CN113539871A - 一种链式pecvd镀膜工艺稳定性的检测方法 - Google Patents

一种链式pecvd镀膜工艺稳定性的检测方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，该检测方法包括如下步骤：采取相同镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片，烧结得半成品；分别对半成品进行PL和隐性开路电压测试，或PL和饱和电流密度测试，或PL和隐性开路电压、饱和电流密度测试；根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性；其中，不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致；不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0‑3/5时间段内；各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致。该检测方法通过对半成品进行测试，能够方便、快捷、直观地体现链式PECVD镀膜工艺稳定性，节约生产成本。

Description

一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法
技术领域
本发明属于太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法。
背景技术
太阳能电池制作过程中，PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)是其中重要的一道工序，其目的是在硅片表面形成一层具有减反射及钝化作用的薄膜，该薄膜的效果会直接影响太阳能电池的光电转换效率，进而影响电池的性能及可靠性。
为保证PECVD镀膜效果，目前传统的方法是定期进行镀膜设备的维护，或辅以膜厚折射率测量、电池电参数波动数据。其中，定期进行镀膜设备的维护并不能直观地监控镀膜的实际效果，原因如下：1)可能还未到维护时间，但是镀膜效果已经变差，待到达维护时间这期间，镀膜效果较差的硅片已经流转至下一工序，最终得到的太阳能电池光电转换效率降低，不合格品增多，生产成本增加；2)可能虽然到达镀膜设备的维护时间，但镀膜效果依然很稳定，可以延长设备维护时长，节约成本。
膜厚折射率的测量，其本身就具有一定的范围要求，具有局限性，无法直观的反映镀膜钝化效果；电池电参数虽然能够直观反映镀膜效果，但是检测电池电参数用时较长，在镀膜完成后，仍需流转完成后工序的制备(如图1所示)，最终对制得的太阳能电池进行性能检测才能得到电池电参数，如果电池电参数变差，说明镀膜效果差，而这期间，镀膜工艺仍在继续，会导致较多的不合格品生成，对应消耗较多高成本的辅材(如印刷电极栅线使用的银浆等)，无形中使得生产成本增加。
为降低不合格镀膜硅片的流转，节约生产成本，急需一种能够随时、准确地监控PECVD镀膜效果的方法。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，该方法不仅能够方便快捷，直观地体现PECVD镀膜工艺的稳定性，而且可随时、准确地监控镀膜设备运行状态，可有效降低不合格镀膜硅片的流转，节约生产成本。
为达到上述发明目的，本发明实施例采用了如下的技术方案：
一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，包括如下步骤：
采取相同的镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片，烧结得半成品；
分别对半成品进行PL(Photo Luminescence)和隐性开路电压(iVoc)测试，或PL和饱和电流密度(J0)测试，或PL和隐性开路电压(iVoc)、饱和电流密度(J0)测试；
根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性；
其中，不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致；
不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内；
各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致。
PL测试即光致发光测试。
本发明提供的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，通过在镀膜的一个维护周期内限定镀膜硅片前端各工序(如制绒、扩散、清洗)工艺保持一致，保证在镀膜工艺出现差异时首先排除其他环节导致的影响，提高检测方法的准确性及可靠性。通过采取相同的镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片进行烧结，以工艺过程中的半成品作为测试对象，不仅省略了印刷步骤中印刷电极栅线使用的银浆等，节约了成本；而且能够方便、直观、快捷地反映链式PECVD镀膜效果，随时监控镀膜设备运行状态，降低不合格镀膜硅片的流转。通过对镀膜硅片进行烧结得到的半成品进行PL和iVoc测试，或者是PL和J0测试，或者是PL和iVoc、J0测试，并限定各半成品测试条件一致，防止因测试条件不同导致测试结果对比不准确，便于对链式PECVD镀膜工艺的稳定性进行准确、可靠的判断，避免单独采用PL、iVoc或J0的测试结果进行评估，导致评估结果不可靠，如当不同时间点PL图像局部亮度差距较大(大于10％)时，并不能说明链式PECVD镀膜工艺稳定性变差，可能是由于样品局部污染所致。通过限定不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内，保证至少有一个半成品是正常镀膜工艺下制得的，提高评估结果的准确性和可靠性。
