极3和压电层4中的第一缺口11在朝向谐振区8中心方向B上的长度可以相同或不同，只需保证下电极3和压电层4中的第一缺口11均位于谐振区8外即可。
由于下电极3和压电层4在衬底1上的正投影均覆盖上电极5在衬底1上的正投影，而上电极引线6与上电极5连接，使得第一缺口11在衬底1上的正投影与上电极引线6在衬底1上的正投影至少部分相交。下电极3和压电层4中的第一缺口11在谐振区8周向A上的长度可以相同或不同。
优选地，所述第一缺口11在所述谐振区8的周向A上的长度位于所述上电极引线6在所述谐振区8的周向A上的长度的1倍至1.5倍之间。另外，第一缺口11可以为轴对称结构，且第一缺口11的对称轴在衬底1上的正投影与上电极引线6的中心轴在衬底1上的正投影相重合。
本实施例在反射结构2、下电极3和压电层4中的至少两个膜层中设置第一缺口11，相对于仅在一个膜层中设置第一缺口11来说，可以更有效地避免在谐振区8外产生谐振，进一步减小谐振器的电损，提高谐振器的Q值。
在第二实施方式中，如图2、图4a、图5a和图6a所示，所述反射结构2、所述下电极3和所述压电层4中的至少一个膜层设有第一缺口11，且所述上电极5中设有第二缺口12，所述第一缺口11位于所述谐振区8外，且所述第一缺口11在所述衬底1上的正投影与所述上电极引线6在所述衬底1上的正投影至少部分相交，所述第二缺口12位于所述上电极引线6的两侧，且与所述上电极引线6相邻设置。
第二实施方式中的第一缺口11与上述第一实施方式中的第一缺口11相同，在此不再详细赘述。如图4a所示，第二缺口12的个数可以为两个，两个第二缺口12分别位于上电极引线6两侧的上电极5中，且两个第二缺口12与上电极引线6相邻设置。两个第二缺口12的大小和形状可以相同，即两个第二缺口12在谐振区8的周向A上的长度可以相同，在朝向谐振区8中心方向B上的长度也可以相同。两个第二缺口12可以以上电极引线6的中心轴为对称轴对称设置。
优选地，所述第二缺口12在所述谐振区8的周向A上的长度(即两个第二缺口12在所述谐振区8的周向A上的总长度)小于所述上电极引线6在所述谐振区8的周向A上的长度的0.5倍，所述第二缺口12在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度小于所述第一缺口11在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度。
本实施例在设置第一缺口11的同时，在上电极5中设置第二缺口12，相对于仅设置第一缺口11来说，可以更有效地避免在谐振区8外产生谐振，进一步减少谐振器的电损，提高谐振器的Q值。
进一步地，如图5b和图6b所示，所述反射结构2和所述压电层4中未设置所述第一缺口11的膜层可以设有第三缺口13，所述第三缺口13位于所述谐振区8内，且所述第三缺口13靠近所述上电极引线6设置。
在反射结构2决定谐振区8的大小时，反射结构2中不设有第一缺口11，反射结构2中可以设有第三缺口13。在压电层4中未设置第一缺口11时压电层4中也可以设有第三缺口13。由于第三缺口13位于谐振区8内，且第三缺口13靠近上电极引线6设置，即第三缺口13靠近第一缺口11设置，可以在避免谐振区8外产生谐振的同时，改变谐振区8的大小和形状，进一步提高谐振器的Q值。
优选地，所述第三缺口13在所述谐振区8的周向A上的长度位于所述上电极引线6在所述谐振区8的周向A上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第三缺口13在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度小于所述第一缺口11在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度，以避免过度改变谐振区8，影响谐振器性能。另外，第三缺口13可以为轴对称结构，且第三缺口13的对称轴在衬底1上的正投影与上电极引线6的中心轴在衬底1上的正投影相重合。
进一步地，如图3a所示，所述下电极3中还设有第四缺口14，所述第四缺口14位于所述下电极引线7的两侧，且与所述下电极引线7相邻设置。
由于下电极3在衬底1上的正投影覆盖上电极5在衬底1上的正投影，因此下电极3中的第四缺口14可以位于谐振区8外。第四缺口14的个数可以为两个，两个第四缺口14分别位于下电极引线7两侧的下电极3上，且两个第四缺口14与下电极引线7相邻设置。两个第四缺口14的大小和形状可以相同，即两个第四缺口14在谐振区8的周向A上的长度可以相同，在朝向谐振区8中心方向B上的长度也可以相同。两个第四缺口14可以以下电极引线7的中心轴为对称轴对称设置。
优选地，所述第四缺口14在所述谐振区8的周向A上的长度(即两个第四缺口14在所述谐振区8的周向A上的总长度)小于所述下电极引线7在所述谐振区8的周向A上的长度的0.5倍，所述第四缺口14在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度小于所述第一缺口11在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度。
本实施例在设置第一缺口11的同时，在下电极3中设置第四缺口14，改变下电极3的形状，以避免在谐振区8外产生谐振的同时，进一步提高谐振器的Q值。
