CN113539307A - 基于操作参数的电流调节技术 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及基于操作参数来调节电流的技术。一种设备可以包含放大器、反馈部件以及第一和第二电流发生器。所述放大器可以包含用于接收第一电压的输入和用于输出第二电压的输出。所述第一电流发生器可以与所述放大器的所述输出耦合，并且至少部分地基于所述第二电压产生第一电流。所述反馈部件可以与所述第一电流发生器耦合，以至少部分地基于与存储器装置相关联的工作温度修改所述第一电流。所述第一电流可以与所述工作温度成比例。所述第二电流发生器可以与所述第一电流发生器耦合，以至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。

Description

基于操作参数的电流调节技术
交叉引用
本专利申请要求褚(Chu)等人于2020年4月17日提交的标题为“基于操作参数来调节电流的技术(TECHNIQUES FOR ADJUSTING CURRENT BASED ON OPERATING PARAMETERS)”的第16/852,019号美国专利申请的优先权，所述专利申请被分配给本申请的受让人，并以全文引用的方式明确并入本申请中。
技术领域
本技术领域涉及基于操作参数来调节电流的技术。
背景技术
存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。为了存取所存储信息，部件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，部件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可维持所存储逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失它们所存储状态。
发明内容
描述一种设备。所述设备可以包含：放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的输入和用于输出至少部分地基于所述第一电压的第二电压的输出；第一电流发生器，所述第一电流发生器与所述放大器的所述输出耦合，并用于至少部分地基于由所述放大器输出的所述第二电压产生第一电流；反馈部件，所述反馈部件与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于与所述设备相关联的工作温度修改所述第一电流，所述第一电流与所述工作温度成比例；以及第二电流发生器，所述第二电流发生器与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。
描述一种设备。所述设备可以包含：放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的第一输入、第二输入和输出；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极和源极，所述栅极与所述放大器的所述输出耦合；电阻部件，所述电阻部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述电阻部件还与所述放大器的所述第二输入耦合；跟踪部件，所述跟踪部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述跟踪部件包括以二极管配置彼此耦合的一对晶体管；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极和源极，所述栅极与所述放大器的所述输出耦合，所述第二晶体管经配置以在所述第二晶体管的所述源极上产生第一电流，所述第一电流镜射在所述第一晶体管的所述源极上产生的第二电流。
描述一种方法。所述方法可以包含：在放大器的输入处接收输入电压；识别与所述输入电压相关联的存储器装置的工作温度；至少部分地基于所述放大器的输出处的电压，通过第一电流发生器来产生第一电流，所述第一电流与所述工作温度成比例；通过反馈部件汲取由所述第一电流发生器产生的所述第一电流；至少部分地基于通过所述反馈部件汲取所述第一电流，通过第二电流发生器产生用于存储器单元阵列的第二电流，所述第二电流镜射所述第一电流并且与所述工作温度成比例；以及将由所述第二电流发生器产生的所述第二电流输出到所述存储器单元阵列。
附图说明
图1示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的存储器裸片的实例。
图2示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的电路的实例。
图3示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的相对于温度的电流分布的曲线图。
图4示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的电路的实例。
图5示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的存储器装置的框图。
图6示出的流程图示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的一或多种方法。
具体实施方式
在一些存储器装置中，电路中电流的使用可以基于存储器装置的不同操作条件而变化。例如，电流可以基于存储器装置的温度、存储器装置上的其它电流、存储器系统中不同部件的制造差异或其组合而变化。在一些实例中，一些电流可能以互补的方式而不是成比例的方式随一些操作参数而变化。例如，提供给存储器装置的电流量可以与存储器装置的工作温度相反地变化(例如，较高的温度可导致较低的电流)。但是在许多情况下，存储器装置在更高的温度下可能会使用更多的电流，而不是更少(例如，电流的使用可与工作温度成比例地变化)。