本发明提供的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，通过对半成品进行相应的测试，方便、快捷、直观地体现链式PECVD镀膜工艺稳定性，能够在太阳能电池制作过程中随时、有效地监控镀膜设备运行状态，当镀膜设备需要维护时，及时进行维护能够降低不合格硅片的流转，节约生产成本。
此外，虽然本发明提供的检测方法仅限定了链式PECVD镀膜工艺，但是在本发明上述检测方法的发明构思上，结合其他方式镀膜方法的操作过程，得到的相应的检测方法，也是适用的。由于其它方式的PECVD镀膜工艺与链式PECVD镀膜工艺的操作步骤等差异较大，本发明对其它方式的PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法不再赘述。
可选地，不同时间点完成的镀膜硅片进行烧结的工艺保持一致。通过限定不同时间点完成的镀膜硅片的烧结工艺(步骤及参数等)的一致性，可进一步提高检测方法对镀膜设备运行状态监控的准确性。
可选地，所述不同时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5、3/5-4/5、4/5-1三个时间段内；其中，整个镀膜工艺周期的3/5、4/5这两个时间点属于3/5-4/5的时间段内。通过限定检测方法中被检测的半成品的取样时间点，可进一步提高检测方法对镀膜设备运行状态监控的准确性。
可选地，所述镀膜为氮化硅镀膜和/或氧化铝膜，或者是其他采用链式PECVD制备的具有钝化作用的薄膜中的任一种。
可选地，所述镀膜为双面镀膜或单面镀膜。
可选地，当各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的隐性开路电压值均相差10mV及以上；或
各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的饱和电流密度值均相差5fA/cm2及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺不稳定性，需要对镀膜设备进行维护。
可选地，当各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差小于等于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的隐性开路电压值均相差10mV以内；或
各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差小于等于10％，烧结后硅片的边缘与中心的饱和电流密度值均相差5fA/cm2以内时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定。
可选地，当各时间点得到的PL图像整体亮度不均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且只有烧结后硅片的边缘或中心的隐性开路电压值相差10mV及以上；或
各时间点得到的PL图像整体亮度不均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且只有烧结后硅片的边缘或中心的饱和电流密度值相差5fA/cm2及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定，说明镀膜硅片的前端工序中出现了硅片样品被局部污染的情况，可进行相应的处理。
附图说明
图1为现有技术中采用电池电参数检测镀膜工艺稳定性的流程图；
图2为本发明中链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法的流程图；
图3为实施例1中链式PECVD镀膜运行至50h时的PL图像；
图4为实施例1中链式PECVD镀膜运行至80h时的PL图像；
图5为实施例1中链式PECVD镀膜运行至90h时的PL图像。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，如图2所示，包括以下步骤：
S1、制绒
将硅片放入75℃的氢氧化钾和双氧水的混合溶液中浸泡100-300s，用以去除因切割引入的硅片表面的损伤层，然后将上述表面处理后的硅片放入氢氧化钾的水溶液中浸泡600-900s，对硅片进行刻蚀，生成随机金字塔结构，即得制绒后的硅片。
其中，氢氧化钾和双氧水的混合溶液是由1-5wt％KOH溶液、1-5wt％H2O2溶液与去离子水按照体积比为1：9：100混合得到；氢氧化钾的水溶液是由1-5wt％KOH溶液与去离子水按照体积比为3：50混合得到。
