CN113540377B - 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。显示面板包括基板、第一金属膜层、第二金属膜层以及第三金属膜层。基板包括封装区和显示区。第一金属膜层设置于基板的一侧。第一金属膜层包括第一延伸部与第二延伸部。第一延伸部至少部分位于封装区，并沿基板的表面由显示区向封装区延伸。第二延伸部位于封装区，并与第一延伸部连接，第二延伸部的延伸方向与第一延伸部的延伸方向交叉。第二金属膜层覆盖第一延伸部远离基板的表面，以及第二延伸部朝向显示区的表面。第三金属膜层设置于第二金属膜层远离基板的表面。第二金属膜层的金属活动性大于第一金属膜层和第三金属膜层的金属活动性。本申请提供的显示面板有效提高了封装可靠性。

Description

显示面板、显示面板的制备方法及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示设备具有制备工艺简单、成本低、对比度高、视角广、功耗低等优点，是目前平板显示中受到广泛关注的技术之一，市场需求很大。随着显示技术的不断发展，客户对封装要求越来越高。

然而，发明人经过长期研究发现，在传统显示面板的封装区的金属层中的中间层Al容易发生侧刻而残留像素限定层和支撑结构等材料。采用玻璃粉(Frit)封装方法对所述封装区进行封装时，玻璃粉熔融的过程中温度比较高，会使得残留材料发生汽化蒸发形成气泡。进而，在所述封装区中，玻璃粉(Frit)下的气泡降低了封装可靠性。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。

本申请提供一种显示面板。所述显示面板包括基板、第一金属膜层、第二金属膜层以及第三金属膜层。所述基板包括封装区和显示区。所述第一金属膜层设置于所述基板的一侧。所述第一金属膜层包括第一延伸部与第二延伸部。第一延伸部至少部分位于所述封装区，并沿所述基板的表面由所述显示区向所述封装区延伸。第二延伸部位于所述封装区，并与所述第一延伸部连接，所述第二延伸部的延伸方向与所述第一延伸部的延伸方向交叉。第二金属膜层覆盖所述第一延伸部远离所述基板的表面，以及所述第二延伸部朝向所述显示区的表面。第三金属膜层设置于所述第二金属膜层远离所述基板的表面。所述第二金属膜层的金属活动性大于所述第一金属膜层和所述第三金属膜层的金属活动性。

在一个实施例中，所述第三金属膜层与所述第二延伸部之间形成开口。所述第二金属膜层从所述开口露出。

所述第三金属膜层与所述第一金属膜层不会对所述第二金属膜层的刻蚀位置进行遮挡。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述开口处的所述第二金属膜层进行刻蚀。由于所述开口远离所述基板，即使发生刻蚀，刻蚀形成的凹陷也会远离所述基板，并朝向封装盖板。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉。因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的所述第二金属膜层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第二金属膜层开设有凹陷，所述凹陷位于所述开口。

所述凹陷朝向封装盖板，并与封装盖板的玻璃粉(Frit)相对，所述第三金属膜层与所述第二延伸部不会对所述凹陷进行遮挡。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷内残留的像素限定层和支撑结构会经过曝光步骤去除掉。在所述封装区内，玻璃粉(Frit)下不会存在像素限定层和支撑结构等材料。进而，在封装过程中，激光高温熔融玻璃粉(Frit)时，像素限定层和支撑结构的残留材料也不会发生汽化蒸发形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第一延伸部与所述第二延伸部的夹角大于或等于90度且小于180度。

所述第二金属膜层朝远离所述基板的方向延伸。所述第二金属膜层露出的端面远离所述基板，并朝向封装盖板。所述第二延伸部对所述第二金属膜层的侧壁进行了保护。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层的端面进行刻蚀后形成的所述凹陷的开口朝上，远离所述基板，并朝向封装盖板。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉。

在一个实施例中，所述第一金属膜层还包括第三延伸部。所述第三延伸部的一端与所述第一延伸部远离所述第二延伸部的一端连接，所述第三延伸部的延伸方向与所述第一延伸部的延伸方向交叉。所述第二金属膜层覆盖所述第三延伸部背离所述显示区的表面。

所述第三延伸部对所述第二金属膜层的一侧侧壁进行了保护，所述第二延伸部对所述第二金属膜层的另一侧侧壁进行了保护。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液不会对所述第二金属膜层的侧壁进行刻蚀。进而，在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述第二金属膜层的侧壁不会残留像素限定层和支撑结构等材料。从而，在封装过程中，激光高温熔融玻璃粉(Frit)时，玻璃粉(Frit)下的金属层位置处不会发生汽化蒸发形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第一延伸部与所述第三延伸部的夹角为90度至110度。