描述了用于为存储器装置提供电流的技术、系统和装置，使得电流以与存储器装置的操作参数成正比的方式变化。电流修改部件可以包含反馈部件，反馈部件包含跟踪器部件。跟踪器部件可以包含呈二极管配置的两个或更多个晶体管。跟踪器部件可经配置以至少部分地基于存储器装置的温度、存储器装置上的其它电流或电压、存储器系统中不同部件的制造差异或其组合来改变输出电流或输出电压。
首先在如参考图1描述的存储器系统和裸片的上下文中描述本公开的特征。在如参考图2到4描述的与基于工作温度来调节电流的技术有关的电路和对应曲线图的上下文中描述本公开的特征。通过如参考图5到6描述的与基于操作参数来调节电流的技术有关的设备图和流程图进一步示出并参考所述设备图和流程图描述本公开的这些和其它特征。
图1示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的存储器裸片100的实例。在一些实例中，存储器裸片100可以被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片100可以包含一或多个存储器单元105，每个存储器单元可以被编程为存储不同的逻辑状态(例如，被编程为两个或多个可能状态的集合中的一个)。在一些实例中，存储器单元105可以被布置成阵列。
存储器单元105可以存储表示电容器中的可编程状态的电荷。DRAM架构可以包含电容器，所述电容器包含电介质材料以存储表示可编程状态的电荷。在其它存储器架构中，其它存储装置和部件也是可能的。存储器单元105可以包含逻辑存储部件，例如电容器130和开关部件135。电容器130可以是介电电容器或铁电电容器的实例。电容器130的节点可以与电压源140耦合，所述电压源可以是例如Vpl的电池板参考电压，或者可以是例如Vss的地。
存储器裸片100可以包含以例如网格状图案的图案布置的一或多个存取线(例如，一或多个字线110和一或多个数字线115)。存取线可以是与存储器单元105耦合的导线，并且可以用于对存储器单元105执行存取操作。在一些实例中，字线110可以被称为行线。在一些实例中，数字线115可以被称为列线或位线。存储器单元105可以位于字线110和数字线115的相交处。
可以通过激活或选择例如字线110或数字线115中的一或多个之类的存取线来对存储器单元105执行例如读取和写入之类的操作。通过偏置字线110和数字线115(例如，将电压施加到字线110或数字线115)，可以在它们的相交处存取单个存储器单元105。二维或三维配置中的字线110和数字线115的相交处可以被称为存储器单元105的地址。
可以通过行解码器120或列解码器125来控制对存储器单元105的存取。例如，行解码器120可以从本地存储器控制器160接收行地址，并基于接收到的行地址来激活字线110。列解码器125可以从本地存储器控制器160接收列地址，并且可以基于接收到的列地址来激活数字线115。
选择或取消选择存储器单元105可以通过使用字线110激活或去激活开关部件135来实现。电容器130可以使用开关部件135与数字线115耦合。例如，当开关部件135被去激活时，电容器130可以与数字线115分离，并且当开关部件135被激活时，电容器130可以与数字线115耦合。
感测部件145可用于检测存储在存储器单元105的电容器130上的状态(例如，电荷)，并基于所存储状态来确定存储器单元105的逻辑状态。感测部件145可以包含一或多个感测放大器，以放大或以其它方式转换由于存取存储器单元105而产生的信号。感测部件145可以将从存储器单元105检测到的信号与参考150(例如，参考电压)进行比较。存储器单元105的检测到的逻辑状态可以被提供为感测部件145的输出(例如，到输入/输出155)，并且可以向包含存储器裸片100的存储器装置的另一部件指示检测到的逻辑状态。
本地存储器控制器160可以控制通过各种部件(例如，行解码器120、列解码器125、感测部件145)对存储器单元105的存取。在一些实例中，行解码器120、列解码器125和感测部件145中的一或多者可以与本地存储器控制器160共址。本地存储器控制器160可用于接收来自一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置相关联的外部存储器控制器、与存储器裸片100相关联的另一控制器)的一或多个命令或数据，将命令或数据(或两者)转换为可由存储器裸片100使用的信息，对存储器裸片100执行一或多个操作，并基于执行一或多个操作将数据从存储器裸片100传送到主机装置。本地存储器控制器160可以生成行信号和列地址信号以激活目标字线110和目标数字线115。
本地存储器控制器160还可以产生并控制在存储器裸片100的操作期间使用的各种电压或电流。例如，本地存储器控制器160可以包含电源电路170，所述电源电路可以基于操作参数控制存储器裸片100的电压和电流。根据本文公开的实例，电源电路170可以使用电流镜以基于操作参数来调节电流。
电流镜是设计成通过控制内部有源装置中的电流来复制通过有源输出装置的输出电流的电路。无论负载如何，这都能使输出电流保持恒定。这种类型的电路可有助于为外部电路供电。例如，电流镜可以用于将恒定电流输出到存储器单元阵列。但是，在许多情况下，外部电路(例如，存储器单元)所使用的电流可能不是恒定的。例如，由外部电路使用的电流量可以基于外部电路的工作温度而变化(例如，较高的温度可能导致较大的电流)。
在一些电路(例如，电流镜电路)中，内部有源装置的电流可以与外部电路的温度变化成反比。也就是说，随着外部电路温度的升高，提供给内部有源装置的电流可能会下降。因为输出电流镜射这种内部电流，所以提供给存储器装置其它部分(例如存储器阵列)的输出电流也可能下降。对于一些电路，温度与电流输出之间的反比关系可能会导致电路效率低下。在一些情况下，外部电路在更高的温度下可能会使用更多的电流，而不是更少。为了补偿，电路可以设计成使有源输出装置输出的电流大于或等于外部电路在最高工作温度下使用的电流。在输出电流与温度变化成反比的电路中，有源输出装置可以设计成在较低温度下提供的电流大于在较高温度下提供的电流。在这种情况下，有源输出装置可以设计得比使用的装置大，并且在较低的温度下可能会损失效率。