S2、扩散
将制绒后硅片放入管式扩散炉进行磷/硼扩散，利用氮气携带磷源POCl3/硼源BBr3，携源气体流量为100-1000sccm，扩散温度为850-950℃，扩散时间为10-30min，以形成方阻为50-150Ω/㎝2的发射极。氮气纯度大于或等于99.999％，三氯氧磷和三溴化硼纯度大于或等于99.9999％。
S3、清洗
将扩散后的硅片浸泡在浓度1wt％-5wt％的HF溶液中，浸泡时间为100-500s，用以去除硅片表面的磷硅玻璃或硼硅玻璃，再经水洗，去除表面酸液并将硅片烘干。
S4、镀膜
在清洗后的硅片单面或双面形成氮化硅钝化膜，用于对所述硅片表面的悬挂键进行钝化；
具体地，将清洗后的硅片置于链式PECVD载板上，进入加热腔室加热至300-400℃，维持10-50s，然后进入工艺腔室，在硅烷(SiH4)与氨气气体流量比值0.5-1的混合气体氛围中维持3-4min完成氮化硅膜层的制备。
S5、烧结
选取相同的镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片进行烧结处理，得到不同时间点的半成品；其中，至少有一个时间点选自整个镀膜工艺周期的低0-3/5时间段内；
具体地，烧结处理包括：将镀膜后的硅片放于链式烧结炉进行高温退火，烧结炉峰值温度设定为700-900℃，退火时长为1-3min，以通过高温释放氮化硅膜层中的氢，用以钝化硅片表面悬挂键及缺陷。
不同时间点可选自整个镀膜工艺周期的第0-3/5、3/5-4/5、4/5-1三个时间段内，其中，3/5、4/5这两个时间点属于3/5-4/5的时间段内；或者是整个镀膜工艺周期的第0-3/5、3/5-1的时间段内，其中，3/5的时间点属于3/5-1的时间段内。
S6、测试
对S5得到的不同时间点的半成品进行PL和iVoc测试，或PL和J0测试，或PL和iVoc、J0测试，得到PL图像和隐性开路电压，或PL图像和饱和电流密度，或PL图像、隐性开路电压和饱和电流密度；
PL测试，通过PL测试得到不同时间点的半成品的PL图像及亮度值Y1、Y2、Y3等，其中，Y1、Y2、Y3中的下角标代表取样的先后顺序。PL图像的亮度越高、越均匀，说明镀膜钝化效果好，反之越差。
由于PL(光致发光)的测试条件会影响测试结果，而测试结果对该检测方法起着重要的影响。因此，PL测试的亮度设定范围要相同。优选的，所述光致发光(PL)测试的测试光照强度为1sun，曝光时间为0.1-3s。更优的，所述光致发光(PL)测试的测试光照强度为1sun，曝光时间为0.1-0.5s。
隐性开路电压(iVoc)测试，通过iVoc测试得到不同时间点的半成品边缘的隐性开路电压值M1i(M11、M12、M13)及中心的隐性开路电压值M2i(M21、M22、M23)；其中，M1i、M2i中的i代表取样的先后顺序，隐性开路电压数值的大小受硅片表面钝化效果影响，该数值越大说明镀膜钝化效果越好。
饱和电流密度测试，通过饱和电流密度测试得到不同时间点的半成品边缘的饱和电流密度N1i(N11、N12、N13...)和中心的饱和电流密度N2i(N21、N22、N23....)；其中，N1i、N2i中的i代表取样的先后顺序，饱和电流密度能够体现硅片表面复合程度，该数值越大说明复合越高，反之则说明硅片表面复合低，镀膜钝化效果好。
隐性开路电压(iVoc)测试和饱和电流密度测试，均采用QSSPC(准稳态光电导)测试设备进行相关测试，通过PN型(根据测试样品选择P型或者N型)、硅片电阻率(本发明中为1-5Ω·cm)、硅片厚度(本发明中为160-200μm)等参数进行设定，然后对待测样品进行测试得到隐性开路电压值和饱和电流密度值，其中，1sun对应的数值即为所需隐性开路电压值。
S7、评估
设定硅片的亮度下降率为Di，Di＝(Yi-Y1)/Y1×100％；i＝2，3...；
根据各时间点PL图像亮度的整体均匀性、Di、M1i-M11的数值以及M2i-M21的数值，或根据各时间点PL图像亮度的整体均匀性、Di、N1i-N11的数值及N2i-N21的数值，或根据各时间点PL图像亮度的整体均匀性、Di、M1i-M11的数值、M2i-M21的数值、N1i-N11的数值以及N2i-N21的数值，判断链式PECVD镀膜工艺的稳定性。
1)当各时间点测得的PL图像整体亮度都均匀，Di大于10％，且M1i-M11的数值以及M2i-M21的数值均大于10mV及以上；
或各时间点测得的PL图像整体亮度都均匀，Di大于10％，且N1i-N11的数值以及N2i-N21的数值均大于5fA/cm2及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺不稳定，需要对镀膜设备进行维护。
2)当各时间点测得的PL图像整体亮度都均匀，Di小于等于10％，且M1i-M11的数值以及M2i-M21的数值均小于10mV；
或Di小于等于10％，且M1i-M11的数值以及M2i-M21的数值均小于5fA/cm2时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定，镀膜设备不需要维护。
3)当各时间点测得的PL图像整体亮度不均匀，Di大于10％，且M1i-M11的数值大于10mV及以上；