所述第三延伸部的延伸方向远离所述基板，且与所述第一延伸部的夹角为90度至110度，可以使得所述第二金属膜层朝远离所述基板的方向延伸。所述第二金属膜层的端面远离所述基板。所述第三延伸部对所述第二金属膜层的侧壁进行了保护。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层的端面进行刻蚀后形成的所述凹陷的开口朝上，远离所述基板。所述凹陷的开口朝上，远离所述基板，表明对所述第二金属膜层的刻蚀方向始终保持在垂直于显示面板的膜层层叠方向。进而，所述第三金属膜层和所述第一金属膜层不会对所述第二金属膜层进行刻蚀的地方进行遮挡。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉，不会存在残留。

在一个实施例中，所述显示面板还包括层间介电层。层间介电层设置于所述基板的一侧。所述层间介电层在所述封装区开设有第一凹坑，所述第三延伸部、所述第一延伸部以及所述第二延伸部设置于所述第一凹坑内。

所述第二金属膜层的两端会沿着所述第三延伸部和所述第二延伸部向远离所述基板的方向延伸。所述第二金属膜层的端面远离所述基板，并朝向封装盖板。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层的端面进行刻蚀后形成的所述凹陷的开口朝上，远离所述基板。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉。因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第一金属膜层还包括第四延伸部。第四延伸部至少部分位于所述封装区，并沿所述基板的表面由所述封装区向所述显示区延伸，所述第三延伸部将所述第四延伸部与所述第一延伸部连接。

提供了另一种第一金属膜层的可实施方式。

在一个实施例中，本申请提供一种显示面板的制备方法，包括：

S10，提供基板，包括封装区和显示区，在所述基板表面制备层间介电层；

S20，对所述层间介电层远离所述基板的表面进行刻蚀，形成第一凹坑；

S30，在所述第一凹坑内沉积第一金属膜层，形成沿所述第一凹坑的表面由所述显示区向所述封装区延伸的第一延伸部与第二延伸部，所述第二延伸部的延伸方向与所述第一延伸部的延伸方向交叉；

S40，沉积第二金属膜层，覆盖所述第一延伸部远离所述基板的表面，以及所述第二延伸部朝向所述显示区的表面；

S50，沉积第三金属膜层，覆盖在所述第二金属膜层远离所述第一金属膜层的表面，所述第二金属膜层的金属活动性大于所述第一金属膜层和所述第三金属膜层的金属活动性。

在所述第一凹坑内，依次沉积所述第一金属膜层、所述第二金属膜层以及所述第三金属膜层，使得所述第二金属膜层的侧刻位置无所述第一金属膜层和所述第三金属膜层遮挡。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层的侧刻位置进行侧刻之后。由于所述第二金属膜层的侧刻位置无所述第一金属膜层和所述第三金属膜层遮挡，在后续制备像素限定层和支撑结构等有机材料时，会将侧刻凹陷内残留的像素限定层和支撑结构等有机材料曝光去除掉。在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，本申请提供一种显示装置，包括上述实施中任一所述的显示面板。

本申请提供了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。在所述显示面板中，所述第二延伸部的延伸方向与所述第一延伸部的延伸方向交叉，且所述第二延伸部的延伸方向远离所述基板，并向封装盖板方向延伸。当所述第二金属膜层设置于所述第一延伸部和所述第二延伸部的表面时，所述第二金属膜层会受到所述第二延伸部的限制，远离所述基板，并朝向封装盖板方向延伸。并且，所述第二延伸部对所述第二金属膜层的侧壁进行了保护。且所述第三金属膜层(也就是顶层Ti)不会对所述第二金属膜层的侧壁进行遮挡。进而，所述第二金属膜层不会存在有机材料的残留，解决了传统结构中侧壁残留的问题，不会在封装过程中形成气泡。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为传统显示面板的玻璃粉(Frit)下的金属层钛-铝-钛的剖面示意图。

图2为本申请一实施例中显示面板的俯视示意图。

图3为本申请一实施例中显示面板的剖面示意图。

图4为本申请一实施例中显示面板的剖面示意图。

图5为本申请一实施例中显示面板的剖面示意图。

图6为本申请一实施例中显示面板的剖面示意图。

图7为本申请一实施例中显示面板的剖面示意图。

图8为本申请一实施例中显示面板的剖面示意图。

图9为本申请一实施例中的层间介电层、第一金属膜层、第二金属膜层以及第三金属膜层的电镜示意图。

图10为本申请一实施例中显示面板的剖面示意图。

附图标记说明：

显示面板100、基板101、封装区10、显示区20、平坦化层104、第一显示区金属层105、第二显示区金属层106、第三显示区金属层107、基底层140、栅极绝缘层150、第一子栅极绝缘层151、第二子栅极绝缘层152、电容绝缘层160、第一子电容绝缘层161、第二子电容绝缘层162、层间介电层170、第一子层间介电层171、第二子层间介电层172、第三凹坑180、第二封装区金属层103、第一封装区金属层102、第二凹坑190、第一金属膜层110、第一延伸部111、第二延伸部112、第二金属膜层120、第三金属膜层130、开口210、凹陷121、开口容纳空间113、第三延伸部114、第一凹坑173、第四延伸部115。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。可以理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还可以理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，同样的附图标记始终表示同样的元件。