本文描述了用于电路的装置、系统和技术，所述电路可以设计成使得内部电流和外部电流都与外部电路的温度成正比。在此类情况下，随着外部电路的工作温度升高，有源输出装置输出的电流也可能升高，以满足外部电路不断增长的功率需求。因此，有源输出装置可以更有效并且可以设计成更小(例如，使用更少的裸片面积)。
图2示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的电路200的实例。电路200可以说明电源电路170，所述电源电路将电流提供给存储器装置的代表性存储器单元105。
电路200可以是电流镜的实例。电路200可以包含放大器202、反馈部件204、第一电流发生器206和第二电流发生器208。
放大器202可以具有第一输入210、第二输入212和输出214。第一输入210可以接收输入电压Vin，并且第二输入212可以接收来自反馈部件204的反馈。Vin电压可以是用于操作存储器单元阵列或存储器装置的其它部分的电压的实例。输出214可以基于第一输入210和第二输入212输出第一电压V1。在电路200中，放大器202可以是呈同相配置且具有等于V1/Vin的增益G的运算放大器A1的实例。在一些情况下，放大器202的增益可以基于反馈部件204。第一输入210可以是正输入的实例，且第二输入212可以是负输入的实例。可以在第一输入210处接收输入电压Vin，并且可以在第二输入212处接收来自反馈部件204的反馈。
第一电流发生器206可以包括第一晶体管216，所述第一晶体管有时可以被称为第一电流发生器。晶体管216可以包含栅极218、源极220和漏极222。在一些情况下，第一晶体管216可以是功率晶体管的实例。漏极222可以与例如Vpl的高压Vh耦合，并且栅极218可以与放大器202的输出214耦合。栅极218可以形成开关，所述开关可以允许电流从漏极222流过晶体管216到达源极220。电流量可以基于增益。在一些情况下，第一电流发生器206可以具有一(1)的增益。也可以使用其它增益值。
反馈部件204可以具有电阻部件224和跟踪部件226，其可以与第一晶体管216的源极220耦合并且都可以从所述源极汲取电流。电阻部件224可以包括一对电阻器，例如第一电阻器228和第二电阻器230，所述电阻器可以耦合在一起以形成分压器。第一电阻器228和第二电阻器230可以在一端耦合以形成节点232。第一电阻器228的第二端可以耦合到第一电流发生器206。第二电阻器230的第二端可以耦合到低电压VL，例如地或Vss。节点232可以与放大器202的第二输入212耦合。在此类配置中，电阻部件224可以形成用于放大器202的分压器，并且放大器202的增益G可以由G＝1+(R1/R2)确定，其中R1是第一电阻器228的电阻且R2是第二电阻器230的电阻。第一电阻器228和第二电阻器230可以包含链接在一起的两个或更多个电阻器，也可以是在其中形成节点的单个电阻器。
跟踪部件226可经配置以使输出电流与工作温度成比例而不是与工作温度成反比。例如，包含电阻部件224而不包括跟踪部件226的电路可以输出与外部电路所相关联的工作温度成反比(例如，互补的)的电流。跟踪部件226可以包括一对晶体管233，例如第一跟踪晶体管234和第二跟踪晶体管236，所述跟踪晶体管可以以二极管配置彼此耦合。第一跟踪晶体管234和第二跟踪晶体管236可以是场效应晶体管(FET)。第一跟踪晶体管234可以是p沟道晶体管，且第二跟踪晶体管236可以是n沟道晶体管。第一跟踪晶体管234和第二跟踪晶体管236可以各自包含栅极238、源极240和漏极242。第一跟踪晶体管234和第二跟踪晶体管236两者的栅极238和漏极242可以耦合在一起。第一跟踪晶体管234的源极240可以与第一电流发生器206耦合并且可以从其汲取电流。第二跟踪晶体管236的源极240可以与VL耦合。其它类型的晶体管和晶体管配置也是可能的。例如，以二极管配置彼此耦合的第二对晶体管可以与第一跟踪晶体管234和第二跟踪晶体管236耦合，如下所述。
第二电流发生器208可以包括第二晶体管244，所述第二晶体管有时可以被称为第二电流发生器。第二晶体管244可以包含栅极246、源极248和漏极250。在一些情况下，第二晶体管244可以是功率晶体管的实例。漏极250可以与高电压Vh耦合，并且栅极246可以与放大器202的输出214耦合。栅极246可以形成开关，所述开关可以允许电流从漏极250流过第二晶体管244到达第二晶体管248。从第二电流发生器208输出的电流Iout可以提供给外部存储器阵列。第二电流发生器208可经配置以产生输出电流Iout以镜射由第一电流发生器206产生的第一电流I1。第二电流发生器208可以具有10的增益。其它增益值也可以是可能的。第二电流发生器208可以具有高于第一电流发生器206的增益。例如，第二电流发生器208可以具有为第一电流发生器206的增益的10倍的增益。其它增益差也是可能的。
在第一工作温度下，放大器202可以在第一输入210处接收输入电压Vin。放大器202可以使第一电压V1出现在其输出214处。可以在第一电流发生器206的第一晶体管216的栅极218处接收第一电压V1。这可以接通第一电流发生器206，并且可以使第一电流I1流过第一晶体管216。第一电流I1可以至少部分地基于输入电压和存储器装置的工作温度。
反馈部件204可以从晶体管216汲取电流I1。电流I1的第一部分I1a可以流过电阻部件224。电流I1的第二部分I1b可以流过跟踪部件226。流过电阻部件224的电流量可以由I1a＝Vh/R1来确定。流过跟踪部件226的电流量可以等于流过第一跟踪晶体管234和第二跟踪晶体管236的电流量。第一电流I1的总量可以等于第一部分I1a和第二部分I1b之和。