或各时间点测得的PL图像整体亮度不均匀，Di大于10％，且M2i-M21的数值大于10mV及以上；
或各时间点测得的PL图像整体亮度不均匀，Di大于10％，且N1i-N11的数值大于5fA/cm2及以上；
或各时间点测得的PL图像整体亮度不均匀，Di大于10％，且N2i-N21的数值大于5fA/cm2及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定，属于局部污染；镀膜设备不需要维护，需要对操作工序设备进行检查，找出局部污染的原因并进行处理。
本发明提供的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法不需将硅片制成电池，省略了印刷步骤中印刷电极栅线使用的银浆等，节约生产成本；在镀膜的一个维护周期内限定镀膜硅片前端各工序(如制绒、扩散、清洗)工艺保持一致，保证在镀膜工艺出现差异时首先排除其他环节导致的影响，提高检测方法的准确性及可靠性；通过对半成品(烧结后的镀膜硅片)进行相应的测试，在太阳能电池制作过程中随时监控镀膜设备运行状态，当镀膜设备需要维护时，及时进行维护，降低不合格硅片的流转；该检测方法能够方便、快捷、直观地体现链式PECVD镀膜工艺稳定性。
下面将以具体实施例来进一步阐述本发明。
实施例1
本实施例提供一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，包括如下步骤：
S1、制绒
将硅片放入75℃的氢氧化钾和双氧水的混合溶液中浸泡300s，用以去除因切割引入的硅片表面的损伤层，然后将上述表面处理后的硅片放入氢氧化钾的水溶液中浸泡600s，对硅片进行刻蚀，生成随机金字塔结构，即得制绒后的硅片。
其中，氢氧化钾和双氧水的混合溶液是由3wt％KOH溶液、3wt％H2O2溶液与去离子水按照体积比为1：9：100混合得到；氢氧化钾的水溶液是由3wt％KOH溶液与去离子水按照体积比为3：50混合得到。
S2、扩散
将制绒后硅片放入管式扩散炉进行磷扩散，利用氮气携带磷源POCl3，扩散流量为800sccm，扩散温度为850℃，扩散时间为30min，以形成方阻为150Ω/㎝2的发射极。氮气纯度大于或等于99.999％，三氯氧磷纯度大于或等于99.9999％。
S3、清洗
将扩散后的硅片浸泡在浓度3wt％的HF溶液中，浸泡时间为150s，用以去除硅片表面的磷硅玻璃，再经水洗，去除酸液并将硅片烘干。
S4、镀膜
将清洗后的硅片置于链式PECVD载板上，进入加热腔室加热至400℃，维持30s，然后进入工艺腔室，在流量比为0.8:1的硅烷(SiH4)与氨气的混合气体氛围中维持4min完成氮化硅膜层的制备。
S5、烧结
选取S4中一个镀膜周期内第50h，80h，90h完成的镀膜硅片，将镀膜后硅片放于链式烧结炉进行高温退火，烧结炉峰值温度设定为900℃，退火时长为3min，以通过高温释放氮化硅膜层中的氢，用以钝化硅片表面悬挂键及缺陷。
S6、测试
将S5得到的半成品，分别进行PL、J0、iVoc测试，测试条件如下：
采用QSSPC(准稳态光电导)测试设备进行相关测试，通过PN型(本实施例选择P型)、硅片电阻率(本实施例选为1.5Ω·cm)、硅片厚度(本实施例选用170μm)等参数设定，对待测样品进行测试。
镀膜周期内第50h，80h，90h的PL图像如图3-5所示，具体检测结果如表1所示：
表1 测试结果
Figure BDA0003134179520000111
注：D2为80h与50h测得的光致衰减率，D3为90h与50h测得的光致衰减率。
由上表中的数据可知，在80h时，D2大于10％，iVoc测试数据中边缘对应数值相对于50h抽测样品测试值无降低，表现出良好的钝化效果，但中心区域iVoc数值降低较多，超出10mV，中心区域80h与50h的J0数值升高超过5fA/cm2，结合附图3和4，附图4中PL图像亮度不均匀，可判断在第80h时，硅片存在局部污染，链式PECVD镀膜工艺稳定，此时镀膜设备不需要维护，需要对操作工序设备进行检查，找出局部污染的原因并进行处理。处理之后，当设备运行至第90h时，对样品进行抽测，D3大于10％，iVoc中心及边缘测试数值相对于50h抽测样品测试值下降均超出10mV，J0中心及边缘的数值相对于50h抽测样品测试值均升高超过5fA/cm2，结合PL测试结果，参见附图3和附图5可知，附图5中的PL图像亮度均匀，可判断90h时链式PECVD设备工艺稳定性变差，需对镀膜设备进行维护。
实施例2
本实施例提供一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，本实施例与实施例1相似，区别仅在于，
1)烧结时选取S4中一个镀膜周期内第30h，98h完成的镀膜硅片。
2)测试时将S5得到的半成品，分别进行PL和J0测试，测试条件与实施例1中的测试条件相同。
具体检测结果如表2所示：
表2 测试结果
Figure BDA0003134179520000121
注：D2为98h与30h测得的光致衰减率。
由上表中的数据可知，设备运行至98h时，抽样检测样品与30h相比，D2小于10％，J0中心及边缘测试数值相对于30h抽测样品测试值升高未超过5fA/cm2，结合PL附图亮度均匀的测试结果，可判断98h时链式PECVD设备工艺稳定性良好，不需维护，可继续使用。
实施例3