在下文中，尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不必须限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。还将理解的是，以单数形式使用的表达包含复数的表达，除非单数形式的表达在上下文中具有明显不同的含义。

显示面板一般包括显示区和封装区。所述显示区包括多个阵列排布的像素单元，每个像素单元可以包括一个驱动晶体管和一个OLED器件。所述显示面板设置有多条导线。每条导线的输入端可以与位于所述显示面板之外的驱动芯片相连，每条导线的输出端分别与每个像素单元中的驱动晶体管相连，用于为每个驱动晶体管提供驱动信号。由于每条导线需要与所述显示面板之外的驱动芯片相连，因此每条导线的一部分会位于所述显示面板的所述封装区内。

传统显示面板中玻璃粉(Frit)封装是将显示面板的阵列基板和封装盖板封装在一起。将玻璃粉(Frit)印刷在封装盖板上，采用激光束移动加热玻璃粉熔化，利用激光高温熔融实现固化和封装。发明人经过长期研究发现，传统显示面板的所述封装区中，玻璃粉(Frit)下的金属层没有平坦化层的保护，存在裸漏的边缘。玻璃粉(Frit)下的金属层为将薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的源漏部、数据线和电源线引出的多条导线。请参见图1，玻璃粉(Frit)下的金属层可以包括Ti(钛)、Al(铝)、Ti(钛)三层结构。在刻蚀阳极过程中，阳极刻蚀液包含草酸，草酸会和Al反应产生侧刻现象，不会与Ti发生反应。玻璃粉(Frit)下的金属层边缘的铝存在侧刻现象。玻璃粉(Frit)下的金属层中顶层Ti对侧刻位置进行了遮挡。在后续制备像素限定层和支撑结构时，容易在铝侧刻位置存在像素限定层和支撑结构等材料的残留。

采用玻璃粉(Frit)封装方法对所述封装区进行封装时，玻璃粉熔融的过程中温度比较高，会使得像素限定层和支撑结构的残留材料发生汽化蒸发形成气泡。进而，在所述封装区中，玻璃粉(Frit)下的气泡降低了封装可靠性。

为了解决上述问题，请参见图2与图3，本申请提供一种显示面板100。所述显示面板100包基板101、第一金属膜层110、第二金属膜层120以及第三金属膜层130。所述基板101包括封装区10和显示区20。所述封装区10围绕所述显示区20设置。所述基板101可以为刚性基板层。所述刚性基板包括玻璃基板，适用于玻璃粉(Frit)封装。

所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130可以为金属活动性的由强到弱的钾、钙、钠、镁、铝、钛、锌、铁、锡、铜、金等金属材料。在一个实施例中，所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130分别为钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)金属材料。所述第二金属膜层120的金属活动性大于所述第一金属膜层110和所述第三金属膜层130的金属活动性。由于铝(Al)的金属活动性大于钛(Ti)的金属活动性，所以在刻蚀阳极过程中，刻蚀液会与铝(Al)发生化学反应，对铝(Al)进行刻蚀。

所述第一金属膜层110设置于所述基板101的一侧，所述第一金属膜层110包括第一延伸部111与第二延伸部112。所述第一延伸部111至少部分位于所述封装区10。所述第一延伸部111沿所述基板101的表面由所述显示区20向所述封装区10延伸。

所述第二延伸部112位于所述封装区10。所述第二延伸部112与所述第一延伸部111连接。所述第二延伸部112的延伸方向与所述第一延伸部111的延伸方向交叉。所述第二延伸部112与所述第一延伸部111的夹角B的角度大于0度且小于180度。所述第二延伸部112的延伸方向远离所述基板101，并向封装盖板方向延伸。所述第一延伸部111与所述第二延伸部112包围形成了开口容纳空间113。

所述第二金属膜层120覆盖所述第一延伸部111远离所述基板101的表面。且所述第二金属膜层120覆盖所述第二延伸部112朝向所述显示区20的表面。所述第二金属膜层120设置于所述开口容纳空间113内。所述第三金属膜层130设置于所述第二金属膜层120远离所述基板101的表面。

所述第二延伸部112的延伸方向与所述第一延伸部111的延伸方向交叉，且所述第二延伸部112的延伸方向远离所述基板101，并向封装盖板方向延伸。当所述第二金属膜层120设置于所述第一延伸部111和所述第二延伸部112的表面时，所述第二金属膜层120会受到所述第二延伸部112的限制，远离所述基板101，并朝向封装盖板方向延伸。并且，所述第二延伸部112对所述第二金属膜层120的侧壁进行了保护。所述第二金属膜层120不会存在侧刻问题。