也可以在第二电流发生器208的第二晶体管244的栅极246处接收电压V1。这可以接通第二电流发生器208，并且可以使输出电流Iout流过第二晶体管244。可以将输出电流Iout提供给图2所示的电路200外部的存储器单元阵列105。输出电流Iout可以镜射从第一晶体管216汲取的电流I1。电流Iout可以镜射在第二发生器的增益与第一电流发生器的增益之间的差的电流I1。在一个实例中，增益差为1000，使得电流Iin为微安量级，且电流Iout为毫安量级。
如本文所描述，外部电路(例如，存储器单元阵列)的工作温度可能影响外部电路所使用的电流量。在一些情况下，随着工作温度升高，外部电路可能会使用更多电流。考虑到这些情况，第一电流I1和输出电流Iout都可以与工作温度的变化成正比。即，随着温度升高，第一电流I1和输出电流Iout都可能上升。由于Iout可能会随温度上升，因此更多电流可用于外部电路。
通常，随着温度升高，电阻器的电阻值也升高。在这种情况下，当温度升高时，电阻部件224中的第一电阻器228和第二电阻器230的电阻值都会升高。因为I＝V/R，所以第一电流I1的第一部分I1a可随电阻的升高而降低。因此，随着温度上升，第一部分I1a可能会降低。在这种情况下，第一部分I1a可以相对于工作温度的变化成反比。
通常，随着温度的升高，二极管会汲取更多的电流。因此，当跟踪部件226的第一跟踪晶体管234和第二跟踪晶体管236以二极管配置来配置时，它们会随着温度的升高而汲取更多的电流。因此，第一电流I1的第二部分I1b可以随着温度的升高而上升。在这种情况下，第二部分I1b可以相对于工作温度的变化成正比。
总电流I1可以等于第一部分I1a和第二部分I1b之和。晶体管234、236可以被设计或选择为使得随着温度的升高，第一电流I1的第一部分I1b可以以比第二部分I1a的下降速率更大的速率升高。在这种情况下，总电流I1可以随温度升高而升高。因此，总电流I1可以与工作温度的变化成正比。
输出电流Iout可以镜射第一电流I1。因此，在第一电流I1随着工作温度升高而升高的这种情况下，输出电流Iout也可以随着工作温度的升高而升高，并且可以与工作温度的变化成正比。
在高于第一工作温度的第二工作温度下，放大器202可以接收另一输入电压Vin'并输出另一第一电压V1'。在第二工作温度下的电压和电流值可以与在第一工作温度下的电压和电流值不同。第一电压V1'可以不等于原始的第一电压V1。第一电流发生器206可以再次由电压V1'接通，并且第一电流I1'可以流过晶体管216。
反馈部件204可以从晶体管216汲取第一电流I1'。如前所述，第一电流I1'的第一部分I1a'可以流过电阻部件224，并且第二部分I1b'可以流过跟踪部件226。如上所述，流过电阻部件224的电流可以与工作温度成反比，并且流过跟踪部件226的电流可以与工作温度成正比。因此，第一电流I1'的第一部分I1a'可以小于原始的第一电流I1的第一部分I1a，并且第一电流I1'的第二部分I1b'可以大于原始的第一电流I1的第二部分I1b。在一些情况下，就工作温度的变化而言，第一部分I1b'的升高速率可大于第一部分I1a'的升高速率。在这种情况下，第一电流I1'可以大于原始的第一电流I1。
第二电流发生器208也可以通过第一电压V1'接通，并且输出电流Iout'可以流过晶体管244。如上所述，输出电流可以镜射从第一晶体管216汲取的电流。在第一电流I1'大于原始的第一电流I1的情况下，输出电流Iout'可以大于原始输出电流Iout。在这种情况下，内部和外部电流都可与工作温度的变化成正比。
图3示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的相对于温度的电流分布的曲线图300。曲线图300可以说明采用镜射电路的电源电路的输出和输入电流，以及存储器裸片100的代表性存储器单元105在最小和最大工作温度之间所使用的电流。例如，所示的电流I1和Iout可以分别反映与图2所示的电路图相关联的电流分布I1和Iout，而Imemory可以反映由电路200供电的存储器单元105所使用的电流。
如上文所讨论，外部电路在更高的温度下可能会使用更多的电流。这可以由虚线Imemory表示。Imemory可以从外部电路在电路的最小工作温度Tmin(例如-40℃)下所使用的最小电流量Imin开始升高。Imemory可以升高到在电路的最大工作温度Tmax(例如130℃)下的最大电流量Imax。为了向外部电路提供足够的电流，镜射电路的输出电流应大于或等于外部电路所使用的最大电流量Imax。如图所示，这可能发生在最高工作温度Tmax处。
如上文所讨论，在一些电流镜电路中，内部电流和输出电流可以与外部电路(例如，没有跟踪部件226的电路200)的温度变化成反比。也就是说，随着外部电路的温度升高，内部电流和输出电流可能会下降。这可以由虚线I1-2和Iout-2表示。如图所示，当输出电流与温度变化成反比时，为了在最高工作温度Tmax下提供最大电流Imax，在较低温度下输出电流可能会更大。在这种情况下，输出电流发生器可能会比使用的电流发生器大，并且在较低的温度下效率可能会损失。在温度Tmax处，输出电流发生器可以相对于内部电流I1-2具有增益Bx，以提供最大电流Imax。
相反，在一些电流镜电路中，内部电流和输出电流可以与外部电路(例如，电路200)的温度变化成正比。也就是说，随着外部电路温度的升高，内部电流和输出电流可能会上升。这可以由实线I1和Iout表示。如图所示，当输出电流与温度变化成正比时，在较低温度下的输出电流可能会较小，而在最高工作温度Tmax时仍会提供最大电流Imax。因此，随着工作温度的升高，电流Iout也会满足外部电路增加的功率需求Imemory。在这种情况下，可以将输出电流发生器设计成与外部电路的电流使用更加匹配。在温度Tmax处，输出电流发生器可以相对于内部电流I1具有增益Ax，以提供最大电流Imax。可以看出，增益A可以小于增益B，以提供相同的最大电流Imax。因此，输出电流发生器可能更小且效率更高。