本实施例提供一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，本实施例与实施例1相似，区别仅在于，
1)烧结时选取S4中一个镀膜周期内第30h，90h，120h完成的镀膜硅片。
2)测试时将S5得到的半成品，分别进行PL和iVoc测试，测试条件与实施例1中的测试条件相同。
具体检测结果如表3所示：
表3 测试结果
Figure BDA0003134179520000122
Figure BDA0003134179520000131
注：D2为90h与30h测得的光致衰减率，D3为120h与30h测得的光致衰减率。
由上表中的数据可知，在90h进行抽样检测，D2小于10％，iVoc测试数据中心及边缘对应数值相对于30h抽测样品测试值降低未超过10mV，可判断90h时的钝化效果良好，不需要对设备进行维护。当达到120h时，抽样检测的D3大于10％，iVoc测试数据中心及边缘对应数值相对于30h抽测样品测试值降低超过10mV，可判断120h时镀膜工艺变差，需要对设备进行维护。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
采取相同镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片，烧结得半成品；
分别对所述半成品进行PL和隐性开路电压测试，或PL和饱和电流密度测试，或PL和隐性开路电压、饱和电流密度测试；
根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性；
其中，不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致；
不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内；
各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致。
2.根据权利要求1所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，不同时间点完成的镀膜硅片进行烧结的工艺保持一致。
3.根据权利要求1或2所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，所述不同时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5、3/5-4/5、4/5-1三个时间段内。
4.根据权利要求1或2所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，所述镀膜为氮化硅镀膜和/或氧化铝膜。
5.根据权利要求1所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，所述镀膜为双面镀膜或单面镀膜。
6.根据权利要求1所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，当各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的隐性开路电压值均相差10mV及以上；或
各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的饱和电流密度值均相差5fA/cm2及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺不稳定性。
7.根据权利要求1所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，当各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差小于等于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的隐性开路电压值均相差10mV以内；或
各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差小于等于10％，烧结后硅片的边缘与中心的饱和电流密度值均相差5fA/cm2以内时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定。
8.根据权利要求1所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，当各时间点得到的PL图像整体亮度不均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且只有烧结后硅片的边缘或中心的隐性开路电压值相差10mV及以上；或
各时间点得到的PL图像整体亮度不均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且只有烧结后硅片的边缘或中心的饱和电流密度值相差5fA/cm2及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定。
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