所述第二金属膜层120设置于所述第三金属膜层130与所述第一金属膜层110之间。所述第三金属膜层130对所述第二金属膜层120的顶部进行了保护。在一个实施例中，所述第三金属膜层130、所述第二金属膜层120以及所述第一金属膜层110形成了所述显示面板100的玻璃粉(Frit)下的金属层。

所述第二金属膜层120受到所述第二延伸部112的限制，远离所述基板101，并朝向封装盖板方向延伸。所述第二延伸部112对所述第二金属膜层120的侧壁进行了保护，且所述第三金属膜层130(也就是顶层Ti)不会对所述第二金属膜层120的侧壁进行遮挡。进而，所述第二金属膜层120不会存在有机材料的残留，解决了传统结构中侧壁残留的问题，不会在封装过程中形成气泡。因此，通过本申请所述显示面板100可以提高封装可靠性。

请参见图3与图4，在一个实施例中，所述第三金属膜层130与所述第二延伸部112之间形成开口210。所述第二金属膜层120从所述开口210露出。

所述第三金属膜层130对所述第二金属膜层120的顶部进行了保护。所述第二延伸部112对所述第二金属膜层120的侧壁进行了保护。由于所述第二延伸部112的延伸方向与所述第一延伸部111的延伸方向交叉，可以使得所述开口210远离所述基板101，且朝向封装盖板。所述第三金属膜层130与所述第二延伸部112形成所述开口210，将所述第二金属膜层120露出。所述第三金属膜层130与所述第一金属膜层110不会对所述第二金属膜层120的刻蚀位置进行遮挡。

在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述开口210处的所述第二金属膜层120进行刻蚀。由于所述开口210远离所述基板101，即使发生刻蚀，刻蚀形成的凹陷121也会远离所述基板101，并朝向封装盖板。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉。因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的所述第二金属膜层120不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第二金属膜层120设置有凹陷121。所述凹陷121位于所述开口210。

所述凹陷121位于所述开口210位置，且远离所述基板101设置。所述凹陷121朝向封装盖板，并与封装盖板的玻璃粉(Frit)相对，所述第三金属膜层130与所述第二延伸部112(即第一金属膜层110)不会对所述凹陷121进行遮挡。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构会经过曝光步骤去除掉。在所述封装区10内，玻璃粉(Frit)下不会存在像素限定层和支撑结构等材料。进而，在封装过程中，激光高温熔融玻璃粉(Frit)时，像素限定层和支撑结构的残留材料也不会发生汽化蒸发形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第一延伸部111与所述第二延伸部112的夹角大于或等于90度且小于180度。

所述第二金属膜层120设置于所述第一延伸部111与所述第二延伸部112的表面。所述第二延伸部112的延伸方向远离所述基板101，且朝向封装盖板设置。所述第一延伸部111与所述第二延伸部112的夹角大于或等于90度且小于180度，可以使得所述第二金属膜层120朝远离所述基板101的方向延伸。所述第二金属膜层120露出的端面远离所述基板101，并朝向封装盖板。

所述第二延伸部112对所述第二金属膜层120的侧壁进行了保护。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层120的端面进行刻蚀后形成的所述凹陷121的开口朝上，远离所述基板101，并朝向封装盖板。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉。

因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第一延伸部111与所述第二延伸部112的夹角为90度，可以使得所述第二金属膜层120朝远离所述基板101的方向延伸。所述第二金属膜层120露出的端面远离所述基板101，垂直朝向封装盖板。在后续制备像素限定层和支撑结构时，可以更有利于对所述凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构的材料进行曝光。

请参见图4，在一个实施例中，所述第一金属膜层110还包括第三延伸部114。所述第三延伸部114的一端与所述第一延伸部111远离所述第二延伸部112的一端连接。所述第三延伸部114的延伸方向与所述第一延伸部111的延伸方向交叉。所述第三延伸部114的延伸方向远离所述基板101，并朝向封装盖板延伸。

所述第二金属膜层120覆盖于所述第一延伸部111远离所述基板101的表面。

所述第二金属膜层120覆盖于所述第二延伸部112朝向所述显示区20的表面。所述第二金属膜层120覆盖于所述第三延伸部114背离所述显示区20的表面。

所述第三延伸部114的延伸方向远离所述基板101，所述第二延伸部112的延伸方向远离所述基板101。所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112依次连接，包围形成所述开口容纳空间113。所述第二金属膜层120设置于所述开口容纳空间113内。在一个实施例中，所述开口容纳空间113在垂直于显示面板的膜层层叠方向的剖面为U形形状。