图4示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的电路400的实例。电路400可以说明将电流提供给存储器装置的代表性存储器单元105的电源电路170。电路400可以包含电路200的部分，如上文所讨论的。
除了上文讨论的装置和部件之外，电源电路还可以包含其它装置或部件。例如，电路400可以进一步包含第三电流发生器402和第二对跟踪晶体管404，例如第三跟踪晶体管422和第四跟踪晶体管424。
开关也可以包含在电源电路中，以使用户可以为电源电路选择不同的部件组合。例如，电路400可以包含可以使用的四个开关SW1到SW4。当然，也可以使用其它数量的开关。第一开关406可以将第三电流发生器402耦合到反馈部件204。第二开关408可以将跟踪部件226耦合到电阻部件224和第一电流发生器206。第三开关410可以绕过第三跟踪晶体管422。第四开关412可以绕过第四跟踪晶体管424。为了反映上文讨论的电路200，第二开关408、第三开关410和第四开关412可以闭合，而第一开关406可以断开。
在一些实例中，开关可以在制造期间保持断开，并且可以在制造之后通过闭合一或多个开关来选择部件。例如，可以将保险丝座结合到存储器裸片中，使得在制造裸片之后，可以插入保险丝以闭合对应的开关。也可以使用其它类型的开关。这样，开关SW1到SW4可以用于在最终完成和运输产品之前的制造过程中调节电路的配置。在这种情况下，可以用各种不同的配置来制造电路，并且可以通过激活/去激活一或多个开关SW1到SW4来选择最终电路的确切配置。
当使用跟踪部件226时，与单独使用电阻部件224相比，第一电流I1可能明显增加。在一些情况下，第一电流I1可能加倍或更大。例如，第一电流可能从3μA变为6μA。这可能使电压V1也发生明显变化，从而可能导致可靠性问题。第三电流发生器402可以通过添加可流过跟踪部件226的第二电流来帮助抵消这一情况。
第三电流发生器402可以包含第三晶体管414。第三晶体管414可以包含栅极416、源极418和漏极420。在一些情况下，第三晶体管414可以是功率晶体管的实例。漏极420可以与高电压Vh耦合，并且栅极416可以与放大器202的输出214耦合。栅极416可以形成开关，所述开关可以允许第二电流I2从漏极420流过晶体管414到达源极418。电流量可以基于增益。第三电流发生器402可以具有1的增益。其它增益值也是可能的。
为了将第三电流发生器402与跟踪部件226耦合，可以闭合第一开关406和第二开关408。这可以允许跟踪部件226从第三电流发生器402汲取电流。因此，电流I2可以流过跟踪部件226，而不是第一电流I1的第一部分I1b流过所述跟踪部件。因此，第一电压V1可以保持在1.4或1.5伏左右。
跟踪部件226可以包含第二对晶体管404，例如第三跟踪晶体管422和第四跟踪晶体管424，以与第一对晶体管233一起使用。第二对晶体管404可以与第一对晶体管233类似的方式进行配置。例如，第三跟踪晶体管422和第四跟踪晶体管424可以以二极管配置彼此耦合。为了将第二对晶体管404耦合到第一对晶体管233，第三跟踪晶体管422的源极426可以与第一跟踪晶体管234的漏极242耦合，而第四跟踪晶体管424的源极426可以与第二跟踪晶体管236的漏极242耦合。在这种配置中，第二对晶体管404可以串联在第一跟踪晶体管234与第二跟踪晶体管236之间。在其它实例中，第二对晶体管404可以与第一对晶体管串联而不分离第一对晶体管。
为了使电流流过第三跟踪晶体管422，第三开关410可以保持断开。为了使电流流过第四跟踪晶体管424，第四开关412可以保持断开。在第三开关410和第四开关412都断开的情况下，来自第一电流发生器的第一电流I1的第一部分I1b(或如果第一开关406闭合，则来自第三电流发生器402的第二电流I2)可以流过两对晶体管233、404。为了绕过第三跟踪晶体管422，可以闭合第三开关410。为了绕过第四跟踪晶体管424，可以闭合第四开关412。在第三开关410和第四开关412均闭合的情况下，可以绕过第二组晶体管404，使得第一电流I1的第一部分I1b或第二电流I2可仅流过第一对晶体管233。
图5示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的存储器装置505的框图500。存储器装置505可以是如参考图1到4描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置505可以包含接收部件510、温度部件515、第一电流发生器520、反馈部件525、第二电流发生器530和输出部件535。这些模块中的每一者可以直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
接收部件510可以在放大器的输入处接收输入电压。
温度部件515可以识别与输入电压相关联的存储器装置的工作温度。在一些实例中，温度部件515可以识别存储器装置的第二工作温度，所述第二工作温度大于所述工作温度。
第一电流发生器520可以基于放大器的输出处的电压来产生第一电流，所述第一电流与工作温度成比例。在一些实例中，第一电流发生器520可以基于放大器的输出处的电压来产生第三电流，所述第三电流大于第一电流。
反馈部件525可以汲取由第一电流发生器产生的第一电流。在一些实例中，反馈部件525可以通过反馈部件的电阻部件来汲取第一电流的第一部分，并且通过反馈部件的跟踪部件来汲取第一电流的第二部分。在一些实例中，反馈部件525可以汲取由第一电流发生器产生的第三电流。