进一步地，如图4b、图5c和图6c所示，所述反射结构2、所述压电层4和所述上电极5中的至少一个膜层设有第五缺口15，所述第五缺口15与所述第一缺口11相对设置。
第五缺口15可以位于谐振区8外，也可以位于谐振区8内，也可以部分位于谐振区8外，部分位于谐振区8内。在上电极5决定谐振区8的大小时，上电极5中的第五缺口15位于谐振区8内，反射结构2中的第五缺口15可以位于谐振区8外，或者部分位于谐振区8内，部分位于谐振区8外。在反射结构2决定谐振区8的大小时，反射结构2中的第五缺口15位于谐振区8内，上电极5中的第五缺口15可以位于谐振区8外，或者部分位于谐振区8内，部分位于谐振区8外。压电层4中的第五缺口15可以位于谐振区8外，或者位于谐振区8内，或者部分位于谐振区8外，部分位于谐振区8内。
第五缺口15靠近下电极引线7设置，而上电极引线6与下电极引线7位于谐振区8的相对两侧，使得第五缺口15与第一缺口11相对设置。反射结构2、压电层4和上电极5中的第五缺口15在谐振区8周向A上的长度可以相同或不同，在朝向谐振区8中心方向B上的长度也可以相同或不同。
优选地，所述第五缺口15在所述谐振区8的周向A上的长度位于所述下电极引线7在所述谐振区8的周向A上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第五缺口15在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度小于所述第一缺口11在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度。
进一步地，如图3b、图4c、图5d和图6d所示，所述反射结构2、所述下电极3、所述压电层4和所述上电极5中的至少一个膜层设有第六缺口16，所述第六缺口16与所述第一缺口11在所述谐振区8的周向A上间隔设置，所述第六缺口16与所述第五缺口15在谐振区8的轴向A上间隔设置。
第六缺口16可以位于谐振区8外，也可以位于谐振区8内，也可以部分位于谐振区8外，部分位于谐振区8内。在上电极5决定谐振区8的大小时，上电极5中的第六缺口16位于谐振区8内，反射结构2中的第六缺口16可以位于谐振区8外，或者部分位于谐振区8内，部分位于谐振区8外。在反射结构2决定谐振区8的大小时，反射结构2中的第六缺口16位于谐振区8内，上电极5中的第六缺口16可以位于谐振区8外，或者部分位于谐振区8内，部分位于谐振区8外。下电极3中的第六缺口16可以位于谐振区8外。压电层4中的第六缺口16可以位于谐振区8外，或者位于谐振区8内，或者部分位于谐振区8外，部分位于谐振区8内。
一个膜层上可以具有两个第六缺口16，两个第六缺口16可以相对设置，且两个第六缺口16的大小和形状可以相同，即两个第六缺口16在谐振区8的周向A上的长度可以相同，在朝向谐振区8中心方向B上的长度也可以相同。两个第六缺口16可以为轴对称结构，两个第六缺口16的对称轴在衬底1上的正投影与上电极引线6或下电极引线7的中心轴在衬底1上的正投影相重合。
优选地，所述反射结构2、所述下电极3和所述上电极5的形状均为一条弧线边与两条直线边构成的封闭形状，即由半圆和三角形构成的组合形状，其中弧线边的弧度为180度，两条直线边的长度相等，两条直线边之间的夹角为120度。上电极引线6与上电极5的弧线边的中部连接，下电极引线7与下电极3的两直线边的相交处连接。所述第六缺口16可以位于所述弧线边与所述直线边的相交处，即两个第六缺口16分别位于弧线边与两条直线边的相交处。
反射结构2、下电极3、压电层4和上电极5中的第六缺口16在谐振区8周向A上的长度可以相同或不同，在朝向谐振区8中心方向B上的长度也可以相同或不同。优选地，所述第六缺口16在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度小于所述第一缺口11在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度。第六缺口16在谐振区8周向A上的长度不做具体限定，只需保证第六缺口16与其他缺口在谐振区8周向A上间隔设置即可。
需要说明的是，反射结构2、下电极3、压电层4和上电极5中还可以设置其他缺口，只需保证这些缺口与第一缺口11至第六缺口16在谐振区8周向A上间隔设置，且在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度小于所述第一缺口11在朝向所述谐振区8中心方向B上的长度即可。
在其他实现方式中，可以在第一缺口11至第六缺口16中填充不同于上电极、下电极或压电层的材料，可以填充绝缘材料或聚合物或半导体材料中的的一种或多种，例如，二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化锌、硼硅酸盐、聚酰亚胺、聚乙烯、聚氯乙烯、树脂等，以达到相同的效果。