所述第三延伸部114的延伸方向与所述第一延伸部111的延伸方向交叉，且远离所述基板101。所述第二延伸部112的延伸方向与所述第一延伸部111的延伸方向交叉，且远离所述基板101。当所述第二金属膜层120设置于所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112的表面时，所述第二金属膜层120的两侧的端面都会远离所述基板101设置，并朝向封装盖板。所述第三延伸部114对所述第二金属膜层120的一侧侧壁进行了保护，所述第二延伸部112对所述第二金属膜层120的另一侧侧壁进行了保护。

在刻蚀阳极过程中，刻蚀液不会对所述第二金属膜层120的侧壁进行刻蚀。进而，在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述第二金属膜层120的侧壁不会残留像素限定层和支撑结构等材料。从而，在封装过程中，激光高温熔融玻璃粉(Frit)时，玻璃粉(Frit)下的金属层位置处不会发生汽化蒸发形成气泡，提高了封装可靠性。

请参见图4，在一个实施例中，所述显示面板100还包括层间介电层170。所述第三延伸部114与所述第一延伸部111的夹角为90°至110°。也可以理解为，所述层间介电层170的侧边与底边的夹角A为70°至90°。所述第二金属膜层120覆盖于所述第三延伸部114与所述第一延伸部111的表面。所述第三延伸部114的延伸方向远离所述基板101，且与所述第一延伸部111的夹角为90度至110度，可以使得所述第二金属膜层120朝远离所述基板101的方向延伸。所述第二金属膜层120的端面远离所述基板101。所述第三延伸部114对所述第二金属膜层120的侧壁进行了保护。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层120的端面进行刻蚀后形成的所述凹陷121的开口朝上，远离所述基板101。所述凹陷121的开口朝上，远离所述基板101，表明对所述第二金属膜层120的刻蚀方向始终保持在垂直于显示面板的膜层层叠方向。进而，所述第三金属膜层130和所述第一金属膜层110不会对所述第二金属膜层120进行刻蚀的地方进行遮挡。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉，不会存在残留。

因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

请参见图4，在一个实施例中，所述显示面板100还包括层间介电层170。所述层间介电层170设置于所述基板101的一侧。所述层间介电层170在所述封装区10设置有第一凹坑173。所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112设置于所述第一凹坑173内。所述第一凹坑173远离所述基板101设置，并朝向封装盖板。

所述层间介电层170的材料可以包括氮化硅或氧化硅等材料。所述第一凹坑173远离所述基板101设置。所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112会对所述第一凹坑173的表面覆盖形成凹状结构。所述第二金属膜层120沿着所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112的表面设置，也会形成凹状结构。进而，所述第二金属膜层120的两端会沿着所述第三延伸部114和所述第二延伸部112向远离所述基板101的方向延伸。所述第二金属膜层120的端面远离所述基板101，并朝向封装盖板。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层120的端面进行刻蚀后形成的所述凹陷121的开口朝上，远离所述基板101。在后续制备像素限定层和支撑结构时，所述凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光步骤去除掉。因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，所述第二延伸部112远离所述第一延伸部111的一端与所述层间介电层170远离所述基板101的表面位于同一水平线。所述第二金属膜层120覆盖于所述第二延伸部112的表面。所述第二金属膜层120的端面与所述层间介电层170远离所述基板101的边缘平齐。所述第二金属膜层120通过所述开口210露出，使得所述第二金属膜层120的刻蚀位置无顶钛遮挡，不会存在有机残留。

在一个实施例中，所述第一金属膜层110还包括第四延伸部115。所述第四延伸部115至少部分位于所述封装区10。所述第四延伸部115沿所述基板101的表面由所述封装区10向所述显示区20延伸。所述第三延伸部114远离所述第一延伸部111的一端与所述第四延伸部115连接。此时，所述第三延伸部114将所述第四延伸部115与所述第一延伸部111连接。

所述第四延伸部115的一端与所述第三延伸部114远离所述第一延伸部111的一端连接。所述第四延伸部115设置于所述层间介电层170远离所述基板101的表面。且所述第四延伸部115向所述基板101的显示区20延伸。所述第四延伸部115远离所述第三延伸部114的一端位于所述显示区20。

所述第二金属膜层120设置于所述第四延伸部115与所述第一延伸部111远离所述基板101的表面。所述第二金属膜层120覆盖于所述第二延伸部112朝向所述显示区20的表面。所述第二金属膜层120覆盖于所述第三延伸部114背离所述显示区20的表面。所述第三金属膜层130覆盖于所述第二金属膜层120远离所述基板101的表面、所述第二金属膜层120朝向所述显示区20的表面以及所述第二金属膜层120背离所述显示区20的表面。