第二电流发生器530可以基于通过反馈部件汲取第一电流而产生用于存储器单元阵列的第二电流，第二电流镜射第一电流并且与工作温度成比例。在一些情况下，相对于工作温度的变化，第二电流的第一变化方向与第一电流的第二变化方向成比例。在一些实例中，第二电流发生器530可以产生用于存储器单元阵列的第四电流，所述第四电流大于第二电流。
输出部件535可以将由第二电流发生器产生的第二电流输出到存储器单元阵列。在一些实例中，输出部件535可以将由第二电流发生器产生的第四电流输出到存储器单元阵列。
图6示出的流程图示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的一或多种方法600。方法600的操作可以由本文描述的存储器装置或其部件来实现。例如，方法600的操作可以由参考图5所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可以执行指令集以控制存储器装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。
在605，存储器装置可以在放大器的输入处接收输入电压。可以根据本文描述的方法来执行605的操作。在一些实例中，可以由如参考图5描述的接收部件执行605的操作的各方面。
在610，存储器装置可以识别与输入电压相关联的存储器装置的工作温度。可以根据本文描述的方法来执行610的操作。在一些实例中，可以由如参考图5描述的温度部件执行610的操作的各方面。
在615，存储器装置可以基于放大器的输出处的电压来产生第一电流，所述第一电流与工作温度成比例。可以根据本文描述的方法来执行615的操作。在一些实例中，可以由如参考图5描述的第一电流发生器执行615的操作的各方面。
在620，存储器装置可以汲取由第一电流发生器产生的第一电流。可以根据本文描述的方法来执行620的操作。在一些实例中，可以由如参考图5描述的反馈部件执行620的操作的各方面。
在625，存储器装置可以基于通过反馈部件汲取第一电流而产生用于存储器单元阵列的第二电流，所述第二电流镜射第一电流并且与工作温度成比例。可以根据本文描述的方法来执行625的操作。在一些实例中，可以由如参考图5描述的第二电流发生器执行625的操作的各方面。
在630，存储器装置可以将由第二电流发生器产生的第二电流输出到存储器单元阵列。可以根据本文描述的方法来执行630的操作。在一些实例中，可以由如参考图5描述的输出部件执行630的操作的各方面。
在一些实例中，如本文描述的设备可以执行一或多个方法，例如方法600。所述设备可以包含用于以下项的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在放大器的输入处接收输入电压；识别与输入电压相关联的存储器装置的工作温度；基于放大器的输出处的电压，通过第一电流发生器来产生第一电流，所述第一电流与工作温度成比例；通过反馈部件汲取由第一电流发生器产生的第一电流；基于通过反馈部件汲取第一电流，通过第二电流发生器产生用于存储器单元阵列的第二电流，所述第二电流镜射第一电流并且与工作温度成比例；以及将由第二电流发生器产生的第二电流输出到存储器单元阵列。
在本文描述的方法600和设备的一些实例中，相对于工作温度的变化，第二电流的第一变化方向可以与第一电流的第二变化方向成比例。
在本文描述的方法600和设备的一些实例中，汲取第一电流可以包含用于以下项的操作、特征、构件或指令：通过反馈部件的电阻部件汲取第一电流的第一部分；以及通过反馈部件的跟踪部件汲取第一电流的第二部分。
本文描述的方法600和设备的一些实例可以进一步包含用于以下项的操作、特征、构件或指令：识别存储器装置的第二工作温度，所述第二工作温度可以大于所述工作温度；基于放大器的输出处的电压，通过第一电流发生器来产生第三电流，所述第三电流大于第一电流；通过反馈部件汲取由第一电流发生器产生的第三电流；通过第二电流发生器产生用于存储器单元阵列的第四电流，所述第四电流大于第二电流；以及将由第二电流发生器产生的第四电流输出到存储器单元阵列。
应注意，上文描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合方法中的两个或更多个的各部分。
描述一种设备。所述设备可以包含：放大器，所述放大器包含用于接收第一电压的输入和用于输出基于第一电压的第二电压的输出；第一电流发生器，所述第一电流发生器与放大器的输出耦合，并用于基于由放大器输出的第二电压产生第一电流；反馈部件，所述反馈部件与第一电流发生器耦合，并用于基于与设备相关联的工作温度修改第一电流，所述第一电流与工作温度成比例；以及第二电流发生器，所述第二电流发生器与第一电流发生器耦合，并用于基于由反馈部件修改的第一电流产生第二电流。
在一些实例中，基于反馈部件修改第一电流，第一电流的第一变化方向和第二电流的第二变化方向都可以与工作温度的变化成比例。
在一些实例中，反馈部件可以包含用于以下项的操作、特征、构件或指令：电阻部件，所述电阻部件与第一电流发生器和放大器的输入耦合，并用于从第一电流发生器汲取第一电流的第一部分；以及跟踪部件，所述跟踪部件与第一电流发生器耦合，并用于从第一电流发生器汲取第一电流的第二部分。
在一些实例中，第一电流的第一部分可以相对于工作温度的变化成反比，并且第一电流的第二部分可以相对于工作温度的变化成比例。
在一些实例中，跟踪部件包含一对晶体管，所述一对晶体管经配置以接收第一电流的第二部分。在一些实例中，所述一对晶体管包含p沟道晶体管和n沟道晶体管。在一些实例中，晶体管可以以二极管配置彼此耦合。
在一些实例中，跟踪部件包含第二对晶体管，所述第二对晶体管以二极管配置彼此耦合并且经配置以接收第一电流的第二部分。
在一些实例中，第一电流发生器可经配置以具有第一增益，并且第二电流发生器可经配置以具有高于第一电流发生器的第一增益的第二增益。