图7为本发明提供的四个实施例(实施例A、实施例B、实施例C和实施例D)和现有技术中谐振器的Q值(包括频率响应曲线中的最低点Q值Qs、最高点Q值Qp和最大Q值Qmax)的对比图。其中实施例A为下电极3中设有第一缺口11，且上电极5中设有第二缺口12；实施例B为下电极3中设有第一缺口11和第四缺口14，且上电极5中设有第二缺口12和第五缺口15；实施例C为下电极3中设有第一缺口11和第四缺口14，且上电极5中设有第二缺口12和第五缺口15，且反射结构2中设有第三缺口13和第五缺口15；实施例D为下电极3中设有第一缺口11、第四缺口14和第六缺口16，且上电极5中设有第二缺口12、第五缺口15和第六缺口16，且反射结构2中设有第三缺口13、第五缺口15和第六缺口16。由图中可以看出，相对于现有技术，实施例A至实施例D均能显著提高谐振器的Qs(实施例B最优)，即减小谐振器的电损，提高谐振器性能。
由上述可知，本发明实施例提供的体声波谐振器，能够在反射结构、下电极和压电层中的至少两个膜层设置第一缺口，或者在反射结构、下电极和压电层中的至少一个膜层设置第一缺口，且在上电极中设置第二缺口，使第一缺口位于谐振区外，且第一缺口在衬底上的正投影与上电极引线在衬底上的正投影至少部分相交，使第二缺口位于上电极引线的两侧，且与上电极引线相邻设置，从而避免上电极引线与反射结构、下电极和压电层重叠产生谐振，即避免谐振区外产生谐振，从而减小谐振器的电损，提高谐振器的Q值，提高谐振器性能。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (11)
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括衬底，依次设于所述衬底上的反射结构、下电极、压电层和上电极，与所述上电极连接的上电极引线，以及与所述下电极连接的下电极引线；
所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少两个膜层设有第一缺口，或者所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少一个膜层设有第一缺口，且所述上电极中设有第二缺口；
所述体声波谐振器包括谐振区，所述第一缺口位于所述谐振区外，且所述第一缺口在所述衬底上的正投影与所述上电极引线在所述衬底上的正投影至少部分相交；所述第二缺口位于所述上电极引线的两侧，且与所述上电极引线相邻设置；
从所述上电极往所述衬底方向俯视，所述反射结构中的第一缺口位于所述反射结构的边缘位置，所述下电极中的第一缺口位于所述下电极的边缘位置；从所述上电极往所述衬底方向俯视，所述第二缺口位于所述上电极的边缘位置。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间；
所述第二缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第二缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构和所述压电层中未设置所述第一缺口的膜层设有第三缺口；
所述第三缺口位于所述谐振区内，且所述第三缺口靠近所述上电极引线设置。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第三缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第三缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述下电极中还设有第四缺口；
所述第四缺口位于所述下电极引线的两侧，且与所述下电极引线相邻设置。
6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第四缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述下电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第四缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构、所述压电层和所述上电极中的至少一个膜层设有第五缺口；
所述第五缺口与所述第一缺口基于所述谐振区相对设置。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第五缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述下电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第五缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构、所述下电极、所述压电层和所述上电极中的至少一个膜层设有第六缺口；
所述第六缺口与所述第一缺口在所述谐振区的周向上间隔设置。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构、所述下电极和所述上电极的形状均为一条弧线边与两条直线边构成的封闭形状；
所述第六缺口位于所述弧线边与所述直线边的相交处。
11.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第六缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。
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