请参见图5，所述显示面板100还包括平坦化层104。至少部分平坦化层104位于所述显示区20内，所述平坦化层104设置于所述第三金属膜层130远离所述第二金属膜层120的表面。所述平坦化层104将所述第四延伸部115、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130的侧壁包围设置。位于所述显示区20内，所述平坦化层104对所述第四延伸部115、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130的侧壁进行保护，不会发生侧刻问题。

因此，通过本申请所述显示面板100，可以对所述封装区10的玻璃粉(Frit)下的金属层的裸露边缘进行设计，使得所述第二金属膜层120的侧刻位置无所述第一金属膜层110和所述第三金属膜层130遮挡。进而，在后续制备像素限定层和支撑结构时，会将侧刻凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构材料曝光去除掉。所以，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构等材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

请参见图5，在一个实施例中，位于所述封装区10内，所述层间介电层170包括第一子层间介电层171与第二子层间介电层172。所述第一子层间介电层171与所述第二子层间介电层172设置于所述基板101靠近所述第一金属膜层110的表面。所述第一子层间介电层171以及所述第二子层间介电层172包围形成第一凹坑173。

所述显示面板100还包括第二封装区金属层103，位于所述封装区10内。所述第二封装区金属层103可以为将薄膜晶体管的源漏部、数据线和电源线引出的多条导线。所述显示面板100还包括第二显示区金属层106，位于所述显示区20内。所述第二显示区金属层106用于形成薄膜晶体管的源漏部、数据线和电源线等。所述第二显示区金属层106设置于所述电容绝缘层160远离所述基板101的表面。

所述第二封装区金属层103设置于所述第一凹坑173内。所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130至少部分设置于所述第一凹坑173内。可以理解为，所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130全部设置于所述第一凹坑173内，如图10所示结构。或者，所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130部分设置于所述第一凹坑173内，如图5所示结构。所述第一延伸部111设置于所述第二封装区金属层103远离所述基板101的表面。所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112设置于所述第一凹坑173内。所述第四延伸部115设置于所述第一子层间介电层171远离所述基板101的表面，并向所述显示区20延伸。

请参见图6，在一个实施例中，位于所述封装区10内，所述显示面板100还包括电容绝缘层160与第一封装区金属层102。所述第一封装区金属层102可以为将薄膜晶体管的源漏部、数据线和电源线引出的多条导线。所述电容绝缘层160的材料可以包括氮化硅、氧化硅等材料。

位于所述封装区10内，电容绝缘层160包括第一子电容绝缘层161与第二子电容绝缘层162。所述第一子电容绝缘层161与所述第二子电容绝缘层162设置于所述基板101靠近所述第一金属膜层110的表面。所述第一子层间介电层171设置于所述第一子电容绝缘层161远离所述基板101的表面。所述第二子层间介电层172设置于所述第二子电容绝缘层162远离所述基板101的表面。所述第一子电容绝缘层161、所述第二子电容绝缘层162、所述第一子层间介电层171、所述第二子层间介电层172包围形成第二凹坑190。所述第一封装区金属层102设置于所述第二凹坑190内。

所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130至少部分设置于所述第二凹坑190内。可以理解为，所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130全部设置于所述第二凹坑190内，如图7所示结构。或者所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130部分设置于所述第二凹坑190内，如图6所示结构。所述第一延伸部111设置于所述第一封装区金属层102远离所述基板101的表面。所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112设置于所述第二凹坑190内。所述第四延伸部115设置于所述第一子层间介电层171远离所述基板101的表面，并向所述显示区20延伸。

请参见图8，位于所述显示区20内，所述显示面板100还包括第一显示区金属层105。所述第一显示区金属层105用于形成薄膜晶体管的源漏部、数据线和电源线等。所述第一显示区金属层105设置于所述栅极绝缘层150远离所述基板101的表面。

位于所述显示区20内，所述显示面板100还包括第三显示区金属层107。所述第三显示区金属层107包括底层钛1071、中间层铝1072以及顶层钛1073。在所述显示区20内，所述第一显示区金属层105、所述第二显示区金属层106以及所述第三显示区金属层107用于形成像素电路。

在一个实施例中，所述显示面板100还包括基底层140、栅极绝缘层150、电容绝缘层160以及层间介电层170。所述基底层140的材料可以包括氮化硅、氧化硅等材料，用于隔绝所述基板101的玻璃内的杂质扩散到显示区。所述栅极绝缘层150的材料可以包括氮化硅、氧化硅等材料。

位于所述封装区10内，所述基底层140设置于所述基板101靠近所述第一金属膜层110的表面。所述栅极绝缘层150包括第一子栅极绝缘层151与第二子栅极绝缘层152。所述第一子栅极绝缘层151与所述第二子栅极绝缘层152设置于所述基底层140远离所述基板101的表面。所述电容绝缘层160包括第一子电容绝缘层161与第二子电容绝缘层162。所述第一子电容绝缘层161设置于所述第一子栅极绝缘层151远离所述基底层140的表面。所述第二子电容绝缘层162设置于所述第二子栅极绝缘层152远离所述基底层140的表面。