在一些实例中，反馈部件包含均与第一电流发生器耦合的电阻部件和跟踪部件，所述电阻部件与放大器耦合且经配置以向放大器提供反馈，并且跟踪部件经配置以跟踪由第二电流发生器产生的第二电流。
描述一种设备。所述设备可以包含：放大器，所述放大器包含用于接收第一电压的第一输入、第二输入和输出；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极和源极，所述栅极与放大器的输出耦合；电阻部件，所述电阻部件具有与第一晶体管的源极耦合的输入，所述电阻部件还与放大器的第二输入耦合；跟踪部件，所述跟踪部件具有与第一晶体管的源极耦合的输入，所述跟踪部件包含以二极管配置彼此耦合的一对晶体管；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极和源极，所述栅极与放大器的输出耦合，所述第二晶体管经配置以在第二晶体管的源极上产生第一电流，所述第一电流镜射在第一晶体管的源极上产生的第二电流。
在一些实例中，跟踪部件可经配置以使第一电流的第一变化方向和第二电流的第二变化方向都与温度的变化成比例。
在一些实例中，所述一对晶体管的p沟道晶体管的源极可以与跟踪部件的输入耦合，所述一对晶体管的n沟道晶体管的源极可以与地耦合，并且p沟道晶体管和n沟道晶体管的栅极和漏极可以耦合在一起。
在一些实例中，跟踪部件进一步包含以二极管配置彼此耦合的第二对晶体管，其中所述第二对晶体管可以与所述一对晶体管耦合。
在一些实例中，第一晶体管可经配置以可以具有第一增益，并且第二晶体管可经配置以可以具有第二增益，所述第二增益可以高于第一晶体管的第一增益。
在一些实例中，放大器包含同相放大器，其中第一输入可以是正输入，而第二输入可以是负输入。
术语“耦合”可以指支持部件之间的信号流的部件之间的关系。如果部件之间存在可以随时支持部件之间信号流的任何导电路径，则认为部件彼此耦合。在任何给定时间，基于包含所连接部件的装置的操作，彼此耦合的部件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接部件之间的导电路径可以是部件之间的直接导电路径，或所连接部件之间的导电路径可以是间接导电路径，其可以包含例如开关、晶体管或其它部件的中间部件。在一些实例中，可以例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间部件来中断所连接部件之间的信号流一段时间。
本文中所论述的开关部件或晶体管可以表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。端子可以通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，并且可以包括经重掺杂半导体区，例如简并半导体区。源极和漏极可以被轻掺杂的半导体区或沟道分开。如果沟道是n型(即，多数载流子是电子)，则FET可以被称为n型FET。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，则FET可以被称为p型FET。沟道可以由绝缘栅极氧化物封端。可以通过向栅极施加电压来控制沟道导电性。例如，分别向n型FET或p型FET施加正电压或负电压可以使得沟道导通。当向晶体管栅极施加大于或等于晶体管的阈值电压的电压时，晶体管可以“导通”或“激活”。当向晶体管栅极施加小于晶体管的阈值电压的电压时，晶体管可以“断开”或“去激活”。
本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文所用的术语“示例性”意指“充当实例、例子或说明”，而不是“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可以在没有这些具特定细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
在附图中，类似部件或特征可以具有相同参考标记。此外，可以通过在参考标记之后加上破折号和在类似部件之间进行区分的第二标记来区分相同类型的各种部件。若在说明书中仅使用第一附图标记，则描述适用于具有相同第一附图标记而与第二附图标记无关的类似部件中的任一者。
如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)A、B或C中的至少一者的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文中所使用，词组“基于”不应被解释为对一组封闭条件的引用。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示例性步骤可以基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
提供本文的描述是为了使所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改将是所属领域的技术人员显而易见的，且本文所定义的一般原理可应用于其它变型，而不脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

Claims (20)

1.一种设备，其包括：
放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的输入和用于输出至少部分地基于所述第一电压的第二电压的输出；
第一电流发生器，所述第一电流发生器与所述放大器的所述输出耦合，并用于至少部分地基于由所述放大器输出的所述第二电压产生第一电流；
反馈部件，所述反馈部件与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于与所述设备相关联的工作温度修改所述第一电流，所述第一电流与所述工作温度成比例；以及
第二电流发生器，所述第二电流发生器与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。
2.根据权利要求1所述的设备，其中至少部分地基于所述反馈部件修改所述第一电流，所述第一电流的第一变化方向和所述第二电流的第二变化方向都与所述工作温度的变化成比例。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述反馈部件包括：
电阻部件，所述电阻部件与所述第一电流发生器和所述放大器的所述输入耦合，并用于从所述第一电流发生器汲取所述第一电流的第一部分；以及
跟踪部件，所述跟踪部件与所述第一电流发生器耦合，并用于从所述第一电流发生器汲取所述第一电流的第二部分。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一电流的所述第一部分相对于所述工作温度的变化成反比，并且所述第一电流的所述第二部分相对于所述工作温度的所述变化成比例。
5.根据权利要求3所述的设备，其中所述跟踪部件包括一对晶体管，所述一对晶体管经配置以接收所述第一电流的所述第二部分。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述一对晶体管包括p沟道晶体管和n沟道晶体管。
7.根据权利要求5所述的设备，其中所述晶体管以二极管配置彼此耦合。
8.根据权利要求5所述的设备，其中所述跟踪部件包括第二对晶体管，所述第二对晶体管彼此耦合并且经配置以接收所述第一电流的所述第二部分。
9.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第一电流发生器经配置以具有第一增益；并且
所述第二电流发生器经配置以具有高于所述第一电流发生器的所述第一增益的第二增益。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述反馈部件包括均与所述第一电流发生器耦合的电阻部件和跟踪部件，所述电阻部件与所述放大器耦合且经配置以向所述放大器提供反馈，并且所述跟踪部件经配置以跟踪由所述第二电流发生器产生的所述第二电流。
11.一种设备，其包括：
放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的第一输入、第二输入和输出；
第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极和源极，所述栅极与所述放大器的所述输出耦合；
电阻部件，所述电阻部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述电阻部件还与所述放大器的所述第二输入耦合；
跟踪部件，所述跟踪部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述跟踪部件包括以二极管配置彼此耦合的一对晶体管；以及
第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极和源极，所述栅极与所述放大器的所述输出耦合，所述第二晶体管经配置以在所述第二晶体管的所述源极上产生第一电流，所述第一电流镜射在所述第一晶体管的所述源极上产生的第二电流。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述跟踪部件经配置以使所述第一电流的第一变化方向和所述第二电流的第二变化方向都与温度的变化成比例。
13.根据权利要求11所述的设备，其中：
所述一对晶体管的p沟道晶体管的源极与所述跟踪部件的所述输入耦合；
所述一对晶体管的n沟道晶体管的源极与地耦合；并且
所述p沟道晶体管和所述n沟道晶体管的栅极和漏极耦合在一起。
14.根据权利要求11所述的设备，其中所述跟踪部件进一步包括彼此耦合的第二对晶体管，其中所述第二对晶体管与所述一对晶体管耦合。
15.根据权利要求11所述的设备，其中：
所述第一晶体管经配置以具有第一增益；并且
所述第二晶体管经配置以具有第二增益，所述第二增益高于所述第一晶体管的所述第一增益。
16.根据权利要求11所述的设备，其中所述放大器包括同相放大器，其中所述第一输入是正输入，而所述第二输入是负输入。
17.一种方法，其包括：
在放大器的输入处接收输入电压；
识别与所述输入电压相关联的存储器装置的工作温度；
至少部分地基于所述放大器的输出处的电压，通过第一电流发生器来产生第一电流，所述第一电流与所述工作温度成比例；
通过反馈部件汲取由所述第一电流发生器产生的所述第一电流；
至少部分地基于通过所述反馈部件汲取所述第一电流，通过第二电流发生器产生用于存储器单元阵列的第二电流，所述第二电流镜射所述第一电流并且与所述工作温度成比例；以及
将由所述第二电流发生器产生的所述第二电流输出到所述存储器单元阵列。
18.根据权利要求17所述的方法，其中相对于所述工作温度的变化，所述第二电流的第一变化方向与所述第一电流的第二变化方向成比例。
19.根据权利要求17所述的方法，其中汲取所述第一电流包括：
通过所述反馈部件的电阻部件汲取所述第一电流的第一部分；以及
通过所述反馈部件的跟踪部件汲取所述第一电流的第二部分。
20.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
识别所述存储器装置的第二工作温度，所述第二工作温度大于所述工作温度；
至少部分地基于所述放大器的所述输出处的所述电压，通过所述第一电流发生器产生第三电流，所述第三电流大于所述第一电流；
通过所述反馈部件汲取由所述第一电流发生器产生的所述第三电流；
通过所述第二电流发生器产生用于所述存储器单元阵列的第四电流，所述第四电流大于所述第二电流；以及
将由所述第二电流发生器产生的所述第四电流输出到所述存储器单元阵列。
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