所述层间介电层170包括第一子层间介电层171与第二子层间介电层172。所述第一子层间介电层171设置于所述第一子电容绝缘层161远离所述第一子栅极绝缘层151的表面，所述第二子层间介电层172设置于所述第二子电容绝缘层162远离所述第二子栅极绝缘层152的表面。

所述第一子栅极绝缘层151、所述第二子栅极绝缘层152、所述第一子电容绝缘层161、所述第二子电容绝缘层162、所述第一子层间介电层171以及所述第二子层间介电层172包围形成第三凹坑180。所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130至少部分设置于所述第三凹坑180内。可以理解为，所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130全部设置于所述第三凹坑180内，如图3所示结构。或者，所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130部分设置于所述第三凹坑180内，如图8所示结构。所述第一延伸部111设置于所述基底层140远离所述基板101的表面。所述第三延伸部114、所述第一延伸部111以及所述第二延伸部112设置于所述第三凹坑180内。所述第四延伸部115设置于所述第一子层间介电层171远离所述基板101的表面，并向所述显示区20延伸。

请参见图8，在一个实施例中，在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述开口210处的所述第二金属膜层120进行刻蚀，形成所述凹陷121。所述凹陷121的深度为500nm至600nm。所述层间介电层170、所述电容绝缘层160以及所述栅极绝缘层150的总厚度为900nm至1000nm。由此可以看出，所述凹陷121的深度小于所述层间介电层170、所述电容绝缘层160以及所述栅极绝缘层150的总厚度。可以理解为，所述第二金属膜层120刻蚀的方向不会与所述基板101平行，也就是不会发生水平方向的侧刻问题。所述第三金属膜层130不会对所述凹陷121进行遮挡，也就是不会对有机胶(像素限定层和支撑结构等材料)进行遮挡。在后续制备时，所述凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构也会经过曝光去除掉。因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

请参见图9，从图9中可以看出，所述层间介电层170的侧边与底边的夹角A为86.6°和81.0°。所述第三金属膜层130(顶钛)几乎与Y方向平行，不会遮挡有机胶(像素限定层和支撑结构等材料)的曝光。

请参见图10，在一个实施例中，本申请提供一种显示面板的制备方法，包括：

S10，提供基板101，包括封装区10和显示区20，在所述基板101表面制备层间介电层170；

S20，对所述层间介电层170远离所述基板101的表面进行刻蚀，形成第一凹坑173；

S30，在所述第一凹坑173内沉积第一金属膜层110，形成沿所述第一凹坑173的表面由所述显示区20向所述封装区10延伸的第一延伸部111与第二延伸部112，所述第二延伸部112的延伸方向与所述第一延伸部111的延伸方向交叉；

S40，沉积第二金属膜层120，覆盖所述第一延伸部111远离所述基板101的表面，以及所述第二延伸部112朝向所述显示区20的表面；

S50，沉积第三金属膜层130，覆盖在所述第二金属膜层120远离所述第一金属膜层110的表面，所述第二金属膜层120的金属活动性大于所述第一金属膜层110和所述第三金属膜层130的金属活动性。

在所述S20中，对所述层间介电层170的表面进行曝光、显影、刻蚀等步骤形成所述第一凹坑173。对所述层间介电层170的表面进行刻蚀时，刻蚀对象为氮化硅或氧化硅等材料。

在所述封装区10内，对所述层间介电层170的表面进行刻蚀，形成所述第一凹坑173，如图10所示结构。

在所述封装区10内，当所述封装区10包括所述第二封装区金属层103时，对所述层间介电层170的表面进行刻蚀，刻蚀至所述第二封装区金属层103停止，形成所述第一凹坑173，如图4所示结构。

当所述封装区10包括第一封装区金属层102时，对所述层间介电层170的表面进行刻蚀，依次刻蚀所述层间介电层170、所述电容绝缘层160至所述第一封装区金属层102停止，形成所述第二凹坑190，如图6所示结构。

当所述封装区10不包括所述第二封装区金属层103和所述第一封装区金属层102时，对所述层间介电层170的表面进行刻蚀，依次刻蚀所述层间介电层170、所述电容绝缘层160、所述栅极绝缘层150至所述基底层140停止，形成所述第三凹坑180，如图3与图8所示结构。

在所述S20中，根据所述封装区10内的位置不同，刻蚀的膜层也不同。

在一个实施例中，采用CF₄和O₂的混合气体对所述层间介电层170和所述电容绝缘层160进行刻蚀。采用终点检测系统(End Point Detector，EPD)对所述电容绝缘层160的刻蚀终点进行抓取。采用CF₄和O₂的混合气体对所述层间介电层170和所述电容绝缘层160进行刻蚀，刻蚀速率较快，刻蚀效率高。采用C₂HF₅、Ar和H₂对所述栅极绝缘层150进行刻蚀。

所述显示面板的制备方法通过在封装区10的玻璃粉(Frit)下的金属层的边缘处，对所述层间介电层170进行刻蚀，可以使得所述层间介电层170的倾斜角(taper角)为70°至90°，形成所述第一凹坑173。

在所述第一凹坑173内，依次沉积所述第一金属膜层110、所述第二金属膜层120以及所述第三金属膜层130，使得所述第二金属膜层120的侧刻位置无所述第一金属膜层110和所述第三金属膜层130遮挡。在刻蚀阳极过程中，刻蚀液对所述第二金属膜层120的侧刻位置进行侧刻之后。由于所述第二金属膜层120的侧刻位置无所述第一金属膜层110和所述第三金属膜层130遮挡，在后续制备像素限定层和支撑结构等有机材料时，会将侧刻凹陷121内残留的像素限定层和支撑结构等有机材料曝光去除掉。

因此，在封装过程中，玻璃粉(Frit)下的金属层不会残留像素限定层和支撑结构材料，进而不会形成气泡，提高了封装可靠性。

在一个实施例中，本申请提供一种显示装置，包括上述实施例中任一所述的显示面板100。所述显示装置可以为液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板(101)，包括封装区(10)和显示区(20)；

第一金属膜层(110)，设置于所述基板(101)的一侧，所述第一金属膜层(110)包括：第一延伸部(111)，至少部分位于所述封装区(10)，并沿所述基板(101)的表面由所述显示区(20)向所述封装区(10)延伸；第二延伸部(112)，位于所述封装区(10)，并与所述第一延伸部(111)连接，所述第二延伸部(112)的延伸方向与所述第一延伸部(111)的延伸方向交叉；

第二金属膜层(120)，覆盖所述第一延伸部(111)远离所述基板(101)的表面，以及所述第二延伸部(112)朝向所述显示区(20)的表面；

第三金属膜层(130)，设置于所述第二金属膜层(120)远离所述基板(101)的表面，所述第二金属膜层(120)的金属活动性大于所述第一金属膜层(110)和所述第三金属膜层(130)的金属活动性；

所述第一金属膜层(110)还包括：

第三延伸部(114)，所述第三延伸部(114)的一端与所述第一延伸部(111)远离所述第二延伸部(112)的一端连接，所述第三延伸部(114)的延伸方向与所述第一延伸部(111)的延伸方向交叉；

所述第二金属膜层(120)覆盖所述第三延伸部(114)背离所述显示区(20)的表面；

所述显示面板(100)还包括：

层间介电层(170)，设置于所述基板(101)的一侧；

所述层间介电层(170)在所述封装区(10)包括第一凹坑(173)，所述第三延伸部(114)、所述第一延伸部(111)以及所述第二延伸部(112)设置于所述第一凹坑(173)内；

所述第一金属膜层(110)还包括：

第四延伸部(115)，至少部分位于所述封装区(10)，并沿所述基板(101)的表面由所述封装区(10)向所述显示区(20)延伸，所述第三延伸部(114)远离所述第一延伸部(111)的一端与所述第四延伸部(115)连接。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三金属膜层(130)与所述第二延伸部(112)之间形成开口(210)，所述第二金属膜层(120)从所述开口(210)露出。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属膜层(120)包括凹陷(121)，所述凹陷(121)位于所述开口(210)。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一延伸部(111)与所述第二延伸部(112)的夹角大于或等于90度且小于180度。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一延伸部(111)与所述第三延伸部(114)的夹角为90度至110度。

6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供基板(101)，包括封装区(10)和显示区(20)，在所述基板(101)表面制备层间介电层(170)；

S20，对所述层间介电层(170)远离所述基板(101)的表面进行刻蚀，形成第一凹坑(173)；

S30，在所述第一凹坑(173)内沉积第一金属膜层(110)，形成沿所述第一凹坑(173)的表面由所述显示区(20)向所述封装区(10)延伸的第一延伸部(111)与第二延伸部(112)，所述第二延伸部(112)的延伸方向与所述第一延伸部(111)的延伸方向交叉；

S40，沉积第二金属膜层(120)，覆盖于所述第一延伸部(111)远离所述基板(101)的表面，以及所述第二延伸部(112)朝向所述显示区(20)的表面；

S50，沉积第三金属膜层(130)，覆盖于所述第二金属膜层(120)远离所述第一金属膜层(110)的表面，所述第二金属膜层(120)的金属活动性大于所述第一金属膜层(110)和所述第三金属膜层(130)的金属活动性。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的显示面板。